「etching method」を含む例文一覧(6852)
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常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁 - According to this manufacturing method for a semiconductor light element, the proturberance to be removed from a surface of a cap layer 5 by etching in a surface treatment step is limited to a proturberance A1 or C2 that is higher than a thickness of a resist layer 22 formed on the surface of the cap layer 5.
この半導体光素子の製造方法では、表面処理工程において、エッチングによってキャップ層５の表面から除去される突起物は、キャップ層５の表面に形成されたレジスト層２２の厚さよりも高い突起物Ａ１，Ｃ２に限定される。 - 特許庁 - To provide a composition for resist lower-layer film formation that forms a resist lower-layer film which is suitably buried in a via or trench, easily formed based upon a desired pattern, and superior in etching resistance, and a method of forming a dual-damascene structure using the same.
ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。 - 特許庁 - The through hole patterns 10A are formed on a surface side and a back side of each metallic thin film 10 successively via steps of forming photoresist film, of drawing patterns by the laser direct exposure method, of developing a photoresist film, of performing the etching, of peeling the photoresist film, and of water-rinsing and drying.
透過孔パターン１０Ａは、金属薄膜１０の表面側および裏面側に、フォトレジスト膜の形成、レーザダイレクト露光法によるパターンの描画、フォトレジスト膜の現像、エッチング、フォトレジスト膜の剥離、水洗乾燥の工程をこの順に経て形成する。 - 特許庁 - To provide a hair clipper equipped with a cutting blade unit which shows a drastic increase in the structural strength of a metal blade body of a fixed blade (or a movable blade) being formed by the etching method and prevents the metal blade body from being warp-deformed at the time of use to constantly demonstrate a sharp cutting performance.
エッチング法で形成される固定刃（または可動刃）の金属刃体の構造強度を格段に向上して、使用時における金属刃体のたわみ変形を阻止し、常に鋭い切れ味を発揮できる切断刃ユニットを備えたバリカンを提供する。 - 特許庁 - To provide a photoresists removing solution excellent in ability to remove residue such as a degenerated photoresist film produced after ashing and residue on etching (metal deposition) and excellent in property of preventing the corrosion of a substrate in rising with water and to provide a method for removing a photoresist using the removing solution.
アッシング処理後に生じるホトレジスト変質膜、エッチング残渣物（金属デポジション）等の残渣物の剥離性に優れ、かつ、水でのリンス処理時、基板の防食性に優れるホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching device where, in particular, the depths of a plurality of recessed parts formed on the surface of a substrate can be individually controlled, and the degree of freedom in the shape of the recessed parts can be increased, to provide a substrate, to provide a method for producing the same, to provide a die, and to provide a molded article.
特に、基板の表面に形成される複数の凹部の深さを個別に制御でき、凹部形状の自由度を高めることが可能なエッチング装置、基板、基板の製造方法、型、ならびに成型品を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a plastic optical waveguide which can manufacture a core part easily without generating cracks on both sides of the core and which can manufacture an optical waveguide in which an optical transmission loss value is stable and which has a low optical transmission loss in core formation by RIE (Reactive Ion Etching) while using a heat resistive resin.
耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両サイドにクラックを生じないでコア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失な光導波路作製法を提供することにある。 - 特許庁 - A method for manufacturing the piezoelectric device comprises the steps of opening a window in a triangular shape on the main surface of a crystal plate to form a protective film, then melting the window part through wet etching, thinning the window part to process into recessed shape, and processing so that a thin plate is in the triangular shape as seen from the main surface.
水晶の板の主面に三角形の形状で窓を開けて保護膜を形成した後、ウエットエッチングすることで窓の部分が溶解され薄板化し凹形状に加工し、薄板部が主面より見て三角形であるよう加工する。 - 特許庁 - By the etching method, a conductor film 12 electrically connected to an electrode on a gate oxide film 6 formed on a substrate 2 is etched, a mask 15 made of a conductive material is thinly formed on the conductor film 12, and the conductor film 12 is etched by the mask 15.
