「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 97 98 99 100 101 102 103 104 105 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for forming a gate electrode in a nonvolatile memory device which can prevent an undercut from being formed in a control gate in a gate electrode etching process for defining the gate electrode.
ゲート電極を定義するためのゲート電極エッチング工程の際にコントロールゲートにアンダーカットが形成されることを防止することが可能な不揮発性メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for recovering alkali comprised in an alkali etching liquid of aluminum with a compact apparatus as the precipitation of alumina (Al_2O_3) is evaded and the storage of NaCO_3 and heavy metals is evaded.
アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３)の析出を回避し、ＮａＣＯ_３及び重金属の蓄積を回避しつつ、小型な装置で、アルミニウムのアルカリエッチング液に含まれるアルカリを回収する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method by which a mirror processing can be applied on a silicon substrate without degrading the surface roughness of a silicon material when hydrogen gas is used as etching gas.
水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma composition for dry-etching a stack of at least very chemically reactive materials for use of plasma using chlorine as a base, and a using method thereof.
本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a structure with an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent without etching the p-type nitride semiconductor region with the crystal grown.
結晶成長させたｐ型窒化物半導体領域をエッチングすることなく、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が隣接する構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a frequency adjusting method which does not cause deterioration of electrical characteristics of a piezoelectric oscillator due to ion etching used for adjusting the frequency of the piezoelectric oscillator.
圧電振動子の周波数調整を行うために用いるイオンエッチングに起因した圧電振動子の電気的特性劣化を引き起こさない周波数調整方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which is hardly causes the film-peeling of an interlayer insulating film on a polycide layer coated with a clamp upon etching treatment for creating a polysilicon gate electrode.
ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a piezoelectric film element capable of microfabricating a piezoelectric film layer in a short time by wet etching and selectively stopping microfabrication in a lower electrode layer.
ウェットエッチングにより圧電膜層を短時間で微細加工することを可能とし、下部電極層において選択的に加工を停止することを可能とした圧電膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a device and method for etching treatment which can suppress the contact between an etchant within a treatment vessel and a gas outside the treatment vessel, and can sharply reduce the concentration change of etchant.
処理槽内のエッチング液と処理槽外部の気体との接触を抑制することができ、エッチング液の濃度変化を大幅に低減させることができるエッチング処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a film by which, for example, a film having a composition containing Si, C, and N, particularly, a film containing Si, C, and N at an arbitrary ratio and used as an etching stopper layer can be formed.
例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜、特にＳｉとＣとＮとを任意の割合で含む膜を形成できる技術を提供することである。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range, and to provide a method for forming a resist pattern.
エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor wafer, wherein both surfaces of the surface and rear of a chamfered semiconductor wafer are lapped over, and then when the wafer is subjected to alkali etching with an alkaline solution, a defect which is generated in the surface of this wafer is removed.
面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラップし、次に半導体ウェーハをアルカリ性溶液でアルカリエッチングすると、このウェーハ表面に発生していた欠陥が除去される。 - 特許庁 - To provide an etching method with which deposition of reaction products called a fence can be suppressed when an AlNd layer to which Nd having heat resistance of approximately 400°C is added by 2 atom% is plasma etched.
４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a device and a method for processing a substrate capable of nicely removing unwanted substance from the peripheral rim of a substrate surface through etching in spite of the nature of the unwanted substance adhered to the substrate.
基板に付着する不要物の性状にかかわらず、基板表面の周縁部から該不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁 - With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the first metallic layer 43 to have the width W1 through the use of an anisotropic etching method, and then, the gate electrode with the lamination structure is formed ((c) in Fig.5).
次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁 - To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.
ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁 - A barrier insulating material 36 is deposited through a CVD method and formed by etching, with which the lower electrode 26 is set separate from the source region 18 and the drain region 20 by a distance D of 50 to 300 nm.
障壁絶縁材３６をＣＶＤ堆積した後エッチングにより成形し、下部電極２６とソース領域１８及びドレイン領域２０とが５０〜３００ｎｍの距離Ｄ離れるようにする。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method which can reduce bad influence on treatment results such as etching shape due to the wear of a focus ring, and can prolong the duration of service of the focus ring.
フォーカスリングの消耗に起因するエッチング形状などの処理結果への悪影響を極力低減するとともに、フォーカスリングの使用期間を長期化することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - In another method for the production of a polyimide optical waveguide, the polyimide of a lower clad is subjected to wet etching to form a groove, a core is formed in the groove by using a dispenser, and further, a clad consisting of a polyimide is formed on the polyimide of the lower clad.
