「etching method」を含む例文一覧(6852)
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本発明は、例えば、半導体の製造方法に関し、アクティブ領域の酸化と食刻とを行った際に、Ｌｏｃｏｓ酸化膜の後退によって生じる段差による影響が生じないようにすることが課題である。 - 特許庁 - To provide a method in which a semiconductor device, in which a working uniformity cannot be obtained in a plasma etching pattern determined by a basic structure can be etched by a plasma in the excellent working uniformity.
基本構造で決まるプラズマエッチングパターンでは優れた加工均一性を得ることができない半導体デバイスを、優れた加工均一性でプラズマエッチングすることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition excellent in resolution, line edge roughness and etching resistance, and excellent in sensitivity and a pattern profile; and to provide a pattern forming method using the composition.
解像度、ラインエッジラフネスおよびエッチング耐性に優れ、かつ感度及びパターン形状に優れる感活性光線性または感放射線性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.
フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for accurately adjusting the phase contrast of a phase shift mask by appropriately selecting materials used for the phase shift mask (a transparent substrate and a phase shifter film) and an etching solution.
位相シフトマスクに使用される材料（透明基板及び位相シフタ膜）及びエッチング薬液を適宜選定することにより、位相シフトマスクの位相差を精度良く調整する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This etching processing method of a piezoelectric wafer forms masks 18 having openings 16 on an one surface 12 of the piezoelectric wafer and the other surface 14 thereof, and etches the openings 16 to form a through-groove.
圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁 - A groove is cut in the surface of a silicon base material 1 by a reactive ion etching method, at a position at which a gourd ring 3 is formed, and silicon different in characteristics from the silicon base material is deposited in the groove for the formation of the guard ring.
シリコン母材１表面のガードリング３を形成すべき箇所に、反応性イオンエッチングにより溝を形成し、この溝に母材と特性の異なるシリコンを堆積させて、ガードリング３を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an MEMS device which can reduce the size of an etching area in the plane direction when releasing an MEMS structure, can be miniaturized and has excellent manufacturing efficiency.
本発明は、ＭＥＭＳ構造体をリリースするときのエッチング領域の平面方向の大きさを軽減することを可能とし、小型化が図れて製造効率が良好なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive film which does not erode a supplemental electrode when patterning, disusing a complicated patterning process like photolithographic etching, and a manufacturing method of the same, and to provide an electroluminescent element using the same.
フォトリソ・エッチングなどの複雑なパターニング工程が不要であり、また、パターニング時に補助電極を侵食しない透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁 - An etching method comprises a step of supplying a silylating agent onto a substrate having a silicon nitride film and a silicon oxide film exposed on the surface thereof, to form a protection film composed of a silylated film on the surface of the silicon oxide film.
エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、シリル化剤を供給してシリコン酸化膜表面にシリル化膜からなる保護膜を形成する工程を有している。 - 特許庁 - The method for manufacturing the magnetic head comprising subjecting a contact surface 14 of the magnetic head 1a or 1b to a short time of ion etching, then directly coating the surface with a thin DLC film 15 as the protective layer and the magnetic head are provided.
磁気ヘッド１ａ又は１ｂの接触面１４に短時間のイオンエッチングを施した後に保護層としての薄いＤＬＣ膜１５を直接的にコーティングした磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドを得る。 - 特許庁 - To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.
低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for removing etching residues from ≥1 opening part formed in ≥1 one layer of small relative permittivity insulating materials on the copper metal interconnecting layer of the integrated circuit structure.
集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための方法を提供する。 - 特許庁 - The method further comprises steps of perforating a contact hole CONT in the insulating film 8 with the silicon nitride film 7 as an etching stopper layer, then removing the exposed silicon nitride film 7, and then exposing an n-type semiconductor region D for forming a drain.
