「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 106 107 108 109 110 111 112 113 114 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for manufacturing a small electronic part with an improved yield by forming a function element through wet-etching with a thin-film parent element substrate with no damage, and preventing adhesion between the function elements by electrostatic attraction.
薄膜親素子基板をウエットエッチング加工して損傷を与えることなく機能素子を形成し、機能素子間の静電引力による接着を阻止して、歩留まりを向上した小型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element using a multi-chamber system having etching equipment for semiconductor element manufacturing, which has advantages such as higher wafer transfer speed by disposing multiple process chambers serially in multiple layers.
多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the thickness of an RIE(reactive ion etching) resist film within a specific range by forming a metallic pattern having a high RIE resistance on an organic film by the lift off method, and performing RIE on the organic film by using the metallic pattern as a resist.
反応イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etchting）を用いて、多層配線基板の有機膜パターンを作製する上で、金属膜をＲＩＥレジストにする場合に、基板とのアライメントをとることができる有機膜パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing etching components which do not cause rust on the surface of a metallic material from a coating application process to a drying process even when a photoresist layer is formed by applying a photoresist using casein to a ferrous metallic material.
鉄系の金属材料に、カゼインを用いたフォトレジストを塗布しフォトレジスト層を形成しても、塗布工程から乾燥工程の間で金属材料の表面に錆が発生しないエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for producing a sensor film substrate, especially for mass flow sensor or pressure sensor, having a film stretched across the fringe part of an opening made in the front face of the film substrate from the back thereof by etching.
膜基板の前面（ＶＳ）に、背面（ＲＳ）からエッチングにより形成された開口（５０）の縁部に張設された膜（１００）を有する、特に質量流量センサ又は圧力センサのための、センサ膜基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method reinforcing etching resistance of a mask layer and improving a flexibility in working of a layer to be processed when forming an opening pattern of a dimension satisfying a request for downsizing a semiconductor device.
半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition which can suppress contamination of a lens barrel, which has high etching durability, which can solve problems about edge roughness or the like and which has having high sensitivity, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.
本発明は、鏡塔汚染を抑制可能でかつ高エッチング耐性を有し、エッジラフネス等の問題を解決でき高感度な、感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A method for manufacturing the tape carrier comprises the steps of etching the substrate copper foil 3 in a state, in which a part of the substrate copper foil 3 is plated with a noble metal film 2 or the film 1 is brought into contact with the foil 3, and making the copper wiring electrically independent.
下地銅箔３の一部に貴金属膜１のめっきを施すか、又は下地銅箔３に貴金属膜１を接触させた状態で、下地銅箔をエッチング処理して銅配線を電気的に独立させる。 - 特許庁 - To provide a method of forming an etching structure of a fine dimension where an increase in the number of a manufacturing process and an increase in a manufacturing cost are restrained, and on the other hand, the control of manufacturing conditions is not difficult, and which allows exposure to exceed its limit.
製造工程の増加及び製造コストの増大を抑制する一方で、製造条件の制御が困難ではなく且つ露光の限界を超えるような微細な寸法のエッチング構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a printed circuit board, capable of manufacturing a high-density printed circuit board having high reliability by using a laminate substrate equipped with a dual metal layer and making an etching process be dual.
二元化された金属層を備えた積層基板を使用し、エッチング工程を二元化することにより、信頼性の高い高密度印刷回路基板を製造することができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electronic device, which can suppress thickness reduction of an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn as a base film, and suppress deterioration in device characteristics due to the film thickness reduction when wet-etching a metal film.
金属膜をウェットエッチングする際、下地膜である、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜の膜減りを抑制でき、該膜減りによる素子特性の劣化を抑制できる電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can suitably pattern a semiconductor film by forming a mask having sufficient resistance to wet etching carried out when the semiconductor film is patterned.
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that can recover an oxygen defect portion formed on a piezoelectric layer due to plasma during etching and improve performance of the piezoelectric device.
本発明は、エッチング時のプラズマによって圧電体層に生じた酸素欠損部を回復させることができて圧電デバイスの性能向上を図ることができる圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a nozzle preventing a device from corroding with an etchant by receiving the etchant having not been sucked fully from a suction opening, to provide an etchant supply device equipped with the nozzle, and to provide an etching method.
吸引口から吸引しきれなかったエッチング液を受けることにより、エッチング液による装置の腐食を防止することのできるノズル、このノズルを備えたエッチング液供給装置およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide the method of processing a substrate which can remove chlorine efficiently and certainly without adding a chamber dedicated to removing remained chlorine on the substrate to an apparatus for processing the substrate which performs substrate processing such as dry etching using chlorine-based gas.
ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain, in a short time, an excellent semiconductor thin film by increasing the permeation speed of an etchant for peeling, and enhancing uniformity of etching speed, in a method of peeling a semiconductor thin film after formed on a substrate.
