「electron diffraction」を含む例文一覧(158)
＜前へ 1 2 3 4 次へ＞- The interference fringe and the diffraction grating pattern are plotted by an electron beam lithographing device based on an image data generated by calculation by a computer.
干渉縞や回折格子パターンは、コンピュータによる演算に基いて生成された画像データに基き、電子線描画装置によって描画される。 - 特許庁 - When detecting an ordinary observation image by the electron beam without spectral diffraction, the electron beam from the projecting lens part 7 is incident on the beam incident portion 11c of the electron spectrometer 11 and irradiates the image detection part 10 via the opening provided in the beam incident portion 11c.
また、分光されない電子ビームによる通常の観察像を検出する際には、投影レンズ部７からの電子ビームは電子分光器１１のビーム入射部位１１ｃに入射後、ビーム入射部位１１ｃに設けられた開口部を介してそのまま像検出部１０に照射される。 - 特許庁 - Diffraction lines attributed to metallic Si and Si compound cannot be detected in the texture structure by the pattern analysis by X-ray diffraction method and granular texture is unrecognizable by the observation with a transmission electron microscope(TEM).
また、その組織構造は、Ｘ線回折法によるパターン解析により金属Ｓｉ及びＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡(TEM)の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁 - A sample stage is moved at electron beam diffraction mode in a unity of a value obtained by dividing hole diameter of a visual field stop by an image magnifying power at the hole of the visual field stop.
電子線回折モードにて、視野絞りの孔径を視野絞りの孔における像の拡大率によって除算した値を単位として、試料ステージを移動させる。 - 特許庁 - To provide a method capable of improving a contrast of an electron backscattering diffraction image, even in the case of a monocrystal sample or a polycrystal sample having high orientation.
単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing optical element capable of proper alignment in marking a pattern of a diffraction grating by means of an electron beam lithographic device.
電子ビーム露光装置を用いて回折格子のためのパターンを描画する際に良好なアライメントが可能になる半導体光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁 - Normally, intensity distribution of an electron beam is not of a rectangular distribution that faithfully corresponds to (a) because of diffraction phenomenon, but has a distribution containing a specified widening as in (b).
通常は、回折現象のため、電子線の強度分布は（ａ）に忠実に対応するような矩形分布とならず、（ｂ）のように所定の広がりを持った分布となる。 - 特許庁 - The electron emission film 1 having an X-ray diffraction pattern of diamond, constituted by a plurality of diamond particles with the size of 5 nm to 10 nm is formed on a substrate 2.
基板２上に、Ｘ線回折においてダイヤモンドのパターンを有し、粒径が５nmから１０nmである複数のダイヤモンド粒子より構成された電子放出膜１を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing the effect of movement error of the stage of an electron beam drawing device on a diffraction grating.
電子ビーム描画装置のステージの移動誤差が回折格子に与える影響を小さくできる分布帰還型半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁 - Accurate measurements of the charge-density distribution in crystals using electron diffraction require careful interpretation because the distribution measured depends on temperature.
電子回折を使った結晶中の電荷密度分布の精確な測定は、注意深い解釈を要求する; なぜなら、測定された分布は温度に依存するからである。 - 科学技術論文動詞集 - A one-dimensional diffraction grating is positioned such that the direction of the grating is horizontal to the scanning direction of the electron beam, and the electron beam is scanned horizontally while shifting the scanning vertically so as to coincide with the pitch dimension of the grating.
電子ビームの走査方向に対して格子の方向を水平方向になるように一次元回折格子を配置させ、かつ格子のピッチ寸法に一致するように電子ビーム走査を垂直方向に移動させながら水平に走査する。 - 特許庁 - By using two electron beam biprisms in two stages in the optical axis direction, not only the Fresnel diffraction can be avoided, but also the interference fringe spacing s and the interference region width W are independently controlled by controlling the respective electrode voltage of the electron beam biprism.
