「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 .... 137 138 次へ＞- Disclosed is the manufacturing method in which a translucent film and a light shielding film, and an intermediate film stopping etching using chlorine system upon occasion are provided, and chlorine-based gas and fluorine-based gas are used in combination as dry etching gas to carry out patterning in sequence without damaging a lower layer.
透明基板上に、半透過膜と遮光膜と、必要に応じて塩素系ガスのエッチングを停止する中間膜とを設け、ドライエッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスを交互に組み合わせて、順次、下層に損傷を与えないようにパターン化していく製造方法を特徴とする。 - 特許庁 - The manufacturing method of etching foil for aluminum electrolytic capacitor has the aluminum foil dipped in a pretreatment solution of 4.0 to 12.0 wt% phosphoric acid and 2.0 to 6.0 wt% hexafluorosilicic acid, and then has the aluminum foil dried at 100 to 250°C, as a preprocess of performing the etching treatment of an aluminum foil.
アルミニウム箔のエッチング処理を行う前工程として、リン酸４．０〜１２．０ｗｔ％とヘキサフルオロケイ酸２．０〜６．０ｗｔ％との前処理液にアルミニウム箔を浸漬した後、１００〜２５０℃で乾燥することを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁 - The semiconductor device manufacturing method comprises the steps of measuring an eccentricity amount of a film formed on a wafer with respect to the wafer, adjusting a location of the wafer on a stage of an etching apparatus based on the eccentricity amount and removing a film at a bevel portion of the wafer by etching.
ウェハ上に形成された膜のウェハに対する偏芯量を測定する工程と、エッチング装置のステージ上におけるウェハの位置を偏芯量に基づいて調整する工程と、ウェハのベベル部における膜をエッチングによって除去する工程と、を有するものである。 - 特許庁 - Under a state where the temperature at at least a part of the circumferential edge part of the transparent substrate is sustained higher than the temperature in the central part of the transparent substrate, the light shading film is etched by a plasma etching method using the resist film pattern as an etching mask thus forming a light shading film pattern.
前記透明基板の周縁部のうち少なくとも一部の温度を前記透明基板の中心部分の温度より高く維持する状態で、前記レジスト膜パターンをエッチングマスクとし、プラズマを利用するエッチング方法によって前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor laser comprises the steps of forming an AlGaAs semiconductor laser 29 on an N-type GaAs substrate 21, then etching the substrate, until an N-type AlGaAs clad layer 23 reaches the substrate from the surface, and then removing the layer 23 via an etchant having a selectivity to a GaAs by etching.
ｎ型ＧaＡs基板２１上にＡlＧaＡs系半導体レーザ２９を形成した後、表面からｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３に届くまでエッチングを行ない、次にＧaＡsに対して選択性があるエッチャントによってｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３をエッチング除去する。 - 特許庁 - To provide a method for controlling the critical dimension (CD) of etch features in an etching layer in a stack formed by a patterned photoresist mask, an intermediate mask layer disposed below the photoresist mask, a functionalized organic mask layer disposed below the intermediate mask layer, and an etching layer disposed below the functionalized organic mask layer.
パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。 - 特許庁 - The method for fabricating a semiconductor device comprises a step (a) for forming a silicon layer 20 and a silicide layer 30 of high melting point metal sequentially in multilayer on a silicon oxide layer 10, a step (b) for etching the silicide layer 30, and a step (c) for etching the silicon layer 20 following to the step (b).
半導体装置の製造方法は、（ａ）酸化シリコン層１０の上に、シリコン層２０および高融点金属のシリサイド層３０が順次積層された積層体を形成する工程、（ｂ）シリサイド層３０をエッチングする工程、（ｃ）工程（ｂ）の後に、シリコン層２０をエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - To provide washing liquid and a washing method for removing strongly bonded etching residues remaining after dry etching in a short time, and for preventing copper wiring raw materials or insulating film materials or the like from being oxidized or corroded in the wiring process of a semiconductor element to be used for a semiconcudctor integrated circuit.
本発明は、半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存する強固に固着したエッチング残渣を短時間で除去し、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液、および洗浄法を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemical amplification type resist composition which exhibits sufficient transmissivity when an exposure light source for F_2 excimer laser light (157 nm) is used, has a fast etching speed, and improves roughness of a sample surface after dry etching, and to provide a pattern forming method using the same.
