「element variable」を含む例文一覧(1802)

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  • The variable phase shifter includes a 90° hybrid coupler and a plurality of variable capacitive elements, each variable capacitive element is connected in series with a transmission line, and the length of each transmission line is optimized.
    ９０°ハイブリッドカプラと複数の可変容量素子との間に、各々の可変容量素子に対して直列に伝送線路を有し、その伝送線路長を最適化する。 - 特許庁
  • An operation variable for a regulation element is corrected by a correction value as a function of change in time of the variable, and the correction value is limited to a variable value.
    調節要素のための操作変数が操作変数の時間変化の関数として補正値だけ補正され、この場合、この補正値は可変な値に制限される。 - 特許庁
  • A variable defined for an inner Scope element can hide an upper defined variable of the same name.
    内部のスコープ要素について定義された変数は、それより上にある同じ名前で定義された変数を隠すことができます。 - NetBeans
  • To provide a variable capacitance element wherein parasitic resistance among variable capacitance elements formed on a silicon IC is reduced.
    シリコンＩＣ上に構成されたそれぞれの可変容量素子間の寄生抵抗を小さくした可変容量素子を提供する。 - 特許庁
  • To increase the capacitance of a variable capacitance element for use in a frequency variable oscillator while suppressing an increase in a mounting area.
    実装面積の増大を抑制しつつ、周波数可変発振器に用いられる可変容量素子の大容量化を図る。 - 特許庁
  • This voltage nonlinear variable resistor is integrally constituted of a voltage nonlinear variable resistor element (a varistor 2) and a fuse (a fuse part 18).
    電圧非直線性抵抗素子（バリスタ素子２）とヒューズ（ヒューズ部１８）とを一体化してなる電圧非直線性抵抗器である。 - 特許庁
  • OPTICAL ELEMENT VARIABLE IN TRANSMISSION WAVELENGTH CHARACTERISTIC, WAVELENGTH CHARACTERISTIC VARIABLE DEVICE USING THE SAME, OPTICAL AMPLIFIER AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM
    透過波長特性可変の光学素子、並びに、それを用いた波長特性可変装置、光増幅器および光伝送システム - 特許庁
  • TWO-ELEMENT SYSTEM TO PROVIDE EASE OF VISUAL ACUITY ACCOMMODATION WITH VARIABLE SPHERICAL ABERRATION CONTROL
    可変球面収差制御を伴う視力調節を容易にする２要素システム - 特許庁
  • To provide a memory element of a variable-resistance nonvolatile memory device using a variable-resistance material varying in electric resistance value when applied with a voltage, and to provide a method of manufacturing the memory element.
    電圧印加により電気抵抗値が変化する抵抗変化材料を利用した不揮発性メモリー装置のメモリー素子及び、メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a balanced programmable delay element (300) having variable increased delay.
    可変増分遅延を有するプログラム可能な平衡型遅延素子(300)を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a diode of a PiN structure which can prevent deterioration of characteristics as a variable resistance element or a variable capacity element and reduce leakage current.
    可変抵抗素子あるいは可変容量素子としての特性の劣化を防止し、かつ、漏れ電流を低減することのできるＰｉＮ構造のダイオードを提供する。 - 特許庁
  • VARIABLE SPECTRAL TRANSMITTANCE ELEMENT AND ENDOSCOPE APPARATUS EQUIPPED WITH SAME
    分光透過率可変素子、及び分光透過率可変素子を備えた内視鏡装置 - 特許庁
  • Referencing an array variable without a subscript is equivalent to referencing element zero.
    添字無しで配列変数を参照すると、要素 0 を参照したことになります。 - JM
  • In accordance with this, a capacity C_VD of a variable capacitance element 23 gradually decreases.
    これに応じて、可変容量素子２３の容量Ｃ＿ＶＤは緩やかに減少する。 - 特許庁
  • The variable phase filter 3 can be composed of a homogeneous orientation liquid crystal element.
