「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 92 93 94 95 96 97 98 99 100 .... 364 365 次へ＞- The gas diffusion electrode with a resin edge is formed by superposing a part of the reaction layer 2 and/or gas supply layer 3 in the outer peripheral part of the gas diffusion electrode 1 and a part of a resin plate 5 on each other and joining both by hot pressing.
ガス拡散電極外周部の反応層又は／及びガス供給層の一部と、樹脂板の一部とが重ね合わさり、ホットプレスにより接合してなる樹脂製縁付きガス拡散電極。 - 特許庁 - The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.
第２導電型コレクタバッファ層内に第１導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第１導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - A second diffusion region 110 of a second conductivity type for electrically connecting a body region 106 of the second conductivity type to a first diffusion region 107 of the second conductivity type is provided between gate trenches 112.
ゲートトレンチ１１２の間に、第２導電型のボディ領域１０６と第２導電型の第１拡散領域１０７とを導通する第２導電型の第２拡散領域１１０を設ける。 - 特許庁 - The channel region is so formed that the channel width Wb on the side where the diffusion region B comes into contact with the channel region is not larger than the channel width Wa on the side where the diffusion region A comes into contact with the channel region.
チャネル領域は、一方の拡散領域Ａが接する側のチャネル幅Ｗａよりも他方の拡散領域Ｂが接する側のチャネル幅Ｗｂの方が大きく形成される。 - 特許庁 - To provide a formation method of a diffusion prevention film and a manufacturing method of a semiconductor device in which both prevention of variation in a threshold voltage due to diffusion of a threshold adjustment chemical element, etc. and simplification of a manufacturing process are achieved.
拡散防止膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関し、閾値調整元素の拡散等による閾値電圧の変動の防止と製造工程の簡素化を両立する。 - 特許庁 - Light diffusion parts 10 are formed at two positions of the backside of the mirror M, and two light projection means 11 are arranged at one side of a glass plate 1, and a sensor 13 is arranged to the back side of each light diffusion part 10.
鏡体Ｍ裏面の二箇所に光拡散部１０を形成し、ガラス板１側方に二つの投光手段１１を配置し、各光拡散部１０裏面側にセンサー１３を配置する。 - 特許庁 - In this MOS semiconductor device, an insulator composed of an oxide film, nitride film, etc., formed by the CVD method is embedded in the overlapping section of a gate electrode and a source diffusion layer or a drain diffusion layer, so that no void is formed.
ゲート電極とソース拡散もしくはドレイン拡散のオーバーラップ部分に空隙が生じない様にＣＶＤ法による酸化膜もしくは窒化膜等の絶縁物を埋め込んだことを特徴とする。 - 特許庁 - When a light is irradiated from the end faces 2d, 4d of the diffusion plates 2, 4 superimposed in such a manner, to the interior of the diffusion plates 2, 4, the light is reflected at the recesses 2b, 4b and diffused in the front and back sides directions.
このように重合された拡散板２，４の端面２ｄ，４ｄから拡散板２，４の内部へ光を照射すると、凹部２ｂ，４ｂにて光が正面及び背面方向に反射・拡散される。 - 特許庁 - A thermal diffusion layer 11 is formed between the base plate 10 and the target layer 12, and the heat that is generated in the target layer by the crashing of electron is diffused and conducted by the thermal diffusion layer 11.
金属材料からなる基台１０とターゲット層１２の間に熱拡散層１１を形成して、電子の衝突によりターゲット層に発生した熱をこの熱拡散層１１で拡散して伝導する。 - 特許庁 - The p^+ diffusion layer 10a is provided to cover the protective film 4 on the element separation region 3, and a spacer-like sidewall film n^+ diffusion layer 10b is provided on a step 4a' thus caused.
このｐ＋拡散層１０ａは素子分離領域３上の保護膜４を被覆するように設けられ、これにより生じた段差部４ａ’にはスペーサ状の側壁膜ｎ＋拡散層１０ｂが設けられる。 - 特許庁 - By performing the error diffusion processing using the threshold matrix, a pattern and sweeping characteristic to the error diffusion processing can be suppressed because irregularity in density of dots does not occur in matrix period.
