「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 105 106 107 108 109 110 111 112 113 .... 137 138 次へ＞- The method of manufacturing the semiconductor device having wiring and a plug connected to wiring is provided with a step for forming an insulating film on wiring, a step for forming an opening in the insulating film by dry etching for forming the plug, and a step for removing the reaction product generated by dry etching with plasma discharge by hydrogen simple substance gas or gas comprising nitrogen.
配線と、配線に接続されるプラグとを有する半導体装置の製造方法であって、配線上に絶縁膜を形成する工程と、プラグを形成するためにドライエッチングにより絶縁膜に開口を形成する工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により上記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程とを有するものである。 - 特許庁 - By this method, etching residues are removed without sputtering copper at the bottom parts of the opening parts, by providing an anisotropic hydrogen plasma, making ions in the plasma chemically react on the etching residues at the bottom of opening part including copper oxide on an exposed copper surface as ≥1 in relative permittivity, and then washing an exposed part on the copper surface.
本方法は、異方性水素プラズマを提供して、プラズマ中のイオンと、露出した銅表面上の酸化銅を含む一以上の開口部の底部におけるエッチング残留物との間に化学反応を起こさせ、それによって、銅表面の露出した部分を洗浄して、開口部の底部で銅をスパッタリングすることなくエッチング残留物を除去することを含む。 - 特許庁 - The etching method for the semiconductor element includes a step of introducing a semiconductor substrate having a material film and a photoresist film formed thereon in increasing order, into a chamber, a step of injecting a precursor gas not containing fluorine into the chamber to form a hydrocarbon film on the photoresist film, and a step of injecting an etching gas into the chamber to etch a material to be etched.
物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing semiconductor device includes steps of conducting an etching process to a film formed on a semiconductor substrate and peeling the deposits on the film by supplying a chemical solution, after the etching process, to the semiconductor substrate in a state where the substrate is rotated in the number of rotations lower than the predetermined number of rotations and then rotating the semiconductor substrate in the number of rotations larger than the predetermined number of rotations.
半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。 - 特許庁 - The processing method comprises applying powers, having two different frequencies from high-frequency power sources 6, 9 to a cathode 3 with a substrate 2 mounted thereon, monitoring the two frequencies concerning a voltage in a vacuum reaction chamber 1 during etching, using impedance probes 4, 7 and taking the time point as an etching end point, when the voltage time change ratio of the two frequencies is changed greatly.
被処理基体２を載置するカソード３に二つの異なる周波数を有する電力を高周波電源６，９により印加し、エッチング時の真空反応室１内の電圧に関して上記二つの周波数についてインピーダンスプローブ４，７によりそれぞれモニタし、二つの周波数の電圧の時間変化の比が大きく変化した時点をエッチングの終点とする。 - 特許庁 - To satisfy magnetic characteristics, film thickness, adhesion, uniformity, smoothness, etc. required for a soft magnetic backing layer of a vertical magnetic recording medium to be a hard disk by forming a soft magnetic plating film by an electroless plating method after applying etching processing to a glass substrate by using an etching solution capable of uniformly applying suitable roughness to the surface of the glass substrate without generating defects.
表面に適度な粗さを均一に欠陥なく付与することが可能なエッチング液を用いてガラス基板にエッチング処理を施した後に無電解めっき法により軟磁性めっき膜を形成することにより、ハードディスクとしての垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層に要求される磁気特性、膜厚、密着性、均一性、平滑性などを満足させる。 - 特許庁 - In this etching treating method for cleaning a cleaning member, the cleaning member set in a cleaning tank is subjected to wet etching treatment using a chemical solution, the chemical solution after the completion of the treatment is moved to an another tank through at least one piping, and the cleaning member is not moved and is subjected to water washing treatment in the same cleaning tank.
洗浄部材を洗浄するエッチング処理方法において、洗浄槽内に設置した該洗浄部材を、化学溶液を用いてウエットエッチング処理を行い、処理終了後の該化学溶液を、少なくとも一つの配管を通して別槽へ移動し、該洗浄部材は移動せず、同一洗浄槽内で水洗処理を行うことを特徴とするエッチング処理方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first mask pattern on a layer to be etched; forming a second mask pattern on the layer to be etched; forming a spacer on the sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern; and etching the layer to be etched on the basis of an etching mask in which the second mask pattern was removed.
