「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 81 82 83 84 85 86 87 88 89 .... 137 138 次へ＞- To provide a semiconductor device in which the reliability of manufacturing processes can be ensured even when wet etching is performed, and bonding strength between a substrate and a chip is enhanced, and to provide a method of manufacturing the same.
ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method has an RIE process for etching a fine pattern on a glass master, and a process for monitoring a residual film level of a resist in the RIE process and an etched depth by RIE.
ガラスマスター上に微細パターンをエッチングするＲＩＥ工程と、前記RIE工程においてレジストの残膜量とRIEによりエッチングされた深さとをモニターする工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.
エッチング工程およびアッシング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁 - To provide a device and method for manufacturing display plate, permitting to carry out patterning of a thin film with efficiency and high accuracy without using a photo etching process.
本発明は、写真エッチング工程を使用せずに効率的でかつ、高精度に薄膜をパターニングできる表示板の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a copper foil for a printed wiring board particularly superior in soft etching property as well as resistance to heat discoloration, rust prevention capability, and solderability, and to provide a surface treatment method therefor.
特にソフトエッチング性が優れ、かつ耐熱変色性、防錆力、半田濡れ性等に優れたプリント配線板用銅箔及びその表面処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a resin film for semiconductor device which has a superior adhesive property against a base material for semiconductor device and can be worked easily by etching and a method for forming the film.
半導体装置用基材との接着性に優れ、かつエッチングによる加工性に優れた、半導体装置用樹脂膜とその形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a processing object transfer method realizing a high cycle time in vacuum processing devices such as a sputtering device, a dry etching device, a CVD device and a vapor deposition device.
スパッタリング装置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、蒸着装置等の真空処理装置の高速タクトの実現を可能とする処理対象物搬送方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a conductive flat cable and its structure, to avoid a problem of high cost and environmental protection incurred from a complicated manufacturing process of etching.
エッチングの煩雑な製造プロセスで生じた高コスト及び環境保護の問題を回避するために、導電フラットケーブルの製造方法とその構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical semiconductor device that can prevent an optical input/output end surface from being contaminated even when formed by etching.
光入出力端面をエッチングにより形成する場合でも光入出力端面の汚染を防ぐことができる光半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which decreases a plug loss by shortening the overetching time when etching back metal such as tungsten to form metal plugs.
Ｗ等のメタル材料をエッチバックしてメタルプラグを形成する際、オーバーエッチング時間を短くしてプラグロスを小さくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a treatment method of a waste liquid from sodium hydroxide treatment of aluminum material which can separate and recover aluminum hydroxide from etching the waste liquid at a low cost in a short time.
短時間且つ低コストでエッチング廃液から水酸化アルミニウムを分離回収することのできるアルミニウム材の水酸化ナトリウム処理廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a transparent electroconductive film excellent in transparency and etching treatment properties at a low production cost in a high conductivity (low specific resistance) and to provide a method for producing the film.
生産コストが低く、高い導電率で（比抵抗値の低く）、透明性、エッチング処理性に優れた透明導電性フィルム及びその製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The n-type semiconductor layers 20 and 30 serving as cathode layers are partially removed through a wet etching method so as to expose a part of the p-type semiconductor layer 18 serving as a gate layer.
カソード層であるｎ形半導体層２０、３０の一部を、ウェットエッチング法により除去して、ゲート層であるｐ形半導体層１８を露出させる。 - 特許庁 - The method for manufacturing a forming die for forming a micro-lens array sheet comprises a resist film forming process, an exposure/development process, an etching process and a resist film removal process.
マイクロレンズアレイシート形成用成形型の製造方法は、レジスト膜形成工程と、露光・現像工程と、エッチング工程と、レジスト膜の除去工程とを備えている。 - 特許庁 - The method is characterized by forming a fine projecting and recessing surface by etching a surface of a glass substrate with photolithography and subsequently to form a metal thin film thereon.
ガラス基板の表面にフォトリソグラフィ法でエッチングを行うことによって微細凹凸を形成した後、その上に金属薄膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of forming a test pattern of a semiconductor device that allows recognizing an overetch or an underetch occurring at a side wall after an etching process.
エッチング工程後に側壁で発生するオーバーエッチングまたはエッチング不足を確認することが可能な半導体素子のテストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a forming mold of a microneedle having a desired shape by precisely controlling the etching process of a silicon substrate.
