「element patterns」を含む例文一覧(507)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11- In the case of the user's answers for the free answer items through or restrained by the various false recognition element distractor patterns indicated in the distractor errors for the multiple-choice questions, the user's answer to the prescribed examination question is evaluated through a coded answer classification and the preliminary diagnosis of the users knowledge and/or a deficiency in the degree of mastering in taking the examination is carried out.
多肢選択問題に対する誤答に示されている種々の誤認要素誤答パターンを通じてまたは拘束された自由解答項目に対してのユーザの解答の場合はコード付けされた解答分類を通じて所与の試験質問に対するユーザの解答を評価し、ユーザの知識および／または受験習熟度の欠陥の予備的な診断を行う。 - 特許庁 - A hologram element 306a provided in the optical integrated unit having the tracking error detecting function by three beam method is sectioned into first and second regions 601 and 602 having diffraction directions in a direction that the sub-beams 202, 202b are separated, and diffraction grating patterns using respectively one side and the other side of a circular columns being symmetry respect to a boundary line 603 are provided in respective regions.
３ビーム法によるトラッキング誤差検出機能を有する光集積ユニットに設けられるホログラム素子３０６ａは、サブビーム２０２ａ、２０２ｂが離間する方向に、回折方向が異なる第１領域６０１、第２領域６０２に区分され、各領域には境界線６０３に関して対称な円弧列のそれぞれ一方及び他方を用いた回折格子パタンが設けられる。 - 特許庁 - Organic functional material ink is supplied to letterpress convex parts with the use of a printing machine equipped with a plurality of anilox rolls, which then are endowed with at least either the different number of wires, different cell angles, or different sculpturing patterns, and then is transferred from the letterpress to a substrate to form an organic functional layer, in the manufacturing method of the organic functional element.
複数のアニロックスロールを備え、さらにそのアニロックスロールが、互いに異なる線数、異なるセル角度、異なる彫刻パターン、の少なくともいずれかを備えていることを特徴とする印刷機を用いて、凸版凸部に有機機能性材料インキを供給し、凸版から基板上にインキを転写して有機機能層を形成することを特徴とする有機機能性素子の製造方法。 - 特許庁 - The distribution sensor comprises a piezoelectric element assembly 1 having piezoelectric elements 2 having electrode layers 8 mounted on piezoelectric crystal thin films formed on both surfaces of a flexible base plate and aligned in a matrix state in one sheet-like state, and insulating films 5 laminating both the surfaces of the assembly 1 and terminals 9 connected to the layers 8 formed in predetermined patterns on the films 5.
可撓性基板の両面に圧電結晶薄膜が形成され、この圧電結晶薄膜に電極層８が取り付けられた圧電素子２を、マトリックス状に並べて一枚のシート状に形成した圧電素子集合体１と、この圧電素子集合体１の両面をラミネートする絶縁フィルム５とからなっており、この絶縁フィルム５には、上記電極層８に接続される端子９が所要のパターンに形成されている。 - 特許庁 - Further, the extension electrode patterns 21 and 22 are formed with a wiring pattern of gathering toward the connection terminals, 19 and 20 for the liquid crystal driving element for electric connection with a driving connection terminal and a metal film 23 is laminated only in an area outside the seal part 4 of the extension electrode pattern 21 to reduce a wiring resistance difference between one-side electrodes 17.
そして、駆動用接続端子に通電すべく、これら液晶駆動素子用接続用端子１９、２０に向けて集合されるような配線パターンにて、延在電極パターン２１と延在電極パターン２２とを形成し、さらに各一方電極１７の間にて、配線抵抗差を減少させるべく、延在電極パターン２１のシール部４外の領域のみに対し、金属膜２３を積層する。 - 特許庁 - To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.
銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises: a first insulating layer; a substrate including the first insulating layer and stacked second insulating layers; a semiconductor element provided on the opposite side to the side of the first insulating layer on which the second insulating layers are provided; circuit patterns provided between the first insulating layer and the second insulating layer; and potential parts provided between the first insulating layer and the second insulating layer.
実施形態によれば、半導体装置は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層と積層された第２の絶縁層と、を有する基板と、前記第１の絶縁層の前記第２の絶縁層が設けられた側とは反対側に設けられた半導体素子と、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、の間に設けられた回路パターンと、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、の間に設けられた電位部と、を備える。 - 特許庁
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