    可変位相フィルタ３は、ホモジニアス配向液晶素子により構成することができる。 - 特許庁
  • As the next step, a first element (a list (1)) is taken out of the index, and is substituted in a variable L.
    次ステップとして、indexから第一要素(list(1))を取り出し変数Lに代入する。 - 特許庁
  • To provide a variable spectral transmittance element which is easily manufactured and has a high plane accuracy in a wide range and to provide an endoscope apparatus equipped with the variable spectral transmittance element.
    製造が容易で、広範囲において高い面精度を確保できる分光透過率可変素子、及び分光透過率可変素子を備えた内視鏡装置を提供する。 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED THEREWITH
    可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置 - 特許庁
  • SWITCHING ELEMENT, VARIABLE INDUCTOR AND ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE INCORPORATING THEM IN CIRCUIT CONFIGURATION
    スイッチング素子，可変インダクタ及びこれらを回路構成に組み入れた電子回路装置 - 特許庁
  • VARIABLE IMPEDANCE ELEMENT, HIGH-FREQUENCY OSCILLATOR USING IT, AND COMMUNICATIONS DEVICE
    可変インピーダンス素子およびそれを用いた高周波発振回路ならびに通信装置 - 特許庁
  • To provide a drive assembly for an organic EL element which does not require such a TFT element capable of exactly making V-I conversion of the variable quantity of a signal level to a variable quantity of current.
    信号レベルの可変量を電流の可変量に正確にＶ−Ｉ変換できるようなＴＦＴ素子を必要としない有機ＥＬ素子駆動装置を提供する。 - 特許庁
  • The variable-capacitance element (the variable-capacitance diode) 3 is connected to the wiring 2, and a combined capacitance of the stray capacitance of the wiring 2 and the variable-capacitance element 3 is set to be approximately identical for all the wiring.
    配線２に、可変容量素子（可変容量ダイオード）３を接続し、配線２の浮遊容量と可変容量素子３の可変容量との合成容量が、全ての配線で略同一となるように設定する。 - 特許庁
  • A variable reactive element X1 is arranged to a position on the feeding element A11 opposite to a feeding part F0.
    給電素子Ａ１１上の給電部Ｆ０とは反対側の位置には可変リアクタンス素子Ｘ１が配設されている。 - 特許庁
  • MC indicates a memory cell and is composed of a combination of current controlling element Qc and a variable resistor element Rc.
    ＭＣはメモリセルを示し、電流制御素子Ｑｃ及び可変抵抗素子Ｒｃの組み合わせにより構成される。 - 特許庁
  • A wavelength variable light source element 103 and a wavelength locker 107 are mounted on the same temperature control element substrate 102.
    波長可変光源素子１０３と波長ロッカー１０７を、同一の温度制御素子基板１０２上に搭載する。 - 特許庁
  • SCREEN PRINTING APPARATUS, RESISTANCE ELEMENT SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE SAME AND VARIABLE RESISTOR USING RESISTANCE ELEMENT SUBSTRATE
    スクリーン印刷装置およびこれを用いて製作した抵抗素子基板、ならびにこの抵抗素子基板を用いた可変抵抗器 - 特許庁
  • In an optical path from a semiconductor laser element to an objective lens, a transmissivity variable element which varies its transmissivity of light is provided.
    半導体レーザ素子から対物レンズまでの光路中に光の透過率を可変する透過率可変素子を設ける。 - 特許庁
  • A correction picture element value is determined by multiplying the value of each picture element by the reciprocal of the fourth power of the cosine of the corresponding variable.
    さらに、各画素の画素値に対して、対応するコサイン４乗の逆数を乗じた補正画素値を求める。 - 特許庁
  • To easily form a variable capacitance element provided with a movable portion, which is an MEMS element, in a sealed state.
    ＭＥＭＳ素子である可動部分を備えた可変容量素子を、容易に封止した状態に形成できるようにする。 - 特許庁
  • To prevent power consumption of a resistive element in a variable resistor during non-operation state.
