「crystallization process」を含む例文一覧(266)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 次へ＞- To provide a process for producing a polyester which is excellent in long-term continuous moldability and can give a molded article, particularly a heat-resistant hollow molded article, excellent in transparency and high- temperature dimensional stability and undergoing little change in the rate of crystallization.
長時間連続成形性に優れ、透明性および耐熱寸法安定性に優れ、結晶化速度変動が少ない成形体、特に耐熱性中空成形体を得ることができるポリエステルの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a process for the crystallization of (RS)-N-[2-(3,5- dimethylphenoxy)-1-methylethyl]-6-(1-fluoro-1-methylethyl)-1,3,5-triazine-2,4-diamine having α or βcrystal form with a simple procedure in high efficiency.
簡単な操作で効率よく、α型またはβ型の結晶形の（ＲＳ）−Ｎ−〔２−（３，５−ジメチルフェノキシ）−１−メチルエチル〕−６−（１−フルオロ−１−メチルエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４−シアミンを晶析させる方法を提供する。 - 特許庁 - Moreover, in the case where the amorphous whose crystal grain sizes are small or fine crystal grain size hetero semiconductor is formed as the hetero semiconductor region, it is allowable that re-crystallization annealing process may be conducted after formation of the film to generate polycrystal silicon from the hetero semiconductor region.
さらには、前記ヘテロ半導体領域として非晶質もしくは微結晶のヘテロ半導体を成膜させた場合、成膜後に、多結晶シリコンに変化させる再結晶化アニール処理を施すようにしても良い。 - 特許庁 - To provide a method for regenerating an etching waste liquid produced in a low-temperature etching process, which avoids blockage of a transportation path between a crystallization tank and an etching tank, without providing a special blockage-avoiding means between the tanks.
晶析槽とエッチング槽との間に特殊な閉塞回避手段を付設することなく、両者間の移送路の閉塞を回避することができる低温エッチングにおいて生成したエッチング廃液を再生する方法の提供。 - 特許庁 - The high-quality polycrystalline semiconductor film can control a grain boundary, a grain size, and a crystal orientation and can reduce the roughness of a film generated in the process of crystallization, and a crystal defect.
本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。 - 特許庁 - To provide a flat panel display device and a producing method therefor, capable of increasing the through-put of poly-crystallization when poly- crystallizing amorphous silicon layer formed on a substrate by using a low temperature poly-silicon producing process.
本発明は、低温ポリシリコン製造プロセスを用いて基板上に形成したアモルファスシリコン層を多結晶化する際、多結晶化のスループットを高くすることができるフラットパネル表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride comprises a step of crystallization on a seed of mono-crystalline gallium-containing nitride from a supercritical ammonia-containing solution, wherein at process conditions the molar ratio of acceptor dopant ions to the supercritical ammonia-containing solvent is at least 0.0001.
超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a semiconductor device capable of generating a high density laser light required for crystallization of a semiconductor layer or activation of impurities while reducing the size of a lens group disposed at the outlet of optical fibers.
光ファイバの出口に設けられるレンズ群の小型化を図りながら、半導体層の結晶化や不純物の活性化などに必要な高密度のレーザ光を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the manufacturing method for the polyamide using a specific dicarboxylic acid and a diamine, the relation between the flow rate and temperature of a cooling medium and granulation speed in the granulation process is adjusted to a certain range in consideration of the crystallization behavior of the polyamide.
特定のジカルボン酸とジアミンを用いたポリアミドの製造方法において、当該ポリアミドの結晶化挙動を考慮し、造粒工程における冷却用冷媒の流量と温度、造粒速度の関係をある範囲に調整する。 - 特許庁 - As a result of an experiment where a light was irradiated in the process of crystallizing the fullerene in a solution and an effect of wavelength was investigated, it was observed that the crystallization of the fullerene was accelerated by irradiating a light of 600 nm.
