「element variable」を含む例文一覧(1802)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 36 37 次へ＞- A continuously variable transmission has a primary pulley provided at a primary shaft, and a secondary pulley provided at a secondary shaft, and a belt serving as a power transmission element is stretched between these pulleys.
無段変速機はプライマリ軸に設けられるプライマリプーリと、セカンダリ軸に設けられるセカンダリプーリとを有し、これらのプーリには動力伝達要素としてのベルトが掛け渡されている。 - 特許庁 - The controller 20 determines the rotational position of the dial knob 11 from the combination of on/off state of the switching element 1 and the voltage level at the terminal 5 of the variable resistor 18.
そして、コントローラ２０に、スイッチング素子１のオン、オフ状態と、可変抵抗器１８の端子５の電圧値との組み合わせからダイアルノブ１１の回転位置を判定させるようにする。 - 特許庁 - Because the position of the optical axis direction of the lens 5 is made adjustable, a parallelism (a telecentric degree) toward an optical axis of a principal ray incident on the polarizing element 6 and the integrator 7 is variable.
レンズ５の光軸方向の位置を調整可能としたので、偏光素子６やインテグレータ７に入射する主光線の光軸に対する平行度（テレセン度）を変えることができる。 - 特許庁 - To provide a division level logic circuit that is operated at a power supply voltage over the breakdown voltage of an element and outputs output signals with respect to input signals at a variable level.
素子の耐圧以上の電源電圧で動作し、複数の入力信号に対する複数の出力信号をレベル可変で出力できる分割レベル論理回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing power consumption and reducing switch malfunctions using a carbon nanotube as a variable resistive element.
カーボンナノチューブを可変抵抗素子として用い消費電力の抑制とスイッチの誤作動の低減を両立した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A variable element cathode-side electrode 112 is arranged by contacting with one principal surface of a sealing substrate 111, and the display pixel 21 is formed on one principal surface of a pixel substrate 113.
封止基板１１１の一方の主面に接して可変素子カソード側電極１１２が配置され、画素基板１１３の一方の主面に表示画素２１が形成される。 - 特許庁 - To obtain a light source of variable wavelength in which the emission spectrum width is narrow and the emission wavelength can be easily varied in a light source for making an organic substance such as an organic EL element emit light.
有機ＥＬ素子などの有機物質を発光させる光源において、発光スペクトル幅が狭く、発光波長を容易に可変することができる波長可変光源を得る。 - 特許庁 - To provide a coupling capacitor charge correction control circuit for eliminating a variable resistor for adjusting a transistor element characteristic and improving reliability in a neutron flux measurement system.
トランジスタ素子の特性調整を行う可変抵抗が不要で信頼性を向上させた中性子束計測システムにおける結合コンデンサ電荷補正制御回路を提供する。 - 特許庁 - An amplitude and phase variable circuit 31 varies the antenna beams by adjusting the amplitude and the phase to be provided by every antenna element based on the amplitude control value and the phase control value.
振幅位相可変回路３１は振幅制御値及び位相制御値に基づいて、アンテナ素子毎に与える電力の振幅及び位相を調整して、アンテナビームを変化させる。 - 特許庁 - The resonance circuit 21B is constituted of the series circuit of a resonance coil L11, a variable capacitance diode D11, a resonance coil L12 and a switch element D12 in terms of high frequency.
共振回路２１Ｂは、共振用のコイルＬ11と、可変容量ダイオードＤ11と、共振用のコイルＬ12およびスイッチ素子Ｄ12の直列回路とを高周波的に並列接続して構成する。 - 特許庁 - It is then determined whether in the path information, an address in an element having the same number of relay devices as the variable (j) for the number relay devices is present in first network information (S207).
次に、パス情報において中継装置数変数ｊに等しい中継装置数を有する要素内のアドレスが第１の網情報に存在するか否かを判定する（Ｓ２０７）。 - 特許庁 - An MOS structure is formed of polysilicon 10 and the n-type diffusion resistor 11, as a variable resistor 5 between the IN terminal and the power switch element 2 for the semiconductor device 1.
また、半導体装置１のＩＮ端子とパワースイッチ素子２の間には、可変抵抗体５として、ポリシリコン１０とＮ型拡散抵抗１１とでＭＯＳ構造が形成されている。 - 特許庁 - The variable resistance element, in the case where the output level detected by the detector circuit is smaller than a threshold value, changes an equivalent resistance value of an output side seen from the electromechanical transducer to a negative.
