「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 88 89 90 91 92 93 94 95 96 .... 137 138 次へ＞- To provide a negative resist material having higher resolution than conventional negative resist materials, giving a good pattern profile after exposure, and exhibiting excellent etching resistance, particularly a chemically amplified negative resist material and a pattern forming method.
下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the rut of a silicon substrate caused by etching is prevented in a region other than a film forming region when a film is removed by a chemical.
膜を薬液により除去する際に、膜の形成領域以外の領域においてエッチングによりシリコンからなる基板の掘れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method for evaluating a structural change in a tooth substance surface layer is characterized in that a sliced segment of a tooth is treated by the dyeing liquid for tissue dyeing or treated by ion etching to observe an obtained segment.
歯の薄切切片を組織染色用染色液処理、又はイオンエッチング処理し、得られる切片を観察することを特徴とする歯質の構造変化の評価方法。 - 特許庁 - To provide an Fe-Ni alloy cold rolled sheet more excellent in etching properties and surface properties and to provide a method for refining an Fe-Ni alloy by which the same cold rolled sheet can suitably be produced.
エッチング性および表面性状のより優れたＦｅ−Ｎｉ合金冷延板と、このような冷延板を好適に製造し得るＦｅ−Ｎｉ合金の精錬方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device which suppresses the etching of an element isolation insulating film when an insulating film formed between a control gate and a floating gate is etched.
コントロールゲートとフローティングゲートとの間に形成される絶縁膜のエッチング時の素子分離絶縁膜のエッチングを抑制することができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a substrate sheet for an IC tag for surely exerting an antistatic function even in the case of forming an antenna part by etching and a method for manufacturing the substrate sheet for the IC tag.
アンテナ部をエッチングによって形成する場合であっても帯電防止機能を確実に発揮できるＩＣタグ用基材シート及びＩＣタグ用基材シートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - This invention is related to the method including a step to remove the selected portions of the capacitor by sandblasting or other means so that a ceramic dielectric may not contact acid etching liquid.
本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a semiconductor substrate will not be damaged, even if over-etching is carried out at forming of an opening for contact, and a method of manufacturing of the semiconductor device.
コンタクト用の開口部を形成する際にオーバーエッチングを行っても、半導体基板にダメージを与えることのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To planarize color layers of two colors simultaneously by planarization using an etch-back method by equalizing etching rates of color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors.
２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層のエッチングレートを均一化し、エッチバック法を用いた平坦化処理で２色同時に平坦化する。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film and its patterning method whereby patterning characteristics can be improved by adjusting the etching rate of the zinc oxide-based transparent conductive film.
酸化亜鉛系透明導電膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系透明導電膜及びそのパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of easily adjusting an H_3PO_4 liquid which can provide a desired etching rate and a desired selection ratio to an oxide film.
所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるＨ_３ＰＯ_４液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁 - An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.
ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁 - To provide a pattern working method and a pattern working device, working the worked base within a mask width to be flat without over-etching by anisotropy working, and performing microprocessing.
異方性の加工によりオーバエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき、微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a peeling method for an organic film by plasma etching that reduces the consumption of fluorine-based gas, has a desired organic film peeling speed, and less damages a substrate etc.
フッ素系ガスの使用量を低減し、かつ所望の有機膜剥離スピードを有し、また、基板等に対するダメージが少ないプラズマエッチングによる有機膜の剥離方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor by which the starting position of etching is highly accurately controlled, and area expansion treatment can be highly accurately performed in large quantity.
高精度にエッチング開始位置を制御し、高効率でかつ大量に拡面処理することが可能な、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method is such that a capacitor lower electrode layer 113, a ferroelectric film 114 and a capacitor upper electrode layer 115 are formed in this order, and a dry etching using a photo resist 116 and a patterning follow.
容量下部電極層１１３、強誘電体膜１１４、および容量上部電極層１１５をこの順で成膜した後、フォトレジスト１１６を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁 - The method and the device for obtaining the etching degree of the material 25 by arranging detector elements 60 and 72 adjacently to a part of the material 25 to be etched are provided.
