「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 90 91 92 93 94 95 96 97 98 .... 364 365 次へ＞- To provide a semiconductor device having a p-type MIS transistor, which suppresses an increase of resistance of a p-type extension diffusion layer even when the p-type extension diffusion layer is joined shallowly.
ｐ型ＭＩＳトランジスタを有する半導体装置において、ｐ型のエクステンション拡散層の浅接合化を進めた場合でも、ｐ型のエクステンション拡散層が高抵抗化されることを抑制する。 - 特許庁 - Since the contact electrodes are connected to the p^+-type diffusion layer in the form of a row, a damage to a part of the photodiode around the p^+-type diffusion layer and having an electric charge stored therein is prevented during manufacture.
コンタクト電極がＰ＋型拡散層に列状に接続されていることにより、Ｐ＋拡散層の周囲にあるフォトダイオードの電荷が蓄積される部分に対する製造過程のダメージが防止される。 - 特許庁 - A flat mirror is used as the reference light deflecting means 6A, coating for light diffusion of acrylic resin base is applied as the reference light phase changing means 20 and a light diffusion layer is formed on the surface.
参照光偏向手段６Ａとして平面ミラーを用い、その表面に、参照光位相変更手段２０としてアクリル樹脂ベースの光拡散用塗料を塗布し光拡散層を形成する。 - 特許庁 - In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.
工程（ａ）は、シリコン基板１上に絶縁膜２と拡散層３とを形成し、拡散層３の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極４を形成する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer for a fuel cell, which is improved in water discharging performance from an electrode and homogeneity of substance supply in an electrode plane and shows excellent power generation characteristics in a gas diffusion layer.
ガス拡散層において、電極からの水の排出性と電極面内の物質供給の均等性とを向上し、優れた発電特性を示す燃料電池用ガス拡散層を提供する。 - 特許庁 - Spread spectrum signals and delayed diffusion sequence codes are given to a transmitting signal sequence generating section 207, and the section 207 calculates not only ORs but also ANDs the spread spectrum signals and delayed diffusion sequence codes.
送信信号系列作成部２０７にはスペクトラム拡散信号及び遅延拡散系列符号が与えられ、スペクトル拡散信号と遅延拡散系列符号との論理和をとるとともに論理積をとる。 - 特許庁 - A silicide film such as a cobalt silicide film 13 is formed on a diffusion layer such as a high-concentration source drain diffusion layer 10b, and then a metal film such as a titanium film 14 or the like is formed on the silicide film.
高濃度ソース・ドレイン拡散層１０ｂなどの拡散層の上に、コバルトシリサイド膜１３などのシリサイド膜を形成した後、シリサイド膜の上にチタン膜１４等の金属膜を形成する。 - 特許庁 - This fuel cell is constituted by using a member 10 for a gas diffusion layer, that has a separator plate 12 and a gas diffusion electrode 11 in a sheet form which is composed of a conductive porous body having a three-dimensional mesh structure.
セパレータ板１２と、三次元網目構造を有する導電性多孔体からなるシート状のガス拡散電極１１とを有するガス拡散層用部材１０を用いて燃料電池を構成する。 - 特許庁 - The diffused liquid obtained in the second diffusion step is used for producing a raw-material liquid for manufacturing crystal ferrous arsenate, and the re-diffused residue obtained in the third diffusion step is used for a copper smelting raw material.
第２の浸出工程で得られた浸出液を結晶性ヒ酸鉄の製造用原料液とし、第３の浸出工程で得られたスラリーの再浸出残渣を銅製錬用の原料に供ずる。 - 特許庁 - In the surface of the semiconductor regions 5, n-type diffusion regions 7 are formed, while between the n-type diffusion regions 7 and an insulation film 2, an n-type high- density embedded region is formed.
また、半導体領域５の表面にはｎ形拡散領域７を形成すると共に、ｎ形拡散領域７と絶縁膜２との間にはｎ形高濃度埋込み領域を形成する。 - 特許庁 - The multiplex communication system multiplex transmits by conducting a spectrum diffusion by using a diffusion code in which a side lobe of an auto-correlation function is '0' and a cross-correlation function is '0' in a predetermined phase.
自己相関関数のサイドローブが０であり、かつ相互相関関数が所定の位相で０である拡散符号を用いてスペクトラム拡散して多重化伝送することを特徴とする構成を有している。 - 特許庁 - The first diffusion part 10 and second diffusion part 11 are formed by providing a recess 9 with a part of the circular or polygonal peripheral edge confronted with the shaft 2.
