「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 91 92 93 94 95 96 97 98 99 .... 137 138 次へ＞- To provide a plasma treatment method with which pattern falling hardly occurs when trimming a resist pattern and an etching amount in a longitudinal direction of the pattern can be reduced, and a resist pattern reforming method for reforming the resist pattern prior to trimming.
レジストパターンのトリミングの際にパターン倒れが発生し難く、パターンの縦方向のエッチング量を少なくすることができるプラズマ処理方法およびトリミングに先立ってレジストパターンを改質するレジストパターンの改質方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a simple and inexpensive field emission element by a new method completely different from a conventional etching technique or lithography technique; and to provide a field emission element having nonconventional material and shape.
従来のエッチング技術やリソグラフィー技術とは全く異なる新規な方法によって簡便かつ安価な電界放出素子を製造する方法と、従来にはない材質、形状を有する電界放出素子を提供する。 - 特許庁 - An etching stopper layer for a contact hole bored in an interlayer insulating film is formed of a laminated film 16 composed of a silicon nitride film 16a deposited through a thermal CVD method, and a silicon nitride film 16b deposited through a plasma CVD method.
層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールのエッチングストッパ層を、熱ＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ａとプラズマＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ｂとからなる積層膜１６で構成する。 - 特許庁 - To provide: a crystal substrate etching method capable of processing with high accuracy; a piezoelectric vibrating reed of which the outer shape is formed by this method; a piezoelectric vibrator having this piezoelectric vibrating reed; an oscillator; an electronic device; and a radio-controlled timepiece.
精度よく加工することができる水晶基板のエッチング方法、この方法により外形を形成した圧電振動片、この圧電振動片を有する圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for etching silicon and an etched silicon body manufactured by the method and the apparatus capable of easily forming a desired taper angle and achieving also the smoothing of the taper surface while no overhang shape is formed.
所望のテーパ角度を容易に達成すると共に、テーパ表面の平滑化を実現でき、またオーバーハング形状が生じないシリコンエッチング方法及び装置並びにそれによって作製したエッチングシリコン体を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming an alignment mark capable of suppressing deformation of the shape of a plurality of the recesses of the alignment mark when the alignment mark is dug out by etching a regrown semiconductor layer, and to provide a method for manufacturing an optical semiconductor element.
再成長された半導体層をエッチングしてアライメントマークを掘り出す際に、アライメントマークの複数の凹部の形状の崩れを抑制できるアライメントマーク形成方法及び光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a non-oriented electrical steel sheet which is suitable to be used for a core material of a driving motor for automobile, and is excellent in an etching-processability and magnetic characteristics, and to provide a method for manufacturing the motor core using the steel sheet.
自動車の駆動用モータなどのコア材に用いて好適な、エッチング加工性に優れ、かつ磁気特性にも優れる無方向性電磁鋼板の製造方法とその鋼板を用いたモータコアの製造方法を提案する。 - 特許庁 - To provide a field emission type electron emission element suitable for mass production, to provide a manufacturing method of the field emission type electron emission element, and to provide an etching solution used for the manufacturing method of the field emission type electron emission element.
量産製造することに好適な電界放出型電子放出素子、電界放出型電子放出素子の製造方法及び電界放出型電子放出素子の製造方法に用いるエッチング液を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for controlling a combustion furnace for manufacturing dental prosthesis material, the method being better adapted to various dental prosthesis materials, particularly for at least reducing or completely excluding the use of etching oxides.
多様な歯科補綴材により良好に適合し、特にエッチング酸化物の使用を少なくとも抑制しまたは完全に除外するよう改善された歯科補綴材製造用燃焼窯の制御方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide an accurate plasma etching method suppressing a damage on a device by developing a plasma treatment method using a non-greenhouse effect gas to achieve global environmental protection and improvement of performance of a plasma process.
地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor wafer for solar battery for effectively texturing the surface of a polycrystalline and a single- crystal silicon wafer using the simplified chemical etching method, in order to improve optical absorption coefficient at a low price.
多結晶及び単結晶シリコンウェハの表面を，簡単な化学的エッチング方法を用いて効果的にテクスチャリングし，低価格で光吸収率の向上した太陽電池用半導体ウェハの製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To establish a method for producing Fe-Ni base alloy excellent in a surface flaw resistance and a fine etching property at a low cost by reducing the generation of harmful inclusion as less as possible without performing a remelting method after deoxidize-refining.