１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A method of managing an etching width includes a step of forming contact arrays R1, R2 having different intervals of contacts C1, C2, a step of wet etching an insulating layer with resist patterns corresponding to these contact arrays R1, R2 as masks, and a step of then observing the discoloring of the resist patterns of these contact arrays R1, R2 by a metallurgical microscope.
コンタクトＣ１、Ｃ２の間隔が互いに異なるコンタクトアレイＲ１、Ｒ２を形成し、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行った後に、これらのコンタクトアレイＲ１、Ｒ２のレジストパターンの変色を金属顕微鏡にて観察する。 - 特許庁 - The method advances etching of a film to be etched by positioning a substrate (S) having laminated structure in which the film to be etched (F) is formed on a base layer (Z) in a space between a first electrode and a second electrode, and introducing etching gas into the space and generating a plasma.
本方法では、被エッチング膜（Ｆ）が下地層（Ｚ）上に形成された積層構造を持つ基板（Ｓ）を第１電極及び第２電極間の空間に位置させ、該空間内にエッチングガスを導入するとともにプラズマを発生させることで、前記被エッチング膜のエッチングを進行させる。 - 特許庁 - The etching method performed by forming a film 2 to be etched on a substrate 1, forming the resist on the film 2 to be etched, exposing and developing the resist to form a resist pattern 3, generating plasma with an etching gas containing halogen and using the resist pattern 3 as a mask to etch the film 2 to be etched is used.
基板１上に被エッチング膜２を形成し、被エッチング膜２上にレジストを形成し、レジストに対し露光及び現像を行ってレジストパターン３を形成し、ハロゲンを含むエッチングガスによりプラズマを発生させてレジストパターン３をマスクとして被エッチング膜２をエッチングするエッチング方法を用いる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device tape carrier, a semiconductor device and a semiconductor device tape carrier manufacturing method, which can achieve a flat and uniform etching surface and form a stepped portion having a resist pattern-based shape when forming the stepped portion in a wiring pattern by half etching.
ハーフエッチングにより配線パターンに段差を形成する際に、平坦で均一なエッチング面を得ることが可能であり、レジストパターンに忠実な形状の段差を形成することが可能な半導体装置用テープキャリア、半導体装置及び半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A dry etching method of using a mixed gas of a plurality of fluorine-based gases as a process gas, generating plasma in a high vacuum while supplying the process gas and applying low frequency bias power to perform etching is provided to solve the problem.
プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁 - In the method, there are included steps of: preparing members 2 to 4 having a semiconductor layer on a substrate 1; forming an electrode layer 5 on the semiconductor layer; forming an etching mask 6 on the electrode layer 5; and etching the electrode layer 5 and semiconductor layer to form a mesa shape.
基板１上に半導体層を有する部材２〜４を用意する工程、該半導体層上に電極層５を形成する工程、該電極層５上にエッチングマスク６を形成する工程、及び該電極層５及び半導体層をエッチングし、メサ形状を形成する工程を具備する。 - 特許庁 - In the processing method, etching liquid is used where etching velocity ratio to copper and barrier metal is adjustable, when a copper film and a barrier metal film are smoothed, in a substrate from which the films are exposed.
銅膜とバリアメタル膜が露出している基板において、これらの膜を平滑化するに当たり、銅とバリアメタルに対するエッチング速度比が調整可能なエッチング液を使用することを特徴とする基板の処理方法およびこれに用いることのできる銅とバリアメタルの共通エッチング液。 - 特許庁 - This etching method for etching an org. film layer, formed on a wafer in a hermetic processing chamber with a process gas fed into the process chamber, uses a processing gas contg.
気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に配置されたウェハＷに形成された有機膜層に対するエッチング方法において，処理ガスはＮ_２とＨ_２とを含み，真空処理室内の圧力は実質的に５００ｍＴｏｒｒ〜８００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the separation of a polyimide film from a film which is subjected to isotropic etching is prevented when the polyimide film is turned into imide by a heat treatment and the separation of deposits adhering to the side walls of the films by anisotropic etching is prevented.
ポリイミド膜を熱処理でイミド化した場合に、等方性エッチングが行われる膜からポリイミド膜が剥がれることを防止し、かつ各膜の側壁に異方性エッチングによって付着する堆積物が剥がれることを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode excellent in etching characteristics capable of processing in a short time without requiring accurate atmosphere control, generating crystalline oxide or the like which are a nucleus of a sufficient etching pit by a final annealing.