このような閾値マトリクスを用いて誤差拡散処理を行うと、マトリクス周期でドットの粗密を発生させることがないので、誤差拡散特有の模様やはきよせを抑えることが可能となる。 - 特許庁 - Then, the diffusion plate is inserted into the light path, and transmitted light which is the output light from the LED array transmitted through the diffusion plate is made to focus on the CCD image sensor, the second imaging data (transparent light data) is obtained.
次に、拡散板を光路へ挿入して、ＬＥＤアレイからの出力光が拡散板を透過した透過光をＣＣＤイメージセンサに結像させて、第２撮像データ（透過光データ）を得る。 - 特許庁 - A diffusion suppression layer for suppressing the diffusion of an impurity contained in a base region in a collector region is provided in the connecting surface of a collector region and the base region of the bipolar transistor.
バイポーラトランジスタのコレクタ領域とベース領域との接合面に、ベース領域に含有させた不純物がコレクタ領域に拡散するのを抑制するための拡散抑制層を設けることとした。 - 特許庁 - A diffusion conductor 9 is formed onto the torsion bar 3 by the impurity diffusion, and the aluminum wiring 6 is arranged in plurally divided wiring patterns in the axial direction of the torsion bar 3 on the diffusive conductor 9.
トーションバー３に不純物拡散による拡散導通部９を形成し、拡散導通部９上にトーションバー３の軸方向で複数に分断した配線パターンのアルミニウム配線６を配置する。 - 特許庁 - The method includes a diffusion plane formation process wherein a diffusion plane 3 is formed on a first plane of the translucent substrate 1S, and a mark formation process wherein a mark 2 is formed on a second plane of the translucent substrate 1S.
該方法は、光透過性基板１Ｓの第１面に拡散面３を形成する拡散面形成工程と、光透過性基板１Ｓの第２面にマーク２を形成するマーク形成工程とを含む。 - 特許庁 - A P-type first well region 300 lower in concentration than the push-in diffusion region 440 is formed in the semiconductor layer 200 partly overlapping the push-in diffusion region 440 in a plan view.
押込拡散領域４４０よりも低濃度のＰ型の第１ウェル領域３００は、半導体層２００に、平面視で一部が押込拡散領域４４０と重なるように設けられている。 - 特許庁 - The outer surface 10 and a light diffusion part 4 are installed, and the light diffusion part 4 has a gradually changing angle profile 4a for facilitating the transmission of light proceeding from a light source 5 to the outer surface 10.
外面１０と光拡散部４とが設けられており、光拡散部４が、光源５から外面１０に向かう光の伝達を容易にするための漸変した角度プロフィル４ａを有している。 - 特許庁 - To provide a method for error diffusion processing of a display, capable of reducing image interferences, such as periodical pattern noise, etc., appearing in performing the error diffusion processings even though the luminance of a panel is advanced.
パネルの高輝度化が進んでも誤差拡散処理を行った際に現れる周期的なパターンノイズ等の画質妨害を低減することができる表示装置の誤差拡散処理方法を提供する。 - 特許庁 - In the aperture layer 203, an insular diffusion region 204 where p-impurities such as Zn, etc., are diffused is formed, and an insulation film 205 is accumulated on the aperture layer 203 other than the diffusion region 204.
窓層２０３には島状にＺｎ等のｐ不純物が拡散された拡散領域２０４が形成され、拡散領域２０４以外の窓層２０３上には絶縁膜２０５が堆積されている。 - 特許庁 - A rapid temperature change (RTC) system includes a bake plate part 205 including a heat diffusion part 222, a heater base 226 connecting with the heat diffusion part 222, and a heater layer 224 connecting with the heater base 226.