脱酸精錬後の再溶解法を実施せずとも有害介在物の生成を可及的に低減し、耐表面疵性と微細エッチング性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金を安価に製造することのできる方法を確立すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium reducing magnetic interference in a track direction by uniform etching and improving recording density and to provide the magnetic recording medium obtained by the manufacturing method.
本発明の目的は、均一なエッチングによりトラック方向の磁気的干渉を低減し、記録密度の向上が可能な、磁気記録媒体の製造方法、および当該製造方法により得られた磁気記録媒体を提供することにある。 - 特許庁 - In addition, a simple method for observing the existence of fine inclusions or precipitates in the Fe-Ni alloy stock and a method for discriminating the uniformity of hole diameter when electron beam transmission holes are pierced by etching are also provided.
併せて、Ｆｅ−Ｎｉ系合金素材において、微小な介在物若しくは析出物の存在の簡易観察方法およびエッチング加工により電子線透過孔を穿孔したときの孔径均一性の判別方法も提供する。 - 特許庁 - In the producing method of the ingot for manufacturing Fe-Ni base alloy material containing a specified quantity of Ni to be applied with etching treatment, the molten metal which is applied with deoxidize-refining containing Ar-blowing by a vacuum induction heating refining method, is cast to make the ingot.
特定量のNiを含みエッチング処理されるFe−Ni系合金材料製造用鋳塊の製造方法であり、真空誘導加熱精錬法でArの吹き込みを含む脱酸精錬をした溶湯を、鋳造して鋳塊とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a structure by an anisotropic etching method by which the final shape of the structure is prevented from being etched into a shape different from a target shape so as to reduce the defective ratio of the structure.
構造体の最終形状が目標形状と異なる形状にエッチングされることを防止して、構造体の不良品率を低減することができる異方性エッチングによる構造体の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an image sensor suitable for improving margins of succeeding processes by reducing leanings of boundary portions of etching as small as possible when an insulating film on a photodiode is etched, and to provide a photomask used in the method.
フォトダイオード上の絶縁膜をエッチングするとき、エッチングの境界部分の傾斜を最大限小さくして、後続の工程マージンの向上に適切なイメージセンサの製造方法と、これに用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of cutting semiconductor wafer by which the thermal damage given to a protective sheet can be prevented at the time of cutting a semiconductor wafer by plasma etching, and to provide a protective sheet used in the method.
プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体ウェハの切断方法および半導体ウェハの切断方法で使用される保護シートを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing a glass substrate having a surface shape having different projection heights such as convex parts having differences in level or different heights by improving a method for making unevenness of the glass surface through pushing and etching.
押圧とエッチングによるガラス表面の凹凸形成方法を改良し、段差を有する凸部、高さの異なる凸部といった、高さの異なる隆起のある表面形状を有するガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.
ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a photomask by which a microlens and a spacer taller than the microlens can be formed at the same time by single-time photolithography and etching, a microlens forming method which uses the photomask, and the microlens formed by the method.
１回のフォトリソグラフィーとエッチングによりマイクロレンズと該マイクロレンズの高さより高いスペーサを同時に形成することが可能なフォトマスク、該フォトマスクを用いたマイクロレンズ作成方法、該方法により作成したマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁 - To provide an antenna forming method for forming an antenna for RFID use inexpensively and safely without using a method complicated in process and high in manufacturing cost such as an etching technology or a winding coil forming technology.
エッチング技術や巻線コイル形成技術など、工程が複雑で製造コストが高い方法を用いることなく、安価にかつ安全にＲＦＩＤ用途のアンテナを形成することができるアンテナの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method.
素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for highly precisely grinding a desired multilayer film/pattern without requiring much time and effort in execution by a conventional chemical etching method, without requiring quality of coating or damaging a silicon in execution by a sand blast method, or without seriously damaging the silicon in a laser method.
従来のケミカルエッチング方法での実施のように、多大の時間と手間暇がかかることもなく、サンドブラスト方法での実施のように、皮膜を問うことなく、シリコンへのダメージも与えることもなく、又、レーザー方法のように、シリコンに深いダメージを与えることとなく、所望の多層膜・パターンを高精度の研削加工する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a stopper layer formation step, a colored layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a second etching step and a photo resist layer removal step.
第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、ストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for extracting impurities present in the surface and in the depth direction of a semi conductor substrate with high accuracy in which the etching speed is high, the etching quantity can be controlled correctly, and the concentration of impurities of the back ground is low.
