「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 115 116 117 118 119 120 121 122 123 .... 137 138 次へ＞- This method for producing a PDP comprises a process for forming a constitutent element of PDP by transferring the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film to a substrate, subjecting the inorganic particle- containing resin layer to etching treatment and baking treatment.
本発明のＰＤＰの製造方法は、上記の転写フィルムを構成する無機粒子含有樹脂層を基板上に転写し、無機粒子含有樹脂層をエッチング処理および焼成処理することにより、ＰＤＰの構成要素を形成する工程を含む。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.
半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a laminate having a patterned metal film excellent in adhesion and in insulation properties between patterned metal films capable of easily performing plasma etching treatment of a plated layer.
本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができる共に、密着性に優れたパターン状金属膜を有し、パターン状金属膜間の絶縁性に優れるパターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The manufacturing method of the grooved bar manufactures the grooved bar 11 having grooves 23 formed on the surface of a bar material 8 and includes a step of cutting and etching the surface of the material 8 by combining them, thereby forming the grooves 23.
本発明に係る溝付条の製造方法は、条材８の表面に溝部２３が形成された溝付条１１を製造する方法であり、条材８の表面に切削加工とエッチング加工を組み合わせて施し、溝部２３の形成を行うものである。 - 特許庁 - The manufacturing method uses a low-cost process step and a wet chemical etching step at a mainframe, and the SPM sensor which is provided with the rectangular cantilever having the tip protruding or not protruding from the free end part is manufactured from a single object.
本製造法は費用のかからないプロセスステップ、大体において湿式化学エッチングステップを利用し、その結果自由端部より突出しまたは突出しないチップを持つ矩形片持ちばりを備えたＳＰＭセンサーを単一物から製造することを可能にする。 - 特許庁 - The method includes steps of: obtaining data representing the plurality of features; and forming at least one of the plurality of features by etching a substrate to form a mesa and depositing a chrome layer over the entire upper surface of the mesa; where the mesa has a predetermined height.
この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも１つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。 - 特許庁 - To provide a composition for semiconductor cleaning with which side wall deposits and resist residues can be cleaned and removed without damaging, for example, etching an aluminum alloy wiring layer, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the composition for semiconductor cleaning.
アルミニウム合金配線層にエッチングなどのダメージを与えることなく、側壁堆積物やレジスト残渣を洗浄除去できる半導体洗浄用組成物並びに、その半導体洗浄用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an epitaxial growth method of semiconductor element in which a uniform shape can be formed epitaxially by preventing etching damage of a silicon peripheral insulation film being grown in the surface treatment process of a semiconductor substrate for SEG process.
ＳＥＧ工程のための半導体基板の表面処理工程において成長させるシリコン周辺絶縁膜のエッチング損傷を防止することにより、均一な形状のエピチャネルを形成し得る半導体素子のエピチャネル形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of performing uniform etching treatment without damaging a connection terminal when forming the connection terminal capable of wiring and connecting semiconductor chips, and to provide the semiconductor, a circuit board, and electronic equipment.
半導体チップ間などを配線接続することができる接続端子を形成するときに、かかる接続端子にダメージを与えずに均一なエッチング処理することができる半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet-curing resin composition made of a polymerizable compound having an ester bond hardly to hydrolyze even in an acidic high-temperature water solution, and a manufacturing method of a shadow mask in which an etching can efficiently perform to produce the shadow mask with high quality.
酸性高温水溶液中でも、エステル結合が加水分解し難い重合性化合物を含有する紫外線硬化型樹脂組成物、および効率的にエッチングでき且つ高品質のシャドウマスクを製造できるシャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In an amorphous laminate core processing method for cutting out a prescribed core shape by the wire discharge processing of a laminate of amorphous thin plates to which insulating resins are applied and then etching the cut surface, the wire discharge processing is performed in water.
本発明は、絶縁性樹脂を塗布したアモルファス薄板の積層体をワイヤ放電加工して所定コア形状に切断した後、切断面をエッチング処理するアモルファス積層コアの加工方法であって、ワイヤ放電加工を水中で行うことを特徴としている。 - 特許庁 - To reduce the required amount of a flocculant to be added, reduce the volume of generated sludge, reduce the water content of sludge and improve dewaterability, and stabilize the quality of treated water in a method for solid-liquid separation of silica (SiO_2) precipitated by adding an acid to wastewater from silicon wafer etching.