２つの電子線バイプリズムを光軸方向に２段に用いることにより、フレネル回折を回避できるだけでなく、干渉縞間隔ｓと干渉領域幅Ｗを、それぞれの電子線バイプリズム電極電圧を制御して、独立にコントロールする。 - 特許庁 - For example, a light receiving surface of a TV camera for photographing the electron beam diffraction image is directly and indirectly rotated by operating in linking with the crystal arrangement direction of the sample of the scanning transmission image.
例えば、走査透過像の試料の結晶配列方向に連動して、電子線回折像を撮影するＴＶカメラの受光面を直接あるいは間接的に回転させる。 - 特許庁 - To provide an electron beam lithography capable of performing correction of canceling working errors accumulated in other processes and plotting a diffraction structure by which a prescribed optical performance is obtained.
他工程にて蓄積した加工誤差を解消する補正を行い、所定の光学的性能が得られる回折構造を描画することができる電子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁 - To perform measurements on wide energy regions in the system which diffracts, with a diffraction grating, the characteristic X-ray from a sample irradiated with an electron beam and collects spectra with an image sensor.
電子線を照射した試料からの特性Ｘ線を回折格子により回折させてイメージセンサでスペクトルを採取するシステムにおいて、幅広いエネルギー領域の測定を行う。 - 特許庁 - A knowledge of the Debye-Waller factor is essential in order to convert a structure factor measured by electron diffraction at temperature T into the corresponding X-ray structure factor at temperature T.
デバイワラー因子に関する知識は、温度Tにおいて電子回折によって測定された構造因子を温度Tにおけるその対応するX線の構造因子に変換するために不可欠である。 - 科学技術論文動詞集 - When aligning the crystal direction of the sample to an optical axis of a scanning transmission electron microscope, accurate and quick crystal direction alignment can be performed since a direction for inclining the sample can be directly determined from the shape of the electron beam diffraction image.
本発明によれば、ＳＴＥＭの光軸に対して試料の結晶方位を合わせる際、試料を傾斜させるべき方向を電子線回折像の形状から直接判断することができるため、正確かつ迅速な結晶方位合せが可能となる。 - 特許庁 - To manufacture a lens mold with which a diffraction structure for aberration correction can be formed on the light converging surface side of an optical lens and further an optical element mold for an optical aberration correcting element etc., without decrease in diffraction efficiency nor a decrease in product value by using an electron beam drawing device.
回折効率の低下や製品価値の低下を招かずに、光レンズの集光面側に収差補正用回折構造を形成することが可能なレンズ成形型、更には光学収差補正素子等の光学素子成形型を、電子ビーム描画装置による描画を用いて作製すること。 - 特許庁 - To manufacture a lens molding die capable of forming a diffraction structure for aberration correction in an optical lens without causing deterioration of diffraction efficiency or deterioration of a product value, and an optical element molding die for an optical aberration correction element or the like by using drawing by the electron beam drawing device.
回折効率の低下や製品価値の低下を招かずに、光レンズに収差補正用回折構造を形成することが可能なレンズ成形型、更には光学収差補正素子等の光学素子成形型を、電子ビーム描画装置による描画を用いて作製すること。 - 特許庁 - To produce a lens molding die capable of forming a diffraction structure for correcting aberration on an optical lens without causing the reduction in diffraction efficiency and the reduction in a product value, and further, to produce a molding die for an optical element such as an optical aberration correction element using drawing by an electron beam drawing system.
回折効率の低下や製品価値の低下を招かずに、光レンズに収差補正用回折構造を形成することが可能なレンズ成形型、更には光学収差補正素子等の光学素子成形型を、電子ビーム描画装置による描画を用いて作製すること。 - 特許庁 - To provide a method of producing a diffraction grating by direct plotting using charged particle beam such as electron beam or ion beam and in detail, a method of precisely plotting the diffraction grating having an optional spatial frequency without depending on beam irradiation position control resolution of the plotting device.
