「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 110 111 112 113 114 115 116 117 118 .... 137 138 次へ＞- To provide a piezoelectric element that realizes a stable ramen mode vibration by processing an LQ2T-cut crystal substrate having a crystal azimuth, which have had difficulty of processing such as punching by a chemical etching method, to have a prescribed shape with high accuracy in a short time and to provide a manufacturing method for the piezoelectric element.
化学的エッチング方法では打ち抜き等の加工が困難とされていた水晶の結晶方位を有するＬＱ２Ｔカット水晶基板に対して、短時間に精度よく所定形状に加工することにより、安定したラーメモード振動を実現する圧電素子及びこの圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a coating liquid for formation of a transparent conductive film which can form at low cost and with ease a transparent conductive film which has transparency, a high resistance value and a good etching property, for example, by way of a coating method, and provide a manufacturing method of a transparent conductive film using the above coating liquid and a transparent conductive film.
塗布法によって、例えば、透明性と高抵抗値を有し、更にエッチング性が良好な透明導電膜を低コストかつ簡便に形成できるような透明導電膜形成用塗布液、およびこの塗布液を使用した透明導電膜の製造方法と透明導電膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a master disk of an optical disk in which a land pre-pit(LPP) and its adjacent grooves have a shape not affecting reproduced signals when pits and grooves of different depths are formed on the same master disk by using plasma etching and ashing processes.
プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device, which improves roughness of a trench side wall by implementing a predetermined cleaning process after element isolating trench etching, and forms a uniform side wall oxide film by skipping a PET process.
素子分離用トレンチエッチング後に所定の洗浄工程を実施してトレンチ側壁の粗さを改善でき、ＰＥＴ工程を省略して均一な側壁酸化膜を形成できる半導体素子の素子分離膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a metal coating having small surface roughness and good smoothness and denseness, additionally, with a good adhesive property and a good etching property to a substrate, a forming method to form the metal coating, and metal wiring pattern-formed with the metal coating.
表面粗度が小さく、平滑性や緻密性に優れ、しかも、基材への密着性やエッチング性に優れた金属被膜と、前記金属被膜を形成するための形成方法と、前記金属被膜をパターン形成した金属配線とを提供する。 - 特許庁 - This method for producing the solid preparation 61 comprises forming a polymer film 41 containing a medicament on a substrate 1, dividing the polymer film 41 by etching to many fine polymer films, and separating the many fine polymer films from the substrate to provide the solid preparation 61.
基板１上に薬剤を含有する高分子膜４１を形成し、この高分子膜４１をエッチングして複数の微小高分子膜に分割した後、それらの複数の微小高分子膜を基板１から剥離して固形製剤６１を得る。 - 特許庁 - In the removal process of the semiconductor layer 14, a dry etching method is used so that even an electrode film 19 hidden under a resist 20 can be prevented from being removed, and that any level in difference can be prevented from being generated between the electrode 15 and 16 and the semiconductor layer 14.
半導体層１４の除去工程では、ドライエッチング法を用いているので、レジスト２０の下に隠れている電極膜１９まで除去されることがなく、電極１５，１６と半導体層１４との間で段差は生じない。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a transfer mask (stencil mask) that reduces a defect of a warpage caused in a transfer mask fabricated by using an SOI wafer due to a compressive stress of an etching stopper layer and has excellent transfer accuracy.
ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパ層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of this surface heating element, the surface heating element 6 is obtained by removing only the metallic thin foil 1 of the prescribed width along the outer edge of the metallic thin foil 1 which becomes the surface heating element 6 by means of the etching treatment.
面状発熱体６となる金属薄箔１の外縁に沿った所定巾の金属薄箔１のみを前記エッチング処理により前記基板部２上から除去することで前記面状発熱体６を得る面状発熱体の製造方法。 - 特許庁 - To prevent the generation of a blur on the surface of a substrate caused by an adhesive agent regarding treatment equipment which contains back-side etching equipment wherein the back of the substrate is etched in constituent, and regarding an adhesive agent eliminating method.
本発明は基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチング装置を構成要素に含む処理装置及び接着剤除去方法に関し、接着剤に起因して基板表面に曇りが発生するのを防止することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing high-purity cupric oxide also usable as a plating raw material from a waste copper etching solution, which is discharged at a step of manufacturing a printed wiring board and contains degraded hydrochloric acid and copper chloride as principal components, by a simple process.
プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁 - This peeling method comprises the steps of: corroding the metallic underlayer 2 on the resin 3 with an etching agent such as an aqueous solution of ferric chloride to peel the gold-plated layer 1 from the resin; removing the separated resin; and filtering the gold-containing solution to collect only gold and recycle the gold.