可変抵抗要素は、検出回路により検出された出力レベルがしきい値より小さい場合に、電気機械変換器から見た出力側の等価抵抗値を負に転じる。 - 特許庁 - To obtain a higher harmonic output and stabilize the output in a SHG light source provided with a DBR-LD or a wavelength continuously variable three-electrode LD and an optical wavelength conversion element.
ＤＢＲ−ＬＤまたは波長連続可変の３電極ＬＤと光波長変換素子を備えたＳＨＧ光源において、所望の高調波出力を得、出力安定化を図る。 - 特許庁 - In the waveguide grating router 300, a prescribed synthetic transmission spectrum output is obtained by removing the unbalance of a loss by using a variable loss element 320.
導波路グレーティングルータ（３００）において、所定の合成伝達スペクトル出力が、可変損失エレメント（３２０）を使用することにより損失の不平衡を除去することにより得られる。 - 特許庁 - Thus, the power element can be independently subjected to vacuum test, resulting in the high yields of the finally assembled control valve for the variable displacement compressor.
これにより、パワーエレメント単独で真空試験を行うことができるため、最終的に組み立てられた可変容量圧縮機用制御弁の歩留りを向上させることができる。 - 特許庁 - To obtain a compact zoom lens having four lens groups as a whole in which chromatic aberration accompanying variable power is excellently corrected by using at least one diffraction optical element in one lens group.
全体として４つのレンズ群を有し、少なくとも１つのレンズ群に１つの回折光学素子を用いて変倍に伴う色収差を良好に補正したコンパクトなズームレンズを得ること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser element which can perform variable wavelength operation without lowering the output, and can perform high output operation with low power consumption, and to provide a semiconductor laser device equipped with it.
波長可変動作を行わせても出力が低下せず、低消費電力で高出力動作が可能な半導体レーザ素子およびそれを備える半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁 - A tuning control circuit 104 controls a bias current to be supplied to the variable capacitance element of the tuner circuit 12 so that a detection level of the level detection circuit 103 becomes maximum.
同調制御回路１０４は、レベル検出回路１０３の検出レベルが最大となるように、同調回路１２の可変容量素子に供給するバイアス電流を制御する。 - 特許庁 - To provide a voltage controlled oscillation circuit of a RTW (Rotary Traveling-Wave) system improved in phase/noise characteristics by using a variable capacitance element, that is employed generally, without adding manufacturing costs.
製造コストの追加なく一般的に用いられる可変容量素子を利用し、位相雑音特性に優れたＲＴＷ形式の電圧制御発振回路を実現できるようにする。 - 特許庁 - To provide a capacity control valve of a duty ratio control for a variable displacement compressor which improves the characteristics near a valve closing position by making a valve element difficult to resonate near a valve seat.
弁体が弁座の近傍で共振を起こし難くして、弁閉位置近傍の特性を改善した可変容量圧縮機のためのデューティ比制御の容量制御弁を提供する。 - 特許庁 - The assembly has at least two stretch sensors arranged side by side, and each stretch sensor has both a first layer to which a variable resistance element is mounted and a second support layer.
このアセンブリは、少なくとも２つの並置されたストレッチ・センサを持ち、しかも、それぞれのストレッチ・センサが、可変抵抗素子を載せた第１の層と第２の支持層とを有している。 - 特許庁 - By changing the capacitance of the variable capacitance element C1, a series of frequency bands covering resonance frequencies f_1 and f_2 can be adjusted at the same time.
この可変容量素子Ｃ１の容量Ｃを変化させることにより、上記の共振周波数ｆ_1 ，ｆ_2 を包括する一連の周波数帯域を同時に調整することができる。 - 特許庁 - A terminal t2 is connected to a source line S, and a terminal t3 is connected to any one terminal among the terminal d2 of the diode D, the terminal r1 or r2 of the variable resistive element R.
また、端子ｔ２がソース線Ｓに接続し、端子ｔ３は、ダイオードＤの端子ｄ２、可変抵抗素子Ｒの端子ｒ１またはｒ２のいずれか一の端子に接続する。 - 特許庁 - The variable capacity of a first reactive element column X_1 is conditioned so that the lower parallel resonant frequency f-can be brought infinitely closer to the series resonant frequency f_1.
ここでは、低い方の並列共振周波数ｆ_−を、直列共振周波数ｆ_１に限りなく近づけるように、第１リアクタンス素子列Ｘ_１の可変容量を調整することとする。 - 特許庁 - By moving at least two reflection surfaces on the different loci which are not parallel with each other, variable power is performed while keeping positions of the display surface of a display element 1 and a screen SC nearly constant.