本発明の１つの態様は、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御して、所望の形状を有する微細針の成形鋳型を製造することを目的とする。 - 特許庁 - In the determining method, from the intensity of a peak exhibiting the absorption maximum in the vicinity of the wavelength of 285 nm in the ultraviolet light absorption spectrum of an etching compositional liquid, the concentration is measured.
エッチング組成液の紫外線吸収スペクトルにおいて波長２８５ｎｍ近傍に吸収極大を示すピークの強度から、濃度を測定することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a thin film semiconductor element permitting a reduction in the resistance of a gate electrode, a reduction in the capacity of the capacitor of a source electrode, and an improvement in etching properties, and its manufacturing method.
ゲート電極の低抵抗化、ソース電極のキャパシタ容量の低減、エッチング性の向上が可能となる薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method with which uniformization and speeding-up in etching treatment for a heat exchanger substrate made of an Al alloy and formation of a corrosion resistant chemical conversion film layer are made possible.
Ａｌ合金製熱交換器基体のエッチング処理の均一迅速化、耐食性化成皮膜層の形成を可能にする表面処理方法の提供。 - 特許庁 - To provide an Fe-Ni alloy stock free from dispersion of opening diameter caused by abnormal holes even if dispersion of etching conditions occurs at the formation of electron beam transmission holes, and its manufacturing method.
電子線透過孔形成の際、エッチング条件がばらついても、異常孔に基づく開口部直径のばらつきが生じないFe-Ni系合金素材、製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method and a device for the production of an epitaxially grown water which includes the treatment of a silicon wafer by plasma etching before the epitaxial growth process.
プラズマエッチング方法によるエピタキシャル成長工程前のシリコンウェーハの処理方法を含んだエピタキシャル成長ウェーハの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of AlGaP light emitting diode with light reflecting layer which perfectly removes distortion by dicing process without resulting in over-etching of the light reflecting layer.
光反射層をオーバーエッチすることなく、ダイシング加工歪を完全に除去することができる光反射層付きＡｌＧａＰ発光ダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for treating sulfur hexafluoride gas to be used as an insulating medium of a gas insulation switchgear, or the like and a dry etching agent or a fluorinating agent of LSI (large scale integrated circuits).
ガス絶縁開閉装置などの絶縁媒体、ＬＳＩのドライエッチング剤あるいはフッ素化剤として使用されている六フッ化硫黄ガスの処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the formation method of an STI that prevents a divot from being formed at a wet etching stage even if a micro scratch is generated on the surface of a buried insulating film by CMP.
ＣＭＰにより埋め込み絶縁膜の表面にマイクロ・スクラッチが発生しても、ウェット・エッチの段階でディボットが形成されないＳＴＩの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing contamination-free semiconductor wafer which does not allow generation of local etching flaw in the rear surface side thereof and has improved yield of external appearance.
半導体ウェーハの裏面側に局所的なエッチング痕の発生がなくて、汚れがなく、外観歩留が向上する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid ejecting head, which can secure a preferable hysteresis characteristic even when removing surface contamination of a pressure generating element by magnetron dry etching.
圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去しても、良好なヒステリシス特性を確保できる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can accurately and easily control the depth of etching without degrading element characteristic.
エッチングマーカー層を用いた半導体装置の製造方法であって、素子特性を低下させることなく、エッチング深さを精密かつ容易に制御可能なものを実現する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device capable of unfailingly detecting a material of a nitride film or a Cap layer to be separated caused by etching.
エッチングにより離脱する窒化膜またはＣａｐ層の材質を、確実に検出可能な半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Then, a second TiN film 6a is formed to improve the condition of the surface damaged by etching, and the upper aluminum film 9 is deposited by a high-temperature aluminum film depositing method.
次いで、第２のＴｉＮ膜６ａを形成してエッチングダメージによる表面状態を改善した状態で、上層アルミ膜９を高温アルミ成膜法により成膜する。 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus for doubling component life of a ring for expanding plasma arranged within a processing chamber, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor device and an Si ring.
処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁 - To manufacture, at a low cost, a substrate for a liquid crystal display device, which has a common electrode pattern-formed by an etching method, and also has a projection for alignment restriction.