下部クラッドのポリイミドをウェットエッチングし、その溝の部分にディスペンサによりコアを作製し、更に該ポリイミド上にポリイミドからなるクラッドを形成するポリイミド光導波路の製造方法。 - 特許庁 - The manufacturing method of the probe finger structure comprises a preparation step, consisting of an upper layer, an under layer and a wafer or a wafer part having an insulation or an etching stop layer which is located between the upper layer and the under layer.
上層、下層、及び、上層と下層との間に位置する絶縁又はエッチング停止層を有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階を含むプローブフィンガ構造体を製造する方法。 - 特許庁 - To relate to a reaction furnace which decomposes organic halogen gas such as PFC,HFC to be used in a wafer etching device such as a semiconductor production device into a harmless substance with high temperature, and also relate to a reaction method used for the same.
半導体製造装置などのウエハエッチング装置で使用されるＰＦＣ、ＨＦＣなどの有機ハロゲンガスを、高温で無害な物質に分解する反応炉、および反応方法に関する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a rugged structure, the method forming a uniform fine rugged structure by directly performing etching without performing development after abrasion or irradiation of laser light in the method of manufacturing the rugged structure using a resist layer made of a heat mode type recording material, and to provide a light-emitting element formed by applying the manufacturing method and a method of manufacturing the same.
ヒートモード型の記録材料で構成されたレジスト層を用いた凹凸構造体の製造方法において、アブレーションやレーザ光の照射後に現像を行うことなく直接エッチングを行って均一な微細凹凸構造を形成することができる凹凸構造体の製造方法、この製造方法を応用した発光素子、発光素子の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To solve a problem that an aluminum material after final annealing has an insufficient etching characteristic because a surface layer of the material is unevenly dissolved when the surface layer is dissolved by washing in a conventional manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor, and to provide a method of manufacturing the aluminum material for the electrolytic capacitor that has an excellent etching characteristic and achieves high electrostatic capacitance.
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れ高静電容量を実現できる電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - The production method for a vehicle window glass for forming an infrared reflective film using a vacuum deposition method is characterized by involving a process for removing, by means of dry etching, the film edge of an infrared reflective film having an electromagnetic wave transmission window that has been formed using a masking material and transmits electromagnetic waves, and is particularly characterized by using a whetstone or a laser as the dry etching means.
真空成膜法を用いて赤外線反射膜を形成する車両用窓ガラスの製造方法であって、マスキング材を用いて形成した電磁波を透過する電磁波透過窓を有する赤外線反射膜の膜端部をエッチングにより除去する工程を有することを特徴とし、特に上記エッチング手段として砥石又はレーザーを使用することを特徴とする車両用窓ガラスの製造方法。 - 特許庁 - To provide a cleaning liquid which removes iodine and an iodine compound that remain in a semiconductor device, when etching by using an iodine based etching liquid to form a gold electrode or gold wiring in the semiconductor device, and which will not give secondary damages to the semiconductor device, and to provide a cleaning method that uses the cleaning liquid, and the high-reliability semiconductor device cleaned by this cleaning method.
半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁 - An etchant that selectively etches an oxide film containing hafnium and silicon, an oxide film containing hafnium and aluminium, an oxide film containing zirconium and silicon, or an oxide film containing zirconium and aluminium with respect to a thermally oxidized film; a method for producing an etching material that etches materials to be etched on which the above oxide films and a silicon oxide film are formed; and the etching material obtained from the method are provided.
熱酸化膜（THOX）に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜，ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜，ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液；該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法；該方法により得ることができるエッチング処理物。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.
本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁 - The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film.
絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。 - 特許庁 - To provide a method for etching an ultraviolet light-transmitting polymer material that realizes high-quality and high-speed processing by a simple technique without detriment to excellent light transmission properties inherent in the material even in a processing region when the ultraviolet light-transmitting polymer material such as CYTOP (R) is etching-processed.
サイトップ（登録商標）などの紫外光透過性高分子材料をエッチング加工する際に、加工領域においても材料本来が持つ優れた光透過特性を損なうことなしに、簡便な手法により高品質かつ高速な加工を実現することができるようにした紫外光透過性高分子材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electronic device for removing a metal bonded to the surface and sidewalls of wiring, a polymer caused by a resist and the residue of an alteration layer without thinning the wiring by etching, in post-treatment by which wiring constituted of aluminum or an aluminum alloy is formed by reactive-ion etching.