また、少なくとも２面の反射面を、互いに平行でない異なる軌跡で移動させ、表示素子１の表示面とスクリーンＳＣの位置をほぼ一定にしたまま変倍する。 - 特許庁 - This method comprises steps of: setting a first HS-PDSCH code according to a variable "HS-PDSCH Code Index" of an "HS-SCCH less information element before a user equipment activates an HS-SCCH less operation mode; and setting a second HS-PDSCH code according to a Boolean variable of the HS-SCCH reduction information element, wherein the Boolean variable is indicated by one bit.
方法は、ＵＥでＨＳ−ＳＣＣＨ削減動作（ＨＳ−ＳＣＣＨ ｌｅｓｓ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）モードを起動する前に、ＨＳ−ＳＣＣＨ削減情報要素のうちＨＳ−ＰＤＳＣＨ Ｃｏｄｅ Ｉｎｄｅｘ変数に基づいて第一ＨＳ−ＰＤＳＣＨチャネルコードを設定する段階と、ＨＳ−ＳＣＣＨ削減情報要素のうち、１ビットで表示されるブール変数に基づいて第二ＨＳ−ＰＤＳＣＨチャネルコードを設定する段階とを含む。 - 特許庁 - According to an embodiment of the resonance circuit in which an antenna circuit including a coiled antenna element for receiving a carrier wave and a variable reactance circuit electrically connected to the antenna circuit produce parallel resonance, the variable reactance circuit includes a first variable capacitance capacitor whose capacitance value varies with applied bias voltage.
本発明の一実施態様に係る共振回路は、搬送波を受信するコイル状のアンテナ素子を含むアンテナ回路と、当該アンテナ回路に電気的に接続された可変リアクタンス回路とが並列共振する共振回路であって、可変リアクタンス回路は、印加されるバイアス電圧に応じて容量値が変化する第１の可変容量コンデンサを含むように構成される。 - 特許庁 - The nonvolatile memory cell is built by using a variable resistance element which is composed of a variable resistance layer 11 changing its resistance by the applied voltage and a first electrode 104 and a second electrode 102 sandwiching the variable resistance layer 11; and a capacitor 12 which has an insulator layer 105 between the first electrode 104 or the second electrode 102 and the third electrode 106.
印加される電圧パルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化層１１と、抵抗変化層１１を挟む第１の電極１０４および第２の電極１０２と、を備える抵抗変化型素子と、第１の電極１０４または第２の電極１０２が第３の電極１０６の間に絶縁膜１０５を備えるキャパシタ１２から形成される不揮発性メモリセルである。 - 特許庁 - In the variable matching circuit M including an impedance element and a variable capacitance capacitor Ct, the variable capacitance capacitor Ct comprising a plurality of varactors C1 to C5 each including a thin film dielectric layer whose dielectric constant is varied with an application voltage are connected in parallel in terms of DC and connected in series in terms of high frequencies between an input terminal and an output terminal.
インピーダンス素子と可変容量コンデンサＣｔとを有する可変整合回路Ｍにおいて、可変容量コンデンサＣｔは、入力端子と出力端子との間に、印加電圧により誘電率が変化する薄膜誘電体層を用いた複数の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５が直流的に並列接続され、かつ高周波的に直列接続されている可変整合回路Ｍである。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.
半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。 - 特許庁 - The directivity variable antenna is a traveling wave type directivity variable antenna constituted of a cone-shaped radiating element 1 and a grounding conductor plate 2, has a floating conductor plate 3 having a conductor plane between the cone-shaped radiating element 1 and the grounding conductor plate 2 and in the antenna, the floating conductor plate 3 and the grounding conductor plate 2 are connected at least at one part via a switch 6.
コーン型の放射素子１と接地導体板２とで構成される進行波型の指向性可変アンテナであって、コーン型の放射素子１と接地導体板２との間に導体面を有する浮遊導体板３を有し、浮遊導体板３と接地導体板２とが少なくとも１箇所でスイッチ６を介して接続されている指向性可変アンテナである。 - 特許庁 - The temperature compensated crystal oscillator includes an oscillation circuit including a crystal oscillator; a variable capacitor inserted in series in the oscillation circuit; a thermosensitive circuit element whose resistance value changes in accordance with a temperature of the crystal oscillator; and a correction circuit configured to correct capacitance of the variable capacitor based on a current value that is used when applying current to the thermosensitive circuit element.
水晶振動子を含む発振回路と、前記発振回路に直列に挿入される可変容量素子と、前記水晶振動子に蒸着され、前記水晶振動子の温度に応じて抵抗値が変化する感温回路素子と、前記感温回路素子に対し通電を行った際の電流値に基づき、前記可変容量素子の容量を補正する補正回路とを有する。 - 特許庁 - An intermediate frequency circuit for the heterodyne radio is equipped with: a variable impedance element 3 or 4 provided to at least one of an input end and an output end of an intermediate frequency filter 2; and a means for controlling a variable impedance element value so as to correspond to the occupied frequency band and the frequency shift of a reception channel.