本発明は、共通電極をエッチング法によりパターン形成し、かつ、配向規制用の突起を有している液晶表示装置用基板を安価に製造することである。 - 特許庁 - To solve the problem of a conventional method of manufacturing a wiring board, in which a metal plate is removed by etching after forming the wiring board, formed on the metal plate having a prescribed thickness.
所定厚さの金属板上に形成した配線基板を形成した後、金属板をエッチング除去する従来の配線基板の製造方法の課題を解消する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a multilayered film with an Al/TiN structure wherein an Al film and a TiN film which make an etching shape trapezoidal are laminated.
エッチング形状が台形となるＡｌ膜とＴｉＮ膜が積層したＡｌ／ＴｉＮ構造の多層膜を有する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a nonvolatile memory device having a charge trapping layer, which prevents device characteristic deterioration due to etching damage and restrains leak current.
エッチングダメージから生じる素子特性の劣化を防止し、漏洩電流の発生を抑制する電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a resist underlay film from which a resist underlay film having superior etching resistance and a reduced reflectance can be formed, and to provide a method for forming a pattern.
エッチング耐性に優れ、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a processing method and a processing apparatus that perform processes from removal of a damage layer of a substrate formed during slicing to texture formation step together in a lump through dry etching.
スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a heterojunction field-effect transistor by which a desired recess etching depth can be stably obtained, and to provide the heterojunction field-effect transistor.
所望のリセスエッチング深さを安定して得ることができるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法およびヘテロ接合電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving etching speed when manufacturing a semiconductor device that uses a single crystal silicon substrate.
単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a lead frame and a semiconductor apparatus for removing plating burr generated by etching from the lead frame and the semiconductor apparatus.
エッチングにより発生しためっきバリをリードフレーム及び半導体装置から除去することを目的とするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method and device, the electron beam is emitted to the whole surface of a semiconductor wafer between a semiconductor exposing step and an etching step.
上記目的を達成するために、半導体の露光工程と、エッチング工程間にて、半導体ウェーハの全面に対し、電子ビームを照射する方法、及び装置を提案する。 - 特許庁 - After forming a wiring groove by an RIE method, a part having a low film density is quickly etched by wet etching to form a wiring groove 3a having a tapered shape.
配線用溝をＲＩＥ法により形成した後、ウェットエッチングで膜密度が小さい部分を速くエッチングすることでテーパ形状の配線用溝３ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a wet etching system and a patterning method which can form a fine circuit pattern without causing a failure in the shape (while maintaining particularly the width of an upper part of circuit wiring).
形状不良なしに（特に、回路配線上部幅を維持しつつ）微細な回路パターンを形成し得るウエットエッチングシステム及びパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The quantity of needless etched substances re-adhered to the upper part magnetic core and the recording gap at the time of etching is suppressed by this method and the work of high efficient and stable track width precision can be performed.
この方法によりエッチング時に上部磁気コアや記録ギャップ部への再付着の量が押さえられ、高効率で安定したトラック幅精度の加工が可能になる。 - 特許庁 - To provide a method for producing an Fe-Ni series or Fe-Ni-Co series alloy thin sheet excellent in etching properties and to obtain a thin sheet for a shadow mask excellent in various characteristics and a shadow mask.
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁 - To provide a stencil mask and its manufacturing method which improve size precision in a stencil mask substrate surface by making the influence of microloading effect reduced in a dry etching process.
ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させ、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of improving etching selectivity so as to manufacture a semiconductor device superior and uniform in characteristics with high manufacturing yield.
本発明は、エッチング加工の選択比を高め、良好で均一な特性を持つ半導体装置を歩留まり良く作製する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for bonding nano-chips, particularly by the electrolytic etching having excellent adhesion safety.
ナノチップの接着装置及び接着方法に関し、より詳細には優れた付着安全性を有する電解エッチングを用いたナノチップの接着装置及び接着方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which enables the formation of a layer insulation film with a flat surface even if wet etching is carried out after CMP treatment.
ＣＭＰ処理後にウェットエッチングを行っても平坦な表面を有する層間絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming fine current wiring on a substrate in a short period of time by a simple apparatus without using a photomask, a resist, an exposure apparatus, and an etching apparatus or the like.
フォトマスク、レジスト、露光装置、エッチング装置などを使わず簡単な装置で短時間に基板の上に微細な電流配線を形成する方法を与えること。 - 特許庁
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