溶液中のフラーレンの結晶化過程で光を照射する実験を行い、更にその波長効果を調べる実験を行った結果、600nmの光の照射によってフラーレンの結晶化が促進されることを観察した。 - 特許庁 - To provide a multiple layer polylactic acid resin film which inhibits the bleed of a plasticizer on the surface of a film, prevents the blocking between the films, and does not cause the blocking even in a crystallization process and to provide its manufacturing method.
フィルム表面への可塑剤のブリードを抑制し、フィルム同士のブロッキングを防止するとともに、結晶化処理工程においてもブロッキングを起こすことがない複層ポリ乳酸系樹脂フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can manufacture a semiconductor device, including a crystalline silicon film having superior properties with high yield, by efficiently using an energy source used for crystallization process.
結晶化工程に用いるエネルギ源を効率よく使用することによって、優れた特性を有する結晶シリコン膜を含む半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To solve problems of a conventional method for manufacturing multilayer carbon nanotubes in which multilayer carbon nanotubes obtained by a vapor phase growth method are subjected to a high temperature heating process over the generation temperature of carbon nanotubes, so as to obtain multilayer carbon nanotubes in a high crystallization degree.
高結晶化度の多層カーボンナノチューブを得るべく、気相成長法で得た多層カーボンナノチューブに、その生成温度を超える高温加熱処理を施す従来の多層カーボンナノチューブの製造方法の課題を解消する。 - 特許庁 - The method for purifying N-vinyl-2-pyrrolidone is a method for purifying N-vinyl-2-pyrrolidone by crystallization and comprises a crystal precipitation process for precipitating crystal from mother liquor composed of N-vinyl-2-pyrrolidone melt and a continuous purification process for supplying the crystal obtained by the crystal precipitation process to a column type purification apparatus and continuously purifying the crystal.
Ｎ−ビニル−２−ピロリドンを晶析により精製する方法であって、 Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの融液からなる母液から結晶を析出させる結晶析出工程と、前記結晶析出工程において得られた結晶を、塔型の精製装置に供給して連続的に精製する連続精製工程を有することを特徴とするＮ−ビニル−２−ピロリドンの精製方法である。 - 特許庁 - This field effect semiconductor device is manufactured by a process, where an amorphous silicon film 12 is formed on a substrate 11 with an insulating surface, a crystallization process where the amorphous silicon film 12 is crystallized into a crystalline silicon film, and an oxidation process where the surface of the crystalline silicon film is oxidized in a water vapor containing atmosphere to form a gate insulating film.
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化し、結晶性を有する珪素膜を形成する結晶化工程と、水蒸気を含む雰囲気中で、前記結晶性を有する珪素膜の表面を酸化させ、ゲイト絶縁膜を形成する酸化工程と、を有する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。 - 特許庁 - To provide an improved method for producing ammonium metavanadate, which includes an oxidation process for preparing slurry containing ammonium metavanadate by supplying an oxidizing gas to slurry containing vanadium and ammonium sulfate, and a crystallization process for depositing ammonium metavanadate, and by which vanadium can be efficiently converted into ammonium metavanadate even at a low temperature in the oxidation process.
バナジウムを含有するスラリーに酸化性ガスを供給してメタバナジン酸アンモニウム含有スラリーを調製する酸化工程と、メタバナジン酸アンモニウムを析出させる晶析工程とを包含するメタバナジン酸アンモニウムの製造する方法であって、低い酸化工程温度でもバナジウムをメタバナジン酸アンモニウムに効率よく変換することが出来る様に改良された製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the apparatus, when polyester wastes are depolymerized, and a reaction product is rectified in a fractionating tower 300, efficiency improvement of a process and an energy reduction effect can be attained through recycling of methanol including making separated gas methanol transfer to a second reactor 200 or the like and a crystallization process of DMT.
装置はポリエステル廃棄物を解重合し、反応生成物を精留塔３００にて精留する際、分離された気体メタノールを第２反応器２００に移送させるなどを含めたメタノールの再循環と、ＤＭＴの結晶化工程を通じて、工程の効率化及びエネルギー節減効果を達成することができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing a high purity lithium carbonate includes a first process for obtaining a purified lithium hydroxide by crystallization after microfiltration of a water solution containing a crude lithium hydroxide; and a second process for reacting the purified lithium hydroxide with carbon dioxide in a water solvent and recovering lithium carbonate (a) crystallized.