本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被エッチング層上に第1マスクパターンを形成する段階、被エッチング層上に第2マスクパターンを形成する段階、第1マスクパターン及び第2マスクパターンの側壁にスペーサを形成する段階、及び第2マスクパターンが除去されたエッチングマスクを基準に前記被エッチング層をエッチングする段階を含む。 - 特許庁 - This manufacturing method comprises the steps of machining the {0001} plane of silicon carbide, etching the surface of the silicon carbide by plasma of a material containing at least a halogen after the machining step, and exposing the surface of the silicon carbide to a plasma of a material not containing a halogen and containing at least oxygen after the etching step.
炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light.
基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。 - 特許庁 - The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.
石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁 - The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.
半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁 - In the light-transmission thin film solar cell module, the light-transmission area is formed by using a mask blank-assisted sandblasting etching method including: a step of positioning a mask blank to cover the back electrode of the thin film solar cell module; and a step of performing a sandblasting etching to the mask blank to form the light-transmission area in the thin film solar cell module.
マスクブランクスを薄膜太陽電池モジュールの背電極に位置決めをして覆わせるステップと、マスクブランクスに対してサンドブラスト・エッチングを施し薄膜太陽電池モジュールに透光性領域を形成するステップと、を含むマスクブランクス補助サンドブラスト・エッチング法を使用して、透光性領域を形成することを特徴とする透光性薄膜太陽電池モジュールを製造する。 - 特許庁 - To provide an exposure mask and a method for making a mask pattern by which not only the focus margin is improved in a photolithographic process but shrinkage in a line end is suppressed, and difference in the finish dimension in an etching process is suppressed.
フォトリソグラフィー工程において、フォーカスマージンを向上させるだけでなく、ライン末端部の縮みを抑制し、かつエッチング工程において仕上がり寸法差を抑制する、露光用マスクとマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a CVD facility having a plasma etching device capable of removing a naturally deposited oxide film inevitably generated in transferring a semiconductor wafer substrate to a thin film deposition step, and a thin film deposition method utilizing the CVD facility.
薄膜形成工程への半導体ウェーハ基板の移送時に不可避的に生成される自然酸化膜を除去できるプラズマエッチング装置を具備したＣＶＤ設備、および同ＣＶＤ設備を利用した薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a diffusion bonding article, in which it can be simply and exactly confirmed whether many sheet members, each having a pattern formed by etching, are laminated in a correct order, correct front and back sides, and a correct angle, and a manufacturing method, therefor.
エッチングによりパターンが形成された多数枚のシート状部材が、正しい順序・表裏・角度で積層されているかを簡単かつ正確に確認できるよう工夫した拡散接合品及びその製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a porous insulating film in which the etching damage can be improved while maintaining the low dielectric constant and the mechanical strength of the insulating film, as it is, without requiring any complicated control, or the like, in the process, and to provide a method of producing the same.
工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween.
このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing cover glass which improves an etching rate to improve cover glass productivity and forms the cover glass of a high shape accuracy even if its shape is complicated, and to provide the cover glass.
エッチングレートを向上させることによりカバーガラスの生産効率を向上し、さらには、複雑な形状であっても、形状精度の高いカバーガラスを形成することができるカバーガラスの製造方法およびカバーガラスを提供する。 - 特許庁 - To obtain a liquid crystal display device whose array substrate wherein a thin film transistor including an etching preventing film is constituted can be fabricated by three mask processes and to obtain a method of fabricating the same.
液晶表示装置用アレイ基板の製作において、エッチング防止膜を含む薄膜トランジスタが構成された液晶表示装置用アレイ基板を３マスク工程によって製作可能な液晶表示装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process.
エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method, a chemically amplified resist composition and a resist film which satisfy high sensitivity, high resolution, excellent roughness performance and excellent dry etching resistance, and further have excellent developing time dependency.
高感度、高解像性、優れたラフネス性能、及び、優れたドライエッチング耐性を同時に満足するとともに、更には、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。 - 特許庁 - Further, in this patterning method for the insulating layer, by simplifying a conventional usual lithographic process, an etching process and a stripping process, the processes are simplified, process cost is reduced and process time is shortened.
