「crystallization process」を含む例文一覧(266)
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基板上のフィルム領域を処理して、こうした領域内及びその端部領域をほぼ均一にするレーザ結晶化プロセス及びシステム、及びこうしたフィルム領域の構造 - 特許庁 - (2) Purification process purifying crude tropolone obtained by decomposing the 7,7-dichlorobicyclo [3.2.0]hept-2-en-6-one compound in the presence of a base by distillation and crystallization.
（２）７，７−ジクロロビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−６−オン化合物を塩基存在下に分解して得られた粗トロポロン化合物を、蒸留および晶析により精製する工程。 - 特許庁 - The lateral crystallization process in which film is irradiated and crystallized by heating the substrate using CO_2 laser as heat source, and another side using ultraviolet ray laser or visible spectrum laser.
ＣＯ_２レーザを加熱源として使用して基板を加熱し、他方紫外線レーザまたは可視スペクトルレーザを使用して膜を照射および結晶化するラテラル結晶化プロセス。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an unstretched polyester sheet capable of preventing crystallization by suppressing cooling unevenness in a manufacturing process, and excellent in hydrolysis resistance and long-term durability.
製造過程での冷却ムラを抑えて結晶化を防ぎ、耐加水分解性に優れ、長期耐久性を具えた未延伸ポリエステルシートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The whole mother liquid after the crystallization separation of the bisphenol A/phenol adduct from the reaction mixture is isomerized to be recirculated to a condensation process and a concentration or crystallization/solid-liquid separation process, and at the same time, bisphenol A and phenol are recovered from an isomerization liquid blown in a system for preventing the accumulation of impurities.
反応混合物からビスフェノールＡとフェノールとの付加物を晶析分離した後の母液の全量を異性化処理した後、縮合反応工程、濃縮工程ないし晶析・固液分離工程に再循環すると共に、系内に不純物の蓄積を防ぐためにブローする異性化処理液からビスフェノールＡとフェノールを回収する。 - 特許庁 - The method of fabricating the device including a process for promoting crystallization by a catalytic element and a process for gettering the catalytic element provides the semiconductor display device with high definition/high resolution/high image quality though it is small in size.
また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 - 特許庁 - Especially, acrylic acid obtained as a tower understream and/or a tower sidestream of a collection tower, a condensation tower and/or a distillation tower is purified by a distillation process and/or a crystallization process.
当該製造方法は、特に、捕集塔、凝縮塔及び／又は蒸留塔の、塔底流及び／又は塔側流として得られたアクリル酸を蒸留及び／又は結晶化工程で精製して得られるアクリル酸について実施する。 - 特許庁 - To prevent oxidation of a capacitor plug under a ferroelectric sub stance film, in a thermal treatment process under an oxidizing atmosphere which process is performed for crystallization and damage restoration of the ferroelectric film, constituting an FeRAM cell of a COP structure.
ＣＯＰ構造のＦｅＲＡＭセルを構成する強誘電体膜の結晶化やダメージ回復を目的とする、酸化性雰囲気中下での熱処理工程において、上記強誘電体膜下のキャパシタプラグの酸化を防止すること。 - 特許庁 - A crystallization process in which a material for forming a ferroelectric film 2 deposited on a substrate 1 is crystallized to form the ferroelectric film 2 is monitored with a Raman spectrum of the ferroelectric film 2 in the course of the crystalization process.
基板１上に堆積させた強誘電体膜２の形成材料を結晶化し、強誘電体膜２を成膜する結晶化工程を、当該結晶化工程途中における強誘電体膜２のラマンスペクトルによって監視する。 - 特許庁 - Based on the above fact, a dicarboxylic acid obtained by a production method comprising a fermentation process is subjected to a refining process comprising rinsing with water and/or a crystallization step to bring the ammonia content of the dicarboxylic acid to 4,000 ppm or less.
したがって、発酵法の工程を含む製造方法により得られたジカルボン酸を、水でのリンス及び／又は晶析工程を含む精製をすることにより、該ジカルボン酸中のアンモニア含有量を４０００ｐｐｍ以下にする。 - 特許庁 - The electrolytic solution 11 used for the nano-crystallization process is a liquid mixture selected from a range of 1:0.4 to 1:1 by a mass ratio before mixing hydrofluoric acid, ethanol and water, and current density in the nano-crystallization is set at a value selected from the range of 20-100 mA/cm^2.