半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition for sufficiently removing plasma etching residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and interlayer insulation structure, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the cleaning composition.
配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for efficiently processing a magnetic film of Fe, Co, Ni or the like formed on a substrate and a nonvolatile metal containing those elements by plasma etching using gas containing C and O as constituents.
Ｃ及びＯを成分とするガスを用いたプラズマエッチングにより、基板上に形成されたＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉ等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を効率よく加工する方法及び装置の提供。 - 特許庁 - In this method of decomposing a package, a soft etchant 32 is made to easily permeate in an etching process by subjecting an optional surface of a decomposing object region A1 of an outer resin part 19 of a package device 10 to grinding work by a router to be roughened.
パッケージ分解方法は、パッケージ装置１０の外側樹脂部１９の任意の分解対象領域Ａ１表面をルーターで研削加工し粗面とすることで、エッチング処理の際にソフトエッチング液３２が浸透し易くする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electronic element device with a high numerical aperture equivalent to an etching from a substrate surface, by which any expensive manufacturing apparatus and any additional process are not required, and any sticking is not generated, either.
基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for preventing clogging in an outlet of a source gas by suppressing growth of an unnecessary SiC polycrystal formed in a place other than a crystal growth surface in a reaction vessel without using an etching gas.
反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cutting and separation method of glass which can suppress generation of a glass cullet and cracks and glass breaking of a cutting and separation face during cutting, can cut and separate by short-time etching, and is excellent in production efficiency.
切断時におけるガラスカレットの発生、並びに切断分離面のクラック及びガラス割れが抑制され、短時間のエッチングによって切断分離することが可能な生産効率の優れたガラスの切断分離方法の提供。 - 特許庁 - The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.
スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁 - In removing a resist after dry etching in the step of manufacturing a mask, this method has a step of irradiating light, before removing the resist and a step of removing the resist irradiated with light by a developer thereafter.
マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジストを剥離する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate.
ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁 - To provide an electro-optical device which doesn't require post-processing like etching and is good for environment and is capable of enhancing the strength of substrates by eliminating flaws and cracks on surfaces, and a manufacturing method of the electro-optical device.
エッチング処理のように後処理を必要とせず、環境にもやさしく、表面の傷やクラックを消滅させて基板の強度を向上できる電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method is provided with a stage of forming a light-emitting structure including a p-type electrode on an n-type substrate, a stage of etching the lower surface of the substrate and a stage of forming an n-type electrode on the etched lower surface of the substrate.
ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a structure by anisotropic etching, which can reduce a rate of inferior goods of the structure by reducing such a possibility that a final shape of the structure is etched into a shape different from the target shape.
構造体の最終形状が目標形状と異なる形状にエッチングされる可能性を低減して、構造体の不良品率を低減することができる異方性エッチングによる構造体の作製方法などを提供する。 - 特許庁 - In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.
第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁 - In this dry etching method, the primary rear surface of a silicon wafer W is covered with a thermal buffer film 20, and the primary front surface of the silicon wafer W is etched while the thermal buffer film 20 is cooled by blowing a cooling gas or the like.
本発明のドライエッチング方法においては、シリコンウェーハＷの主裏面側を熱緩衝膜２０で覆い、その熱緩衝膜２０に冷却ガスを吹き付けるなどして冷却しつつシリコンウェーハＷの主表面をエッチングする。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 112 in which a region corresponding to an element isolation region is opened is used as a mask, and a part of a silicon oxide film 111 and a semiconductor silicon substrate 110 is removed by sequential etching to form a trench 114.
素子分離領域に対応する領域が開口されたシリコン窒化膜１１２をマスクとしてシリコン酸化膜１１１および半導体シリコン基板１１０の一部を順次エッチングにより除去してトレンチ１４を形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.
ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of making a stamper which is ≥70° in the angle of inclination on the projecting flanks of a resist serving to be a mask in etching a substrate and is formed by direct mastering to regulate the angle of inclination on the projecting flanks of the stamper to ≥60° and an apparatus for the same.
基板エッチング時のマスクとなるレジスト突起側面の傾斜角が７０゜以上あり、スタンパーの突起側面の傾斜角を６０゜以上とするダイレクトマスタリングによるスタンパー作製方法とその装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a superior optical component-mounting substrate which has a plurality of grooves of different depth that can not be formed in the same etching process and is free of shift in relative position among the respective grooves, and its manufacturing method, and an optical module.
同一のエッチングプロセスでは形成不可能な複数の異なった深さの溝を有し、且つ各溝の相対位置ずれが生じない、優れた光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュールを提供すること。 - 特許庁 - The microprobe guides 70, 71 having the plurality of grooves 72 are acquired by forming each elongate deep groove having the groove depth and the groove width corresponding to the height and the width of a shaft part of the microprobes 50, 51 by using an anisotropic dry etching method to a silicon plate.