本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた、直接描画による回折格子の形成方法に係り、さらに詳しくは、描画装置のビーム照射位置制御分解能によらず、任意の空間周波数の回折格子を精度良く描画する方法に関するものである。 - 特許庁 - To provide a method for electron-beam lithography by which a diffraction structure shape in a state overhung is formed according to the curved surface structure of a base material and a finer grating pitch is realized, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment.
本発明は、基材の曲面構造に応じてオーバーハングした状態の回折構造の形状を構成することができ、かつ、より微細な格子ピッチにも対応することのできる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁 - An electrostatic latent image measurement apparatus comprises an electron gun 11, a light source 100, an acousto-optic deflection element 103, a polygon mirror 105, a second electron detector 24 and correction means which corrects the effect of changed drive frequency of the acousto-optic deflection element 103 on diffraction.
電子銃１１と、光源１００と、音響光学偏向素子１０３と、ポリゴンミラー１０５と、２次電子検出器２４と、音響光学偏向素子１０３の駆動周波数の変化が回折に与える影響を補正する補正手段と、を備えた静電潜像計測装置。 - 特許庁 - When determined that it is a periodic structure, the electron beam diffraction image and a limited visual field image are preserved as one data group together with an observation condition including the position of the sample stage, an X-ray spectrum or the like.
周期構造であると判定したら、電子線回折像、及び、制限視野像を、試料ステージの位置を含む観察条件、Ｘ線スペクトル等と共に１つのデータ群として保存する。 - 特許庁 - To provide a selected area aperture plate, a manufacturing method of the same and the like, in which a fine pore can be formed while maintaining mechanical strength, and which is suitable for observing a selected area electron diffraction image of a TEM.
機械的強度を維持しつつ微細孔を形成することができ、ＴＥＭの制限視野電子回折像観察に好適な制限視野絞りプレート及びその製造方法等を提供する。 - 特許庁 - In this case, the factor (1) which is a factor for showing coincidence of this electron diffraction pattern becomes the maximum value when basic reflection points agree completely, and becomes the minimum value when all the basic reflection points disagree.
ここに、因子▲１▼は、電子回折パターンの一致度を示す因子であって、基本反射の点が完全一致であれば最大値をとり、基本反射の点がすべて不一致であれば最小値をとる。 - 特許庁 - The x-ray imaging apparatus includes: an x-ray source having an electron source and a target; a diffraction grating for diffracting x-rays from the x-ray source; and a detector for detecting x-rays from a screen grid.
Ｘ線撮像装置は、電子源とターゲットとを有するＸ線源と、Ｘ線源からのＸ線を回折する回折格子と、遮蔽格子からのＸ線を検出する検出器と、を備える。 - 特許庁 - A considerable amount of work has been conducted on the analysis of crystal structures using point or ring electron diffraction patterns, based mainly on the kinematical theory (with some dynamical corrections).
かなりの(量の)研究が、(ある動力学的補正を伴った)主に運動学的理論に基づき、「点状の」または「環状の」電子回折図形を使って、結晶構造の解析について行われた。 - 科学技術論文動詞集 - The Si dispersed vitreous carbon material is provided with structural performance that a crystalline structure except graphite structure does not exist practically in the structure, the diffraction line attributed to metal Si or an Si compound is not detected in an X-ray diffraction method and granular structure is not discriminated by the observation by a transmission electron microscope(TEM).
また、その組織中には実質的に黒鉛構造以外の結晶構造が存在せず、Ｘ線回折法により金属ＳｉおよびＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁 - In the electrolytic copper foil, the ratio (B/A) of the twin density B after heated at 380°C for 30 min to the normal twin density A measured by an EBSD (Electron Back Scatter Diffraction Patterns) method is ≥0.7.