ナノ結晶化処理に用いる電解液１１は、フッ化水素酸とエタノールと水とが混合前の質量比で１：０．４〜１：１の範囲から選択される混合液であり、ナノ結晶化の際の電流密度は２０〜１００ｍＡ／ｃｍ^２の範囲から選択される値である。 - 特許庁 - To provide a crystallization apparatus and a crystallizing method using it, in which alignment keys are formed on a substrate with one mask having a plurality of different patterns, and a crystallization process progresses according to information about distances from the alignment keys and in parallel with imaginary lines connecting adjacent alignment keys.
異形のパターンが複数具備された一つのマスクを準備した後、マスクを用いて基板上にアラインキーを形成し、アラインキーからの離隔情報及び隣接したアラインキーの仮想の連結線と平行に結晶化を進める結晶化装置及びこれを利用した結晶化方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can facilitate the manufacturing process of TFTs and decrease the number of apparatuses used to manufacture the TFTs by performing hydrization treatment in a chamber for laser crystallization as well as laser crystallization.
本発明は、レーザー結晶化のためのチャンバ内でレーザー結晶化と共に水素化処理を行うことにより、ＴＦＴの製造工程を簡略化でき、ＴＦＴの製造に使用する装置を削減することができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - This manufacturing method of a fluoride single crystal has a melt process in which a fluoride filled in a crucible is heated in a vacuum furnace to make a fluoride melt, a carbon monoxide removing process in which carbon monoxide is removed from the fluoride melt, and a crystallization process in which the fluoride melt after carbon monoxide removing process is cooled and crystallized.
ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(ＣＯ)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 - 特許庁 - In the second crystallization process, the second energy is so applied that the temperature of a prescribed region may be higher than that of the other region in order to condense the catalyst element in the prescribed region.
第２結晶化工程において、半導体膜の所定領域の温度を他の領域よりも高くなるように第２エネルギーを付与し、所定の領域に触媒元素を凝集させる。 - 特許庁 - In a first heating process, a region where at least a channel region of a transistor is manufactured is completely crystallized under a temperature condition suitable for crystallization of the amorphous silicon film.
１回目の加熱工程では、非晶質珪素膜の結晶化に適した温度条件によって、少なくともトランジスタのチャンネル領域が作製される領域を完全に結晶化させる。 - 特許庁 - Thus, the process of crystallization from a boundary face between the oxide film 102 and the stack electrode 100 can be restrained, and the decrease in an electrode surface area due to the HSG defective part can be made.
これにより、酸化膜１０２とスタック電極１００の境界面からの結晶化の進行を抑制し、ＨＳＧ不良部による電極表面積の減少が低減される。 - 特許庁 - To provide a method for producing a crystalline thin film having at least one physical property (hereinafter, abbreviated to as a property) from a mixture of organic compounds by a cascade crystallization process.
有機化合物の混合物からカスケード結晶化プロセスによって少なくとも１つの物理特性（以下特性と略記）を有する結晶薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process for producing an InP single crystal of a high yield by suppressing the generation defects, such as polycrystals and twins, when growing the InP single crystal, thereby enhancing a single crystallization rate.
InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for shortening a transformation-starting time and a transformation-finishing time in a process for carrying out transforming crystallization of a slurry solution containing Phe nonhydrate crystal to a monohydrate crystal.
Ｐｈｅ無水和物結晶を含むスラリー溶液を一水和物結晶へ転移晶析させる工程において、転移開始時間、転移完了時間を短縮させる方法を提供する。 - 特許庁 - A TFT fabricated, based on a second polycrystalline semiconductor film produced through such a crystallization process has high electrical characteristics and moreover with the variation thereof being suppressed.
以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 - 特許庁 - The observation device for the protein crystal has a crystallization plate 110 having a plurality of wells 112 to house samples such as water drops with a protein dissolved therein, an observation stage 120 to place the crystallization plate on it, and a camera 130 to photograph the crystallization process of the protein, wherein the camera is placed above the observation stage so as to be movable in XY directions.
タンパク質が溶け込んだ水滴などの試料を収容する複数のウェル１１２を有する結晶化プレート１１０と、前記結晶化プレートを載置する観察ステージ１２０と、前記タンパク質の結晶化過程を撮像するカメラ１３０とを有し、カメラが、ＸＹ方向に移動可能なように観察ステージの上方に備えられているタンパク質結晶観察装置によって上記課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating an electro-optical device in which a stress applied from an insulating film directly above a measured surface between a crystallization silicon film and the insulating film can be measured locally with high precision after the insulating film is formed on the crystallization silicon film while enhancing the yield of substrate.