また、本発明による絶縁層のパターニング方法は、従来の通常的なリソグラフィ工程、エッチング工程及びストリッピング工程を単純化することによって、工程の単純化、工程コストの低減及び時間短縮の効果をもたらす。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device whose junction breakdown voltage between an emitter and a base can be increased, and damages or the like in the base layer caused by isotropic dry etching can be eliminated, in a semiconductor device including a self-aligned bipolar transistor.
自己整合型バイポーラトランジスタを含む半導体装置のエミッタ・ベース接合耐圧を向上させ、等方性ドライエッチングによってベース層に与えるダメージ等が解消できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for producing the porous glass includes: a step for separating phases into a silica-rich phase and a non-silica rich phase by carrying out phase separating processing by heating the borosilicate glass; and a step for dissolving out the silica-rich phase by etching with solution.
前記ホウケイ酸塩ガラスを加熱による分相処理をしてシリカリッチ相と非シリカリッチ相に相分離させる工程、前記非シリカリッチ相を溶液によるエッチングにより溶出させる工程を有する多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁 - To provide a method of inexpensively manufacturing a structure having an uneven pattern that is uniform and fine over a large area, and an etching mask used for forming the uneven pattern that is uniform and fine over a large area.
低コストで、かつ、大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを有する構造体の製造方法及び大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを形成するために用いられるエッチングマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a large margin in a manufacturing process, especially a contact etching process, by forming a high-quality semiconductor device without adding any mask processes.
微細化のために浅く形成されたソース、ドレインはその後の工程で絶縁膜のエッチング、メタル配線の堆積、熱アニールが行われ、ソース、ドレイン領域に上部からダメージが加えられ、ソース、ドレインが機能不具合となる課題が生じる。 - 特許庁 - To provide a photocurable resin composition which is of low volatility and low viscosity and is excellent in such etching resistance as is usable for the optical nanoimprint technique to work a substrate with a high accuracy; a method for forming patterns using the same; and a microstructure.
低揮発性、低粘度で、基板を高精度に加工する光ナノインプリント技術に利用可能な、エッチング耐性に優れる光硬化性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法及び微細構造体を提供する。 - 特許庁 - To provide a film formation method, by which, contained carbon density is made high even if the film formation is carried out at a comparatively low temperature, thereby an etching rate during cleaning can be made comparatively low, and controllability of the film thickness during the cleaning can be improved.
比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of cleaning gas in an epitaxial growth furnace by which removal time for silicon deposited in the furnace is shortened or etching frequency be reduced, and productivity is improved, contamination of the inside of the furnace by silicon pieces be suppressed and high yield be established.
炉内で析出したシリコンの除去時間の短縮やエッチング頻度の低減が図れ、生産性が高まり、シリコン片による炉内汚れが抑制され、高歩留まりとなるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring.
より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁 - The inkjet recording head manufacturing method decreases stress on a membrane by mitigating the concentration of the stress on the shoulder portion of a sacrifice layer of the thickness of an etching stopping layer 103 accumulated on the sacrifice layer by limiting the thickness of the sacrifice layer 102 to 200 to 2,500 Å.
犠牲層１０２の膜厚を２００〜２５００Åに限定することによって、その上に堆積されるエッチングストップ層１０３の膜厚の、犠牲層の肩部での応力集中を緩和し、メンブレンへの応力を低下させる。 - 特許庁 - To provide a deposit removing method which can efficiently remove a deposit and inhibit damages to a silicon dioxide of a structure in a pattern regardless of a length of standing time after an etching treatment.
エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a charge-coupled device where a deterioration of device characteristics due to a variation in a pinch-off voltage difference during dry etching or damage to a semiconductor substrate is eliminated and a distance between charge transfer electrodes is downsized and to provide its manufacturing method.
ドライエッチングによるピンチオフ電圧差のバラツキや半導体基板のダメージに起因する素子特性の劣化をなくし、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface-treated copper foil which satisfies all of adhesion strength to a polyimide, acid resistance and etching property, a surface treatment method for the surface-treated copper foil, and a laminated circuit board using the surface-treated copper foil.
ポリイミドに対する銅箔との接着強度、耐酸性、エッチング性を全て満足する表面処理銅箔、該表面処理銅箔の表面処理方法、並びに該表面処理銅箔を用いた積層回路基板を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a resin for a resist which is highly transparent to far ultraviolet rays having wavelengths of about 220 nm or lower and high etching resistance and is excellent in adhesion to a substrate; and a chemical amplification-type resist and to provide a pattern formation method using the resist.