リアクティブイオンエッチングを用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成した後処理において、その配線のエッチングによる細り等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma-etching method which prevents the surface and the sidewall of ArF photoresist from being roughened when high anisotropy plasma-etching is performed by applying a high bias voltage, and forms a pattern of a desired shape by controlling occurrence of striation, LER and LWR, and to provide a computer storage medium.
高いバイアス電圧を印加した異方性の高いプラズマエッチングを行う際においても、ＡｒＦフォトレジストの表面及び側壁の荒れを抑制することができ、ストライエーション、ＬＥＲ、ＬＷＲの発生を抑制して所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁 - The hole formation method includes: a hole formation step for forming a hole by etching a first film formed on a substrate; a second film deposition step of depositing a second film on the first film so that the upper side of the hole becomes thick and the bottom side becomes thin; and a shape correction step of correcting the shape of the hole by etching the first and second films.
基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 - 特許庁 - The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103.
表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁 - To provide a method for removing material from a semiconductor substrate by grinding, in which the semiconductor substrate and a grinding wheel opposited to the semiconductor substrate are rotated independently of one another, and the damage on the semiconductor substrate by a grinding stone, especially the damage on the center section of the substrate is decreased, and a subsequent etching can be reduced into fine quantity, or the etching can be omitted.
半導体基板と、この半導体基板に向き合う砥石車を互いに独立して回転させて半導体基板を研削するものであって、砥石による半導体基板の損傷、特に基板の中央部の損傷を減少させ、次いで行われるエッチングを微少量とするか、またはエッチングを省くことが可能な方法を提供する。 - 特許庁 - In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.
被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁 - The method of uniformalizing the electrochemical etching is carried out by arranging a block of an insulating body on the outermost part of the part-to-be-worked surface of a panel in the electrochemical etching of a hole on the surface of the panel by applying voltage between the panel used as an anode and a cathode of a counter electrode in an aqueous solution tank.
本発明の電気化学的エッチングの均一化手法は、水溶液槽内においてパネルを陽電極とし対向電極の陰電極との間に電圧を印加して前記パネルの面に穴を電気化学的反応でエッチング加工する際に、前記パネルの被加工面部の最も外側部分に絶縁体のブロックを配置してエッチングを実施するようにした。 - 特許庁 - A sine-wave or sine-wave half-wave type resist pattern corresponding to grating grooves is formed on a substrate 10 by a holographic exposure method, and then the substrate 10 and resist 21 are etched until the resist reaches an approximately 1/3 height through a 1st etching stage of irradiating them with an ion beam obliquely at the same angle as a blaze angle while using CF_4 as etching gas.
ホログラフィック露光法により基板１０上に格子溝に対応した正弦波状又は正弦半波状のレジストパターン２１を作製し、その後、ＣＦ_4をエッチングガスとしてブレーズ角と同じ角度で斜めからイオンビームを照射する第１エッチング工程によりレジストが約１／３の高さになるまで基板１０とレジスト２１とを削る。 - 特許庁 - In this manufacturing method, a projection for forming a contact terminal 42 is formed by anistropic etching of a silicon wafer with a silicon dioxide film as a mask, and a cantilever having a projection is formed by anistropic etching the silicon dioxide film on the periphery of the projection in a projecting shape sideways, and a contact terminal 42 and draw-out wiring 40 are formed by using a conductive coating.
接触端子４２を形成するための突起を、二酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンウェハの異方性エッチングにより形成して、この突起の周辺の二酸化シリコン膜をコ字形に異方性エッチングすることにより、突起を有した片持ち梁を形成し、導電性被覆を用いて、接触端子４２、および引き出し用配線４０を形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a device comprises a device forming step for forming the device by sticking respective rear surfaces of a pair of glass substrates 31 and 33, on the rear surfaces of which thin film devices are formed and injecting a liquid crystal between the glass substrates 31 and 33; and an etching step for etching the respective surfaces of the pair of glass substrates 31 and 33, after the device forming step.
裏面に薄膜デバイスが形成された一対のガラス基板３１，３３のそれぞれの裏面を相互に貼り合わせてガラス基板３１，３３間に液晶を注入することによりデバイスを形成するデバイス形成工程と、デバイス形成工程後に第一対のガラス基板３１，３３のそれぞれの表面をエッチングするエッチング工程と、を有する。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises a step for forming a fin-shaped projection 5 using plasma etching on a single-crystal silicon layer 3 of the SOI wafer, a step for forming a sacrificial oxide film 6 on the top surface containing the damage arising on the projection 5, a step for eliminating the sacrificial oxide film 6 by wet-etching, and a reflow step for heating a buried oxide layer 2 for reflow.