結晶化シリコン膜に絶縁膜を積層した後、結晶化シリコン膜と絶縁膜との間の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を、局所的かつ精度良く測定することができるとともに、基板の歩留まりを向上する電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To effectively utilize an ore with much water of crystallization as a raw material of iron and steel, while inhibiting a melt of a partially reduced agglomerated ore formed in a sintering process from clogging in a grate to aggravate permeability of a bed.
半還元塊成鉱の焼結過程での融体によるグレートの目詰まりによるベッドの通気性阻害を抑制しつつ、高結晶水鉱石を鉄鋼原料として有効活用する。 - 特許庁 - To provide the operation method of a crystallizer capable of continuously and stably forming crystals in cooled crystallization operation and stabilizing the operation of a post-process to enhance production capacity.
冷却式晶析操作において、結晶を連続的かつ安定的に生成させ、後工程の運転を安定化し、それに伴う生産能力の向上を可能とする晶析器の運転方法を提供する。 - 特許庁 - At the crystallization process, temperature of the wet film 38 is adjusted to 85 to ≤100°C by supplying dry wind to the wet film 38 having residual solvent amount ZY of 10 to ≤15 wt.%.
結晶化工程では、残留溶媒量ＺＹが１０〜１５重量以下の湿潤フィルム３８に、乾燥風をあてて、湿潤フィルム３８の温度が８５〜１００℃以下となるように調節する。 - 特許庁 - To provide a crystallizer for shortening the time required for crystallization by starting the crystal growth process at the point of time when a predetermined amount of a concentrated liquid is stored in a concentrated liquid storage chamber having a small volume.
小容積の濃縮液収容室に所定量の濃縮液が溜まった時点から結晶成長プロセスを開始することにより晶析に要する時間を短縮できる、晶析装置提供する。 - 特許庁 - To provide a PPS resin composition having a high fluidity and a high crystallization characteristics, excellent in processability and being low in the occurrence of gas in a melting process for a resin molded article, sheet, a film fiber and a pipe.
優れた流動性と高い結晶化特性を有し、かつ樹脂成形品やシート、フィルム、繊維およびパイプなどの溶融加工時の加工性、発生ガスの少ないＰＰＳ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a phosphorus removal apparatus which can carry out a crystallization process without using phosphate ore or the like as a seed crystal by generating fine particles of apatite working as a seed crystal from wastewater.
種結晶となるアパタイトの微粒子を排水中から生成させることにより、種結晶としてリン鉱石等を使用せずに晶析法を実施することができる脱リン装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a superior crystalline semiconductor film, without increasing the concentration in a catalyst element to be added to an amorphous semiconductor film and further without making complex a crystallization process.
非晶質半導体膜に添加する触媒元素の濃度を上げずに、さらに結晶化工程を複雑化させずに良好な結晶質半導体膜を作製する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide polyamide porous spherical particles having a specified particle diameter and a specified pore diameter and also a narrow particle diameter distribution, a large specific surface area and a high degree of crystallization and to provide a preparing process therefore.
特定の粒子径と細孔径を有し、狭い粒子径分布をもち、比表面積の大きく結晶化度の高いポリアミド多孔質球状粒子とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - A process for preparation of the solution for crystallization of the esomeprazole sodium salt includes: a process (1) of suspending a potassium salt of esomeprazole in toluene and adding one molar equivalent acid HA as aqueous solution to adjust pH; a process (2) of adding an additional solution made of methanol to a toluene phase; and a process (3) of adding one molar equivalent sodium salt of basic B as aqueous solution.
以下の工程： ｉ) エソメプラゾールのカリウム塩をトルエンに懸濁し、１モル当量の酸ＨＡを水溶液として添加することによりｐＨを調整する； ii) トルエン相にメタノールからなる追加の溶媒を加える；そして、 iii) 塩基Ｂのナトリウム塩の１モル当量を水溶液として加える、を含むエソメプラゾールのナトリウム塩の結晶化用溶液を調製する方法。 - 特許庁 - Acetic acid and the catalyst are effectively recovered from a mother liquid discharged from a solid-liquid separation process after going through an oxidation process and a crystallization process in a continuous process of producing 2,6-naphthalenedicarboxylic acid by oxidizing dimethylnaphthalene under an oxygen-containing gas and a solvent of acetic acid with a catalyst system prepared using a transition metal such as cobalt and manganese, and a bromine compound.
ジメチルナフタレンを含酸素気体および酢酸溶媒下で、コバルト、マンガンのような遷移金属と臭素系化合物を用いて製造された触媒系によって酸化反応させ、ナフタレンジカルボン酸を製造する連続工程において、酸化工程と結晶化工程、そして固液分離工程を経て排出される母液中、酢酸および触媒を効果的に回収する。 - 特許庁 - The coil filament in a bulb with a reflecting mirror is formed in quadruple winding, in the manufacturing process of which, a quadruple-wound coil filament with core with tungsten wire wound once to quadruple times from primary to quartic core wire, after being primarily heated and crystallized, is put under a secondary heating and crystallization process at higher temperature than at a primary heating and crystallization, each molybdenum core wire fused.