高速温度変更（ＲＴＣ）システムは、熱拡散部２２２、熱拡散部２２２に連結されたヒータ基台２２６、および、ヒータ基台２２６に連結されたヒータ層２２４、を備えたベークプレート部２０５を備える。 - 特許庁 - To provide a diffusion spray nozzle of a type using an easily-manufactured nozzle piece which is simple in structure, easy to set the diffusion angle of spray mist and capable of obtaining a uniform spray density.
簡単な構成でかつ噴射ミストの拡散角度の設定が容易であると共に均一な噴射密度が得られる製造も容易なノズル駒を使用した形式の拡散噴射ノズルを提供する。 - 特許庁 - To provide a backlight unit preventing failure caused by free move of a lamp and a light-diffusion plate by providing a lamp guide fixing the lamp and the light-diffusion plate.
本発明は、ランプと光拡散板を固定するランプガイドを備えることにより、ランプと光拡散板が遊動して発生する不良を防止し得るバックライトユニット及び液晶表示素子を提供する。 - 特許庁 - The light diffusion film for optics comprises a base material film, the antistatic back protection layer provided on one surface of the base material film and the antistatic surface light diffusion layer provided on the other surface of the base material film.
基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けた帯電防止性背面保護層と、該基材フィルムの他の面に設けた帯電防止性表面光拡散層からなる光学用光拡散フィルム。 - 特許庁 - The high melt-point metal diffusion prevention film 200 in a structure of a plurality of layers is formed on a region where no high melt-point metal silicides are formed, and a high melt-point metal film 206 is formed on the high melt-point metal diffusion prevention film 200.
高融点金属シリサイドを形成しない領域上に、複数層構造の高融点金属拡散防止膜２００が形成され、この上に高融点金属膜２０６が形成される。 - 特許庁 - The push-button switch has a light diffusion plate 40 arranged immediately below an operating cap 50 moving vertically by pressing operation, and two pieces of LEDs 28, 29 arranged on the lower side of the light diffusion plate 40.
押圧操作で上下動する操作用キャップ５０の直下に、光拡散板４０を配置するとともに、前記光拡散板４０の下方側に２個のＬＥＤ２８，２９を配置した押し釦スイッチである。 - 特許庁 - The exit light on the incident end face 4 side of the diffusion plate 14 is suppressed, by which the generation of the bright lines and dark lines is suppressed and the luminance distribution of the exit surface 14a of the diffusion plate 14 is made uniform.
拡散板１４の入光端面４側における出光を抑制し、輝線及び暗線の発生を抑制して、拡散板１４の出光面１４ａの輝度分布が均一化される。 - 特許庁 - The discharge equipment for waste water comprises: a disinfectant spraying means; and a stirring/diffusion promoting means promoting the stirring and diffusion of a disinfectant sprayed by the disinfectant spraying means.
消毒剤噴射手段と、該消毒剤噴射手段により噴射された消毒剤の撹拌、拡散を促進する撹拌・拡散促進手段とを有することを特徴とする排水の放流設備。 - 特許庁 - A diffusion chamber 76 having a space wider than the mixing chamber is formed around the mixing chamber 74, and the mixing chamber 74 is communicated with the diffusion chamber 76 via communication parts 104 and 106.
また、混合室７４の周辺には、混合室よりも広い空間を持つ拡散室７６が形成され、混合室７４と拡散室７６とは連通部１０４，１０６を介して連通している。 - 特許庁 - Charges transferred to a diffusion layer FD are read through a gate for the FET (TR) for reading a signal, and the diffusion layer FD is reset by the FET (Q_R) for the reset after charges are read.
拡散層ＦＤに転送された電荷は、信号読出用ＦＥＴ（ＴＲ）のゲートを介して読み出され、拡散層ＦＤは電荷が読み出された後にリセット用ＦＥＴ（Ｑ_Ｒ）によってリセットされる。 - 特許庁 - Impurities are injected to a section forming the diffusion region in the substrate while using the gate electrode as a mask, and the third heat treatment is conducted for activating impurities injected into the diffusion region.