    非操作時における可変抵抗器の抵抗素子での消費電力を抑えること。 - 特許庁
  • By the control section 18, the impedance of the variable impedance element 20 is lowered at the write mode.
    制御部１８は、ライトモード時に可変インピーダンス素子２０のインピーダンスを低下させる。 - 特許庁
  • VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR
    可変容量素子及び可変容量素子の製造方法並びに電圧制御発振装置 - 特許庁
  • To provide a semiconductor element containing a variable resistance substance, and to provide a method of operating the same.
    抵抗変化物質を含む半導体素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
  • A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistive element.
    メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され可変抵抗素子を有する。 - 特許庁
  • A negative resistor circuit is connected in parallel to the variable resistance element via a read node.
    負性抵抗回路は、読み出しノードを介して可変抵抗素子に並列に接続される。 - 特許庁
  • To suppress a power consumption in a resistance element for a variable resistor in the case of a nonoperation.
    非操作時における可変抵抗器の抵抗素子での消費電力を抑えること。 - 特許庁
  • The variable resistance memory device has a memory cell MC including a tunneling magnetoresistive element TMR and a drive circuit 5A.
    トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲを含むメモリセルＭＣと、駆動回路５Ａを有する。 - 特許庁
  • The variable name is set to each element of this list in turn, and list is executed each time.
    変数 name には、このリストの各要素が順番にセットされ、その度にlist が実行されます。 - JM
  • VARIABLE WAVELENGTH LIGHT SOURCE ELEMENT INTO WHICH OPTICAL AMPLIFIER, BEAM CONTROLLER AND RECESS DIFFRACTION GRATING ARE INTEGRATED
    光増幅器、ビーム操縦器及び凹回折格子が集積された波長可変光源素子 - 特許庁
  • OPTOELECTRONIC MICROSYSTEM, WAVEGUIDE ELEMENT, VARIABLE WELL OPTICAL IC AND OPTOELECTRONIC MICRO/NANOSYSTEM
    オプトエレクトロニックマイクロシステム、導波路素子、バリアブルウエルオプティカルＩＣ、オプトエレクトロニックマイクロ／ナノシステム、 - 特許庁
  • A variable resistance element X of this invention includes electrodes 1 and 2 and an oxide layer 3.
    本発明の抵抗変化型素子Ｘは電極１，２および酸化物層３を有する。 - 特許庁
  • A gain element 40 and a wavelength variable filter 50 are used as a wavelength scanning type light source 10.
    波長走査型光源１０としてゲイン素子４０と波長可変フィルタ５０を用いる。 - 特許庁
  • In a semiconductor memory device, the memory cell MC has a diode DI and a variable resistance element VR serially connected.
    メモリセルＭＣは、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなる。 - 特許庁
  • At one end of a strip conductor 206b, an impedance variable element 210 is mounted.
    ストリップ導体２０６ｂの一端にはインピーダンス可変素子２１０が実装されている。 - 特許庁
  • To suppress power consumption in a resistance element of a variable resistor at the time of non-operation.
    非操作時における可変抵抗器の抵抗素子での消費電力を抑えること。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING NONVOLATILE VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    不揮発性可変抵抗素子を用いた半導体記憶装置、及びその製造方法 - 特許庁
  • To provide a variable resistance memory element having a buffer layer formed on a lower electrode.
    下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • IMPEDANCE MATCHING DEVICE AND TEST APPARATUS OF VARIABLE IMPEDANCE ELEMENT FOR THE IMPEDANCE MATCHING DEVICE
    インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合装置用可変インピーダンス素子の検査装置 - 特許庁
  • RESISTOR ELEMENT, VARIABLE RESISTOR USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    抵抗素子およびそれを用いた可変抵抗器、ならびにその抵抗素子の製造方法 - 特許庁
  • To provide an inductance element which can obtain a high Q value and which has a wide variable range of inductance value.
    高Ｑ値が得られ、インダクタンス値の可変範囲が広いインダクタンス素子を提供する。 - 特許庁
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