半導体基板の表面および深さ方向に存在する不純物を高精度で抽出する方法と装置に関し、エッチング速度が速く、エッチング量を正確に制御できて、かつバックグラウンド不純物濃度の低い半導体基板の不純物抽出方法ないし不純物抽出装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography, for forming a resist underlayer film capable of reducing reflectance, having high etching resistance, high heat resistance and solvent resistance, and free of the occurrence of twist particularly in the etching of a substrate; and to provide a pattern forming method using the same.
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - This method comprises steps of: depositing a copper-containing metallic thin film on a base material; selectively exposing the metallic thin film; and applying etching to the exposed part or the unexposed part by the use of the etching agent to which the additive for prevention of secular change is added to form the desired pattern.
本発明は、基板上に銅を含む金属薄膜を形成する工程と、その金属薄膜を選択的に露光する工程と、露光された部位又は露光されない部位を経時変化防止用添加剤が添加されたエッチング剤でエッチングして所望のパターンを形成する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a gate formation method of a semiconductor device capable of minimizing tunnel oxide film loss, preventing a semiconductor substrate from being damaged, and improving cell characteristics by removing a nitride film in a wet etching process when performing the gate etching of a SANOS structure where a dielectric film is formed by a high-dielectric substance.
誘電体膜を高誘電物質で形成したＳＡＮＯＳ構造のゲートエッチングの際、窒化膜をウェットエッチング工程で除去することにより、トンネル酸化膜損失を最小化し、半導体基板の損傷を防止してセル特性を向上させることが可能な半導体素子のゲート形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method capable of etching a dielectric film at an appropriate etching rate and in good contrast while preventing damage of a base metal film and adhesion of an undesired substance to a surface of the base metal surface, in manufacture of a dielectric element having a base metal film and a dielectric film formed on the base metal film.
卑金属膜及び該卑金属膜上に形成された誘電体膜を有する誘電体素子の製造において、卑金属膜の損傷、及び卑金属膜表面への不要物の付着を抑制しながら、誘電体膜を適度なエッチングレート且つ良好なコントラストでエッチングすることを可能にする方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method has steps (S101, S102) of forming etching grooves XX on boundary lines between semiconductor chips CP from the main surface of a semiconductor wafer WF, for example in a former process, and a back-grinding step (S1042) as a subsequent process of grinding the whole rear surface of the semiconductor wafer WF to the etching grooves XX.
例えば、前工程プロセスにおいて、半導体ウエハＷＦの主面から各半導体チップＣＰ間の境界ラインにエッチング溝ＸＸを形成し（Ｓ１０１，Ｓ１０２）、次いで後工程となるバックグラインド工程において、半導体ウエハＷＦの裏面全体をエッチング溝ＸＸに到達するまで研削する（Ｓ１０４２）。 - 特許庁 - A first interlayer insulating film 2 laminating a first etching stopper layer 2a, a porous first dielectric constant film 2b, a first cap layer 2c, is formed on a lower layer wiring 1, and a via-hole 4 is also formed with the dry etching method using a resist mask 3 by utilizing a fluorocarbon gas including a large amount of carbon such as C_4F_8.
下層配線１上に第１エッチングストッパー層２ａ、多孔質の第１低誘電率膜２ｂおよび第１キャップ層２ｃの積層した第１層間絶縁膜２を形成し、Ｃ_４Ｆ_８のような炭素含有量が多いフルオロカーボンガスを用いレジストマスク３を使用したドライエッチングによりビアホール４を形成する。 - 特許庁 - The defect detection method of an SOI substrate at least has: a process for preparing an SC1 solution as an etching solution; a process for dipping the SOI substrate into the SC1 solution for etching; and a process for observing the defects of the etched SOI substrate by a detector.
少なくとも、エッチング溶液としてＳＣ１溶液を準備する工程と、ＳＯＩ基板を前記ＳＣ１溶液に浸漬してエッチングする工程と、前記エッチングしたＳＯＩ基板の欠陥を、検出装置で観察する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁 - The method comprises steps of obtaining pre-etched critical dimension (CD) measurements of a feature on a substrate, etching the feature, treating the etched substrate so as to reduce and/or remove sidewall polymers deposited on the feature during etching, and obtaining post-etched CD measurements.
本方法は、基板上のフィーチャのエッチング前の臨界寸法(CD)の測定値を得るステップと、フィーチャをエッチングするステップと、エッチング中にフィーチャ上に堆積された側壁上のポリマーを減少及び/又は除去するために、エッチングされた基板を処理するステップと、エッチング後のＣＤ測定値を得るステップとを有する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein, after etching a laminated film including a metal oxide film, an insulation film present thereunder is etched, and in that case, the enough large etching ratio of a conductor pattern made of an alloy comprising a semiconductor and a high melting point metal to the insulation film can be secured.