次いで、窒化シリコン膜７をエッチングストッパ層として絶縁膜８にコンタクトホールＣＯＮＴを穿孔した後、露出した窒化シリコン膜７を除去して、ドレインを形成するｎ型半導体領域Ｄを露出する。 - 特許庁 - To provide an etchant for copper oxide selectively dissolving only one type of copper oxide when copper oxides with different oxidation degrees are present, and to provide an etching method for copper oxide by using the etchant.
異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can be manufactured without adding a process where a defect part does not occur in an insulation protection film and the manufacturing cost is raised after an etching process for opening a bonding pad, and to provide a manufacturing method of the device.
ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程後、絶縁保護膜に欠損部が発生せず、製造コスト上昇となる工程の追加無しに製造できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.
複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - Further, the laser processing method carries out various laser processings of a processing, reforming or film formation, such as a perforation, etching, doping or annealing, with respect to a processing object (work 26) by using a laser energy generated to a related laser processing device.
また、レーザ処理方法は、係るレーザ処理装置に発生させたレーザエネルギを用いて被処理物（ワーク２６）に対し、穿孔、エッチング、ドーピング、アニール等、加工・改質・成膜等の各種のレーザ処理を行う。 - 特許庁 - The layer 40 is etched by a plasma etching method using the masks 42 to form a wiring structure 44 consisting of the film 34, the layer 36 and the film 38 on a base layer.
エッチングマスク４２を使ってプラズマエッチング法によって配線層４０をエッチングして、下地層上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜、Ａｌ−Ｃｕ合金層及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜からなる配線構造４４を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element, with which changes in the contact resistance value between the upper metal layer and the lower metal layer can be minimized, by preventing etching of the lower metal layer, when forming a contact hole.
コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid jet head suitable to make nozzles densified and longer by applying anisotropic etching to a silicon wafer a surface of which is <110> plane and forming the liquid jet nozzles having rectangular cross-sections.
表面が〈１１０〉面のシリコンウエハに異方性エッチングを施して断面矩形状の液吐出用ノズルを形成し、ノズルの高密度化および長尺化に好適な液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sealing plate 30 is fabricated from a plate-like transparent glass material plate made of non-alkali glass by, for instance, wet-etching method, and its center part is machined into a recessed form so as to define a peripheral projection part 31 in its peripheral part.
封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、周辺部に周辺突条部３１を規定すべく中央部が凹状に加工されている。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method by which a resist pattern having a halftone pattern portion is formed using a photosensitive resist composition so that excellent residual film thickness exposure margin and dry etching resistance of the halftone pattern portion are ensured.
感光性レジスト組成物を用いて、ハーフトーンパターン部を有するレジストパターンを形成する方法であって、ハーフトーンパターン部の残膜厚露光マージンと耐ドライエッチング性に優れたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a reflection preventing film, which has a high etching rate, and with which problems associated with embedding characteristics, removability with a stripper, and reflected light absorption characteristics are improved, and a wiring forming method using the composition.
高エッチングレートを有し、埋め込み特性、剥離液による剥離性および反射光吸収特性の問題を改善した反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical film having enhanced adhesiveness between a TAC (triacetyl cellulose) substrate and PVA or an optical thin film, one surface of the substrate subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma, and to provide a method for manufacturing the same.
一方の面にプラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施されたＴＡＣ基材とＰＶＡ、光学薄膜との密着性を強化する光学フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can enhance fabrication efficiency of the product, i.e. the semiconductor device, while suppressing the in-plane variations of the etching conversion difference within the plane of a semiconductor substrate.
半導体基板面内におけるエッチング変換差の面内ばらつきを小さく抑えるとともに、製品たる半導体装置の製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of pattern formation includes a step for coating a pattern formed on an organic film of a layered product comprising a base and the organic film with the film-forming material and etching the organic film using this pattern as a mask.
基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 - 特許庁 - By selective oxidation, a silicon oxide film 6 as thick as 3 nm or so is formed, a silicon nitride film 7 of thickness 10 nm or so is formed through a CVD method, and the silicon nitride film 7 is etched using the silicon board 10 as an etching stopper.