基板２上に形成されたゲート酸化膜６上の電極に電気的に接続された導体膜１２をエッチングする方法であって、導体膜１２上に導電性材料からなるマスク１５を薄く形成し、該マスク１５を用いて導体膜１２をエッチングする。 - 特許庁 - To provide an electrode plate for plasma etching and a method of production, in which generation of dust particles can be minimized in order to enhance the yield of device.
デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電極板及びデバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電極板の製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure body of a structure release that can extremely reduce the time required for an structure etching operation, can increase the throughput of an optical interference type display, and is appropriate to an optical interference type display cell structure, and its manufacturing method.
構造物エッチング操作に要する時間を格別に短縮することができ、また光学干渉型ディスプレイのスループットを増加させることができる、光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体及び製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for liquid treatment enabling uniform development for a substrate to be processed, such as a reticle by preventing a loading effect in which the etching rate, etc., changes due to local variations in amounts of dissolution product or concentration of developer liquid.
溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果を防止し、レチクル等の被処理基板に対する均一な現像処理が可能な液処理方法及び液処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory apparatus that is highly reliable, and wherein a diffused layer and a contact of a select transistor are electrically and appropriately connected and the surface of the diffused layer of a memory cell transistor are protected from etching; and to provide its manufacturing method.
選択トランジスタの拡散層とコンタクトとが電気的に良好に接続され、かつ、メモリセルトランジスタの拡散層の表面がエッチングから保護された、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method and a system for fabricating a semiconductor device in which scattering of particles to an etching object can be suppressed when an insulating film and an antireflection film on a metal film are etched in the same reaction chamber and generation of pattern defect can be suppressed.
金属膜上の絶縁膜と反射防止膜とを同一の反応室内でエッチングする際におけるエッチング対象物へのパーティクルの散布を抑制でき、パターン欠陥の発生を抑制し得る半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁 - The method of patterning the organic metal film includes a step of forming the organic metal film 3 on a first base 21, a step of pressing a pressed region 310 set at part of the organic metal film 3 with an indenter 4 along the film thickness, and a step of etching the organic metal film 3.
第１の基材２１上に有機金属膜３を形成する工程と、有機金属膜３の一部に設定した加圧領域３１０を圧子４により膜厚方向に加圧する工程と、有機金属膜３にエッチング処理を施す工程とを有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor optical integrated device 1 forms a shape retaining layer 31 consisting of InP with p-type conductivity on the surface of a contact layer 16 consisting of InGaAs in performing the wet etching for forming an element isolation part 32.
半導体光集積素子１の製造方法では、素子分離部３２を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１６の表面に、導電型がｐ型のＩｎＰからなる形状保持層３１を形成している。 - 特許庁 - To provide an etching method, in which a resin base material, such as polyester, does not contain hexavalent chromium reduced in the influence not only on the manufacturing environment but also on the global environment in pretreatment at the time of forming a metallic film having good adhesion on the resin base material.
ポリエステル等の樹脂基材に、密着の良い金属被膜を形成する際の、前処理エッチングにおいて、製造環境はもとより地球環境への影響を低減した、六価クロムを含有しないことを特徴とするエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - This method for making a sample comprises thinning a sample piece 2 that becomes the transmission electron microscopic sample, forming a pattern by a photo resist 3 followed by etching, and polishing a formed etched part 4 by an ion milling device to form an observation part 5.
透過型電子顕微鏡観察用の試料となる試料片２を薄片化した後、フォトレジスト３でパターンを形成して、エッチングを行い、形成されたエッチング部４にイオンミリング装置による研磨を行って観察部５を形成する試料作製方法である。 - 特許庁 - The method includes a step of forming the alignment film on a substrate having an electrode pad at a position corresponding to a transfer electrode for applying a voltage to a common electrode, and a step of locally etching the alignment film to expose the electrode pad without using a mask pattern.