ＳＯＩウエハにおける単結晶シリコン層３にプラズマエッチングを施して、フィン状の突起部５を形成する工程と、突起部５に生じたダメージを含む表面に犠牲酸化膜６を形成する工程と、犠牲酸化膜６をウエットエッチングにより除去する工程と、埋め込み酸化物層２を加熱してリフローさせるリフロー工程とを含む。 - 特許庁 - This invention is industrially useful as the method where, from an etching waste liquid produced when the indium-containing material to be etched such as an ITO film is subjected to etching treatment with an oxalic acid solution, and in which metal components such as indium and tin are present as complex compounds together with oxalic acid, the indium whose separation/recovery are extremely difficult owing to its low concentration is selectively separated/recovered.
ＩＴＯ膜などのインジウム含有被エッチング材をシュウ酸溶液でエッチン処理した際に生ずるインジウム、スズなどの金属成分がシュウ酸と共に錯体化合物として存在するエッチング廃液から、低濃度のため分離回収が極めて困難なインジウムを選択的に分離回収する方法として工業的に有用である。 - 特許庁 - A method for manufacturing a ridge type semiconductor laser comprises: a semiconductor stacked layer forming step S1 for forming a semiconductor stacked layer 23 having an active layer 13 and an etching stop layer 17; a first semiconductor stacked layer etching step S3; a semiconductor part forming step S5; a ridge waveguide part forming step S7; and a semiconductor diffracting grating element forming step S9.
リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。 - 特許庁 - To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.
金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.
１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁 - The machining method further comprises a step 105 for forming an oxide film etching mask pattern corresponding to a deep trench in the upper surface of the oxide film, a step 106 for forming the mask pattern on the upper surface of the silicon substrate 1, and a step 107 for making two trenches of desired profile and depth in the silicon substrate 1 by etching.
該酸化膜の上面に、深い溝に対応して、酸化膜エッチングマスクパターンが作製され（工程１０５）、エッチングにより、シリコン基板１の上面には、当該酸化膜マスクパターンが形成されて（工程１０６）、エッチングにより、シリコン基板１に対しては、それぞれ所望の形状ならびに深さを有する二つの溝が形成される（工程１０７）。 - 特許庁 - A process for eliminating an insulating film formed on a Cu film in a method for eliminating the insulating film comprises a process for etching under conditions, where the penetration of an etching active species onto the surface of a Cu film is 15 nm or less on the surface of the Cu film; and a process for washing the surface of the Cu film after eliminating the insulating film.
Ｃｕ膜上に形成された絶縁膜を除去する工程において、Ｃｕ膜表面へのエッチング活性種の入り込みがＣｕ膜表面から１５ｎｍ以下となる条件でエッチングを行う工程と、絶縁膜を除去した後Ｃｕ膜表面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の除去法方法を提供する。 - 特許庁 - A process for making oxidizing gas, containing oxygen into plasma and exposing a silicon material in the plasma gas, is provided as another process different from an etching process or a protective film depositing process; and then, a method wherein these processes are repeated sequentially is adopted, whereby an etching arriving surface can be very much smoothed, even when a complex silicon form having level differences is etched.
酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.
ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁 - In this method of manufacturing, grooves 22 formed on a surface of a semiconductor substrate 21 are filled with film 23, and in etching the film 23 down to point A inside grooves 22, etching rate from point B at the substrate surface to point A can be higher than the rate from point A to point C at the bottom of the grooves by implanting impurity ions down to point A.
半導体基板２１の表面部分に溝２２が形成され、膜２３で埋め込まれており、溝２２の内部のＡ点まで膜２２に対してエッチングを行う場合、Ａ点まで不純物イオンを注入することで、基板表面のＢ点からＡ点までのエッチング速度が、Ａ点から溝底面のＣ点までの速度よりも速くなる。 - 特許庁 - A method for forming the transducing head 40 having a magnetic recording element includes: a step for forming a pedestal 48 in the vicinity of a recording pole 42 and a gap layer 46; a step for depositing a front shield 56 on the pedestal; a step for etching the front shield; and a step for depositing a backfill layer 50 on the front shield after etching.
磁気記録素子を有する変換ヘッド４０を形成するための方法は、記録ポール４２およびギャップ層４６の近傍に台座部４８を形成するステップと、前方シールド５６を台座部上に堆積するステップと、前方シールドをエッチングするステップと、エッチングの後、バックフィル層５０を前方シールド上に堆積するステップとを含む。 - 特許庁
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