「element variable」を含む例文一覧(1802)

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  • The mechanical switch 20 includes a fixed contact 26 on a conducting passage between the pixel selection transistor 12 and the electro-optical element 40 and a variable contact 24 to be contact with and away from the fixed contact 26.
    メカニカルスイッチ20は、画素選択トランジスタ12と電気光学素子40との間の導通経路上の固定接点26と、固定接点26に対して接離される可動接点24とを備える。 - 特許庁
  • To provide a super lattice semiconductor light emitting device whose light emission wavelength is variable in which the fluctuation of luminous intensity can be made smaller than that of an element in a conventional example, and a high speed operation can be attained with low power consumption.
    発光強度の変動が従来例の素子より少なく、かつ低消費電力で高速動作が可能である発光波長可変の超格子半導体発光装置を提供する。 - 特許庁
  • In the support portion variable structure, a pressing portion 34 is separated from a seat including element 26 with opening action of a rear door 30 when the rear door 30 is opened while an occupant is seated in a rear seat 14.
    乗員が後部座席14に着座した状態でリアドア30を開けた状態としたときには、このリアドア30の開動作に伴って押圧部34がシート内包体26から離間する。 - 特許庁
  • This refrigerating machine is constituted so that, by using variable orifices 30, 32 as the impedance element of a phase adjusting means, their opening is dynamically controlled in accordance with the pressure of a gas detected by pressure sensors 34, 36, 38.
    位相調節手段のインピーダンス要素として、可変オリフィス30、32を用いて、圧力センサ34、36、38によって検出されるガスの圧力に応じて、その開度をダイナミックに制御する。 - 特許庁
  • A third voltage is applied to a second selected interconnection of a plurality of second interconnections, so that a voltage between the first selected interconnections and the second selected interconnection is a voltage required for forming the variable resistance element.
    複数の第2の配線のうち選択された第2の選択配線に第1の選択配線との間が可変抵抗素子のフォーミングに必要な電圧となる第3の電圧を印加する。 - 特許庁
  • The variable displacement compressor has a restricting structure provided near the valve part of a control valve, whereby the opening area of the valve part is restricted constant when the lift amount of a valve element 18 exceeds a restriction reference value S1.
    可変容量圧縮機においては、制御弁の弁部近傍に設けた規制構造により、弁体18のリフト量が規制基準値S1を超えると、弁部の開口面積が一定に規制される。 - 特許庁
  • Each of the bias circuits 36a and 36b has a resistance variable element whose resistance value changes in accordance with a control signal from the common mode detection circuit 28 to adjust a voltage dividing ratio and adjust the bias signals.
    バイアス回路36a,36bは、コモンモード検出回路28からの制御信号に応じて抵抗値が変化する抵抗可変素子を有し、分圧比を調節してバイアス信号を調節する。 - 特許庁
  • Then the control signal from the microcomputer 21 is used to control the aperture mechanism 12 and the variable gain amplifier 16 and to control a storage time of the image pickup element 14 through a timing generating circuit 22.
    そしてこのマイクロコンピュータ21からの制御信号で、絞り機構12、可変利得アンプ16の制御や、タイミング発生回路22を通じて撮像素子14の蓄積時間の制御が行われる。 - 特許庁
  • To solve the problem that additional insulation means for transmission of input signal is required in order to allow a variable switching speed of switching state of a power switching element Sw.
    パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を可変とするに際し、可変とするための入力信号を伝達させるために絶縁手段を新たに追加する必要が生じること。 - 特許庁
  • To provide an optical element, or the like, that has high durability, has an optical absorption less than that of a hole-type metal thin film filter, has high transmittance and reflectance and is variable in optical characteristics.
    耐久性が高く、ホール型の金属薄膜フィルタよりも光吸収が少なく、透過率と反射率が高く、光学特性を可変とする、ことが可能となる光学素子等を提供する。 - 特許庁
  • Even when the current consumption of the function block changes in accordance with the operation mode, reference power source voltage to be supplied to the resistance ladder can be made constant by changing the resistance value of the first variable resistance element.
    機能ブロックの消費電流が動作モードに応じて変化するときにも、第1可変抵抗素子の抵抗値を変化させることで、抵抗ラダーに供給される基準電源電圧を一定にできる。 - 特許庁
  • The wavelength variable optical element has a layered structure of a transparent electrode, an electroconductive coating with a low refractive index and an electroconductive coating with a high refractive index on a transparent substrate, and has a transparent electrode again on an extreme surface.