複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０,７１は、シリコンプレートに異方性ドライエッチング法を用い、マイクロプローブ５０，５１の軸部の高さと幅に対応した溝深さと溝幅で細長く深い溝を形成して得られる。 - 特許庁 - A method for forming wiring on a substrate comprises a process of preparing a copper substrate, a process of forming a copper-nickel layer on a portion of the copper substrate by plating, a process of bonding the copper substrate to a soft polyamide substrate, and a process of etching the copper substrate.
基板に配線を形成する方法は、銅基板を用意すること、銅基板上の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板にエッチングをすることを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method where dry etching is performed using gas containing fluorine, and the formation of a damaged layer on the side wall of a wiring groove and the formation of a void in a Low-k film can be inhibited.
フッ素含有ガスを用いてドライエッチングを行うとともに、配線溝側壁部でのダメージ層の形成およびＬｏｗ−ｋ膜中でのボイドの形成を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a semiconductor device, in which a storage electrode can be manufactured without being destroyed per se when the crown-type storage electrode is formed by wet etching in a capacitor having the crown-type storage electrode.
王冠型の蓄積電極を有するキャパシタにおいて、ウエットエッチングを用いて王冠型蓄積電極を形成する際に、蓄積電極自身が倒壊することなく製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve the etching selection ratio by forming an antireflection film using only a hydrocarbon gas, to form an antireflection film which can be easily removed and can be formed into a thin film at a low cost, and to provide a method for its application.
炭化水素系ガスのみを使用して反射防止膜を形成することによって食刻選択比を改善し、除去しやすく、安価に薄膜を形成しうる反射防止膜の形成及び適用方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an impurity diffusion method, capable of stable etching having reproducibility, to reduce waveguide losses and to improve manufacturing yield and reliability, in a semiconductor laser device having an end surface window structure.
端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - To provide an etching treatment method that can make easy adjustment of the degree of unevenness formed on the surface of a resin member and extend a lifetime of desmear liquid even when an immersion duration time of the resin member to be immersed into the desmear liquid is fixed.
デスミア液に浸漬する樹脂部材の浸漬時間が一定時間であっても、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を容易に調整でき、且つデスミア液の液寿命を延長できるエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁 - The convenient method for making a hole on a semiconductor substrate comprises a step for generating a crystal defect in a part of region on the semiconductor substrate, and a step for selectively etching the region where a crystal defect is caused.
半導体基板上の一部の領域に結晶欠陥を発生させる工程と、前記結晶欠陥が発生した領域を選択的にエッチングする工程を用い、半導体基板上に簡便に穴部を形成する構成とした。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a transmission type phase shift photomask which efficiently manufactures the high-quality photomask which is free of roughness in an etching surface, is improved in the overlap accuracy of a resist pattern and a light shielding layer pattern and has excellent resolution property.
エッチング面に荒れがなく、レジストパターンと遮光層パターンの重ね合わせ精度が向上した、解像性に優れた高品質なフォトマスクを効率よく製造する透過型位相シフトフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To eliminate need for etching of high melting point metal and to prevent deterioration in short-channel characteristics caused by diffusion of source and drain when a high melting point metal gate electrode is formed in a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造方法に関し、高融点金属ゲート電極を形成するに際し、高融点金属のエッチングを不要とし、また、ソース及びドレインが拡散して短チャネル特性を劣化させることがないようにする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can ensure a photolithography and etching margin during contact hole formation and can carry out good wiring without exposing a wiring layer inside a contact hole.
コンタクトホール形成時の写真製版およびエッチングのマージンを確保することができ、配線層がコンタクトホール内において露出することがなく、良好な配線を行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of forming a planar CMOS transistor divides the step of forming the gate layer into a first step of patterning a resist layer with a first portion of the gate layer pattern and then etching the polysilicon with the pattern of the gates.
プレーナＣＭＯＳトランジスタを形成する方法は、ゲート層を形成する工程を、ゲート層パターンの第一の部分でレジスト層をパターン形成し、次にゲートのパターンで多結晶シリコンをエッチングする第一の工程に分割する。 - 特許庁 - An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.
所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.
ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In this way, the linear bodies 6 and the microopenings 5 partitioned by the linear bodies 6 can be produced with exceedingly high dimensional precision and further with high positional precision compared with those by a production method according to etching working and laser machining.
これにて、線状体６および該線状体６で区画される微小開口５を、エッチング加工やレーザー加工による作製する形態に比べて、格段に寸法精度良く、しかも位置精度良く作製することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a method and device for specular chamfering of a semiconductor wafer after being subjected to alkali etching, capable of shortening the polishing time for the whole chamfered surface area and producing a specular surface having a high surface accuracy.
アルカリエッチング後の半導体ウエーハの鏡面面取りにおいて、面取り部全面の研磨時間を短縮し、面精度の高い鏡面に加工することができるウエーハの鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置を提供する。 - 特許庁
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