また、この電解銅箔は、ＥＢＳＤ法で測定した常態双晶密度（Ａ）と、３８０℃×３０ｍｉｎ加熱後の双晶密度（Ｂ）との双晶密度比（Ｂ／Ａ）の値が０．７以上であることが好ましい。 - 特許庁 - In the electron microscope applying a phase retrieval method, an image size decided by a pixel size p of a diffraction image, a camera length L, and a wavelength λ of irradiation beams and a sample irradiation area are set to have a constant relation.
位相回復法を適用した電子顕微鏡等において、回折像の画素サイズｐ、カメラ長L、照射ビームの波長λにより決まる画像サイズと試料照射領域が一定関係になるようにする。 - 特許庁 - The texture structure thereof has the texture characteristics that the metal Si and Si compound cannot be observed by X-ray diffraction and the granular texture cannot be observed by a transmission electron microscope(TEM).
その組織構造は、Ｘ線回折によって金属ＳｉおよびＳｉ化合物が観察されず、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えたものである。 - 特許庁 - The magnesium oxide powder has a cubic particle shape when observed by a scanning electron microscope, and has a cumulative 50% particle diameter (D_50) of at least 1.0 μm by a laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method.
走査型電子顕微鏡にて観察した粒子形状が立方体状であり、かつレーザ回折散乱式粒度分布測定による累積５０％粒子径（Ｄ_５０）が１．０μｍ以上である酸化マグネシウム粉末。 - 特許庁 - The angle resolving electron spectroscope of the diffraction plane aperture transmission energy control type allows electrons emitted from the surface of a sample 10 to be injected into a front-stage electrostatic lens 18 via an introducing port 16.
回折面アパチャー透過エネルギー制御方式の角度分解型電子分光器では、試料表面１０から放出される電子が取り込み口１６を介して静電型前段の電子レンズ１８に入射される。 - 特許庁 - The substance identification part 4 retrieves the database for the retrieval to identify the substance, based on the lattice spacing transmitted from the electron beam diffraction image analytical part 3 and an element data transmitted from the EDX analytical part 2.
物質同定部４は、電子線回折像解析部３から送信された格子面間隔データ、ＥＤＸ分析部２から送信された元素データをもとに検索用データベースを検索して物質を同定する。 - 特許庁 - A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.
電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁 - In Fig.2, the fact that the structure of chrysotile is changed from acicular ones to grains may be confirmed from the crystal structure determined by X-ray diffraction and measurement results of a surface structure determined by an electron microscope by irradiating a sulfuric aqueous solution in which the chrysotile is immersed with electron beams with an incidence energy of 0.8 MeV.
図２では、白石綿を浸漬した硫酸水溶液中に、入射エネルギー０．８ＭｅＶの電子線を照射することで、白石綿の構造が針状から粒状に変化することが、Ｘ線回折による結晶構造ならびに電子顕微鏡による表面構造の測定結果から確認できる。 - 特許庁 - When using the time division drive method, a data signal side drive circuit 102 and a gate signal side drive circuit 103 are respectively configured by TFTs each having an extremely rapid operation speed and using a semiconductor film having an active layer showing an electron beam diffraction image corresponding to [110] orientation.
また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 - 特許庁 - A host computer 9 displays an electron beam diffraction-image as a digital image of 256 gradations and uses a lattice constant as a parameter by simultation to perform fitting by using a predetermined program, thereby calculates the lattice constant of the semiconductor device 1.
ホストコンピュータ９は、電子線回折像を２５６階調のディジタル画像として表示し、シミュレーションにより格子定数をパラメータとして所定のプログラムを用いてフィッティングを行い、半導体装置１の格子定数を算出する。 - 特許庁 - During work of removing a damaged layer which arises from an ion beam, transmitted electrons are detected with a two-dimensional detector, the transmitted electrons arising by irradiating a sample with an electron beam formed by an electron beam optical system, and the timing of the completion of the work of removing the damaged layer is determined on the basis of the blur amount of a diffraction pattern obtained with the two-dimensional detector.
イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 - 特許庁 - A portion where electrons reflected vertically from a sample 104 are formed is shielded by a shielding object 117, on a diffraction spot formed on a rear focal plane of an electron lens 111, and other reflected electron beams are detected by a detector 112, and its integration intensity is monitored by an input/output device 115, to thereby determine a foreign matter or a flaw.
電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 - 特許庁 - To provide a technique capable of shortening a processing time when the lattice constant or lattice strain quantity of a crystal is measured and analyzed on the basis of a high-order Laue zone (HOLZ) line appearing in a converged electron beam diffraction (CBED) image.
収束電子線回折（ＣＢＥＤ）像に現れる高次ラウエゾーン（ＨＯＬＺ）線に基づいて結晶の格子定数又は格子歪み量の測定・解析を行う場合において、処理時間を短縮することができる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a system for collecting a spectrum by diffraction of characteristic X rays from a sample that has been irradiated with an electron beam, which provides information on whether each peak of collected spectra is a measurement object or a composite peak of cathode luminescence and a higher order beam.
電子線を照射した試料からの特性Ｘ線を回折させてスペクトルを採取するシステムにおいて、採取スペクトルの各ピークが、測定対象であるか、カソードルミネッセンスや高次線の複合ピークであるかの情報を提供する。 - 特許庁 - In carrying out aberration correction of a STEM device, a standard substrate with Au particles 102 deposited on a single-crystal substrate 101 made of Si is used, and based on electron diffraction images and a Kikuchi pattern, inclination of the standard substrate is adjusted.
ＳＴＥＭ装置の収差補正に際して、Ｓｉからなる単結晶基板１０１上にＡｕパーティクル１０２が堆積されてなる標準基板を用い、電子線回折像及び菊池パターンに基づいて、標準基板の傾斜を調節する。 - 特許庁 - To provide a crystal orientation measuring method, capable of detecting a wrong crystal orientation generated systematically with a specific crystal orientation relation between a correct crystal orientation and a wrong crystal orientation measured by the crystal orientation measuring method for mapping the crystal orientation, by using an electron beam backward scattering diffraction image or a Kossel diffraction image, and correcting the wrong crystal orientation.
電子線後方散乱回折像やコッセル回折像を用いて結晶方位をマッピングする結晶方位測定方法で測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の結晶方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位を検知し、誤った結晶方位を修正できる結晶方位測定方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor film uses a semiconductor film, having a crystal structure containing silicon as a main component where among lattice planes detected by the reflected electron diffraction pattern method, the plane {101} occupying proportion is 10% or more, and the plane {111} occupying proportion is less than 10%.
珪素を主成分とし結晶構造を有する半導体膜であって、反射電子回折パターン法で検出される格子面の内、｛１０１｝面が占める割合が１０％以上であり、｛１１１｝面が占める割合が１０％未満である半導体膜を用いる。 - 特許庁 - A metal structure of a cubic crystal is irradiated with electron beams at an interval of 15 nm-100 μm to determine a crystal orientation at every measuring point by a back scattering electron diffraction image method, and lattice strain is determined from the determined crystal orientation distribution and the orientation angle difference between the adjacent measuring points to calculate the residual stress distribution on the metal structure on the basis of the lattice strain.
立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。 - 特許庁 - To provide a polychrometer discriminating light of a plurality of desired wavelengths contained in a soft X ray incident to a device and forming an image on a detection device or a photosensitive substance surface, in a soft X ray range of a few kilo-electron volts wherein a conventional diffraction grating spectroscopic device is not practicable.
本発明は、従来回折格子分光器が実用とならなかった数keVの軟X線領域において装置に入射する軟Ｘ線光に含まれる複数の所望の波長の光を分別し検出器または感光物質面に結像させうる多色計（ポリクロメータ）を提供するものである。 - 特許庁 - To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum.
光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。 - 特許庁 - A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).
後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁
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