精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、その後の最終焼鈍により十分なエッチングピットの核となる結晶性酸化物等の物質を生成でき、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, an aqueous solution containing ammonia ions, copper ions and chlorine ions is used for etching liquid at formation of a photoresist layer 16 patterned on the surface of a substrate, where a polyimide layer 14 and a copper layer 13 are formed in the order on a steel plate 11 and etching the copper foil layer 13.
鋼板１１上に、ポリイミド層１４と銅箔層１３とがこの順序で形成された基板表面にパターニングされたフォトレジスト層１６を形成し、銅箔層１３をエッチング処理する際、エッチング液に、アンモニアイオンと、銅イオンと、塩素イオンとを含有する水溶液を用いる。 - 特許庁 - To provide a cleaning liquid capable of removing an etching residue remaining after dry etching, in a short time, in a wiring process of a semiconductor element used for a semiconductor integrated circuit, without causing oxidation nor corrosion of a copper wiring material, an insulating film material, etc., and to provide a cleaning method using the same.
半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁 - In this method of manufacturing double-sided flexible circuit board, holes and grooves are simultaneously formed at into the insulating base material 2 by laser beam machining, plasma etching, or resin etching by using at least one conductor layer of a both-sided copper-clad board as a mask and the holes and grooves are used for forming continuity holes and the contour a circuit board.
両面銅張り板の少なくとも一方の導体層をマスクとしてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又は樹脂エッチング手法で絶縁べ−ス材２の穴及び溝を同時に加工し、その穴及び溝を導通用孔及び回路基板の外形加工に用いる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a silicon carbide film capable of making a silicon carbide device and a silicon device coexist on a single chip without etching a silicon carbide film having difficulty in etching and having a structure in which the silicon carbide device and the silicon device are electrically insulated from each other.
エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させ、かつ、炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスが電気的に絶縁された構造とすることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for easily and reliably manufacturing a fin-type field-effect transistor without constriction at the base end of a fin using the SOI wafer while including a step for eliminating damage caused by plasma etching by the wet-etching of a sacrificial oxide film.
ＳＯＩウエハを用いて、プラズマエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、フィンの基端部分にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a carbon material equipped with a diamond thin film which suppresses a substrate etching speed and is excellent in adhesiveness by attaching diamond particles on a carbonaceous substrate in the status of being hardly influenced by etching by a hydrogen radical, and a method for manufacturing the same.
本発明は、水素ラジカルによってエッチングの影響を受けにくい状態でダイヤモンド粒を炭素質基材上に添着させることで、基材エッチング速度を抑制し密着性に優れたダイヤモンド薄膜を備えた炭素材料及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - In the method of etching the sapphire substrate, a photoresist pattern is formed on the sapphire substrate and irradiated with ultraviolet rays of ≤400 nm in wavelength, and then dry etching is carried out using the resist pattern as a mask to form many circular truncated conic and circular conic projections on the sapphire substrate.
本発明は、サファイア基板上にフォトレジストパターンを形成し、波長が400nm以下の紫外線光を照射した後、前記レジストパターンをマスクとしてドライエッチングすることにより前記サファイア基板上に円錐台状や円錐状の凸部を多数形成するサファイア基板のエッチング方法である。 - 特許庁 - To provide an etching method forming a deep hole or a deep groove extending in the depth direction with a side wall substantially perpendicular to a layer to be etched in a processing object having a multilayered structure needing etching stop, and reliably leaving the underlying layer.
エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing has a process to form a foregoing hole by diagonally radiating a laser beam on a crystalline substrate composed of a silicon substrate whose plane direction is a (100) surface; and process to form a through-hole by performing anisotropic etching by a KOH solution of water or an organic alkali etching liquid to expand the foregoing hole.
面方位が（１００）面のシリコン基板からなる結晶性基板にレーザ光を斜めに照射して先行穴を形成する工程と、ＫＯＨ水溶液又は有機アルカリエッチング液による異方性エッチングを行って前記先行穴を拡大してスルーホールを形成する工程とを有する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor storage device comprises the steps of forming a nitride film 113 on an upper layer of a metal electrode layer 111 on a gate electrode layer, and removing a gate oxide film 106 under etching conditions in which an etching rate of the nitride film 113 is slower than that of the film 106 in a source region forming step.
