「element variable」を含む例文一覧(1802)

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  • A variable element is mounted on the surface of a cover part 3 so that an element (a resistor for example) deciding the lighting time of the compact self-ballasted lamp becomes variable.
    電球形ランプ点灯時間を決定する素子（例えば、抵抗等）を可変となるように可変素子２１を用い、カバー部３の表面に装着する。 - 特許庁
  • MACHINING METHOD AND MACHINING DEVICE FOR ROLLING ELEMENT FOR TOROIDAL CONTINUOUSLY VARIABLE TRANSMISSION
    トロイダル型無段変速機用転動体の加工方法および加工装置 - 特許庁
  • To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.
    ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • The variable frequency divider 2 comprises one or more inductors, a capacitor, and a switching element; and oscillates at a variable frequency by switching the switching element.
    可変共振器２は、１ないし複数のインダクタとキャパシタとスイッチ素子とからなり、スイッチ素子を切替えることにより可変の共振周波数で発振する。 - 特許庁
  • The method for fixing the movable part of the variable element performs point application of a potting agent 11 to a junction between a movable part 12 and a fixed part 13 of the variable element including the movable part 12 and the fixed part 13.
    可動部（１２）と固定部（１３）とを含む可変素子の可動部（１２）と固定部（１３）との接続部にポッティング剤（１１）を点塗布する。 - 特許庁
  • To provide a variable resistance element in which the area of an electrically contributing region of a variable resistance element is made smaller, and to provide a manufacturing method thereof.
    可変抵抗体の電気的に寄与する領域の面積のさらなる縮小化を可能とする可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The antenna unit 2 includes an antenna element 25 and a variable capacitive element 26, of which the capacity is variable in accordance with the value of an applied voltage, and these components are cooperatively resonated.
    アンテナ部２は、アンテナエレメント２５と印加電圧の値により容量が可変な可変容量素子２６とを含み、これらが協働して共振する。 - 特許庁
  • OPTICALLY VARIABLE ELEMENT, ITS TRANSFER BAND, DATA CARRIER, AND PRODUCING METHOD
    光学的可変素子およびその転写バンド、データキャリア並びに製造方法 - 特許庁
  • A variable resistor R1 is connected parallel to the first zinc oxide element.
    可変抵抗Ｒ１は、第１の酸化亜鉛素子に並列接続されている。 - 特許庁
  • VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT, AND BOOSTER ANTENNA AND READER/WRITER PROVIDED THEREWITH
    可変容量素子、並びにそれを備えたブースターアンテナおよび読取書込装置 - 特許庁
  • The temperature sensing element 4 is connected in series with the variable resistor V_R.
    温度検出素子４を可変抵抗器Ｖ_Ｒに直列に接続する。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT
    可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
  • Right-click the Process or Scope element and select Add Variable.
    プロセス要素またはスコープ要素を右クリックして、「追加」「変数」を選択します。 - NetBeans
  • VARIABLE-RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
    抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
  • The second electrode is provided on the other surface side of the variable resistance element.
    第２電極層は、可変抵抗素子の他方の面側に設けられている。 - 特許庁
  • To provide a variable capacitance power generation element having high power generation efficiency.
    発電効率の高い静電容量変化型の発電素子を提供する。 - 特許庁
  • The duty ratio of on/off signals of the switching element is made variable.
    また、スイッチング素子のオン・オフ信号のデューティー比を可変可能に構成する。 - 特許庁
  • A variable reactance circuit 6 is connected to each peripheral element 5, respectively.
    また、各周辺素子５には可変リアクタンス回路６をそれぞれ接続する。 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING BUFFER LAYER FORMED ON LOWER ELECTRODE
    下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子 - 特許庁
  • To provide a variable-resistance nonvolatile memory element having high reliability.
    高い信頼性を有する抵抗変化型不揮発メモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • VARIABLE ELASTIC ELEMENT, JOINT USING THE SAME, VEHICLE AND DYNAMIC VIBRATION ABSORBING DEVICE
    可変弾性機素とこれを用いた関節、車両、及び動的吸振装置 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile memory capable of preventing reaction with an insulating layer surrounding a variable resistive element by improving the heat-insulation performance of the variable resistive element, and capable of suppressing the occurrence of leakage from an adjoining variable resistive element.
    抵抗変化素子の保温性能を高め、抵抗変化素子の周囲の絶縁層との反応を防止するとともに、隣接する抵抗変化素子との間でのリークの発生を抑制することができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a variable filter element and a variable filter module suitable for decreasing a drive voltage, and a fabrication method thereof.
    駆動電圧の低減に適した可変フィルタ素子および可変フィルタモジュール、並びに、これらの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a control method of a wavelength variable laser element and a wavelength variable laser device wherein power consumption can be reduced.
    消費電力を低くできる波長可変レーザ素子の制御方法および波長可変レーザ装置を提供すること。 - 特許庁
  • SHAPE VARIABLE MIRROR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING IT, SHAPE VARIABLE MIRROR UNIT AND OPTICAL PICKUP
    形状可変ミラー素子及び形状可変ミラー素子の製造方法並びに形状可変ミラーユニット並びに光ピックアップ - 特許庁
  • To provide an easily treated variable capacitor apparatus a variable capacitor element of which can be stably supplied with a bias signal.