これら第一の拡散部１０および第二の拡散部１１は、円形もしくは多角形を形成する前記外周縁の一部が回転軸２側に窪む、凹部９を設けることにより形成される。 - 特許庁 - After an element forming groove is formed at the center of an island-shaped SOI layer, an N^- type diffusion layer used as a collector and a p^+ type diffusion layer used as an outside base are formed while the groove is held between the layers.
島状のＳＯＩ層の中央に素子形成溝を形成した後、この溝を挟むようにして一方にコレクタになるＮ^-型拡散層と他方に外部ベースになるＰ^+型拡散層とを形成する。 - 特許庁 - Scrapers 10 with impact faces 9 positioned in the direction crossing the rotating direction of the diffusion panel s 4 are provided above the diffusion panels 4 and side faces of the rotating shafts 3.
そして、前記拡散盤４の上方かつ前記回転軸３の側方に、前記拡散盤４の回転方向と交わる方向に位置付けられる衝突面９を備えた、スクレーパー１０が設けられている。 - 特許庁 - In the present invention, aerosol particles are charged electrically at first by a diffusion charger 10, and the particles are followed with a guide by a diffusion separator 20 to separate one portion of the particles.
この発明によると、エアゾールの粒子がまず最初に拡散荷電器（１０）で電気的に荷電される、引き続いて粒子は、粒子の一部が分離される拡散分離器（２０）によって案枚される。 - 特許庁 - A diffusion barrier layer formation process (step S6) is performed after a free layer formation process (step S5), and an oxide layer (diffusion barrier layer) is formed only on the surface of the free ferromagnetic layer by oxidizing an oxygen radical.
自由層形成工程（ステップＳ５）の後に拡散バリア層形成工程（ステップＳ６）を行い、酸素ラジカルの酸化によって、自由強磁性層の表面にのみ、酸化層（拡散バリア層）を形成する。 - 特許庁 - For each constituent member such as a unit cell 20 constituting the fuel cell, and an MEA 21 and a gas diffusion member 33 constituting the unit cell 20, a thermal diffusion factor is measured in a battery manufacturing process.
燃料電池を構成する単セル２０や、この単セル２０を構成するＭＥＡ２１やガス拡散部材３３等の構成部材個々について、電池製造過程において熱拡散率を測定する。 - 特許庁 - The control unit 800 controls the diffusion optical element 600, such that the light emitted from the light source unit 110 is diffused at a diffusion degree in the first mode which is higher than that in the second mode.
制御ユニット８００は、第１モードにおいて、第２モードよりも高い拡散度で、光源ユニット１１０から出射される光を拡散するように拡散光学素子６００を制御する。 - 特許庁 - Dealing a density distribution of diffusion material divided by occurrence time makes it possible to obtain a momentary residual amount of diffusion material having a characteristic of decreasing with time.
この発生時刻別に分けて拡散物質の濃度分布を扱うことで、時間と共に残存量が減少する特性を持った拡散物質の時々刻々の残存量を求めることができる。 - 特許庁 - The semiconductor layer is configured such that a P+ diffusion region 8 and an N+ diffusion region 9 are respectively formed at each of both ends respectively connected to the anode electrode and the cathode electrode while the center is made as an intrinsic region 3.
この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。 - 特許庁 - Thereby, when the resin sheet 53 is used as a light diffusion plate 10, the decrease in the antistatic performance when the light diffusion plate 10 is exposed to light from a backlight for a long period can be suppressed.
これにより、この樹脂シート５３を光拡散板１０として使用したときに、バックライトからの光に長期間晒された場合の帯電防止性能の低下を抑制することができる。 - 特許庁 - In a gas diffusion layer manufacturing apparatus 100, a paste application device 10 applies paste containing a carbon particle, a thermoplastic resin particle and surfactant to an upper surface of a gas diffusion layer substrate 200.
ガス拡散層製造装置１００において、ペースト塗工装置１０は、ガス拡散層基材２００の上面に、カーボン粒子と熱可塑性の樹脂粒子と界面活性剤とを含むペーストを塗工する。 - 特許庁 - A DC power supply 15 applies a voltage between the N^+ diffusion layer 8 and the P^+ diffusion layer 9 so as to flow a drain current corresponding to the quantity of the to-be-detected object attached to the sensing area 6.
直流電源１５は、センシング領域６への検出対象の付着量に応じたドレイン電流を流すために、Ｎ^+拡散層８とＰ^+拡散層９との間に電圧を印加する。 - 特許庁 - To provide a screen 100 that saves energy required to move diffusion particles used for diffusing projection light and reduces scintillation such that occurrence of uneven distribution of diffusion particles on the entire screen is restrained.
