「etching method」を含む例文一覧(6852)

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  • To provide a method for fabricating a light emitting diode chip by which lateral etching is performed to the light emitting diode chip at a low temperature to form the light emitting diode chip in an inverted cone shape.
    低い温度で発光ダイオードチップに横向きエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This method is to clean the wiring board 70 in which the electrode 23 is disposed on the substrate 20, and to remove the foreign matters on the electrode 23 by using an etching liquid.
    基板20上に電極23が配置された配線基板70を洗浄する方法であって、電極23上の異物をエッチング液を用いて除去する。 - 特許庁
  • To obtain the manufacturing method of a semiconductor device, in which a processed layer used as the layer having a protective function in an after etching process can be accurately processed.
    後工程でエッチングからの保護機能を有する層として用いられる被加工層の加工を精度良く行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a thin film bulk acoustic resonator and its manufacturing method in which material of low etching selectivity, relative to sacrificial material, can be integrated into a device structure.
    デバイス構造が、犠牲材料に対してエッチング選択性の低い材料を組み込むことができる薄膜バルク音響共振器及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In addition, a method by which a laser resonator containing a multi-mode interference waveguide section can be manufactured with high dimensional accuracy by using both lithography and dry etching is also devised.
    また、リソグラフィー技術とドライエッチング技術の併用により多モード干渉導波路部を含むレーザ共振器を寸法精度高く作製する手法も合わせて考案した。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor storage device having a highly reliable capacitor, in which an electrode material deposition during etching is eliminated and which can be processed finely.
    エッチング時の電極材料による堆積物の形成をなくし、微細加工できる高信頼性のキャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a resist formation wiring substrate which enables a fine pitch by etching during formation of a circuit and provides an excellent manufacturing efficiency, and a method of manufacturing an electronic circuit.
    回路パターン形成の際のエッチングによるファインピッチ化が可能で、製造効率が良好なレジスト形成配線基板及び電子回路の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide the method for manufacturing a semiconductor device having a stable and reliable self-aligned contact, avoiding etching stop, short- circuited wiring or chip size increase.
    エッチストップ、配線ショートおよびチップサイズの増大を招くことなく、安定で信頼性の高い自己整合コンタクトを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a dry etching method that does not deteriorate a processing shape of an aluminum film containing copper, which is wiring, and can suppress occurrence of copper residues.
    配線である銅含有アルミニウム膜の加工形状を劣化させることなく、かつ銅の残さ発生の抑制可能なドライエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a photomask so as to reduce dispersion in the size of a pattern due to a loading effect and a micro-loading effect produced in an etching process.
    エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターンのパターン寸法ばらつきを低減するようにしたフォトマスクを作製する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for forming an electrode of a board capable of being formed by etching and assuring necessary area in the connection of an electrode of an electronic component and the board.
    エッチングにて形成し、かつ電子部品の電極との接合に必要な面積が確保できる基板の電極形成方法及び基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The mount 10 and its locaters 14 are manufactured in a low-cost method, such as a chemical etching, stamping, a boring process, a bending process, an embossing process, or forming process.
    台座10およびそのロケータ14は、低コストの方法で、例えば化学的エッチング,スタンピング,穿孔加工,折り曲げ加工,エンボス加工または形成加工により製造される。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor device for preventing an etching damage to the other region while patterning precision and high speed are maintained, and to provide the semiconductor device.
    パターニング精度、高速性を維持しつつ他の領域へのエッチングダメージを防止する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供を提供する。 - 特許庁
  • To provide an improved method of controlling critical dimensions of structures, formed on a substrate using an etching processing, in a semiconductor substrate processing system.
    半導体基板処理システムにおいて、エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の最小寸法を制御する改善された方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide both a method for producing a high-purity texafluorothane usable as an etching gas or a cleaning gas in a production process for a semiconductor device and the use thereof.
    半導体デバイスの製造工程でエッチングガスあるいはクリーニングガスとして使用することができる高純度のヘキサフルオロエタンを製造する方法およびその用途を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables formation of a capacitor element having stabilized characteristics, by suppressing the etching of a capacitor dielectric layer by a resist remover.
    レジスト除去液によるキャパシタ誘電体層のエッチングを抑制し、特性の安定したキャパシタ素子を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an interconnection member capable of forming a tip sharp shape part having various shapes on a cantilever part without etching a substrate directly.