選択酸化により、約３ｎｍのシリコン酸化膜６を形成し、ＣＶＤにより、約１０ｎｍのシリコン窒化膜７を形成した後、シリコン基板１０をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜７がエッチングされる。 - 特許庁 - In a cleaning method, a cleaning etching gas is used for removing a film stuck to a wall of a reactive tube 16 and a part in the reactive tube 16 of a reduced CVD system 10.
本クリーニング方法は、クリーニング用エッチングガスを使用して、減圧ＣＶＤ装置の反応管の壁及び反応管内に設けられた部品の壁に付着した被クリーニング膜をエッチング除去するガスクリーニング方法である。 - 特許庁 - To provide an automated method for removing or etching embedding media by exposing biological samples for use in histochemical or cytochemical staining procedures without depending on organic solvents.
有機溶剤に依存しないで組織化学的または細胞化学的染色法に使用するために、生物学的試料を暴露することによる包埋媒体の除去またはエッチングのための自動化された方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a metallic pattern forming method capable of forming a minute metallic pattern without performing an etching process, the metallic pattern which is excellent in bonding properties with a substrate, has sufficient conductivity, and has small unevenness on an interface with the substrate.
エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さな金属パターン形成方法の提供。 - 特許庁 - The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.
本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of electro-optical device capable of erasing micro-damages and cracks existing on a substrate edge and a cut face by etching without damaging wiring, and to provide an electro-optical device and an electronic equipment.
配線を損傷することなく、基板縁および切断面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method or producing aluminum foil for an electrolytic capacitor where, when aluminum foil for an electrolytic capacitor is largely subjected to annealing treatment at a time, an oxide film is suitably formed, and satisfactory etching properties are obtained, so as to be able to produce an electrolytic capacitor of high quality.
電解コンデンサ用アルミニウム箔を一度に大量に焼鈍処理する際に、酸化皮膜を適切に形成して良好なエッチング性を得て高品質の電解コンデンサの製造を可能にする。 - 特許庁 - To provide a flow sensor manufacturing method capable of preventing the inside surfaces of through holes from being roughened by etching when the through holes are formed and reducing variations in the cross-sectional areas of the through holes and variations in output characteristics of a sensor.
貫通孔の形成においてエッチングによる貫通孔内側面の荒れを防止して、貫通孔の断面積のばらつき、ひいてはセンサの出力特性のばらつきを抑えたフローセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Surface roughness of the optical component polished by using the finishing method but is not etched yet is less than 0.5 nm, the surface roughness after polishing and etching is less than 0.6 nm, and step height of the surface roughness is less than 6 nm.
本方法を用いて得られた光学素子の、研磨されたがエッチングされない表面の粗さが０．５ｎｍ未満、研磨およびエッチング後の表面の粗さが０．６ｎｍ未満、およびステップ高が６ｎｍ未満である。 - 特許庁 - To solve the problem of the characteristics of a thin-film transistor becoming ununiform, because the amount of regression due to the side-etch varies when a Mo-W alloy film which is to become the gate of the thin-film transistor is processed with wet-etching method which ensures superior productivity.
薄膜トランジスタのゲートとなるＭｏ−Ｗ合金膜を、生産性に優れるウェットエッチ法により加工すると、サイドエッチによる後退量が変動するため、薄膜トランジスタの特性が不均一になる。 - 特許庁 - To provide a method for easily obtaining a rare earth oxide coating film to be used for the corrosion-resistant film of an inner wall of a plasma etching chamber, the coating film of an inner surface of a glass bulb of a fluorescent lamp, or the like as a dense and smooth coating film.