粗製水酸化リチウムを含む水溶液を精密濾過した後、晶析を行って精製水酸化リチウムを得る第一工程、及び該精製水酸化リチウムと二酸化炭素とを水溶媒中で反応させて析出させた炭酸リチウム（ａ）を回収する第二工程、を含む高純度炭酸リチウムの製造方法。 - 特許庁 - After a process of forming precursor films 411, 412,... composed of a metal and oxygen on a lower electrode 32, a hydrothermal process is carried out wherein the precursor films 411, 412,... are soaked in an alkaline solution 101 prepared by adjusting a predetermined alkaline solute to a concentration of 0.1M[mol/l] or lower to promote crystallization under a fixed condition.
下部電極(32)上に金属および酸素により構成される前駆体膜(411,412,…)を形成する工程の後、前駆体膜（411,412,…)を、所定のアルカリ性溶質が０．１Ｍ[ｍｏｌ／ｌ]以下の濃度に調整され形成されたアルカリ性溶液(101)に浸して一定条件下で結晶化を促進させる水熱処理工程を行う。 - 特許庁 - Furthermore, an etching process to the single crystal silicon layer 10b of a substrate which requires a long time, and film deposition of the piezoelectric material layer 34 by a hydrothermal crystallization method are performed simultaneously, by which time required for one process is shortened, and improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost are attained.
更に、長時間を要する基板の単結晶シリコン層１０ｂに対するエッチング処理と水熱合成法による圧電体層３４の成膜とを同時に行うことで、一方の工程に要する時間を短縮することが可能となり、生産効率の向上と製造コストの削減とを図ることができる。 - 特許庁 - The process for making the absorbable polylactone copolymer prepared in part from about 2 mol% to about 80 mol% glycolide utilizes a combination of a monofunctional polymerization initiator and a difunctional polymerization initiator to achieve rates of crystallization of the copolymer of at least about two times faster than the rate of crystallization of a polymer made by a similar process using either the monofunctional or the difunctional polymerization initiator alone.
吸収性ポリラクトン共重合体の作製方法は、約２モル％〜約８０モル％のグリコリドを一部に使用して、一官能性重合開始剤と二官能性重合開始剤との組合せを用いて、吸収性ポリラクトン共重合体を調製し、これらの開始剤のいずれか一方を単独で使用した同様の方法により作製される共重合体の結晶化速度よりも少なくとも約２倍速い結晶化速度を実現したものを提供する。 - 特許庁 - To provide a crystallization mask capable of removing a protrusion formed in a process for crystallizing a amorphous silicon into a poly-crystalline silicon and a crystallizing method using the same and the manufacturing method of a thin film transistor mimetic diagram containing the same.
非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化する工程で形成される突起を除去することができる結晶化用マスク、これを利用した結晶化方法及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device also comprises a polycrystal semiconductor film of a high quality in which a grain boundary, a grain size, a crystal orientation can be controlled and a roughness of a film and a crystal defect generated in a process of crystallization are reduced, on the insulating board.
本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。 - 特許庁 - To solve the problem of a crystallinity, furthermore a film characteristics, of the entire ferroelectrics layer deteriorating because the crystalline state at the start of crystallization is uneven, if the base electrode layer surface is smooth in a heating/crystallizing process of a ferroelectrics thin film.
強誘電体薄膜の加熱結晶化過程において、下地電極層表面が平滑の場合には結晶化開始時の結晶状態に不均一性があり、このために強誘電体層全体の結晶性ひいては膜特性を低下させる。 - 特許庁 - To provide a method for treating arsenic, wherein scorodite crystals are formed from a non-ferrous smelting intermediate product, and the time required for the crystallization process can be cut down, without impairing the filtering characteristics and stabilization of the scorodite crystal formed.