    基板を直接エッチングすることなく、様々な形状の先端鋭利形状部を片持ち梁部に形成することができる相互接続部材の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can dissolve nonconformity caused by the foreign matters produced by the reaction at the time of etching a polysilicon film.
    ポリシリコン膜のエッチングの際の反応により生成された異物による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a mold for imprinting which can smoothly proceed dry etching to a hard mask layer and forms a fine pattern with high pattern accuracy.
    ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a substrate for a liquid discharge head capable of forming a liquid supply port on a silicon substrate by dry etching with high accuracy and high yield.
    ドライエッチングでシリコン基板に液体の供給口を、高精度に歩留まり良く形成することが可能な液体吐出ヘッド用の基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device such as an EEPROM or the like wherein, when an upper gate electrode layer overlapped on a lower gate electrode layer is formed, an etching residue is eliminated.
    EEPROM等の半導体装置の製法において、下方ゲート電極層に重なる上方ゲート電極層を形成する際にエッチング残りをなくす。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a silica-based washability working film, where a part that is worked and exposed by selective etching treatment has washability by an acid solution.
    選択的エッチング処理により加工され露出した部分が酸水溶液による洗浄耐性を有するシリカ系耐洗浄性加工被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a glass plate allowed to have an etching effect having stereoscopic feeling by using spherical glass beads having sizes of 20-40 μm; and a method for forming a pattern on a glass plate.
    20〜40μm大の円形ガラスビードを利用して立体感を有するエッチング効果を得られるようにしたガラス板およびその紋様成型方法を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a wet-etching device for an edge of a semiconductor disc, capable of removing burrs from a wafer edge by a prescribed method without the possibility of wafer contamination.
    ウェーハ汚染の危険なく、規定された方法でウェーハエッジをバリ取りすることが可能になる半導体ディスクのエッジのウェットエッチング装置を提供することである。 - 特許庁
  • To provide an exposure device capable of rapidly reducing a processing conversion difference even when an etching characteristic varies, and to provide a method of manufacturing an electronic device.
    本発明は、エッチング特性が変動した場合であっても加工変換差の迅速な低減を図ることができる露光装置および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a liquid droplet discharge head which improves a yield by preventing a defect caused by etching and can manufacture an accurate head.
    エッチングによって生じる不良を防止することで歩留まりを向上させ、かつ高精度なものを製造できる、液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a polymer capable of forming a resist pattern having a high resolution and exhibiting excellent etching resistance, a positive resist composition and a resist pattern-forming method.
    高解像性で、しかもエッチング耐性にも優れたレジストパターンを形成できる重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method and a wet etching apparatus for a semiconductor device which prolong the liquid life time of phosphoric acid and reduce the frequency of maintenance of a circulation system.
    熱リン酸の液寿命延長及び循環系のメンテナンス頻度削減を実現する半導体装置の製造方法及びウェットエッチング装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a trench etching method of a silicon carbide semiconductor substrate capable of controlling an angle of a trench side wall at a 90 degree without generating a microtrench at the bottom of a trench.
    トレンチ底部にマイクロトレンチが発生せず、さらにトレンチ側壁の角度を90°に制御できる炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法の提供をすること。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for a small crystal oscillating piece capable of reducing working variance due to matching accuracy of mask front and rear sides in etching of a crystal wafer.
    水晶ウェハーのエッチングにおけるマスクの表裏の合わせ精度による加工ばらつきを低減することが可能な、小型水晶振動片の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor-carrier film and its manufacturing method by which migration resistance characteristic is significantly improved without deteriorating etching characteristic and solder resistance.
    配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for etching processing of magnetic material by which a magnetic material that can further suppress the electric current flowing through a side wall material, and so on.
    側壁物を通じて流れる電流をより抑えることができる磁性体を加工することを可能にする磁性体のエッチング加工方法等を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of dry etching which does not deteriorate the processed shape of a copper-contained aluminum film that is a wire and can suppress the production of copper residue.
    配線である銅含有アルミニウム膜の加工形状を劣化させることなく、かつ銅の残さ発生の抑制可能なドライエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁
  • The method for forming the etching mask transfers, develops, and trims an exposure pattern 10 of linear shape in a photo resist 11 using a first reticle, then etches an SiO_2layer 12 making this as a mask.
    第1のレチクルを用いて、フォトレジスト11に直線状の露光パターン10を転写、現像、トリミングした後、これをマスクとしてSiO_2層12をエッチングする。 - 特許庁
  • To provide a production method of an ingot for manufacturing an Fe-Ni base alloy thin plate for shadow mask, etc., improving uneven etching grade while restraining increase of the manufacturing cost as much as possible.