反射鏡付電球におけるコイルフィラメントが四重巻きに形成されることと、その製造に際しては、一次芯線から四次芯線までにタングステン線が一重巻きから四重巻きにされた芯付四重巻きコイルフィラメントを、一次加熱・結晶させた後、各モリブデン芯線を溶解させ、この四重巻きコイルフィラメントをさらに一次加熱・結晶温度より高温で二次加熱・再結晶させることを特徴とする。 - 特許庁 - The vinylene carbonate is obtained by purification comprising a crystallization process and a distillation process in combination with a solvent selected from among a polar solvent, an aromatic compound solvent and an aliphatic hydrocarbon solvent, of crude vinylene carbonate, and is characterized by the content of a chlorine compound of less than 25 ppm.
粗ビニレンカーボネートを極性溶媒、芳香族化合物溶媒および脂肪族炭化水素溶媒から選択される溶媒を用いた晶析工程および蒸留工程を組み合わせて精製することで得られる、塩素化合物の含有量が、２５ｐｐｍ以下であることを特徴とするビニレンカーボネート。 - 特許庁 - To increase the capacitance of a solid electrolytic capacitor while suppressing the cracking or crystallization of a dielectric layer and preventing increase in leakage current when a heat treatment process such as a reflow process is performed for the solid electrolytic capacitor.
固体電解コンデンサに対してリフロー工程等の熱処理工程を行った場合において、誘電体層中に亀裂を生じたり、誘導体層が結晶化したりするのを抑制し、漏れ電流が増加するのを防止すると共に、固体電解コンデンサの静電容量を増大させる。 - 特許庁 - Preferably, the distillation process has an aluminum sulfate recovery process in which liquid containing aluminum sulfate is transferred from the bottom part of a distillation still to a crystallization tank, in which aluminum sulfate is deposited and separated/ recovered from the nitric acid solution.
この蒸留工程において、蒸留缶の底部より硫酸アルミニウムを含有する液を晶析槽に移送し、晶析槽において硫酸アルミニウムを析出させ、硫酸アルミニウムを硝酸溶液から分離、回収する硫酸アルミニウム回収工程を有することが好ましい。 - 特許庁 - There are provided a process where an island-like semiconductor film 3 is formed on a substrate 1, a process where the semiconductor film is covered with an isolation film 4 and the side surface of the semiconductor film is enclosed with a heat insulation film 5 via the isolation film, and a process where the semiconductor film is irradiated with energy beam from above for crystallization to form an operation semiconductor film 11.
基板１上に島状の半導体膜３を形成する工程と、半導体膜を分離膜４で覆い、半導体膜の側面を分離膜を介して保温膜５で囲む工程と、半導体膜に対して上面からエネルギービームを照射して半導体膜を結晶化し、動作半導体膜１１を形成する工程とを有している。 - 特許庁 - To obtain a crystalline bismuth-based glass composition which can deposit an enough amount of crystals after being softened and fluidized well in a sealing process, in addition, can not be again fluidized in a heating process after crystal deposition, for example in a vacuum exhaust process, and can suppress unreasonable rising of a coefficient of thermal expansion before and after crystallization.
封着工程で良好に軟化流動した後に十分な量の結晶が析出することに加えて、結晶析出後の加熱工程、例えば真空排気工程で再流動することがなく、しかも結晶化前後の熱膨張係数の不当な上昇を抑制することができる結晶性ビスマス系ガラス組成物を得ること。 - 特許庁 - Manufacturing processes of the multilayer board comprises a process for applying an electrode paste on the surface of a green sheet containing a crystallized glass with the viscosity before crystallization of ≤10 6.0 Pa.s in order to form electrodes, a process for forming a laminated compression body by laminating and compressing the green sheet on which the electrode paste is applied, and a process for sintering the laminated compression body.
結晶化前の粘度が１０^6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付与したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層基板を製造する。 - 特許庁 - To provide an optical information recording medium wherein a recording layer crystallization process by high energy beam irradiation is unnecessary and which has excellent recording characteristics, shelf reliability and mechanical characteristics, to provide its manufacturing method and to provide a recording method.