共通電極に電圧を印加するトランスファ電極に対応する電極パッドを備える基板上に配向膜を形成する段階と、前記電極パッドを露出させるようにマスクパターンを用いずに前記配向膜をエッチングする段階とを有する。 - 特許庁 - To provide a method and/or TMBS [trench MOS (metal oxide semiconductor) barrier Schottky] device by and/or in which edge leak due to etching is reduced, wherein in the TMBS device, polysilicon is formed in trenches and a contacting metal is connected to a surface between adjacent trenches.
トレンチ金属酸化物半導体（ＭＯＳ）バリアショットキー（ＴＭＢＳ）デバイスでは、トレンチ内にポリシリコンが形成され、隣接するトレンチ間の表面とは、金属コンタクトで接続され、エッチングに起因するエッジリークを低減する方法及び／又は装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming metal wiring of a favorable sectional configuration with no undercut by side-etching, without affecting the characteristic of a semiconductor device even with a wiring part occupying area far smaller than the area of the semiconductor device.
配線部の占有面積が半導体装置の面積に比べ非常に小さい場合においても半導体装置の特性に影響を与えることなく、サイドエッチなどによるアンダーカットなどの無い、良好な断面形状を有する金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a stacked type capacitor, a contact 18 (accumulated node contact) is formed by a material, having a selection ratio of wet etching which is higher than that of a capacitor lower electrode 21a.
スタック型キャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタ下部電極２１ａよりウエットエッチングにおける選択比が高い材料でコンタクト（蓄積ノードコンタクト）１８を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.
塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an optical switch which eliminates the need to form a movable micromirror and a beam supporting it at the same time and can evade cases wherein the movable micromirror connects directly with a substrate owing to insufficient etching and the beam is lost by overetching.
可動マイクロミラーとそれを支持する梁とを同時形成する必要がなく、エッチング残りによって可動マイクロミラーが基板と直接繋がったり、オーバーエッチングにより梁が消失するといった事態が回避されうる光スイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The space 11 is formed by a method wherein, after forming the movable piece 10 for a switch, a film for forming a space consisting of a zinc oxide arranged in a region for forming the space 11 is removed by etching using an etchant consisting of a weak acid aqueous solution.
この空間１１は、スイッチ用可動片１０形成した後に、空間１１形成領域に設けられた酸化亜鉛からなる空間形成用膜を弱酸水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングして除去することにより形成される。 - 特許庁 - To provide a method for forming a contact, resonator structure in which increase of contact resistance and disconnection by concave and convex parts of a contact hole formed to a resonator using etching are prevented, and yield is improved, and also to provide an EL device having the resonator structure.
共振器にエッチングを用いて形成されたコンタクトホールの凹凸部による、コンタクト抵抗の増加及び断線を防止し、歩留まりを向上したコンタクトの形成方法、共振器構造及びこの共振器構造を備えたＥＬ装置を提供する。 - 特許庁 - In this case, the imprint mold is manufactured by a method wherein a resist is formed on the substrate and a plurality of recessed and projected patterns with different depths are formed on the resist to effect dry etching treatment from the surface of the resist with a plurality of recessed and projected patterns formed thereon toward the substrate.
また、基板上にレジストを形成し、レジストに深さを異ならせた複数の凹凸パターンを形成し、複数の凹凸パターンを形成した前記レジストの表面から基板に向かってドライエッチング処理を行うことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 特許庁 - To provide a material for forming a reverse pattern that has good embedding property, has high etching selection ratio to organic material, and forms a fine reverse pattern in a sufficient shape, and to provide a pattern forming method using the material for forming the reverse pattern.
埋め込み性が良好で、有機材料に対して高いエッチング選択比を有し、微細な反転パターンを良好な形状で形成できる反転パターン形成用材料、および該反転パターン形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a first etching step of a method for forming metallic pattern, about 1/6 of the top portion of a lower electrode forming film 17A is etched with a mixed gas of chloride supplied at a flow rate of 0.09 slm and Ar supplied at a flow rate of 0.01 slm by using a resist pattern 18 as a mask.
