「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 116 117 118 119 120 121 122 123 124 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor with which aggregation of a filler in a coating liquid onto etching pits formed on the surface of an aluminum pipe stock, so that an electrophotographic photoreceptor free from faulty printing can be obtained, and to provide an electrophotographic photoreceptor.
アルミニウム素管表面に形成されるエッチングピット上への塗布液中のフィラーの凝集を防止して、印字障害の発生のない電子写真感光体を得ることができる電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a partial plating lead frame that is free from plating burrs and also free from exposure of the surface of a metal plate material over a part necessary to be plated, in case when a lead frame is manufactured by etching after plating is applied on the surface of the metal plate in advance.
金属板の表面に先にめっきを施した後、エッチング加工によりリードフレームを製造する場合に、めっきバリがなく、且つめっきが必要な部分に金属板素材表面の露出がない、部分めっきリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a pattern of a magnetic thin film, by which the magnetic thin film having satisfactory adhesion and high precision can be formed by preventing the damage to the surface of a base electrode film for electroplating, generated when a plating mask or a plating frame using dry etching is formed.
ドライエッチングを用いためっきマスクあるいはめっきフレームの形成時に生じる、電気めっき用下地電極膜表面へのダメージを防止して、密着性の良い、精度の高い磁性薄膜を形成する磁性薄膜のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a stencil mask by which the deposition of foreign matter is prevented in a step for forming a pattern opening in a single-crystalline silicon wafer, particularly in a step for etching a middle silicon dioxide film and a high quality stencil mask is produced in a high yield.
単結晶シリコンウェハにパターン開口部を形成する工程や、特に中間シリコン酸化膜をエッチングする工程での異物の付着を無くし、製造歩留まりの高い高品質のステンシルマスクを製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.
基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁 - In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern.
このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.
エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of an oxidizer such as a hydrogen peroxide aqueous solution.
過酸化水素水などの酸化剤に代えてＵＶインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁 - It is assumed that a dry etching method is employed wherein a metal conductive film containing high-fusion-point metal, the copper-containing aluminum film, and a mask layer are formed in order on an insulating film and dry-etched to form a wiring pattern of the metal conductive film and copper-containing aluminum film.
絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。 - 特許庁 - Consequently, a phenomenon can be sharply suppressed that ruggedness may be generated on the line edge of the gate electrode due to etching using a silicon oxide film hard mask layer having ruggedness caused by wavy ruggedness generated on the surface of the polysilicon layer in a conventional method.
これにより、従来の方法である、ポリシリコン層表面に生じたうねり状の凹凸に伴った凹凸を有するシリコン酸化膜ハードマスク層を用いてのエッチングによる、ゲート電極のラインエッジでの凹凸発生の現象を、大幅に抑えることが可能となる。 - 特許庁 - The method of manufacturing a substrate for a photovoltaic cell includes a first step of forming a zinc oxide thin film layer doped with a dopant on a transparent substrate, and a second step of controlling a surface structure of the zinc oxide thin film layer by etching using hydrogen plasma.
本発明は、光電池用基板の製造方法に関し、透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛薄膜層を形成する第１ステップ、及び、水素プラズマによるエッチングを通じて前記酸化亜鉛薄膜層の表面構造を制御する第２ステップを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a III-nitride semiconductor structure and including the strategic modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte so that highly-selective photo-induced etching is performed.
選択性が高い光誘導性のエッチングを達成するために、電解質に対する半導体構造の局部的電気化学的ポテンシャルを戦略的に改変することを含む、ＩＩＩ−窒化物半導体構造を製造するための方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a photoresist stripping liquid that can effectively remove a residue of a photoresist film and an etching residue on a substrate having a metal layer containing tantalum as at least a conductive metal film formed thereon, and to provide a substrate treatment method using the photoresist stripping liquid.
少なくとも導電性金属膜としてタンタルを含む金属層が形成された基板上のフォトレジスト膜の残留物及びエッチング残渣物を効果的に除去することが可能なフォトレジスト用剥離液、及びこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of producing a member for an electronic component by which the surface of a machined copper or copper alloy material is tinned, the surface of the copper or copper alloy material is subjected to etching treatment before the tinning.