占有周波数帯域幅や周波数偏移量が異なる複数規格の無線信号を受信復調するヘテロダイン方式無線機において、中間周波フィルタ入力端と出力端の少なくとも一方に、可変インピーダンス素子を備え、受信チャネルの占有周波数帯域や周波数偏移に対応するように可変インピーダンス素子値を制御する手段を備える。 - 特許庁 - Since the capacity of a variable capacity element 20 provided to the other end side of the piezoelectric driving part 1 is detected by the control circuit unit 4, and a voltage applied to first and second piezoelectric films 6, 7 is subjected to feedback control to always keep the capacity constant; it is possible to restrain capacity variation of the variable capacity element 20, and to obtain manufacturing yield exceeding about 95%.
圧電駆動部１の他端側に設けられる可変容量素子２０の容量を制御回路部４で検出して、その容量が常に一定になるように第１および第２の圧電膜６，７に印加する電圧を帰還制御するため、可変容量素子２０の容量ばらつきを抑制でき、約９５％を上回る製造歩留まりを得ることができる。 - 特許庁 - The semiconductor storage apparatus includes memory cell arrays in which a rectifying element and a variable resistance element are connected in series are arranged at cross parts of a plurality of first wirings and a plurality of second wirings, and a control circuit controlling charging to the first wiring.
この半導体記憶装置は、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなるメモリセルが複数の第１配線及び複数の第２配線の交差部に配置されたメモリセルアレイと、第１配線への充電を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁 - In this case, when switching the transmission mode from the fixed transmission mode to the continuously variable transmission mode, the switching control means varies motor torque after setting the initial value of the motor torque to an estimated engine torque value, and releases the rotating element when the phase of the rotating element is changed.
ここで、切換制御手段は、固定変速モードから無段変速モードへと変速モードを切替える際において、モータトルクの初期値を推定エンジントルク値に設定してから、モータトルクを変化させ、回転要素の位相が変化したときに回転要素を解放する。 - 特許庁 - To provide an image recognition apparatus that enables high precision image recognition by reducing the effect of variation in an external element added to an input image and dispenses with the creation of dictionary data by actual imaging under a varying external variable element.
入力画像に付加されている外的要素の変動の影響を抑制し、高精度で画像認識を行うことができ、しかも実際に外的な変動要素を種々に変えて撮影して辞書データを作成する必要がない画像認識装置を提供すること。 - 特許庁 - Further, with the pulse width variable of a drive input waveform passed through the generation part of the transmission element 10, this sensor device is equipped with a transmission control part 20 capable of controlling the directionality of a compressional wave generated from the transmission element 10 by controlling the pulse width.
また、センサ装置は、送波素子１０の発熱部へ通電する駆動入力波形のパルス幅が可変であり当該パルス幅を制御することで送波素子１０から発生させる疎密波の指向性を制御可能な送波制御部２０を備えている。 - 特許庁 - However, the disadvantage in which an initial delay output is more than the shortest delay transmission time of the signal transmission element or the delay time variable transmission element is solved by delaying a signal related to the delay signal sequence similarly to a new time reference signal.
しかし、最初の遅延出力は信号伝送素子あるいは遅延時間可変伝送素子の最短遅延伝送時間以上になる不具合を、遅延信号列と関係する信号を新たな時間基準信号と同じく遅らせることで解消したものである。 - 特許庁 - A hybrid vehicle (10) is configured so that shift mode can be switched between a continuously variable shift mode corresponding to the case where a first rotary element (310) is unlocked and a fixed shift mode corresponding to the case where the first rotary element is locked.
ハイブリッド車両（１０）は、第１回転要素（３１０）が非ロック状態にある場合に対応する無段変速モードと、第１回転要素がロック状態にある場合に対応する固定変速モードとの間で変速モードを切り替え可能に構成される。 - 特許庁 - After performing the center adjustment of the common voltage, the switch SW1 is switched to the side of the capacitive element C, a time constant consisting of the capacitive element C, common electrode capacity Ccom and variable resistors R1 and R2 is increased and the common voltage is normally driven.