投写光を拡散させる拡散粒子の移動に必要なエネルギを抑え、スクリーン全体での拡散粒子の分布むらの発生も抑えたシンチレーションを低減するスクリーン１００を提供する。 - 特許庁 - In other words, the horizontal diffusion angle θt of light emitted from a vertical diffusing screen 10 is made into an optimum horizontal diffusion angle, according to the position in the vertical direction of the vertical diffusing screen 10.
つまり、垂直拡散スクリーン１０の垂直方向での位置に応じて、垂直拡散スクリーン１０から出射される光の水平拡散角θｔを最適水平拡散角にすることができる。 - 特許庁 - A control part 7 supplies power to the gesotationary satellite spectral inverse diffusion part 5 even when power supply to the GPS satellite multichannel spectral inverse diffusion part 4 is cut off.
制御部７は、ＧＰＳ衛星用多チャンネルスペクトラム逆拡散部４への電源供給が遮断されている場合においても静止衛星専用スペクトラム逆拡散部５へ電源を供給させる。 - 特許庁 - A high voltage is applied to the diffusion layer 80 capacity-coupled to the floating gate 40 and a voltage lower than the high voltage is applied to the diffusion layer 70 to implant electrons into the floating gate 40.
フローティングゲート４０と容量カップリングした拡散層８０に高電圧を印加し、拡散層７０に高電圧より低い電圧を印加することによりフローティングゲート４０に電子が注入される。 - 特許庁 - The boundary part between the diffusion region 2, where the channel region 8 is formed, and the drain region 1 is formed in such a manner that it is cut into the side of the diffusion region 2 on the surface side.
そして、チャネル領域８を形成する拡散領域２とドレイン領域１との境界部がその表面側で拡散領域２側に食い込まれる形状に形成されていることに特徴がある。 - 特許庁 - The electron source is formed of a cathode comprising a <100> orientation single-crystal of tungsten or molybdenum, a diffusion source provided at the middle part of the cathode, and a high-melting-point metal provided on the outer periphery of the diffusion source.
電子源を、タングステン又はモリブデンの＜１００＞方位の単結晶からなる陰極と、陰極の中腹部に設けられた拡散源と、拡散源の外周に設けられた高融点金属で形成する。 - 特許庁 - After a thermal diffusion layer 1 having a thermal conductivity higher than that of a substrate 4 is formed on the surface of a semiconductor layer 2, the semiconductor layer 2 is irradiated with a laser beam from above the thermal diffusion layer 1.
半導体層２の表面に基板４よりも熱伝導率が高い熱拡散層１を形成した後、該熱拡散層１の上から半導体層２に対してレーザ光を照射する。 - 特許庁 - Thereby, in the injected diffusion flow (injection flow) while the spraying (diffusion limit) is restricted, staying of the washing liquid is generated at both ends of injection width and the liquid particles are crowded.
これにより、その散開（拡散限度）が規制されて噴射された拡散流（噴射流）は、その噴射幅の両端部において洗浄液の滞留が生じ、液粒が密集することになる。 - 特許庁 - A part of the second oxide layer is removed to expose a central portion of the diffusion preventive region, and it leaves the first oxide layer and an oxide sidewall spacer to cover a periphery of the diffusion preventive region.
第２の酸化物層の一部は、拡散防止領域の中央部を露出するべく除去され、拡散防止領域の周囲を覆うための第１の酸化物層及び酸化物側壁スペーサを残す。 - 特許庁 - The film is also provided with porous diffusion layers 5, 6 coating the catalyst layers 3, 4 and the adhesive support layer 9, and the adhesive support layer 9 is integrated with the diffusion layer 6 by an adhesive permeation layer 10.
触媒層３，４と接着性支持層９とを被覆する多孔質拡散層５，６を備え、接着性支持層９は接着剤浸透層１０により拡散層６と一体化している。 - 特許庁 - Particulates 20 different in refractive index from the refractive index of a synthetic resin forming the light diffusion layer 6 are included into the light diffusion layer 6, by which the reflected light from the outside is diffused.
また、光拡散層６内部には、光拡散層６を形成している合成樹脂の屈折率とは異なる微粒子２０が混入されており、これによって、外部からの反射光を拡散する。 - 特許庁 - In Fig. 2 (a), an impurity diffusion area 2 is formed as a lower electrode on the surface of a Si substrate, then a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 by a dry etching method.
図２の（ａ）ではＳｉ基板１の表面に下部電極となる不純物拡散領域２を形成した後、不純物拡散領域２に複数のトレンチをドライエッチング法により形成する。 - 特許庁 - An N type buried diffusion layer 5 is formed to be superposed on the P type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 19 for overvoltage protection is formed below an element forming region.