その後、ゲート電極をマスクとして、基板の拡散領域を形成する部分に、不純物を注入し、拡散領域に注入された不純物の活性化のための第３の熱処理を行う。 - 特許庁 - The membrane electrode assembly is formed by stacking the gas diffusion layer for an anode, a catalyst layer for the anode, an electrolyte membrane, a catalyst layer for the cathode, and a gas diffusion layer for the cathode in the thickness direction in order.
膜電極接合体は、アノード用ガス拡散層とアノード用触媒層と電解質膜とカソード用触媒層とカソード用ガス拡散層とを厚み方向に順に積層して形成されている。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion electrode substrate which has different gas permeability in surface direction in one sheet of gas diffusion electrode by a commercially viable method, and its manufacturing method.
本発明は、商業的に成立する方法で１枚のガス拡散電極基材の中で面内方向の気体透過性の異なるガス拡散電極基材とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - An insulating material, containing silicon, carbon, hydrogen and nitrogen as constituting elements of a diffusion preventing film and containing Si-H bond, Si-C bond and methylene bond (-CH_2-), is used as a diffusion preventing film of a copper wiring.
シリコン、炭素、水素および窒素を構成元素として含み、Ｓｉ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびメチレン結合（−ＣＨ_２−）を含む絶縁材料を、銅配線の拡散防止膜として用いる。 - 特許庁 - To provide a random number generating circuit having reduced periodicity with a simple configuration in a digital OB clamp circuit utilizing error diffusion, and to provide an error diffusion digital clamp circuit with a simple configuration.
誤差拡散を利用したディジタルＯＢクランプ回路において簡単な構成で周期性の少ない乱数発生回路を提供するとともに、簡単な構成の誤差拡散ディジタルクランプ回路を提供する。 - 特許庁 - When forming the silicide wiring 13, the diffusion of silicon from the polysilicon wiring 12 is prevented by the diffusion prevention film 5, thus preventing gaps from being generated between the polysilicon wiring 12 and the silicide wiring 13.
シリサイド配線１３の形成時に、ポリシリコン配線１２からのシリコンの拡散が拡散防止膜５により防止されるので、ポリシリコン配線１２及びシリサイド配線１３間に空隙が発生しない。 - 特許庁 - A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.
拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁 - To provide an Ni diffusion plated steel sheet with a soft Ni diffusion plated layer having excellent plastic workability in press working and corrosion resistance after the working and further having a mirror bright surface with an excellent glossiness.
Ｎｉ拡散メッキ層が軟質でプレス加工時の塑性加工性,加工後の耐食性に優れ、更に、優れた光沢度のミラーブライト表面を有するＮｉ拡散メッキ鋼板を提供することである。 - 特許庁 - An electrode catalyst layer 1 is formed by arranging a gas diffusion layer 2 on a base material 3 with a ferromagnetic body and a feeble magnetic body formed in a pattern shape, and directly applying catalyst ink on the gas diffusion layer 2.
強磁性体と弱磁性体がパターン状に形成された基材３上に、ガス拡散層２を配置して、該ガス拡散層２上に触媒インクを直接塗布し、電極触媒層１を形成する。 - 特許庁 - The liquid and the diffusion particle can move vertically to radiation beam or vertically to the scanning direction of the radiation beam in, for example, a scanning lithography apparatus, in order to improve diffusion operation.
流体および拡散粒子は、拡散動作を改善するために、例えば、走査リソグラフィ装置で、放射線ビームに垂直に、または放射線ビームの走査方向に垂直に運動することができる。 - 特許庁 - To provide a light diffusion sheet having favorable light diffusion and light transmission and capable of preferably suppressing generation of ghost or double images or scintillation even when the sheet is used for a Fresnel lens.
良好な光拡散性と光透過性を有し、フレネルレンズに使用した際にも、ゴースト及び二重像の発生やシンチレーションをより良好に抑制しうる光拡散性シートを提供すること。 - 特許庁 - The well contact 2 has a short distance tS to the diffusion layer 4 of the cathode at its long side and a long distance tL to the diffusion layers 4, 5 of the anode and cathode in its short side (tL>tS).