シリコンウエハエッチング排水に酸を添加して析出したシリカ（ＳｉＯ_２）を固液分離する方法において、凝集剤の必要添加量の低減、発生汚泥の減溶化、汚泥含水率の低減と脱水性の向上、処理水質の安定化を図る。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution and good dry etching resistance even in the formation of an isolated pattern, to provide a resist film using the composition, and to provide a pattern forming method.
孤立パターンの形成においても、高感度、高解像性、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics, the resolution and dry etching resistance of an isolated pattern and enables a pattern of good configuration to be formed, and to provide a pattern forming method using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a capacitor preventing that an electrode support film may be removed and fall off or be contracted to lead a lower electrode to collapse even when solution etching is used to form the lower electrode of a crown structure, involving simple processes, and suppressing an increase of a process cost.
クラウン構造の下部電極形成に溶液エッチングを用いても電極支持膜が剥離脱落したり、収縮して下部電極が倒壊することを抑制し、工程が簡略であり、プロセスコストの増大を抑えたキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a light-emitting device capable of preventing light extraction efficiency from being degraded while securing an excellent bondability by subjecting a p-clad layer located on a surface layer to wet etching according to a mask pattern, and to provide a light-emitting device.
表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。 - 特許庁 - A trapezoidal trench is formed on the surface of a semiconductor substrate by using a LOCOS method and wet etching, and a lower electrode layer 5 is formed on the surface of the trapezoidal trench, and a capacitance insulating film 6 and an upper electrode 7 are laminated in this order over the lower electrode layer.
半導体基板の表面にＬＯＣＯＳ法およびウェットエッチングを用いて台形状トレンチを設け、台形状トレンチ表面に下部電極層５を形成し、下部電極層の上に容量絶縁膜６と上部電極７を順次積層する。 - 特許庁 - After a photosensitive resin pattern is formed on a copper seed film on an insulating substrate and a buried wiring pattern of copper is formed at an opening part thereof, a peak part and a side face part of the buried wiring pattern are exposed from the photosensitive resin film through selective etching by a wet blast method.
絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。 - 特許庁 - The new method for manufacturing the structure comprises the steps of: preparing a film in which a first material containing a noble metal is dispersed in a second material; and removing the second material in the film by dry etching.
本発明に係る新規製造方法は、貴金属を含み構成される第１の材料が、第２の材料に分散している膜を用意する工程、及び前記膜中の前記第２の材料をドライエッチングにより除去する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an end point detecting method, in which the etching end point is rapidly detected by using an interlayer insulating film having a novel structure when the interlayer insulating film is etched, so that embedded wiring is formed in a semiconductor substrate.
半導体基板に埋め込み配線を形成する際に行われる層間絶縁膜のエッチングを行う場合に、新規な構造の層間絶縁膜を用いてエッチングの終点検出を速やかに行うことを特徴とする終点検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a tapered through hole formed without wet etching the through hole having a taper shape in which a sidewall face has a suitable slope and good coverage of a wiring material and without using a polysilicon.
側壁面が適正な傾斜をもつテーパ形状を有し、配線材料のカバレッジが良好なスルーホールを、ウェットエッチングを行うことなく、また、ポリシリコンを使用することなく形成するテーパ状スルーホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor laser less damaging an active layer by dry etching, a self-excited nitride semiconductor laser capable of attaining stable FFP and low consumption power, a nitride semiconductor laser with high reliability, and a method of manufacturing those.
ドライエッチングによる活性層へのダメージの小さな窒化物半導体レーザと、安定したＦＦＰと、低消費電力化とを実現することの可能な自励発振型の窒化物半導体レーザと、信頼性の高い窒化物半導体レーザと、これらの製造方法とを提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition satisfying the requirements of wide exposure latitude, reduction in line edge roughness, a desirable pattern configuration and dry etching resistance and giving a pattern with few defects after development, and to provide a method for forming a pattern by use of the above composition.
広い露光ラチチュード、ラインエッジラフネスの低減、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.
CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.
より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electric circuit board where a metal foil-clad laminate is not used as a substrate and a process dispenses with an etching process and a resist process, thereby capable of shortening processes such as a conventional circuit board and saving resources and energy and further capable of simultaneously manufacturing a plated through hole.
金属箔張積層板を基板として用いず、エッチング工程やレジストの除去工程を必要とせず、その結果、従来の配線基板などの工程の短縮化及び省資源省エネルギー化を図ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the side wall 2a of an oxide film 2 is prevented from being tapered inversely in a wet etching process for removing a natural oxide film in the case of forming contacts between a semiconductor substrate and a metal wiring.