    エッチングむら品位を、製造コストの増加を極力抑制しつつ改善するシャドウマスク用等のFe−Ni系合金薄板製造用インゴットの製造方法の提供。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device excellent in the electrical characteristic by preventing a natural oxide film removed by etching from sticking again to a sidewall etc.
    エッチングにより除去した自然酸化膜がサイドウォールなどに再付着しないようにして、電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of reducing light-induced etching and redeposition of metal used to make mutually connected wires during a semiconductor manufacturing process, e.g., copper.
    半導体製造プロセス中に相互接続配線を作るために用いられる金属、例えば銅の光誘導の腐蝕及び再堆積を減少する方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method of fabricating an alignment film of a liquid crystal display device, which is capable of simply patterning the alignment film at an accurate location and an alignment film etching apparatus used therein.
    簡単で正確な位置で配向膜をパターニングできる液晶表示装置の配向膜製造方法及びこれに用いる配向膜エッチング装置を提供する。 - 特許庁
  • Also, a first electrode layer 21 is formed in a predetermined light-emitting pattern by forming a thin film on a substrate 11 using screen printing method, and then etching it.
    発光層31をスクリーン印刷法によって所定の発光パターン形状に形成するとともに、第2の電極層41をスクリーン印刷法で薄膜形状に形成した。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium which enables formation of a mask having a high aspect ratio and formation of a fine pattern by dry etching of a magnetic recording layer.
    アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an LED(light emitting diode) for preventing dissolution or peeling of an electrode due to etching at the time of manufacturing, and for increasing light emitting efficiency even in the case of a horizontal type, and a method for manufacturing this LED.
    製造時のエッチングによる電極の溶解,はく離を防止できると共に、横置き型でも発光効率の高いLEDおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A method for producing an optical member comprising modifying the surface of a light-transmitting material by plasma etching to regulate its light reflecting properties and light transmitting properties is also provided.
    透光性のある材料の表面をプラズマエッチングして改質し、光の反射特性または透光性を調整する光学部材の製造方法である。 - 特許庁
  • To provide the method for forming a thin film pattern made of a substance difficult in etching or a substance hard in bringing it into close contact to a substrate.
    本発明の目的は、難エッチング物質や、基板との密着性の悪い物質の薄膜パターンを高精度に作成できる薄膜パターンの作成方法を提案することにある。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method by which such an electromagnetic wave shielding film that can be handled easily when the film is subjected to such working as the resist application, exposure, development, etching, etc., and hardly causes failures.
    レジスト塗工、露光、現像、エッチングといった加工をするに際してハンドリング性にすぐれ、不良発生の少ない電磁波シールドフィルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an electrooptical device for efficiently carrying out a scum removal process and an etching process, and to provide an electrooptical device and a electronic equipment.
    スカム除去工程およびエッチンング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an etching method in which oxygen plasma can be prevented from having an adverse effect on the ground of an insulating film when the insulating film formed on a substrate is etched.
    基板に形成された絶縁膜をエッチングするとき、絶縁膜の下地に酸素プラズマの悪影響が生ずるのを防止できるエッチング方法を提供する - 特許庁
  • To provide a method for evenly etching, in a plane, an oxide film with no abnormal electric discharge when an oxide film formed on a glass substrate is etched.
    ガラス基板上に成膜された酸化膜をエッチングする際、異常放電を発生させないようにして酸化膜を面内均一にエッチングする方法を提供する。 - 特許庁
  • Thereafter, the silicon substrate 10 is etched from the openings 11a in an almost isotropic manner by a wet etching method to form semispherical recessed parts 10a and the mask layer 11 is removed.
    この後、湿式エッチング法によって開口11aから略等方的にシリコン基板10をエッチングし、半球状の凹部10aを形成し、マスク層11を除去する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser element which is provided with an etching stop layer where no restriction caused by a nonmixing region exists on the band gap, and its manufacturing method.
    非混和領域に起因する制約がバンドギャップに関して存在しないエッチング停止層を備える半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a flash memory in which not only CD control is easy, Moat Pit is prevented in floating-gate etching, but also the size of a device is reduced.
    CD制御が容易で、フローティングゲートエッチング時にモトピッを防止するだけではなく、デバイスの大きさを小さくすることができるフラッシュメモリの形成方法を提供する。 - 特許庁
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