ゲート電極層上の金属電極層１１１の上層に窒化膜１１３を形成するとともに、ソース領域形成工程において、ゲート酸化膜１０６より窒化膜１１３のほうがエッチングレートが遅いエッチング条件で、ゲート酸化膜１０６を除去する。 - 特許庁 - By covering a step that is caused between the lower lead electrode 3 and the substrate with the interlayer dielectric 5, when a conductive film for the lower electrode is deposited on the substrate and patterned by etching, there is not the fear that etching residue at the step caused by a conventional manufacturing method may be caused.
下部引き出し電極３と基板との間に生じる段差部分を、層間絶縁膜５で覆うことにより、下部電極用の導体膜を基板上に堆積してエッチングによりパターニングする際、従来の製造方法では段差部分に生じていたエッチング残渣が生じるおそれがなくなる。 - 特許庁 - In a cleaning method of a semiconductor wafer, at least a wafer sliced thinly is flattened by lapping and/or surface grinding, the flattened wafer is subjected to alkali etching, and the wafer subjected to alkali etching is cleaned by an acid solution containing citric acid and hydrogen peroxide water.
少なくとも、薄板状にスライスされたウエーハをラッピングおよび／または平面研削により平坦化し、該平坦化されたウエーハをアルカリエッチングした後に、該アルカリエッチングされたウエーハをクエン酸・過酸化水素水を含む酸性溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法。 - 特許庁 - To provide a processing method having sufficient etching resistance and capable of closely transferring a formed pattern formed by self-organization and obtain a formed body in a fine processing technology using an etching mask formed by self-organization of a block copolymer.
ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法及び成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a diffraction optical element permitting to improve an optical efficiency by reducing the number of dry etching processes, and lessening the occurrences of concave parts and pillars as far as possible even when registration accuracy among each dry etching processes does not satisfy a required level.
ドライエッチング加工工程数を少なく、且つ、各ドライエッチング加工工程間での位置合わせ精度が要求されるレベルに満たない場合であっても、できるだけ凹部や柱の発生を少なくして、光効率を上げることができる回折光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of reproducing a silicon component for a plasma etching apparatus, or the like in which a consumption cost of the plasma etching apparatus and an amount of generated industrial waste can be reduced as compared to those in the conventional art to make it possible to effectively utilize industrial resources.
従来に比べてプラズマエッチング装置の消耗品コストを低減することができるとともに、産業廃棄物の発生量を低減することができ、資源の有効活用を図ることのできるプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法及等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for processing a silicon block by which even when cracks exist in the surface of a silicon crushed product, the adhesion amount of an etching agent after etching can be reduced to such a degree that the significant amount of a corrosive gas is not produced, and a silicon crushed product having high cleanliness can be obtained.
表面にクラックが存在していても、エッチング後のエッチング剤の付着量を腐食性ガスの発生量が顕著とならない程度とすることが可能であり、かつ清浄度の高いシリコン破砕物を得ることが可能なシリコン塊の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a metal surface treatment agent for roughening a surface of copper or copper alloy to a desired degree with a small amount of etching (amount of etching of 0.5 μm or less), so as to enhance adhesiveness between fine wires of copper or copper alloy and a resin such as a resist and an interlayer insulation material, and to provide a surface treatment method therefor.
微細な銅または銅合金配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性に優れる該銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - In a plasma etching processing method that introduces a processing gas comprising a mixture of a plurality of material gases into a processing container 2 and changes the processing gas into plasma in the processing container 2 to perform etching processing on a substrate W, the mixing ratio of different kind of material gases is changed to control the CD.
複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。 - 特許庁 - A method of manufacturing an array substrate comprises the steps of forming a barrier layer in the lower portion of a source and drain electrodes using material unetched by wet etching liquid for a metal material constituting the source and drain electrodes, and patterning the barrier by anisotropic dry etching, thereby obtaining the desired CDs of a channel portion.
ソース電極及びドレイン電極の下部に、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属物質の湿式エッチング液にエッチングされない物質を利用してバリア層を形成して、バリア層を異方性の乾式エッチングによってパターニングし、望むチャンネル部のＣＤを得る。 - 特許庁 - To provide a high-quality gray tone mask for reducing lithographic steps, the mask which does not require an exclusive photomask blank material, nor require an etching facility or preparation of a plurality of etching steps, and which reduces the manufacture cost, and to provide a method for manufacturing the mask.
リソグラフィ工程を減少するためのグレートーンマスクにおいて、専用のフォトマスクブランク材料を必要とせず、また、エッチング設備やエッチング工程数を複数準備する必要が無く、製造コストが低減された高品質なグレートーンマスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a porous film comprises: subjecting a polymer film that has been irradiated with heavy ions to chemical etching, where alcohol is brought into contact with the polymer film irradiated with heavy ions prior to the chemical etching.