第１のエッチング工程において、流量０．０９ｓｌｍの塩素と流量０．０１ｓｌｍのＡｒとの混合ガスを用いて、レジストパターン１８をマスクとして下部電極形成膜１７Ａの上部の６分の１程度に対してエッチングを行なう。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a multi-chamber system which includes etching facilities for manufacturing the semiconductor device with a plurality of process chambers arranged in series in a multi-layered configuration so as to be effectual for improving a wafer transfer rate and so on.
本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - A method for etching a conductive film 12 connected electrically to the electrode on the gate oxide film 6 formed on a substrate 2, thereby a mask 15 consisting of conductive materials is formed on the conductive film 12 and the conductive film 12 is etched using the mask 15.
基板２上に形成されたゲート酸化膜６上の電極に電気的に接続された導体膜１２をエッチングする方法であって、導体膜１２上に導電性材料からなるマスク１５を形成し、該マスク１５を用いて導体膜１２をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a SAW chip, that has high adjustment accuracy and high reliability by suing a mixed gas of an inert gas and an oxygen gas for etching the SAW chip, and to provide a frequency adjustment device for the SAW chip and a frequency adjustment method for the SAW chip.
ＳＡＷチップのエッチングに不活性ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることによって、調整精度及び信頼性の高いＳＡＷチップ、ＳＡＷチップの周波数調整装置及びＳＡＷチップの周波数調整方法を提供すること。 - 特許庁 - The metal pattern formation method comprises a process (a) of forming a graft polymer directly bonding with the surface of a base material on the base material, a process (b) of forming a metal film by adhering a conductive material to the graft polymer, and a process (c) of etching the metal film.
（ａ）基材上に、該基材表面に直接結合したグラフトポリマーを形成する工程と、（ｂ）該グラフトポリマーに導電性材料を付着させて金属膜を製膜する工程と、 （ｃ）該金属膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - This method, wherein a ZnSe substrate 1 is placed on a silicon wafer 2 and then etched, comprises a step of placing the ZnSe substrate 1 on the silicon wafer 2 with grease 11 sandwiched in between; and a step of ion- etching the ZnSe substrate 1.
ＺｎＳｅ基板１をシリコンウエハ２上に置いてエッチングする方法であって、ＺｎＳｅ基板１とシリコンウエハ２との間にグリース１１を挟み込んで、ＺｎＳｅ基板をシリコンウエハ２に配置する工程と、ＺｎＳｅ基板をイオンでエッチングする工程とを備える。 - 特許庁 - The method for manufacturing the printed wiring board by the electrophotographic process includes the steps of using a liquid developer made of resin particles by positive type photosensitive polymer, and performing overall surface light emitting substantially immediately before an etching process or/and a resist stripping process.
ポジ型の感光性高分子による樹脂粒子から成る液体現像剤を使用し、エッチング処理または／及びレジスト剥離処理の略直前に全面光照射を行う電子写真法によるプリント配線板の製造方法によって達成される。 - 特許庁 - The method of cleaning the metallic surfaces to make the stable application of the gold plating for protecting the copper wiring possible by subjecting the insulation layer to plasma cleaning after wet etching thereof in a manufacturing process step for the suspension blanks with wiring for the hard disks is established.
本発明は、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクの製造工程において、絶縁層のウェットエッチング後にプラズマクリーニングを行うことで、銅配線保護の金メッキを安定的に施すことを可能にする、金属表面清浄化方法を確立したものである。 - 特許庁 - After sequentially forming a main pole layer 21a and an STO layered body layer 11a, unnecessary materials are removed until reaching a base body by an ion beam etching method using a single mask 44 for demarcating the range of an STO layered body 11 and a main magnetic pole 21.
主磁極層２１ａとＳＴＯ積層体層１１ａとを順次成膜したのち、ＳＴＯ積層体１１および主磁極２１の範囲を画定するための単一のマスク４４を用いたイオンビームエッチング法により、基体に至るまで不要な材料を除去する。 - 特許庁 - By this method, the distortion occurring in the reed screen type part of the thin metal sheet with the slit type apertures manufactured by the photo-etching process can be corrected, which enables elimination of rejection to be disposed and improvement of the manufacturing yield.