略２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外線に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、且つ基板密着性の優れたレジスト用樹脂、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide colloidal silica for mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica.
半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な表面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - By this way, the deformation generated in the blind section 11 of the metal thin plate 10 having the slit-like opening manufactured by the photo-etching method such as twists, positional misalignments, dents and the like can be corrected.
この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口を有する金属製薄板１０の簾部分１１に発生したねじれ、位置ずれ、へこみ（出っ張り）等の変形を修正することができる。 - 特許庁 - To provide a dry etching method by which a titanium nitride layer can be etched so that the shape of its side wall is more vertical than before even if the layer has a part where a pattern is coarsely arranged and a part where a pattern is closely arranged.
パターンが疎に配置された部分と、密に配置された部分とを有するものであっても、従来に較べて、窒化チタン層の側壁部分の形状を略垂直にエッチングすることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.
スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the film provided with through-holes includes a step of forming a separation structure of a cylinder phase(cylinder phase separation structure) and a step of forming the through-holes by etching the cylinder phase.
貫通穴を備えたフィルムの製造方法において、シリンダー相の分離構造（シリンダー相分離構造）を形成する工程、前記シリンダー相をエッチングすることにより貫通穴を形成する工程を有するフィルムの製造方法。 - 特許庁 - This is a forming method of a transparent electrode comprising a process to form a transparent conductive film having ZnO added with Mg on a substrate and a process to form patterning of the transparent conductive film using an etching liquid containing HCl.
基板上にＺｎＯにＭｇが添加された透明導電膜を形成する工程と、ＨＣｌを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターンニングする工程とを含む透明電極の形成方法により解決される。 - 特許庁 - To provide an etching method, by which the accuracy of a connection hole or end point control of the connecting hole can be enhanced and occurrence of defects in a semiconductor device can be suppressed, and to provide a semiconductor device in which defects are suppressed.
接続孔または接続孔の終点制御の精度を高めることができ、半導体装置に欠陥が生じるのを抑制し得るエッチング方法、および欠陥が抑制された半導体装置を提供することにある。 - 特許庁 - To remove a polished strain layer on the reverse surface of a semiconductor wafer without providing large-scale facilities like in a method by chemical etching or producing substances which should be disposed of as industrial wastes in quantity.
半導体ウエーハの裏面の研削歪み層を、化学的エッチングによる方法のごとき大がかりな設備を設けることなく、また産業廃棄物として処理すべき物質を大量に生成することなく除去できるようにする。 - 特許庁 - To provide a method for accurately detecting the concentration of divalent iron ions in a solution in a process of etching a metal when an iron (III) chloride is a main component, in a process of processing a waste liquid containing the divalent and trivalent iron ions, or the like.
塩化第二鉄を主成分として金属をエッチングする工程または二価と三価の鉄イオンを含有する廃液処理する工程等において、溶液中の二価の鉄イオン濃度を精度よく検出する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a backside irradiation solid state image sensor, in which etching is excellently carried out even when continuously performed using a different etchant to secure superior film thickness uniformity of a device layer.
裏面照射型固体撮像素子の製造方法に関し、異なるエッチャントを利用したエッチングを連続して行なう場合であっても良好にエッチングし、デバイス層の優れた膜厚均一性を確保することができるようにする。 - 特許庁 - The relief coating method comprises a step of forming uneven patterns 5 on the surface of a metal plate 1 by etching and forming a coating 6 by applying a coating material to the surface of the metal plate 1 having the uneven patterns 5.
レリーフ塗装方法は、金属板１の表面にエッチングにより凹凸模様５を形成する工程と、この凹凸模様５を有する金属板１の表面に塗料を塗布して塗膜６を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a device and a method for protecting the internal component of a semiconductor treatment device such as a plasma reactor or a reactive species generator from physical damage and/or chemical damage in an etching process and/or a cleaning process.
エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。 - 特許庁 - Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.
また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising an embedded wiring wherein a contact hole of desired diameter is formed with good reproducibility in an inter-layer insulating film without etching a base material conductor.
本発明は層間絶縁膜中に所望の径のコンタクトホールを、下地導電体をエッチングすることなくかつ再現良く形成することのできる埋め込み配線を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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