材料２５のエッチングの程度を、エッチングされる材料２５の一部分に隣接して検出器素子６０、７２を配置することによって求める方法および装置が提供される。 - 特許庁 - To provide a fine semiconductor device with little variation in characteristics, by reducing edge roughness of a resist pattern and improving etching resistance, and its manufacturing method.
レジストパターンのエッジラフネスを低減すると共にそのエッチング耐性を向上させることにより、特性ばらつきの少ない微細な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus preventing a dielectric breakdown of a passivation film in a process of dry etching for forming a pad opening on the passivation film.
パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing submicron gate including the anisotropical etching, which enables the self alignment by a simple process and can manufacturing high-reliability submicron gates at a low cost.
簡単な工程により自己整合が可能で、しかも信頼度が高いサブミクロンゲートを安価に製造することができる、非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device containing a base layer and an emitter layer, in which the number of times of photolithography and etching processes is small at the time of creating the base layer.
ベース層を作成するときのフォトリソグラフィおよびエッチング工程の回数が少ない、ベース層とエミッタ層とを含む半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a thin film deposition apparatus and method permitting the trend dispersion of reaction gas and control of discriminating etching to a substrate, and a liquid crystal display device thereof.
反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The method for forming the fine ruggedness at random on a substrate includes a step of forming an organic compound film on the surface of the substrate and a step of etching the organic compound film.
基体上に微細な凹凸をランダムに形成する方法は、前記基体の表面に有機化合物の膜を形成するステップと、前記有機化合物の膜をエッチングするステップと有する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing a short channel effect by reducing or eliminating substrate digging caused in a substrate around a gate electrode due to etching.
ゲート電極周辺の基板に生じるエッチングによる基板掘れを低減又は解消し、短チャネル効果を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a method for producing a glass pipe where uneven thickness in a longitudinal direction is suppressed to be as thin as possible by uniformly etching the inner surface of the glass pipe in the longitudinal direction.
ガラスパイプの内面を長手方向で均一にエッチングし、長手方向における偏肉が極力抑えられたガラスパイプを製造することが可能なガラスパイプの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition excellent in etching resistivity and the stability during a post-exposure delay (PED) period, and to provide a method of forming a pattern using the same.
エッチング耐性及びＰＥＤに対する安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of forming a groove or a hole of which the bottom surface is smooth on a polymer material, such as PMMA and PC, or an ultrafine pillar structure on the bottom surface.
ＰＭＭＡやＰＣなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method.
水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which etching residues of a polysilicon film on an inter-layer insulating film covering a MOS transistor can be reduced during electrode formation of a bipolar transistor.
バイポーラトランジスタの電極形成時に、ＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜上のポリシリコン膜のエッチング残りの発生を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for producing a non-magnetic garnet substrate, only the bevel face of a single crystal wafer is coated with an etching solution to selectively etch the bevel face.
単結晶ウエハのベベル面のみにエッチング液を塗布することによって、該ベベル面を選択的にエッチングすることを特徴とする非磁性ガーネット基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁 - To manufacture a master mold high in the uniformity of a recess of an uneven pattern containing a wide recess and a narrow recess in manufacturing the master mold using a reactive ion etching method.
反応性イオンエッチング法を用いたマスターモールドの製造において、広幅凹部および狭幅凹部を含む凹凸パターンの凹部の均一性の高いマスターモールドを製造することを可能とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of avoiding break of structure due to etching, when a through hole is formed on the substrate with the structure constituted on the back thereof.
裏面側に構造物が形成された基体に貫通孔を形成する際に、エッチングによる構造物の崩れを防止することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an Al alloy sheet of JIS 1000 series, which is subjected to surface treatment such as etching before being used, and is surely and stably surface-treated.
エッチング等の表面処理が施されて使用されるＪＩＳ １０００番系のＡｌ合金板として、表面処理性が確実かつ安定して優れたものを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - Next, with the photosensitive film 47 as a mask, the first metal layer 43 is patterned so as to have the width (W1) by an anisotropic etching method to form the gate electrode with multilayer structure ((c) in Fig.5).