高エネルギービーム照射による記録層結晶化工程が不要であるとともに、記録特性、保存信頼性および機械的特性に優れた光情報記録媒体、その製造方法および記録方法の提供。 - 特許庁 - The improved method may allow for at least one of, easier purification by crystallization, easier scalability, and improved process yield on the desired enantiomer.
本願による改良された方法は、結晶化を用いたより容易な精製、より容易なスケール拡大性（ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ）、および所望の鏡像異性体に対する改良された歩留まりのうちの少なくとも１つを可能にし得る。 - 特許庁 - The process for producing the optically active substance compound represented by formula (IV) includes deriving (±)-4-[(4-chlorophenyl)(2-pyridyl)methoxy]piperidine into a diastereomer salt, and optically resolving the resultant diastereomer salt by a method for fractional crystallization.
（±）−４−〔（４−クロロフェニル）（２−ピリジル）メトキシ〕ピペリジンをジアステレオマー塩に誘導し、これを分別結晶の方法で、光学分割して得ることを特徴とする下記式記載の光学活性体化合物の製造法。 - 特許庁 - The first polysilicon layer and the second polysilicon layer having different crystal properties has been converted from an amorphous silicon layer of the first region and an amorphous silicon layer of the second region by a single crystallization process.
違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 - 特許庁 - This method can increase the crystallization efficiency of a low temperature polycrystallization process, and can provide crystals having higher regularity and a larger grain size as compared with those formed by conventional methods.
このような方法により、低温多結晶化工程の結晶化効率を向上させることができ、結晶の均一度が高く、さらに結晶の大きさを従来の方法より大きく形成することができる。 - 特許庁 - This resin composition generates in the reducing temperature process of a differential scanning calorimetry(DSC) an exothermal peek derived from crystallization of not less than 10 J/g equivalent of a polylactic acid resin at a reducing temperature rate of not less than 20°C/min.
示差走査型熱量（ＤＳＣ）測定の降温過程においてポリ乳酸樹脂換算で１０Ｊ／ｇ以上の結晶化由来発熱ピークが降温速度２０℃／ｍｉｎ以上で発生する樹脂組成物。 - 特許庁 - A first method for the crystallization of an amorphous silicon film, is to crystallize the film by primarily applying a high voltage of about 500V-2,000 V to electrodes from one direction of a substrate, and then again crystalize the film by secondarily applying the high voltage of about 500V-2,000 V to the electrodes configured in a direction perpendicular to the position of the primary crystallization process.
本発明による非晶質シリコン膜の結晶化のための第１方法は、一次的に基板の一方向から５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧を印加して結晶化し、二次的に前記電極を一次結晶化工程の位置と垂直な方向で構成して約５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧を印加してもう一度結晶化を進める。 - 特許庁 - In the flow analysis in the injection molding process of resin materials, the effect of solidifying due to the progress of crystallization by application of pressure during flowing and stopping of the flow of the resin materials, is taken into account, and a temperature of stopping the flow of the resin materials is assumed as the crystallization temperature Ts at pressurizing time.
樹脂材料の射出成形プロセスにおける流動解析において、流動中に圧力が加わることにより結晶化が進行し、流動が停止して固化する効果をシミュレーション上にて考慮させるものであり、樹脂材料が流動を停止する温度を加圧時結晶化温度Tsとすることを特徴とする、射出成形プロセス解析方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing the single crystal ceramic powder is composed of following processes: a powder feeding process, feeding powder of a ceramic ingredient to heat treating region with a carrier gas, a heating process, heating the powder till necessary temperature to single crystallization, and a cooling process, cooling the product obtained in the heating process to obtain the single crystal ceramic powder.
セラミックス成分からなる粉体をキャリアガスとともに加熱処理領域に供給する粉体供給工程と、前記加熱処理領域に供給された前記粉体を単結晶化するのに必要な温度まで加熱する加熱工程と、前記加熱処理工程で得られた生成物を冷却することにより単結晶セラミックス粉末を得る冷却工程と、を備える単結晶セラミックス粉末の製造方法である。 - 特許庁 - An aqueous ink containing water and a hydrophobic dye which is manufactured by a manufacturing process containing at least partially a process carried out in a supercritical fluid, and that which is manufactured by a manufacturing process containing at least partially a process in which the hydrophobic dye is crystallized out in the presence of minute particles as a core of crystallization.
その製造工程の少なくとも一部に超臨界流体中で行われる工程が含まれる製造工程で製造された水および疎水性染料を含有する水系インク及びその製造工程の少なくとも一部に析出核となる微粒子存在下で疎水性染料を析出させる工程が含まれる製造工程で製造された水および疎水性染料を含有する水系インク。 - 特許庁
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