非鉄製錬中間産物からスコロダイトの結晶を生成させる砒素の処理方法において、生成するスコロダイトの結晶の濾過性、安定性を損なうことなく、結晶化工程の所要時間の短縮を可能とする方法を提供する。 - 特許庁 - A process for forming an organic layer comprises a step for forming an electron transport layer containing an electron transport material and a heat-resistant material whose crystallization temperature is higher than the electron transport material, and a step for heat-treating the electron transport layer.
有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、電子輸送層を加熱処理する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide an optimum system and a method of controlling fluid dispensation so as to surely effect the clean break-off of fluid upon the finishing of a dispensing process, and to decrease the crystallization of the fluid in a dispensing nozzle.
本発明の実施形態は、分注工程の終了時において流体の清浄な離脱を確実に行い、分注ノズルにおける流体の結晶化を減らすよう流体分注を制御するのに好適なシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a polylactic acid-based resin composition that can be crystallized by heating for highly practical mold cycle time, wherein a polylactic acid-based heat-resistant sheet can be obtained which is excellent in transparency and thermal resistance after the crystallization and is suitable for carrying out molding process.
実用性の高い成形サイクル時間での加熱により、結晶化が可能で、結晶化後の透明性や耐熱性に優れ、成形加工に適したポリ乳酸系耐熱シートを得ることが可能なポリ乳酸系樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - In order to prevent collapse of microfibril in the cellulose raw material, the cellulose is dried with avoiding surface tension of water contained in the cellulose and crystallization of water in the freezing process of water to cause the collapse and then the cellulose is carbonized or graphitized.
セルロース原料中のミクロフィブリルの崩壊を防止するために、本発明では、その原因となるセルロース中に含まれる水の表面張力、水の凍結過程における結晶化を回避して、セルロースを乾燥させ、その後炭化又は黒鉛化する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for evaporating water by which crystallization of calcium due to mixing of metals in salt and scorching can be prevented and natural salt of good quality can be obtained when evaporating water of seawater in a process for producing the natural salt.
天然塩の製造過程で海水の水分を蒸発させる時、塩に金属分の混入や焦げ付きにるカルシウム分の結晶化を防止し、良質の天然塩を得ることができる、製塩に於ける水分蒸発方法及び装置とする。 - 特許庁 - An amorphous semiconductor film is once molten and when performing crystallization in a subsequent process, a magnetic field is applied to the surface or zone of the molten film with the principal aim of controlling the Marangoni convection in a surface of the molten film.
非晶質半導体膜を一旦溶融して、その後の冷却過程で結晶化するに際し、その溶融表面のマランゴニ対流を制御することを主たる目的として、溶融表面又は溶融帯に磁場を印加することを特徴とする。 - 特許庁 - This method has a first process for adding a catalyst element capable of lowering the crystallization temperature of the semiconductor film onto a conductive surface, a second process for forming the first semiconductor film having the crystal structure on the conductive surface added with the catalyst element, and a third process for forming the second semiconductor film containing phosphorus on the first semiconductor film.
導電性表面上に半導体膜の結晶化温度を低下させることが可能な触媒元素を添加する第１の工程と、触媒元素が添加された前記導電性表面上に、結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第２の工程と、第１の半導体膜上にリンを含有する第２の半導体膜を形成する第３の工程とを有することを特徴としている。 - 特許庁 - To provide an improved method for producing ammonium metavanadate, which includes an oxidation process for preparing slurry containing ammonium metavanadate by supplying an oxidizing gas to slurry containing vanadium and ammonium sulfate, and a crystallization process for depositing ammonium metavanadate, and by which vanadium can be efficiently converted into ammonium metavanadate even at a low temperature in the oxidation process.
バナジウム及び硫酸アンモニウムを含有するスラリーに酸化性ガスを供給してメタバナジン酸アンモニウム含有スラリーを調製する酸化工程と、メタバナジン酸アンモニウムを析出させる晶析工程とを包含するメタバナジン酸アンモニウムの製造する方法であって、低い酸化工程温度でもバナジウムをメタバナジン酸アンモニウムに効率よく変換することが出来る様に改良されたメタバナジン酸アンモニウムの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes a process for making waste water harmless by removing the heavy metals contained in waste water, an electrodialyzing process for separating and recovering concentrated water containing a univalent ion from the treated water by an electrodialyser possessing a univalent ion selective ion exchange membrane and a process for separating and recovering the inorganic material as the alkali metallic salt such as sodium chloride (NaOH), potassium chloride (KCl) by the crystallization of the recovered water.