コモン電圧のセンター調整を行った後は、スイッチＳＷ１を容量素子Ｃ側に切り替え、容量素子Ｃ及びコモン電極容量Ｃｃｏｍと、可変抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２とからなる時定数を大きくして、コモン電圧を通常駆動する。 - 特許庁 - The force is transmitted via a shaft 24 to the valve element 25 and the valve element 25 accelerates opening/closing operation with the differential pressure between the discharge pressure Pd and suction pressure Ps, whereby the variable displacement compressor is quickly restored into a preset discharge capacity.
この力は、シャフト２４を介して弁体２５に伝達され、弁体２５が吐出圧力Ｐｄと吸入圧力Ｐｓとの差圧によって開閉する動作を加速させ、これによって可変容量圧縮機を速やかに所定の吐出容量に回復させる。 - 特許庁 - An input terminal of a sample hold circuit 6 for sample holding the voltage VM2 of the semiconductor element 4 to be tested in response to a timing signal immediately after the end of application of the current IT is connected to both ends of each semiconductor element 4 including the variable resistors 5.
可変抵抗５を含む各被試験用半導体素子４の両端には電流ＩTの通電終了直後にタイミング信号を受けて被試験用半導体素子４の電圧ＶM2をサンプルホールドするためのサンプルホールド回路６の入力端子が接続されている。 - 特許庁 - The focal length variable lens is provided with: a cylindrical giantmagnetostrictive element 11 of which the hollow part serves as an optical path; an elastic sealing member 14 arranged on the optical path; a fluid 15 filled in the hollow part of the giantmagnetostrictive element 11 with the sealing member 14; and a coil 12.
中空部が光路となる筒状の超磁歪素子１１と、光路上に配置された弾力性を有する封止部材１４と、封止部材１４によって超磁歪素子１１の中空部に封入された流動体１５と、コイル１２とを備える。 - 特許庁 - To minimize power loss caused by the relative sliding motion of an element on a pulley cone face in a transition area, when the element provided at a metal belt for a continuously variable transmission is released from the wound state onto a pulley to shift into translational linear motion.
無段変速機用金属ベルトに設けられているエレメントがプーリに巻掛けられている状態から解放されて並進直線運動へ移行する際の遷移領域でのエレメントのプーリコーン面上を相対摺動することによる動力損失を最小限とする。 - 特許庁 - To allow a cut-off frequency of a high pass filter to be fixed in the case that a coupling capacity connected to an input terminal and an input resistance element constitutes the high pass filter in an operational amplifier of which the resistance value of the input resistance element is variable.
入力抵抗素子の抵抗値が可変の演算増幅器において、入力端子に接続されたＣ結容量と前記入力抵抗素子とでハイパスフィルターが構成された場合に、前記ハイパスフィルターのカットオフ周波数を一定にできるようにする。 - 特許庁 - An imaging optical system of the variable power imaging lens 100 comprises a 1st lens group 110 composed of one element with negative refracting power, a 2nd lens group 120 which has three-element constitution with positive and negative refracting powers and has a positive refracting power on the whole, and a 3rd lens group 130 which has one-element constitution with a negative refracting power.
負の屈折力を有する１枚構成よりなる第１レンズ群１１０、正および負の屈折力を有する３枚構成よりなり全体として正の屈折力を有する第２レンズ群１２０、および負の屈折力を有する１枚構成の第３レンズ群１３０により変倍撮像レンズ１００の撮像光学系が構成されている。 - 特許庁 - The present invention provides the switching gate driver of a IGBT element, comprising: a resistance part for controlling a gate current of the IGBT element; and a voltage meter-reading part that outputs, to said resistance part, a control signal for controlling a variable resistance of said resistance part in accordance with a voltage between a collector and an emitter of said IGBT element.
本発明は、ＩＧＢＴ素子のスイッチングゲートドライバであって、ＩＧＢＴ素子のゲート電流を制御するための抵抗部、及び、前記ＩＧＢＴ素子のコレクタ−エミッタ間の電圧に応じて、前記抵抗部の可変抵抗を制御するための制御信号を前記抵抗部に出力する電圧検針部を含むスイッチングゲートドライバを提供する。 - 特許庁 - To improve in terms of space and cost in a magnetic sensor device, where a sensor element 2 sensitive to magnetic fields is incorporated, electrical characteristics which are variable and depend on the magnetic field of an acting magnet 10, the magnetic field is affected by a movable generator element, and a magnetic flux guide members 1 and 9 are arranged between the sensor element and the acting magnet.
磁界に感応するセンサエレメント２を備え、その電気的な特性は作動磁石１０の磁界に依存して変化可能であり、該磁界は運動する発生器エレメントによって影響され、センサエレメントと作動磁石との間に磁束ガイド部材１，９を備えている磁気センサ装置において、スペースおよびコスト面が改善されるようにする。 - 特許庁
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