酸化金属膜を含む積層膜をエッチングした後でその下の絶縁膜をエッチングする場合に、半導体と高融点金属との合金よりなる導体パターンと上記絶縁膜とのエッチング選択比を十分大きく確保することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The plasma etching treatment method repeatedly performs plasma etching and plasma ashing for treating an object to be treated by generating glow discharge plasma obtained by applying an electric field between opposed electrodes in which at least one confronted surface is covered with a solid-state dielectric under pressure near atmospheric pressure.
大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。 - 特許庁 - The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.
高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁 - In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1.
これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.
オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching liquid little in trouble due to short circuit between conductor circuits and superior in circuit forming property by suppressing the generation of residue of a copper foil, even in an inner layer conductor circuit to which the rust preventing treatment such as chromate treatment has been applied, and to provide a manufacturing method of print wiring boards using the etching liquid.
クロメート処理等の防錆処理が施された内層導体回路においても、銅箔の根残りの発生を抑え、それにより導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性に優れたプリント配線板を提供し得るエッチング液、およびこのエッチング液を用いたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.
表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁 - The method comprises the steps of forming a plating resist to a metal plate as a lead for electrolytic plating, and then irradiating laser or partially etching to the metal plate of the part to be finally becoming a terminal for connecting the chip, forming a wiring pattern by the electrolytic plating, forming an insulating film on it, and removing the metal plate by etching at the end.
電解メッキ用リードとしての金属板にメッキレジストを形成後、最終的にチップ接続用端子となる部分の金属板に、レーザー照射もしくは、部分エッチングを行い、電解メッキにより配線パターンを形成し、その上に絶縁膜を形成し、最後に金属板をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.
ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the flexible printed board is characterized by maintaining an oxygen concentration in an etching processing atmosphere at 2 vol.% or below in a process of forming a copper wiring pattern by performing etching processing on a copper coating layer formed at least on one surface of an insulator film without interposing an adhesive.
フレキシブルプリント基板の製造方法であって、絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに形成された銅被覆層をエッチング処理して銅配線パターンを形成する工程における前記エッチング処理雰囲気の酸素濃度が、２体積％以下に維持されることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an plasma etching method by which, when a substrate having a structure in which a ferroelectric film made of an oxide is sandwiched between an upper electrode film and a lower electrode film is subjected to plasma etching, the lower electrode which is exposed as the ferroelectric film is etched more, is prevented from being etched.
酸化物からなる強誘電体膜が上部電極膜及び下部電極膜によって挟まれた構造を備える基板をプラズマエッチングする場合に、強誘電体膜のエッチングが進んで露出した下部電極までエッチングされるのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which an emitter and a gate finger electrode having a desired thickness can be formed without requiring exact control of etching thickness in the etching of a pressure-contact IGBT having an emitter and a gate finger electrode consisting of an extremely thin metal film.
極めて薄い金属膜からなるエミッタおよびゲートフィンガー電極を有する圧接型ＩＧＢＴにおけるエッチングにおいて、エッチング厚さの厳密な制御を必要とすることなく、所望の厚さを有するエミッタおよびゲートフィンガー電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method for etching a nitride silicon layer on the surface of a substrate includes a fist step S1 of exposing the substrate surface to a oxidizing solution, to form an oxide film on the surface of the nitride silicon layer and a second step S2 of exposing the substrate surface to a fluorine- containing solution for etching the oxide film.
基板表面の窒化シリコン層をエッチングする方法であって、基板表面を酸化性溶液に晒すことによって、前記窒化シリコン層表面に酸化膜を形成する第１ステップＳ１と、基板表面をフッ素含有溶液に晒すことによって、酸化膜をエッチングする第２ステップＳ２とを行うことを特徴としている。 - 特許庁 - To provide an electrode structure of a display panel in which excessive etching of an electrode located in a block boundary portion of a display area is prevented and the width of the electrode can be made uniformly by providing a dummy electrode which limits inflow of an etching reagent to the block boundary portion of a substrate end, and a method for forming its electrode.
表示パネルの電極構造及びその電極形成方法に関し、基板端部のブロック境界部分にエッチング液の流入を制限するダミー電極を設けることにより、表示領域のブロック境界部分に位置する電極の過度のエッチングを防止して、電極の幅が均一に仕上がるようにする。 - 特許庁 - The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.
プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁 - The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.
プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁
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