本発明の多孔性フィルムの製造方法は、重イオンを照射した高分子フィルムを化学エッチングして多孔性フィルムを製造する多孔性フィルムの製造方法において、前記化学エッチングの前に、前記重イオンを照射した高分子フィルムにアルコール類を接触させることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a dry etching method of a film containing a noble metal free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas and applying low frequency bias power to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.
貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen.
半導体装置１の製造方法は、基板１０に窒化物半導体で形成された第１層（障壁層２５）および第２層（キャップ層２６）を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第２層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。 - 特許庁 - A reliable method for forming bump electrodes having larger height at low cost can be provided, by forming a ring-like resin pattern on pats, forming bump electrodes through electroless plating, and then peeling off the ring-like resin pattern by etching, thereby peeling of the resin pattern from the thickness direction by etching.
パットに、リング状の樹脂パターンを形成し、無電解メッキ法による突起電極を形成し、リング状の樹脂パターンをエッティング剥離することで、厚み方向から樹脂パターンをエッティング剥離できるため、安価で、信頼性のある高さの高い突起電極の製造法を提供できる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.
ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁 - In the film formation method of the substrate 30, when an SiO_2 film 38 is formed on the substrate 30, the area S_1 of high etching resistance and the area S_2 of low etching resistance are formed so as to be along the uneven patterns of the patterning part 14 of an electrode plate 10.
本発明に係る基板３０の成膜方法においては、基板３０上にＳｉＯ_２膜３８を成膜すると、そのＳｉＯ_２膜３８には、電極プレート１０のパターニング部１４の凹凸パターンに沿うように、エッチング耐性の高い領域Ｓ_１と低い領域Ｓ_２とが形成される。 - 特許庁 - To prevent an increase of effective recording track width by utilizing local etching, to make it possible to precisely control magnetic pole width and to prevent the recording characteristic deterioration due to an edge formed at a magnetic layer by means of magnetic pole trimming using a local etching method.
局部的なエッチングを利用して、実効的な記録トラック幅の増加を防止し、且つ磁極幅を精度よく制御することを可能にすると共に、局部的なエッチング方法を用いた磁極トリミングによって磁性層に形成されるエッジによる記録特性の劣化を防止する。 - 特許庁 - This etching method of copper uses water solution containing Cu(NH_3)_4X_2 and NH_4X (X is halogen elements), and uses water solution in which the number of mols of contained NH_4X is more than the number of mols of Cu(NH_3)_4X_2, and pH ranges from 6.5 to 8.1 as etching liquid.
Ｃｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2、及び、ＮＨ_4Ｘ（ここで、Ｘはハロゲン元素である）を含む水溶液であって、含有されるＮＨ_4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a piezoelectric resonator for forming a groove part with high dimensional accuracy by accurately forming a metallic mask for groove part formation without causing the problem of instability of an etching rate or the like caused by a resist at outer form etching of a crystal chip.
水晶片の外形エッチング時にレジストに起因するエッチングレートの不安定性等の問題が生じることなく、また溝部形成のための金属マスクを精度よく形成することで、寸法精度の高い溝部を形成することができる圧電振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A manufacturing method for a silicon wafer, which contains an etching process for removing a breaking layer of a degenerated layer on the surface of the silicon wafer made by a mechanical working, and in which the etching process is managed depending on variation of groove width of a micro-crack remaining on the surface of the silicon wafer, and the silicon wafer are provided.
機械的加工によりシリコンウェーハの表面に生じた加工変質層の破砕層を除去するエッチング処理工程を有し、このエッチング処理の管理をシリコンウェーハ表面に残存するマイクロクラックの溝幅の変化で行うシリコンウェーハの製造方法、また、シリコンウェーハ。 - 特許庁 - This method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, having a process for preliminarily treating the amount of ferrous ion to 70 to 95 wt.% based on the total iron amount of an etching waste liquid and a process for spraying and roasting the etching liquid in which the amount of the ferrous ion is adjusted, and a device for producing the iron oxide.
エッチング廃液の全鉄量に対する第一鉄イオン量を７０〜９５重量％に調整する前処理工程と、第一鉄イオン量が調整されたエッチング廃液を噴霧焙焼する工程とを有するフェライト原料用酸化鉄の製造方法および装置。 - 特許庁
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