プラズマエッチング処理室内壁の耐食性皮膜や蛍光ランプのガラスバルブ内面の皮膜などに用いられる希土類酸化物皮膜を、簡便に、緻密平滑な皮膜として得る方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure of a semiconductor laser which is easy to detect the final point of etching, in the case of working a width of an active layer of the emission end to a submicron size, and which can prevent mismeasurement, and to provide a method for manufacturing the same.
出射端部の活性層幅をサブミクロンサイズまで加工する際に、エッチングの終点検出が容易で、誤測定を防止できる、半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The channel protective film 15a comprises a plurality of insulation layers whose etching rate increases going toward the lower layers, and is patterned by a photolithographic method to be formed into an inverted tapered shape, which is wider at the upper side and narrower at the lower side.
チャネル保護膜１５ａは、例えば下側の層ほどエッチングレートが大きい複数の絶縁層により形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、上側が広く下側が狭い逆テーパ状に形成する。 - 特許庁 - To provide a ceramic product in which a projected and recessed pattern having a smooth surface can be formed without partially removing a covered glass layer, and which can improve productivity, and to provide a method for etching the same.
被覆ガラス層を部分的に除去することなく、表面平滑な凹凸パターンを形成することができ、生産性を向上させることができるセラミックス製品及びそのエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for etching a wafer by which a thin film pattern having prescribed dimensional precision can be deposited on a wafer even in the case the amount to be etched can not directly be measured by using a microscope or the like.
顕微鏡等を用いてエッチング量を直接計測できない場合であっても、所定の寸法精度を有する薄膜パターンをウエハ上に形成することが可能なウエハのエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for forming a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy by which a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy having excellent corrosion resistance and coating film adhesion can be formed on the surface of a magnesium alloy without requiring etching treatment.
エッチング処理を行う必要なしで、マグネシウム合金の表面に、耐食性、塗膜密着性に優れた化成処理被膜を形成し得る、マグネシウム合金の化成処理被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a CMOS image sensor which can suppress fixed pattern noise(FPN) by eliminating etching damage generated in a surface of a semiconductor substrate forming a photodiode during a full-scale E/B, and its manufacturing method.
全面Ｅ／Ｂの時にフォトダイオードを形成する半導体基板の表面に生じるエッチングダメージを無くして固定パターンノイズ（ＦＰＮ）を抑制することのできるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a composition for wet etching capable of effectively preventing a leaning phenomenon between lower electrodes which comes out when a capacitor of a cylinder type is manufactured, and also to provide a method of manufacturing a capacitor using the composition.
シリンダー型キャパシタの製造時に生じる下部電極間のリーニング現象を効果的に防止することができる湿式食刻に用いられる組成物及びこれを用いたキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a metalized polyimide film which does not deteriorate the etching characteristic and plating life of a wiring circuit pattern and has a strong adhesive strength, excellent durability and good migration resistance, and also to provide its production method.
配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、接着強度が強く、かつその耐久性に優れ、耐マイグレーション特性の良い金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.
溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a fine pattern which exceeds the conventional limit of conventional fine work by succeeding previously established i-beam exposure technology as it is and correcting etching technology.
既に確立されたｉ線露光技術はそのまゝ継承してエッチング技術を小修正することで、従来の微細加工の限界を越える微細パターンを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an industrially advantageous method for the wet etching of a laminate which is obtained by bonding a non-thermoplastic polyimide layer to a metal layer with a thermoplastic polyimide and which is mounted on, e.g. a flexible printed wiring, TAB and COF.
フレキシブルプリント配線、ＴＡＢ、ＣＯＦなどに実装される、金属層に非熱可塑性ポリイミド層を熱可塑性ポリイミドで接着してなる積層体を、ウエットエッチングするための工業的に有利な方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nitride compound semiconductor device which employs a layer that can be subjected to wet etching as the etch stopper layer to control the structure with high accuracy in a crystal growth stage.
ウエットエッチングが可能な層をエッチングストップ層として用いることにより、結晶成長段階における構造を高精度に制御することができる窒化物系化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
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