塩化第二鉄水溶液などのエッチング剤で樹脂３の下地金属層２を腐食させる事で金メッキ層１を樹脂から剥離し、分離された樹脂を取り除き、金を含む溶液をろ過して金のみを回収、リサイクルする。 - 特許庁 - An oxide film that is formed on the thick-film electrode surface of the ceramics element is subjected to etching removal by a sputtering method in a rare gas atmosphere whose pressure has been reduced to 1×10^-3 to 3×10^-2 Torr, thus obtaining the ceramic element having superior solderability reliably.
セラミックス素子の厚膜電極表面に形成された酸化膜を１×１０^^-3〜３×１０^-2Torrに減圧された希ガス雰囲気中で、スパッタ法によりエッチング除去して、はんだ濡れ性の良いセラミックス素子を信頼性良く得る。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for inspecting degeneration amount of a magnetic material capable of quantitatively acquiring the amount of degenerated part of a magnetic material which is caused by work such as dry etching, contributing to efficient development of products that use magnetic material.
ドライエッチング等の加工に起因する磁性材の変質部分の量を定量的に求めることができ、磁性材を用いた製品の効率的な開発等に寄与しうる磁性材の変質量検査方法及び変質量検査装置を提供する。 - 特許庁 - The method comprises bringing a biological sample slide into contact with a thermal platform, with or without heat, and with or without a fluid, to facilitate removal or etching of the embedding media from the biological sample.
本方法は、熱を使用または使用しないで、また流体を使用または使用しないで生物学的試料スライドを加熱プラットフォームと接触させ、生物学的試料から包埋媒体の除去またはエッチィングを促進することを含んでなる。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.
多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the pattern manufacturing method for electric insulating film, which is capable of surely effecting pattern forming of an electric insulating film having a penetrating connection hole for arranging an electric connecting unit of electric wiring without employing etching treatment, and an electronic device.
エッチング処理を用いずに、電気配線用の電気接続部を配置するための貫通接続孔を有する電気絶縁膜を確実にパターン形成することができる電気絶縁膜のパターン製造方法および電子デバイスを提供する。 - 特許庁 - A silicon nitride film 7 which has a selection ratio of an interlayer insulating film 6 higher than that of a resist film and which is more hardly polished in a chemical/mechanical polishing method than the interlayer insulating film 6 is formed on the interlayer insulating film 6 under predetermined etching conditions.
所定のエッチング条件においてレジスト膜よりも層間絶縁膜６に対する選択比が高くかつ層間絶縁膜６よりも化学機械研磨法において研磨され難いシリコン窒化膜７を層間絶縁膜６の上に形成する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing semiconductor device, a first insulating film is formed by discharging a composition, a second insulating film is formed selectively on the first insulating film, and openings are formed by etching the first insulating film by using the second insulating film as a mask.
本発明は、組成物を吐出して第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に選択的に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして開口部を形成する。 - 特許庁 - In the metal surface treatment method of the copper or copper alloy in the etching amount within the limit of 0.1-30 μm, a metal surface treatment solution including (a) hydrogen peroxide, (b) an inorganic acid or organic acid, (c) azoles (d) a halogen ion, and (e) a silver ion, is used.
（ａ）過酸化水素、（ｂ）無機酸、有機酸、（ｃ）アゾール類（ｄ）ハロゲンイオン、および（ｅ）銀イオンから成る金属表面処理液を用いて、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内でのエッチング量における銅または銅合金の金属表面処理方法。 - 特許庁 - To provide a resist material which has extremely high resolution and etching resistance at a practical use level and is useful for precision microfabrication, to provide a method for forming a pattern with the resist material, and further to provide a polymer useful as a base resin for the resist material.
極めて高い解像性と実用レベルのエッチング耐性を有し、精密な微細加工に有用なレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法、更には該レジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。 - 特許庁 - The etching method includes the steps of: placing the wafer having the APF layer in a processing chamber provided with a power supply operating at approximately 162 MHz; supplying a processing gas to the chamber; applying a source power with the use of the 162 MHz power supply; and applying a bias power to the wafer.
ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。 - 特許庁 - A method for removing a foreign substance depositing on a photomask is provided, wherein a foreign substance P is irradiated with an electron beam in such an etching gas atmosphere that allows the foreign substance P or the bottom of a recess 13 of the photomask to be etched by irradiation with the electron beam.
フォトマスクに付着した異物の除去方法であって、電子ビームが照射されることにより異物Ｐ又はフォトマスクの凹部１３の底面がエッチングされるようなエッチングガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射する。 - 特許庁 - With this structure, a new process and device development for forming a penetration electrode by dry-etching method after thinning the wafer becomes unnecessary and introduction of special design makes it possible to produce a penetration electrode which is largely decreased in each process difficulty.