排水中の重金属を除去する無害化処理工程と、その処理水を１価イオン選択性イオン交換膜を具備した電気透析装置によって１価のイオンを含む濃縮水として分離回収する電気透析工程と、その回収水から晶析操作によって塩化ナトリウム（NaCl)や塩化カリウム（KCl)等のアルカリ金属塩として無機材料を分離回収する工程とを含むこととした。 - 特許庁 - To inhibit an interfacial crystallization of a photoconductive layer for recording caused in a process of producing an inhibitory layer 2 and by disposal of the inhibitory layer 2 with respect to an electrostatic recording medium which records radiation image information by accumulating electric charges generated by radiation in a photoconductive layer for recording and has an inhibitory layer which inhibits the interfacial crystallization of the photoconductive layer for recording.
放射線により記録用光導電層において発生した電荷を蓄積することにより放射線画像情報を記録する静電記録体であって、記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層を有する静電記録体において、抑制層２の製造過程および抑制層２を設けることに起因して生じる記録用光導電層の界面結晶化を抑制する。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.
ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁 - After a first compound nano-crystalline layer in which numerous grains of polycrystalline silicon and numerous silicon microcrystals are intermingled is formed by a nano-crystallization process, the first compound nano-crystalline layer is oxidized electrochemically, and an intense-field drift layer 6 is formed (Figure (d)).
ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層を形成してから、第１の複合ナノ結晶層を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁 - Unevenly crystallized regions are formed at locations repeatedly exposed to a laser beam in a process of laser-aided crystallization of an amorphous silicon film, and then a problem arises that such regions deteriorate picture quality when arranged in the pixel area of a liquid crystal display.
レーザービームを利用して非晶質シリコン膜を結晶化する時、レーザービームが何度も照射される部分には不均一な結晶領域が生じるが、このような領域を液晶表示装置の画素領域に配置する場合画質を低下する問題がある。 - 特許庁 - To provide a crystal nucleation agent that can sufficiently improve crystallization even when used in a polylactic resin having low optical purity, wherein favorable work environment can be maintained because little powder is scattered during a production process; and to provide a polylactic resin composition.
光学純度が低いポリ乳酸樹脂に用いた場合でも充分に結晶化を向上でき、製造過程において粉体飛散が少なく良好な作業環境を維持できるポリ乳酸樹脂用結晶核剤及びポリ乳酸樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The ribose crystal is obtained by crystallization process of the ribose aqueous solution after the ribose aqueous solution concentrated and refined freely is applied by azeotropic dehydration with an alcohol which has azeotropic component with water, and/or with a hydrocarbon solvent which has azeotropic component with water and is not compatible with water.
リボース水溶液を、任意に濃縮・精製し、水と共沸組成を有するアルコール、及び／又は、水と共沸組成を有し、水と相溶性を有しない炭化水素系溶媒で共沸脱水させた後に、晶析処理することにより、リボース結晶を得る。 - 特許庁 - A process from the deposition of a substrate-protecting layer to the deposition of a gate-writing layer is performed in a state of being isolated from an atmosphere outside a device, and thereafter, the patterning of the gate wiring, the crystallization of the semiconductor layer and the patterning of a gate-insulating film and the semiconductor layer are performed.
下地保護層堆積工程からゲート配線層堆積工程までを装置外の雰囲気から隔離した状態で連続して行い、その後に、ゲート配線のパターニング、半導体層の結晶化、ゲート絶縁膜、半導体層のパターニングを行う。 - 特許庁 - To provide a production process for fine-grainy aluminum hydroxide, which involves forming seed for the crystallization of fine-grainy aluminum hydroxide without using any dispersion device such as ultrasonic-wave irradiation device when or after the seed is prepared, and adding the seed thus formed to a sodium aluminate solution.