Ｎ型の埋込拡散層５が、Ｐ型の埋込拡散層４と重畳するように形成され、素子形成領域の下方に過電圧保護用のＰＮ接合領域１９が形成されている。 - 特許庁 - The position of the diffusion plate is controlled in such a manner that a desired diffusion pattern generating region is placed on the optical path where the laser light passes while the laser light is outputted based on the detected identification information.
検出された識別情報に基づいて、レーザ光が出力されている時に、所望の拡散パターン生成領域がレーザ光が通過する光路上にくるように、拡散板の位置を制御する。 - 特許庁 - To achieve a dielectric memory device which secures the effective area of the greatest capacitor decided by the size of a diffusion prevention film, and also hardly causes the exfoliation of the diffusion prevention film during heat treatment.
拡散防止膜の大きさによって決まる最大のキャパシタの実効面積を確保し且つ熱処理時における拡散防止膜の剥離が生じにくい誘電体メモリ装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - On the side closer to the cathode region than the P type diffusion layer 9, floating P type diffusion layers 10 and 11 are formed and coupled capacitively with a metal layer 18 applied with anode voltage.
そして、Ｐ型の拡散層９よりカソード領域側にフローティング状態のＰ型の拡散層１０、１１が形成され、アノード電位が印加された金属層１８と容量結合している。 - 特許庁 - A time-direction diffusion rate selection part 115 selects a time-direction diffusion rate corresponding to the value of estimated receiving quality by comparing the estimated receiving quality with a prescribed threshold.
時間方向拡散率選択部１１５は、推定された受信品質を所定の閾値と比較することにより、推定された受信品質の値に対応する時間方向の拡散率を選択する。 - 特許庁 - An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.
ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁 - The diffusion sheet 13 has a diffusion function by which interference fringes (moire) generated by interference of light transmitted through the display panel 4, the prism sheets 11 and 12 can be substantially eliminated.
また、拡散シート１３は、表示パネル４と、プリズムシート１１および１２とを透過する光が干渉することにより生じる干渉縞（モアレ）を実質的に解消することが可能な拡散機能を有する。 - 特許庁 - To provide a material diffusion simulation system capable of displaying a temperature, salt-component and COD (Chemical Oxygen Demand) with contour lines in a simple manner by making diffusion simulation using a GIS (an abbreviation of Geography Information System).
ＧＩＳ（Ｇｅｏｇｒａｐｈｙ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍの略：地理情報システム）を用いて拡散シミュレーションをし、簡易的に温度、塩分、ＣＯＤを等高線表示することのできる物質拡散シミュレーション・システムを提供すること。 - 特許庁 - A rear face or a surface, or both faces of a light guide plate base material 1 are coated with coating liquid 2 containing light-diffusion particulates 21 and translucent binders 22 to make up a diffusion layer 3.
導光板基材１の裏面若しくは表面、又は両面に光拡散微粒子２１及び透光性バインダ２２を含む塗布液２を塗布することによって拡散層３が塗工されている。 - 特許庁 - A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.
ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁 - To provide a anti-diffusion film of a semiconductor device which can prevent the phenomenon that impurities diffuse into a semiconductor substrate, electrical resistance is made high and a leakage current is increased, and a manufacturing method of the anti-diffusion film.
不純物が半導体基板内に拡散して、電気的抵抗を高くし、漏泄電流を増大させる現象を防止し得る半導体素子の拡散防止膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a small, sensitive solid-state imaging device in which the occupied area of a flowing diffusion area in a photo diode area is small in sharing the floating diffusion area among multiple photo diode areas.
複数のフォトダイオード部がフローティングディフュージョン部を共有する場合に、フローティングディフュージョン部がフォトダイオード部に占める割合が小さく、小型で高感度の固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - To provide a solar cell manufacturing method which forms an n-type diffusion layer in a specific area without forming unnecessary n-type diffusion layers in a manufacturing process of solar cells using silicon substrates.
シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成する太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁 - The gas diffusion layer 100 for a fuel cell is formed by stacking a gas diffusion substrate layer 110, a water vapor condensing layer 121, and a water evaporation layer 122.
本発明は、ガス拡散基材層１１０と、水蒸気凝縮層１２１と、水分蒸発層１２２とが、積層されてなる燃料電池用ガス拡散層１００により上記課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a diagnostic method of an electrochemical sensor including a diffusion control plate including diffusion control holes, which easily and surely can diagnose any abnormal condition with diffusivity decreased.
拡散制御孔を有する拡散制御板を備えた電気化学式センサにおいて、拡散性が低下している異常状態を簡単且つ確実に診断することが可能な診断方法を確立する。 - 特許庁
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