    透明基板上に、透明電極と低屈折率誘電体膜及び高屈折率誘電体膜の積層構造を具備しており、最表面には再び透明電極を具備した構成とする。 - 特許庁
  • To provide a delay circuit in which the minimum delay does not become large while it has a wide variable range by realizing the change of a capacity value without adding the parasitic capacity of an unnecessary switch element.
    不必要なスイッチ素子の寄生容量を付加することなく容量値の変更を実現することで、広い可変範囲を持ちながら最小遅延が大きくならない遅延回路の提供。 - 特許庁
  • A variable resistance element in which a resistance value is variably changed according to a control signal is connected in series with the electromagnet coil of the electromagnetic device, and a detecting means is provided for detecting the change of the drive voltage.
    電磁デバイスの電磁石コイルと直列に、制御信号により抵抗値が可変される可変抵抗素子を接続すると共に、駆動電圧の変動を検出する検出手段を設ける。 - 特許庁
  • A variable wavelength filter 120 is constituted by fitting an array waveguide diffraction grating 122 on a Peltier element 121, and the array waveguide 122a of the array waveguide diffraction grating 122 is a polymer waveguide.
    波長可変フィルタ120は、ペルチェ素子121上に、アレイ導波路回折格子122を取り付けて構成されており、アレイ導波路回折格子122のアレイ導波路122aはポリマ導波路である。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor storage device provided with a variable resistive element capable of performing stable rewrite operation by reducing variance of resistance values of storage data due to switching operation of several times.
    多数回のスイッチング動作による記憶データの抵抗値のばらつきが低減され、安定な書き換え動作を行なうことができる、可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing variations in resistance value according to the difference of a PCMO crystallinity of a variable resistive element and completely securing a circuit operational margin.
    可変抵抗体のPCMO結晶化度の違いによる抵抗値バラツキを抑え、回路動作マージンを十分確保することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a safe and high-performance lithium secondary battery wherein swelling of the lithium secondary battery in a high-temperature storage is suppressed, which especially becomes a problem when a case to house a battery element is shape-variable.
    電池要素を収納するケースが形状可変性ケースであるときに特に問題となる、高温保存時のリチウム二次電池の膨れを抑制し、安全かつ高性能なリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁
  • To provide a capacity control valve of a variable displacement compressor which can suppress leakage of refrigerant gas from between a valve part and a valve seat even if a communication passage is formed in a rod and a valve element.
    ロッド及び弁体内に流通路が形成されていても弁部と弁座との間からの冷媒ガスの漏れを抑制することができる容量可変型圧縮機の容量制御弁を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a game machine that can improve game amusement not by providing a structural element discrete from a movable member but by randomly changing the behavior of a game ball in a variable prize-winning device.
    可動部材とは別個の構成要素を備えずに、変動入賞装置内の遊技球の挙動をランダムに変化させて遊技の興趣を向上させることができる遊技機を提供する。 - 特許庁
  • To provide a zoom lens which is suitable for a video camera, an electronic still camera or the like using a solid-state imaging element or the like, and has a high angle of view, a high variable magnification, and high image quality; and to provide optical equipment and a method for manufacturing the zoom lens.
    固体撮像素子等を用いたビデオカメラや電子スチルカメラ等に好適な、広画角で、高変倍で、高画質なズームレンズ、光学機器及びズームレンズの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • When a present measured value d_1 of the weather condition variable generates a deviation of a predetermined value εor more from a reference value, the first arithmetic processing element 110 generates weather change detection information expressing the deviation.
    そして、当該気象状況変数の今回測定値d_iが基準値に対して所定値ε以上の乖離度を生じた場合、当該乖離度を表わす気象変化検知情報を生成する。 - 特許庁
  • At the time of standby, both ends of a variable resistance type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by each pre-charge circuit 402 of a bit line and a source line.
    スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子403の両端、即ち、ビット線BLとソース線SLとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路402によりプリチャージ電位Vpに設定される。 - 特許庁
  • To provide a compact zoom lens having a half field angle of 38° or more at a wide angle end, a variable power ratio of 6.5 times or more, a small number of lenses and a resolution corresponding to an imaging element of 10 to 15 million pixels.
    広角端における半画角が38度以上、変倍比が6.5倍以上、構成枚数が少なく、小型で1000万〜1500万画素の撮像素子に対応した解像力を実現する。 - 特許庁
  • The operational amplifier circuit 122A further includes a variable resistive element 21 connected between at least one of the differential transistor 100 and the differential transistor 101 and the drain of the current source transistor 102.