これにより、ウェハを薄型化した後にドライエッチングによって貫通電極を形成する新規のプロセス、装置開発が不要となり、さらに専用設計の導入によって各プロセス難易度を大幅に低減した貫通電極の形成が可能となる。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive article having high transparency, high conductivity (a low specific resistance value), excellent humidity resistant/heat resistant characteristics, high hardness, and high etching performance, and to provide a method for manufacturing the article and to provide a thin film forming device.
優れた透明性を有し、高い導電率で（比抵抗値の低く）、耐湿・耐熱特性に優れ、硬度が高く且つエッチング処理性に優れた透明導電性を有する物品と、その物品の製造する方法及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁 - In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.
本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁 - To manufacture a direct mastering substrate in which a stamper can be formed by etching through a smaller number of processes than before, in a short time, at low cost and with a high yield, and also to provide an method for manufacturing the stamper using the substrate.
スタンパーをエッチングにより、従来より少ない工程数で短時間にかつ低コスト、高歩留まりで作製することができるダイレクトマスタリングの基板とその製造方法及び上記基板を使用したスタンパーの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor in which by allowing a phosphorous acid-containing acqueous solution to securely penetrate an etching opening, a defective portion is efficiently removed, and the reliability of the aluminum electrolytic capacitor can be improved.
リン酸含有水溶液をエンチング孔の内部まで確実に浸透させることにより、欠陥部を効果的に除去し、アルミニウム電解コンデンサの信頼性を向上可能なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a direct mastering method which is capable of making a stamper with a small number of stages by directly etching substrates of metals, ceramics, etc., without subjecting the substrates to stages of electroforming etc., and is capable of improving quality and productivity and a device for the same.
電鋳などの工程を経ず、直接、金属やセラミックなどの基板をエッチングすることにより、少ない工程数でスタンパーを作製することができ、品質及び生産性を向上させることができるダイレクトマスタリング方法とその装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method includes steps of (A) forming a patterned organic film on a substrate; (B) forming a conductive layer on the patterned organic film by electroless plating; and (C) removing a part of the conductive layer by etching.
上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）エッチング処理により前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁 - To provide a method of low-damage, anisotropic etching and cleaning of a substrate including a step of mounting the substrate upon a mechanical support part arranged within a positive column of a plasma discharge generated by either an ac or dc plasma reactor.
基板をａｃ又はｄｃプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。 - 特許庁 - This producing method has a coating laminating process for a flattened layer 16 and the undercoat layer 13, a process for providing a microlens forming layer and the microlens 11, a process for applying and forming a transparent resin layer, and an etching process for selectively locating the transparent resin 12.
平坦化層１６とアンダ−コート層１３の塗布積層工程と、マイクロレンズ形成層及びマイクロレンズ１１とする工程と、透明樹脂層を塗布形成する工程と、選択的に透明樹脂１２を配設するエッチング工程、を有すること。 - 特許庁 - The method of producing a semiconductor substrate characterised in that a recess having a face orientation (001) is formed in the surface of a silicon substrate having a crystal orientation <111> by alkali etching, and then an SiGe layer is grown epitaxially on the silicon substrate, is used.
結晶方位＜１１１＞のシリコン基板表面に、アルカリエッチングにより、面方位（００１）を有する窪みを形成した後、前記シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁 - To provide a production method of an electrode foil for an electrolytic capacitor, which removes and replaces chlorine ion adhering to the foil while minimizing dissolution of a foil surface layer after etching, and can produce a high powered foil by improving chemical conversion property.
エッチング工程後、箔表層の溶解を最小限にしつつ、箔に付着している塩素イオンを除去・置換し、化成性向上による高倍率箔を製造することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.
エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which reduces the penetration of a wet etching solution between a BPSG film and a resist film, thus eliminating the float-up of the resist from even portions densely formed with contact holes.
本発明は、ＢＰＳＧ膜とレジスト膜との間へのウェットエッチング液の染み込みを減少させることができ、接続孔が密集している部分においてもレジスト浮きが発生することない半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a washing method of a substrate and a substrate washing device which do not over-etch a thin insulating film, a lower film, inappropriately by effectively removing an etching residue and a metal polymer formed in a patterned metal surface on the substrate.
基板上にパターン化された金属の表面に形成されたエッチング残留物や金属ポリマを効果的に除去し、下部膜である薄い絶縁膜を不適切にエッチングし過ぎない基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁 - To much more enhance the reliability of electric connection of circuit components such as a piezoelectric diaphragm or an IC by adopting a cleaning method by dry etching to thereby eliminate a problem of a short-circuit of a miniaturized low profile piezoelectric vibration device to a ceramic multilayer board.
ドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やＩＣなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上する。 - 特許庁 - The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).
さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第２スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁 - A light emitting element array 4 is mounted on an iron substrate 5 where a fine wiring pattern is formed by photoresist etching method and the iron substrate 5 is bonded through an adhesive to a heat sink 3 for dissipating heat generated from the light emitting element array 4.
発光素子アレイ４は、フォトレジストエッチング方法により微細な配線パターンが形成された鉄基板５に実装され、鉄基板５は、発光素子アレイ４からの熱を放出するためのヒートシンク３に接着剤により固定されている。 - 特許庁 - The manufacturing method of the multilayer substrate composed by sticking a plurality of substrates including steps 1-3 as described hereinafter; provided that the plurality of substrates includes a combination of a first substrate and a second substrate different at least in etching characteristic.
本発明は、複数の基板を貼り合わせて構成する多層基板の製造方法であり、その複数の基板は、少なくともエッチング特性の異なる第１の基板と第２の基板との組み合わせからなり、以下の第１〜第３工程からなる。 - 特許庁 - To provide the method for forming pores finer than the sheet thickness by an etching means by which fine pores irrespective of the sheet thickness of a metallic sheet are formed of the metallic sheet, and to provide a translucent metallic thick plate.
この発明は、外観的に金属板の板厚による制約を破るような微細孔を金属板に形成するようにしたエッチング手段によりその板厚より細かな微細孔を形成する方法及び半透明金属厚板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which an insulating film having a sufficiently low leak current, a high electrical stress resistance, and a high etching resistance is deposited on the surface of a semiconductor substrate, and the semiconductor device having the insulating film.
十分に低いリーク電流、高い電気的ストレス耐性、及び高いエッチング耐性を有する絶縁膜を半導体基板の表面に堆積する、半導体装置の製造方法、並びに、その絶縁膜を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Further, the method includes a stage for etching the sacrifice layer 36, and forming a conductive structure having a fin that is a part where the conductive material remains while the sacrifice layer 36 is being separated by a microchannel that is the etched part.
本方法はさらに、犠牲層（３６）をエッチングして、該犠牲層（３６）がエッチングされた部位であるマイクロチャネルによって分離された状態で伝導性材料が残存した部位であるフィンを有する伝導性構造を形成する段階を含む。 - 特許庁 - To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of a hydrogen peroxide aqueous solution.
過酸化水素水に代えてＵＶインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a powder for thermal spraying suitable for the formation of a sprayed coating having excellent plasma etching resistance to high output plasma in which plasma output applied to a sprayed coating per unit area is ≥0.8 W/cm^2; and to provide a method for forming the sprayed coating.
単位面積の溶射皮膜に与えられるプラズマ出力が０．８Ｗ／ｃｍ^２以上である高出力プラズマに対する耐プラズマエッチング性に優れた溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a powder for thermal spraying suitable for the formation of a sprayed coating having excellent plasma etching resistance to low output plasma in which plasma output applied to a sprayed coating per unit area is <0.8 W/cm^2; and to provide a method for forming the sprayed coating.
単位面積の溶射皮膜に与えられるプラズマ出力が０．８Ｗ／ｃｍ^２未満である低出力プラズマに対する耐プラズマエッチング性に優れた溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for recovering hydrofluoric acid from a hydrofluoric acid waste solution exhausted, e.g., from an etching stage for a glass substrate where scaling is not generated, and refined hydrofluoric acid in which impurities are further reduced can be recovered at a high yield.
ガラス基板のエッチング工程などから排出されたフッ酸廃液からフッ酸を回収する方法であって、スケーリングの発生がなく、不純物の一層少ない精製フッ酸を高い収率で回収できるフッ酸の回収方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device preventing a side surface (stand-off side surface) of a mounted terminal exposed when a mounted terminal adjacent thereto is separated by etching lead frames from a rear surface, from being contaminated because of oxidation, and also to provide a manufacturing method thereof.
リードフレームを裏面からエッチッグして、隣接する実装端子を切り離した際に露出する実装端子側面（スタンドオフ側面）が酸化などによって汚染されることを防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide, as an ArF excimer laser mask, a phase shift mask blank which has minimized wavelength dependency of transmittance so as to make defect inspection possible, and which is processed with a single dry etching gas, and also to provide a phase shift mask and a pattern transfer method using the blank.
ＡｒＦエキシマレーザ用マスクとして、欠陥検査も可能となるよう透過率の波長依存性が小さく、単一のドライエッチングガスで加工可能な位相シフトマスクブランク、それを用いたいそうシフトマスク、及びパターン転写方法を提供する。 - 特許庁
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