半導体基板と金属配線とのコンタクトを形成するとき、自然酸化膜を除去するためのウェットエッチング工程にて、酸化膜２の側壁２ａが逆テーパー形状となるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for cleaning a semiconductor wafer has steps of cleaning with a cleaning solution of an organic alkaline group, having a slight etching function, and cleaning with a high-purity organic solvent, for example isopropyl alcohol, in order to remove Ca and Mg on the surface of the wafer.
半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 - 特許庁 - This method comprises adding metallic iron in the existence of Ni ion resulting in the deposition of cobalt ion which is contained as an impurity in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution or is generated in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution through an etching treatment or the like.
塩化鉄水溶液に不純物として含まれるコバルトイオン、又はエッチング処理などによって塩化鉄水溶液中に生成されたコバルトイオンを、ニッケルイオンの存在下に金属鉄を加え、塩化鉄水溶液中に含まれるコバルトイオンを析出させる。 - 特許庁 - In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation.
ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。 - 特許庁 - The method of manufacturing electrode fibers of silicon or silicon containing materials for an anode of a lithium ion battery, includes steps of: etching a silicon substrate or a silicon containing substrate to form pillars; and removing the pillars from the substrate.
リチウムイオン電池のアノード用の、シリコン又はシリコン含有物質の電極繊維を製造する方法であって、該方法は、ピラーを作製するためにシリコン基板又はシリコン含有基板をエッチングする工程、及び、該基板から該ピラーを分離する工程を含む方法。 - 特許庁 - By applying this method, the distortion occurring in the reed screen type part of the thin metal sheet with the slit type apertures manufactured by the photo-etching process can be corrected, which enables elimination of rejection to be disposed and improvement of the manufacturing yield.
この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口部を有する金属製薄板の簾部分に発生した変形を修正することができ、今まで廃棄していた不良品を無くし、製造時における歩留りを上げることができる。 - 特許庁 - To provide a film carrier tape that reduces the full-etching warping or curling of a conductive layer which becomes one of warping indexes at the time of patterning the conductive layer by widening the selection width for the chemical structure of a polyimide film, and also to provide a method of manufacturing the tape.
ポリイミドフィルムにおける化学構造の選択の幅を広げ、導電層にパターニングを行った際の、反りの指標の一つとなる導電層フルエッチング時のそりやカールを低減させることができるフィルムキャリアテープおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, regions A1, A2, A3 of a diffraction optics 1 are divided successively into a circular and two annular regions in this order in the radial direction, and an eight step stair structure is manufactured in the region A1 by repeating patterning and etching processes.
回折光学素子１を領域Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ半径方向に円形及び円環形領域に３分割し、領域Ａ１においてパターニング及びエッチングの工程を繰り返すことにより領域Ａ１に８段の階段構造を製作する。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises the steps of: forming a multilayer structure object consisting of NbN/MgO/NbN-SIS bonding on an MgO temporary substrate; forming SiO_2 on the multilayer structure object as a substrate; and forming the thin film device by removing the MgO temporary substrate by etching.
ＭｇＯ仮基板上にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ−ＳＩＳ接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてＳｉＯ_2を形成し、ついでエッチングにより前記ＭｇＯ仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the wiring board includes a step for preparing a board 10 having a tape like base board and a metallic layer provided to the base board, and a step for jetting an etching liquid 100 on the board 10 to etch the metallic layer while transporting the board 10.
配線基板の製造方法は、テープ状のベース基板と、ベース基板に設けられた金属層と、を有する基板１０を用意する工程と、基板１０を搬送しながら基板１０にエッチング液１００を噴射して金属層をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁 - This is to provide an improved version of a silicon wafer etching method in which an acid etchant and an alkaline etchant are individually stored in a plurality of tanks, and a silicon wafer having a process modified layer formed through a lapping process and a subsequent cleaning process is sequentially immersed in the acid etchant and the alkaline etchant.
複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法の改良である。 - 特許庁 - By applying this method, the distortion occurring in the reed screen type part of the thin metal sheet with the slit type apertures manufactured by the photo-etching process can be corrected, which enables elimination of rejection to be disposed and improvement of the manufacturing yield.