この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口部を有する金属製薄板の簾部分に発生した変形を修正することができ、今まで廃棄していた不良品を無くして製造の歩留りを上げることができる。 - 特許庁 - To provide a construction and a manufacturing method, wherein an etching margin is assured when a connection hole is formed in an active layer of a thin-film transistor, the controllability of ion implantation is improved in the depth direction, and further the crystal defects and distortion are eliminated in a channel region.
薄膜トランジスタの活性層上に接続孔を形成する際のエッチングマージンが確保し、イオン注入での深さ方向の制御性を良くし、さらにチャネル領域の結晶欠陥や歪みを解消する構成および製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a method for selectively anisotropically etching a silicon nitride film with respect to a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon, the temperature of a substrate is kept at 10°C or below, and a mixed gas of a compound gas, containing fluorine, carbon and hydrogen, and a carbon monoxide (CO) is used as a reaction gas.
シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を１０℃以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素（ＣＯ）との混合ガスを反応ガスとして使用する。 - 特許庁 - This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.
素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁 - In addition, the method includes the process of forming a first recessed part by laser processing in a region in which at least a region in which the beam 19 is formed in the face to be etched is excluded, and has the process of performing a first wet etching from the face to be etched to the silicon substrate.
さらに、被エッチング面のうち梁１９を形成する領域を少なくとも除いた領域に、レーザー加工によって第１の凹部を形成する工程と、シリコン基板に対して、被エッチング面から第１のウエットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a zinc oxide based transparent conductive film forming material, capable of being used for a target for forming a transparent conductive film which has weather resistance while maintaining conductivity sufficient for practical use, and has an appropriate etching rate in patterning.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing a solar cell is characterized in that an insulating film is formed on the surface of a silicon substrate, a plurality of holes are formed in the surface of the insulating film by a wet etching and then, a diffusion layer is formed in the surface of the silicon substrate via these holes.
シリコン基板の表面に絶縁膜を形成し、ウェットエッチングにより絶縁膜の表面に複数の穴を形成し、次いで、それらの穴を介してシリコン基板の表面に拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 特許庁 - To provide a photomask which prevents the degradation in pattern accuracy during etching by a difference in aperture ratios from appearing at a chip pattern 11 by improving the unbalance of the aperture ratios between the peripheral region of the chip pattern 11 and the central part of the chip pattern 11 and a method for manufacturing the photomask.
チップパターン１１の周辺領域とチップパターン１１の中央部との開口率の不均衡を改善し、開口率の違いによるエッチング時のパターン精度低下がチップパターン１１に現れることのないフォトマスク及びフォトマスク製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus for shortening the time until start of process of the next processing work after start of process of the first processing work in the process to form a recessed area or a through-hole to the processing work, and also to provide a processing method of a processing work.
被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing copper foil by which the crystal grains of electrolytic copper foil having granular crystals are controlled, and the surface of the electrolytic copper foil is subjected to etching roughening, thereby the adhesion of the copper foil with a resin is increased, and to provide a printed wiring board using the copper foil.
粒状晶を有する電解銅箔の結晶粒を制御し、該電解銅箔の表面をエッチング粗化することで樹脂との密着力を増大させる銅箔の製造方法を提供し、該銅箔を使用したプリント配線板を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device forms a mesa composed of a plurality of trenches by etching an active region of a semiconductor substrate 3 including a first heavily doped region of a first conductivity type and a second lightly doped region of a second conductivity type.
半導体ディバイスの製造方法は、強くドープされた第１導電率形の第１領域と、弱くドープされた第２導電率形の第２領域とを含む半導体基板３の作動領域をエッチングして複数個の溝からなるメサを形成する。 - 特許庁 - In the method for producing a photomask, a photosensitive resin is disposed on the resulting photomask blank comprising the glass substrate and the electrically conductive light shielding film formed on the whole surface of one side of the substrate and exposure with an electron beam exposure system, development and etching are carried out.
また、ガラス基板とその片面の表面全面に導電性遮光膜が設けられているフォトマスクブランクの上に感光性樹脂を載せ、電子ビーム露光装置により露光、現像、エッチングする事を特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
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