このウエルコンタクト２は、その長辺ではカソードの拡散層４までの距離ｔＳが短く、その短辺ではアノード及びカソードの拡散層４、５までの距離ｔＬが長く（ｔＬ＞ｔＳ）に設定される。 - 特許庁 - The premixture flame forming nozzle 41 has an outlet of a fan shape and situated in an annular shape between the combustor inner cylinder 20 and the diffusion flame forming cone 30 to form a diffusion combustion flame.
予混合火炎形成ノズル４１は、その出口形状が扇形状をしており燃焼器内筒２０と拡散燃焼火炎を形成する拡散火炎形成コーン３０との間に環状に配置される。 - 特許庁 - To provide an air diffusion pipe which has improved maintainability and improved alignment reproducibility and which uniformly supplies a predetermined flow rate of air, and to provide an air diffusion unit and an immersion membrane unit.
メンテナンス性を向上させ、位置合わせの再現性を向上させ、所定流量の空気を斑無く均一に供給することのできる散気管、散気ユニット及び浸漬膜ユニットを提供する - 特許庁 - To provide a light diffusion sheet having high luminance (transmittance) without degrading mechanical properties and printing adaptability required for a light diffusion sheet and without much increasing the manufacturing cost thereof.
本発明の目的は、光拡散シートに必要な機械的物性や印刷適性を損なわず、また製造コストを大幅に上げることなく、輝度（透過率）の高い光拡散シートを提供することにある。 - 特許庁 - The semiconductor device has a gate electrode 10 on a substrate 50, and a source diffusion layer 30 and a drain diffusion layer 30 which are adjacent each via an insulation film 20 in the gate electrode 10.
半導体装置は、基板５０上に、ゲート電極１０と、ゲート電極１０に絶縁膜２０を介して夫々隣接するソース拡散層３０及びドレイン拡散層３０とを備えている。 - 特許庁 - An anode diffusion layer is arranged on the opposite side to the side in contact with the electrolyte of the anode catalyst layer, and a cathode diffusion layer is arranged on the opposite side to the side in contact with the electrolyte of the cathode catalyst layer.
アノード触媒層の、電解質に接する側とは反対側には、アノード拡散層が配置され、カソード触媒層の、電解質に接する側とは反対側には、カソード拡散層が配置されている。 - 特許庁 - On the epitaxial layer 4, an embedded diffusion layer 13 connected so as to make continuity with the trench sidewall diffusion layer 9 is formed by diffusing P-type impurities into the epitaxial layer 4.
エピタキシャル層４には、エピタキシャル層４中にＰ型不純物を拡散させることにより、トレンチ側壁拡散層９と導通可能に接続された埋め込み拡散層１３が形成されている。 - 特許庁 - On the epitaxial layer 4, an embedded diffusion layer 12 connected so as to make continuity with the trench sidewall diffusion layer 6 is formed by diffusing N-type impurities into the epitaxial layer 4.
エピタキシャル層４には、エピタキシャル層４中にＮ型不純物を拡散させることにより、トレンチ側壁拡散層６と導通可能に接続された埋め込み拡散層１２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a backlight unit for a display device composed by improving light division performance and structure strength by integrally forming light guides and diffusion sheet parts, and by dividing the diffusion sheet parts into areas.
ライトガイドおよび拡散シート部を一体的に構成して、拡散シート部もエリア分割することにより、光分割性能および構造強度を向上させた表示装置用バックライトユニットを得る。 - 特許庁 - Then, the second thermal diffusion process is executed for more deeply thermally diffusing boron, which is thermally diffused inside the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, inside the monocrystalline silicon wafer 1.
次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１内に熱拡散されたボロンを該シリコン単結晶基板１内により深く熱拡散させる第２の熱拡散工程を行う。 - 特許庁
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