この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口部を有する金属製薄板の簾部分に発生した変形を修正することができ、今まで廃棄していた不良品を無くして製造の歩留りを上げることができる。 - 特許庁 - A polycrystal Si to be a heating resistor section, an interbedded insulation film 36, a metallic wiring pattern layer and a surface protection film 41 are formed on an SI substrate, then the interbedded insulation film 36 and surface protection film 41 are removed by a dry-etching method to open a pit 8 to form an opening.
Ｓｉ基板上に発熱抵抗体部となる多結晶Ｓｉ、層間絶縁膜３６、金属配線層、表面保護膜４１などを形成後、層間絶縁膜３６および表面保護膜４１をドライエッチングによって除去し、ピット８を開口させる。 - 特許庁 - (1) The method for forming the structure is characterized by using the medium having the laminated structure of the light absorption layer and the thermal reaction layer and forming the fine structure by a step of irradiating at least the medium with the light and a step of etching the medium.
（１）光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。 - 特許庁 - To provide a dry cleaning method applied to a dry etching device provided with a plasma generator employing an alumina discharge tube, which enhances the availability of the device by efficiently removing aluminum fluoride attached to the inner surface of the alumina discharge tube without disassembling a channel for a reactant gas.
アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチング装置に適用するドライクリーニング方法において、反応ガスの流路を分解することなくアルミナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、装置の稼働率を上げる。 - 特許庁 - The COF tape has a wiring pattern 2 made of copper by a subtractive method on one surface of an insulating tape base 1, and the wiring 3 formed by etching is sectioned in a suitable trapezoid shape to secure necessary size precision of a top width T of the wiring.
絶縁テープ基材１の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープであって、エッチングにより形成される配線３の断面形状を最適な台形状にすることで、配線のトップ幅Tの必要な寸法精度を確保する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents variations in film thicknesses of the peripheral nitride films of the trench from being generated by etching in digging deeply a trench up to a depth for complete separation so that variations in film thicknesses of the element separating films are suppressed.
トレンチを完全分離の深さに深掘する際のエッチングによって、当該トレンチの周辺の窒化膜の膜厚にばらつきが生じることを抑制し、これにより素子分離膜の膜厚のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold.
そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。 - 特許庁 - To provide an electrode forming method for a surface acoustic wave (SAW) device in which power resistance is improved by suppressing the occurrence of hillocks or voids without any residue when etching an Al alloy film containing metal halides low in vapor pressure.
本発明の目的は、ハロゲン化物の蒸気圧が低い金属を含んでいるＡｌ合金膜のエッチングにおいて、残渣を残さずに、ヒロックやボイドの発生を抑制し耐電力性が向上する弾性表面波デバイスの電極形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the semiconductor device, as the etching stopper in forming a groove 10 of a pad portion and a groove 11 of a wiring portion, an SiN film 5 corresponding to a third insulating film is interposed between an oxide film 4 corresponding to a second insulating film and an oxide film 8 corresponding to a fourth insulating film.
パッド部の溝１０および配線部の溝１１を形成する際のエッチングストッパーとして第３絶縁膜に相当するＳｉＮ膜５を第２絶縁膜に相当する酸化膜４と第４絶縁膜に相当する酸化膜８の間に配置する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which does not alter the overall etching characteristics of a substrate to be processed even if the bias power being applied to a wafer is partially divided and applied to a focus ring by controlling the bias power being applied to a wafer not to be affected but is kept constant.
ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11.
本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This invention provides a manufacturing method for a package of a crystal vibrator that is characterized by that anisotropic etching is applied to a silicon substrate to form a recessed part to the surface of the substrate, a crystal chip is mounted on a circuit substrate with a circuit pattern formed thereto, and the recessed part of the substrate is covered and sealed.
シリコン基板に対して、異方性エッチングを行い表面に基板凹部を形成し、さらに回路パターンを形成した回路基板に水晶片を実装し、その基板凹部に蓋をして封止することを特徴とする水晶振動子のパッケージを形成する。 - 特許庁 - A conductor layer 13 is formed on the insulating layer 15 through a metallizing method such as plating, sputtering or the like, and a wiring pattern 14 electrically connected to the connection terminal 4 of the electronic part 3 at openings 12 provided to the insulating layer 15 is formed by etching.
絶縁層１５上にメッキおよびスパッタリング等のメタライズ法により導電体層１３を形成してエッチングすることによって、絶縁層１５の開口部１２において電子部品３の接続端子４と電気的に接続された配線パターン１４を形成する。 - 特許庁
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