種子調製時または種子調製後に超音波照射装置等の分散装置を用いることなしに微粒水酸化アルミニウム晶析用種子を得、得られた種子を添加することを特徴とする微粒水酸化アルミニウムの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a sealing process, a laminate in a state that a crystallized glass material is interposed between neighboring peripheral parts of the thin plate body 11 and of the support member 12 is heated, and crystallization rate of the crystallized glass is increased up to 0 to 50%.
シール工程にて、互いに隣接する薄板体１１の周縁部と支持部材１２の周縁部との間に結晶化ガラスの材料が介在した状態にある積層体が加熱されて結晶化ガラスの結晶化率が０〜５０％まで増大させられる。 - 特許庁 - To provide a silicon based thin film and a method for forming a large grain size silicon based thin film having a high crystallization rate at a high rate on an inexpensive substrate of glass, ceramics, metal, or resin by a low temperature process of 450°C or below.
ガラス、セラミックス、金属、樹脂等の安価な基板上に４５０℃以下の低温プロセスで結晶化率が高く、結晶粒径の大きいシリコン系薄膜を高速に形成することができるシリコン系薄膜、および製膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The invention further discloses a process for the purification of the purified chondroitinase ABC comprising the removal of nucleic acid from an extract obtained from cells of chondroitinase ABC-producing microorganisms and the chromatographic treatment by concentration gradient column chromatography using a weak cation exchange resin and a strong cation exchange resin followed by optional crystallization of the product.
コンドロイチナーゼＡＢＣ産生菌体抽出物から核酸を除去し、弱カチオン交換交換樹脂と強カチオン交換樹脂とを用いて濃度勾配カラムクロマトグラフィー処理して精製コンドロイチナーゼＡＢＣを精製し、必要に応じて結晶化する方法。 - 特許庁 - Accordingly, the crystallization ratio of the amorphous silica fiber during the burning process can be suppressed to an extremely low level and the most part of the fiber is maintained to the amorphous state to suppress the lowering or loss of flexibility and mechanical strength of a ceramic sheet 10.
そのため、その非晶質シリカ繊維が焼成過程で結晶化する割合を極めて少なくできて、その大部分を非晶質に維持できることから、セラミック・シート１０の可撓性や機械的強度が低下し或いは失われることが好適に抑制される。 - 特許庁 - To provide a technique for maintaining the degree of cleanness in a substrate and leading to an improvement during throughput during a process for efficiently removing catalyst elements after obtaining a semiconductor film having a crystal structure by using the catalyst element for promoting crystallization.
結晶化を助長する触媒元素を用いて結晶構造を有する半導体膜を得たのち、当該触媒元素を効率よく除去する工程において、基板の清浄度を保ち、かつ、スループット向上につながる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element.
スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for producing higher-purity terephthalic acid, which controls loss of energy of distilled steam condensate discharged in crystallization and cleaning waste fluid discharged in cleaning and has higher energy efficiency in a purification process of high-purity terephthalic acid.
高純度テレフタル酸の精製工程において、晶析の際に排出される溜出蒸気凝縮液や、洗浄の際に排出される洗浄排液が有するエネルギーの損失を抑えた、よりエネルギー効率のよい高純度テレフタル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The thin film transistor according to the manufacturing method comprises the insulating board, the gate electrode formed on the board, the gate insulating film formed on the gate electrode, the polycrystalline silicon layer which is formed on the gate insulating film through a crystallization process employing the SGS crystallization method, and the source/drain areas and the source/drain electrodes which are formed in given areas on the board.
本発明の薄膜トランジスタ及びその製造方法は絶縁基板と；基板上に形成されたゲート電極と；ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に形成されて、ＳＧＳ結晶化法で結晶化された多結晶シリコーン層；及び基板上の所定領域に形成されたソース／ドレイン領域及びソース／ドレイン電極を含んで構成された薄膜トランジスタ及びその製造方法に技術的特徴がある。 - 特許庁
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