次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁 - Therefore, regarding the method for recovering indium, indium can be efficiently adsorbed from an oxalic acid solution such as an etching waste solution exhausted upon the production of an ITO transparent electrode.
それ故、本発明のインジウムの回収方法は、ITO透明電極製造時に排出されるエッチング廃液のようなシュウ酸溶液から、インジウムを効率よく吸着することができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing electrode foil for an electrolytic capacitor capable of improving capacitance by effectively removing adhering negative ions during etching, and smoothly performing coating formation in chemical conversion.
エッチングにおける付着陰イオンを効果的に除去し、化成時の皮膜形成を円滑に行い、静電容量を向上できる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.
素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a micro-lens substrate manufactured by an etching method to easily and surely form a recessed part having a prescribed shape and size, a transparent type screen and a rear type projector.
所望の形状や大きさの凹部を容易かつ確実に形成できるエッチング方法を用いて製造されたマイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an antenna pattern or the like capable of efficiently manufacturing the antenna pattern without the need for a large scale facility such as an etching facility wherein waste of a metallic material is not almost caused.
エッチング設備等の大掛かりな設備を必要とせずに効率よく製造することができ、しかも金属材料の無駄が殆ど無いアンテナパターンの製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for conditioning a copper surface, which can maintain adhesiveness between copper and an insulation material such as a resin, without roughing the copper surface by using a method such as etching.
銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅の表面調整組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a multilayer ceramic capacitor that has reduced alignment precision required in a lamination process and dispenses with any special processes, such as etching processing, and to provide a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor.
積層工程で要求される位置合わせ精度が緩く、かつ、エッチング処理などの特殊な工程を必要としない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive film with excellent transmittance characteristics, a required electric property and etching speed, as well as a method of manufacturing the conductive film with safety and a high productivity.
透過率特性が良好であり、所望の電気特性、エッチング速度を有する透明導電膜、及び該導電膜を安全に、生産性高く製造する手段を提供する。 - 特許庁 - To provide a film depositing method that allows comparatively reducing an etching rate during cleaning even if depositing a film at comparatively low temperatures and thus allows improving the controllability of a film thickness.
比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a solar cell capable of suppressing a plasma from damaging a wafer light-receiving surface and suppressing a scraping amount of a diffusion layer by reducing etching more than necessary.
必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the size, after etching, of a contact pattern formed on an insulating film, without changing a photolithographic process.
絶縁膜に形成されるコンタクトパターンのエッチング処理後の寸法を、ホトリソ工程を変更させることなく、小さい値に変更させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To attain a rear-surface cleaning method of etching ruthenium deposited on a bevel portion and on the rear surface of a substrate with a simple device arrangement, enabling chemical solution treatment without using a shield plate.
遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。 - 特許庁 - Thereby increase in the resistance of wiring or generation of a short-circuiting caused by excessive polishing, excessive etching or the like when the flattening is carried out by the CMP method can be prevented.
これにより、ＣＭＰ方法のような平坦化を利用する場合に発生する過多研磨または過多蝕刻等による配線の抵抗の増加あるいは短絡の発生を防止できる。 - 特許庁 - To provide a treatment system of boards for flexible printed wiring boards by a roll-to-roll method by which a development time, etching time and peeling time can be easily adjusted.
現像処理時間、エッチング処理時間、剥離処理時間を容易に調整できるロールｔｏロール方式によるフレキシブルプリント配線板用基板の処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma etching device for a crystal plate capable of efficiently working the plate in an ultra-thin manner and a method for manufacturing the plate as well as the crystal plate.
水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置および水晶板の製造方法並びに水晶板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a light-emitting device having a plurality of light-emitting cells such that an electric short circuit in a light-emitting cell due to metal etching by-products can be prevented, and to provide a method of fabricating the same.
金属エッチング副産物による発光セル内における電気的な短絡を防ぐことができる複数の発光セルを有する発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