    演算増幅回路122Aは、さらに、差動トランジスタ100及び差動トランジスタ101の少なくとも一方と、電流源トランジスタ102のドレインとの間に接続された可変抵抗素子21を備える。 - 特許庁
  • A wire 11 connects the coating conductor 173 with the node N1 of the variable capacitive element 6 through a resistor 15, and a wire 12 connects the coating conductor 173 with a power supply terminal 3A through a capacitor 8.
    導線11は、被覆導体173を抵抗体15を介して可変容量素子6のノードN1に接続し、導線12は、被覆導体173をコンデンサ8を介して給電端子3Aに接続する。 - 特許庁
  • To provide a resistance-variable material and an element using the same which is varied in a ranges of higher than 1×10^8 Ωcm in bulk-shape form, in a bulk state, at zero magnetic field, and at a temperature range of 50-250°K.
    バルク状においてゼロ磁場状態で、50K〜250Kの間で10^8Ωcm桁以上の抵抗変化をする材料と、これを用いた抵抗変化素子とを提供することである - 特許庁
  • The belt type continuously variable transmission having a starting friction element comprises the first shaft 1 having a bearing 18 on an engine side whose axial position corresponds to the axial position of a torsional damper 2.
    発進摩擦要素を有するベルト式無段変速機において、第一軸1のエンジン側の軸受18の軸方向位置を、トーショナルダンパ2の軸方向位置と一致させることを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a method capable of reducing the number of elements to be used by the variable logical part of a reconstitution validating device using a threshold element and a circuit for realizing its method.
    しきい素子を用いた再構成可能デバイスの可変論理部において、使用する素子数を低減することができる方法とその方法を実現する回路を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
  • To suppress dispersion of working angles and lift amount of valve elements generated per cylinder or per valve element caused by distortion of a control shaft, in regard to a variable valve gear.
    この発明は、可変動弁装置に関し、制御軸のねじれに起因して気筒毎または弁体毎に生ずる弁体の作用角およびまたはリフト量のばらつきを抑制することを目的とする。 - 特許庁
  • This comparison processing is performed between respective corresponding picture elements of both pictures, and an addition circuit 20 adds a prescribed adjustment variable to each picture element data B of the stored picture in accordance with the comparison result.
    この比較処理は両画像間の対応する画素毎に行われるもので、加算回路20は、この比較結果に応じて、記憶画像の各画素データBに所定の調整変数を加算する。 - 特許庁
  • A magnetic permeability variable element 3 distributes a number of magnetic nanoparticles 30 in matrix 31 made of a dielectric or piezoelectric resin, and forms electrode films 32 on both sides of the matrix 31.
    透磁率可変素子3は、多数の磁性ナノ粒子30を誘電性または圧電性樹脂からなるマトリックス31中に分散して配置し、マトリックス31の両面に電極膜32を形成する。 - 特許庁
  • The pulse power source circuit 40 is so formed as a single or plural combinations among various pulse patterns whose pulse wave forms are different are selected and a pulse characteristics adjustment element is variable.
    パルス電源回路40は、パルス波形が異なる各種パルスパターンの中から1つ又は複数の組み合わせを選択可能とするとともに、パルス特性調整要素を変更可能とするよう構成されている。 - 特許庁
  • In synchronism with the change of the transmission wavelength by the spectral transmittance characteristic variable element 35, optical elements 37 and 38 provided in the scope optical system 3 or their holding frame 36 can be moved.
    分光透過率特性可変素子35よる透過波長の変化に同期して、スコープ光学系3に備わる光学素子37,38ないしその保持枠36が移動可能に構成されている。 - 特許庁
  • To provide an SOI semiconductor device comprising built-in variable resistance element which can take a larger width in change of resistance value, namely a control electrode which can control electrical characteristics.
    抵抗値の変化の幅を大きくとることができる可変抵抗素子、すなわち、電気的特性を制御することができる制御電極を組み込んだSOI半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A variable gain amplifier 142 is provided between a differential amplifier 170 for controlling the driving of a current driver 120 for supplying current to the light-emitting element 112 and the current/voltage converter 132.
    発光素子112に電流を供給する電流駆動部120を駆動制御する差動増幅部170と電流/電圧変換部132との間に可変ゲイン増幅部142を設ける。 - 特許庁
  • A unit change amount of the variable resistance element to be adjusted is acquired by using a first resistor and a second resistor, and a new adjustment data are set based on the unit change amount to terminate the adjustment.
    第1の抵抗素子と第2の抵抗素子を用いて、被調整可変抵抗素子の単位変化量を求めて、その単位変化量に基づいて新たな調整データを設定して調整を終了する。 - 特許庁
  • The control circuit includes a voltage threshold variable circuit for raising the voltage threshold (IS) when the input voltage (VH) is low, and/or, for lowering one threshold element value (IS_bias) of the voltage threshold (IS) when the DC voltage (VCC) is low.