    バイアス信号を安定して可変容量素子に印加でき、取り扱いが容易な可変コンデンサ装置を提供する。 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
    可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
  • The first electrode layer is provided on one surface side of the variable resistance element.
    第１電極層は、可変抵抗素子の一方の面側に設けられている。 - 特許庁
  • FORMING PROCESSING METHOD FOR VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
    可変抵抗素子のフォーミング処理方法および不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
  • The device is structured so that the position of the second carrying element is variable along the carry path.
    第２の搬送エレメントの位置が、搬送路に沿って可変であるようにした。 - 特許庁
  • PHASE DIFFERENCE AMOUNT VARIABLE OPTICAL COMPENSATION ELEMENT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THE SAME
    位相差量可変な光学補償素子およびそれを用いた液晶ディスプレイ - 特許庁
  • In defining the properties of this element, you can specify a fault name and a fault variable.
    この要素のプロパティーの定義では、フォルト名とフォルト変数を指定できます。 - NetBeans
  • The power supply terminal 3 supplies the voltage to be applied to the variable capacitive element 26.
    電源端子３は、可変容量素子２６に加える電圧を供給する。 - 特許庁
  • The engaging element is activated at variable speed in a manner so it does not hinder packaging operations.
    係合要素は、包装作業を妨げないで可変速度で駆動される。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing an imaging element having less variable smear characteristics.
    スミア特性のばらつきが少ない撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • FORMING PROCESSING METHOD FOR VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
    可変抵抗素子のフォーミング処理方法、及び、不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTOR ELEMENT, INTEGRAL CIRCUIT, MAGNETIC DISC DRIVE UNIT, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    可変抵抗素子、積分回路、磁気ディスク駆動装置、およびその製造方法 - 特許庁
  • The arithmetic core 65 serves a function as a logic variable arithmetic element.
    演算コア６５は、論理を変更可能な演算エレメントとしての機能を果たす。 - 特許庁
  • To provide a spectrum imaging device with a variable spectral transmittance element making calibration at any timing with high precision.
    分光透過率可変素子を備えた分光イメージング装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a rectification-variable element that is used as a memory element because its rectification reversibly changes.
    整流性が可逆的に変化してメモリ素子として用いることが可能な整流性変化型素子を提供する。 - 特許庁
  • The terminal X1 is connected to the variable capacitance element 10 and the element 11, and the terminal X2 is an open terminal.
    端子Ｘ１は可変容量素子１０および素子１１に接続するが、端子Ｘ２は開放端とする。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile memory element containing a variable resistive material, which is operated without forming a switching element.
    スイッチング素子を形成させずに動作可能な、可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a game system capable of realizing a game with a continuous element and a parameter variable element added thereto.
    継続性要素やパラメータの変動要素を加味したゲームを実現することができるゲームシステムを提供する。 - 特許庁
  • Since the shape variable mirror element is composed of a thin base plate and the laminated film, very thin element can be formed with a simple configuration.
    薄い基板と積層膜で構成されているために、簡単な構成で極めて薄い素子が可能となる。 - 特許庁
  • To provide an impedance variable matching circuit capable of securing an impedance variable range equal to or larger than that in the case of using a variable inductive element without using the variable inductive element and coping with load fluctuation in a wide range with a small number of elements.
    可変誘導性素子を用いることなく、可変誘導性素子を用いた場合と同等以上にインピーダンス可変範囲を確保でき、少ない素子数で広範囲の負荷変動に対応可能なインピーダンス可変整合回路を提供する。 - 特許庁
  • The amplifier circuit includes: an inductive element; a variable resistance element connected to the inductive element; a MOS transistor whose gate is connected to the variable resistance element and whose source is connected to a reference potential; an impedance element connected to the drain of the MOS transistor and a positive power source; and a control means for increasing/decreasing the resistance value of the variable resistance element.
    本発明に係る増幅回路は、誘導素子と、前記誘導素子に接続された可変抵抗素子と、ゲートが前記可変抵抗素子に接続され、ソースが基準電位に接続されたＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタのドレインと正電源とに接続されたインピーダンス素子と、前記可変抵抗素子の抵抗値を増減させる制御手段とを備える。 - 特許庁
  • The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.
    前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile variable resistor element having a structure, capable of restricting the increase in resistance, when an area on a plane is reduced by scaling, a storage device using the nonvolatile variable resistor element, and a method for scaling the nonvolatile variable resistor element.
    スケーリングを施して平面上の面積を縮小した場合に抵抗の増加を抑制できる構造の不揮発可変抵抗素子、該不揮発可変抵抗素子を用いた記憶装置、および不揮発可変抵抗素子のスケーリング方法を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor chip 17 is provided with: a variable capacitive element 18 connected between power lines 9, 10; and a control circuit 19 for controlling the variable capacitive element 18 to vary the capacitance of the variable capacitive element 18 synchronously with the clock CK whose period is fixed.
    電源線９、１０間に可変容量素子１８を接続すると共に、周期固定のクロックＣＫに同期して可変容量素子１８の容量値を変化させるように可変容量素子１８を制御する制御回路１９を設ける。 - 特許庁
  • This power amplifier is provided with a bipolar transistor Tr1, a variable impedance element 1, a resistor element Rx and a capacitance element Cx.
    本発明による電力増幅器は、バイポーラトランジスタＴｒ１、可変インピーダンス素子１、抵抗素子Ｒｘおよびキャパシタンス素子Ｃｘを備える。 - 特許庁
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