    この制御回路に、入力電圧(VH)が低いと電圧閾値(IS)を高くする、及び/又は、直流電圧(VCC)が低いと電圧閾値(IS)の一つの閾値要素値(IS_bias)を低くする電圧閾値可変回路を備える。 - 特許庁
  • To provide an individual authentication device for robustly obtaining information about a finger or hand area to a variable element such as a background of an acquired image, and performing reliable individual authentication.
    取得した画像の背景などの変動要素に対してロバストに指または手領域の情報を得ることができ、信頼性の高い個人認証を行うことのできる個人認証装置を得る。 - 特許庁
  • A variable pitch type main rotor 10 rotation-driven in a generally vertical state to the base element 1 by the drive source of an engine, carries out forward/backward traveling, stopping, and turning to right and left.
    エンジンの駆動源により基体1に対して略垂直の状態で回転駆動される可変ピッチ型主回転翼10が、基体1の前進、後退、停止及び左右への旋回を行う。 - 特許庁
  • A wire 14 connects the core conductor 171 with the node N2 of the variable capacitive element 7 through a resistor 16, and a wire 13 connects the core conductor 171 with a power supply terminal 3B through a capacitor 9.
    導線14は、芯導体171を抵抗体16を介して可変容量素子7のノードN2に接続し、導線13は、芯導体171をコンデンサ9を介して給電端子3Bに接続する。 - 特許庁
  • Write bit lines (WBL0 and WBL1) are arranged in a direction orthogonal to the magnetic easy axis (EX) of a variable magnetoresistive element (VR), and currents are supplied through the write bit lines in two directions according to write data.
    可変磁気抵抗素子(VR)の磁化容易軸(EX)と直交する方向に書込ビット線(WBL0,WBL1)を配置し、書込データに応じて双方向に書込ビット線に電流を流す。 - 特許庁
  • To provide a steel for an element of a belt type CVT (continuously variable transmission) which can obtain desired strength and toughness by quenching, and in which quenching strain upon quenching treatment and deformation thereby can be suppressed.
    焼入れによって所望の強度,靭性が得られるとともに、焼入処理の際の焼入歪及びこれによる変形を抑制することのできるベルト式CVTのエレメント用の鋼を提供する。 - 特許庁
  • In the control valve 1 for the variable displacement compressor, influence of a discharge pressure Pb on a valve element 18 is canceled and an open/close control of a valve part based on an intake pressure Ps is conducted.
    可変容量圧縮機用制御弁1によれば、弁体18に作用する吐出圧力Pdの影響がキャンセルされ、吸入圧力Psに基づく弁部の開閉制御が行われる。 - 特許庁
  • To achieve a structure in which array size is small and layout area does not increase so that leak current of non-selected memory cell can be substantially reduced in a nonvolatile memory device using a variable resistance element.
    抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁
  • To provide a memory cell which applies a voltage required to change it into a high resistance state or a low resistance state, to a variable resistance element by suitably controlling the resistance value.
    抵抗値を適切に制御することにより、高抵抗状態または低抵抗状態に変化させるのに必要な電圧を可変抵抗素子に印加することの可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁
  • This invention provides a variable resistor comprising a flexible insulating substrate 2, a metallic reinforcing plate 3 bonded to the insulating substrate 2, and a metallic sliding contact element 6 rotatably attached to the metallic reinforcing plate 3.
    可撓性の絶縁基板2と、絶縁基板2に接合した金属製補強板3と、金属製補強板3に回転自在に取り付けられた金属製摺接子6とで構成された可変抵抗器。 - 特許庁
  • Further, when the power exceeds the upper limit, the steps should be provided to select and determine a capacitance of the variable capacitance element from the above matrix, so that this power becomes less than the upper limit.
    さらに、上記電力が上記上限値を超えている場合に、この電力が上限値未満となる上記可変容量素子の容量を、上記マトリックスから選択して決定する工程とを備える。 - 特許庁
  • To provide a light control element for making an amount of light irradiating an electrooptical panel, partly variable in a plane in response to display information, and also to provide an electrooptical apparatus using it.
    表示情報に応じて電気光学パネルを照射する光量を面内で部分的に可変可能とすることができる光制御素子及びそれを用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a resistance-variable functional body that serves as a resistive element, which is equipped with nano dots excellent in thermal stability, and is changed in electrical resistance before and after a low voltage is applied and to provide its manufacturing method.
    熱安定性に優れたナノドットを備える抵抗素子であって低電圧の印加前後で電気抵抗が変化する抵抗変化機能体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
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