機械加工された銅または銅合金材料表面にスズめっきを施す電子部品用部材の製造方法であって、前記スズめっきの前に銅または銅合金材料表面をエッチング処理することを特徴とする電子部品用部材の製造方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor is provided for etching a non silicon-containing organic film 35, of a combined film composed of a silicon-containing organic film 34 and the non silicon-containing organic film 35, by using mixing gas plasma of nitrogen and hydrogen.
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン含有有機膜（３４）とシリコン非含有有機膜（３５）から構成される複合膜に対して、窒素と水素との混合系ガスプラズマを用いてシリコン非含有有機膜（３５）をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁 - Its manufacturing method includes forming the mesa-like piezoelectric substrate on the plate-like piezoelectric substrate using photo-lithography and etching techniques; putting the piezoelectric substrate into a cylindrical container together with abrasive material; and rotating the container at a predetermined rotating speed to manufacture the mesa-bevel type piezoelectric substrate.
その製造方法は、平板状の圧電基板上にフォトリソ技術とエッチング手法とを用いてメサ形圧電基板を形成し、該圧電基板を研磨剤と共に円筒容器に入れ、所定の回転速度で回転してメサ−ベベル型圧電基板を製造する。 - 特許庁 - This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming a silicon cermet film 5; a process of forming a protective film 4 for protecting the silicon cermet film 5; and an opening process of forming contact holes 6 by plasma-etching the protective film 4.
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコンサーメット膜５を形成する工程と、シリコンサーメット膜５を保護する保護膜４を形成する工程と、保護膜４をプラズマエッチングすることでコンタクトホール６を形成する開口工程と、を備える。 - 特許庁 - To provide a plasma etching apparatus which can treat both sides of a material to be etched by efficiently applying a bias to both faces thereof regardless of a material of a substrate, when plasma-treating both faces of the material to be etched such as a magnetic recording medium, and to provide a method therefor.
磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。 - 特許庁 - The fine processing method of a glassy carbon base material has a step for providing the glassy carbon base material and performing a heat treatment for 1-10 hours at a temperature not lower than 2,000°C and not higher than 2,500°C in an atmosphere of a halogen gas, and a step for performing a dry etching process after said step.
本ガラス状カーボン基材の微細加工方法は、ガラス状カーボン基材を用意し、ハロゲンガス雰囲気、２０００℃以上２５００℃以下の温度で１〜１０時間の熱処理を行う工程と、この工程後にドライエッチング加工を行う工程を有する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the floor material 1 comprises the step of forming masks on planes to form the convex regions (protrusions 30) in the surface of the metal plate, and the step of immersing the metal plate with the masks in an etching liquid so as to form recesses (grooves 20) in the surface of the metal plate.
床材１の製造方法は、金属板の表面のうち凸領域（凸部３０）となる面にマスクを形成する工程と、マスクを形成した金属板をエッチング液に漬けて金属板の表面に凹部（溝２０）を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a semiconductor device having the DRAM region provided with a stacked capacitor and the logic region on a semiconductor substrate, etching is performed when a cell plate pattern is formed in such a manner that an upper capacitor electrode layer 124 is left at least partly in the logic region.
半導体基板上にスタックキャパシタを有するＤＲＡＭ領域と、ロジック領域とを有する半導体装置の製造方法において、セルプレートパターン形成時に、ロジック領域にも少なくとも部分的に上部キャパシタ電極層１２４を残してエッチングする。 - 特許庁 - To provide a print mask manufacturing method capable of suppressing significant disruption in a print pattern due to low removal performance of a print material from a through hole while avoiding the disruption in the shape of a through hole due to irradiation of laser for half-etching processes.
ハーフエッチング加工用のレーザーを照射してしまうことによる貫通孔の形状の乱れを回避しつつ、貫通孔からの印刷材抜け性の悪さによる印刷パターンの著しい乱れを抑えることが可能な印刷マスク製造方法を提供する。 - 特許庁 - (2) Furthermore, in the manufacturing method, the cleaning of the rear-surface side of its silicon semiconductor substrate is performed by silicon chemical etching, and the content of copper locally in the portion whose boundaries are separated by 3 nm from the rear-surface side of its silicon semiconductor substrate is set to be not larger than 1×10^9/cm^2.
（２）シリコン半導体基板の裏面側に対してシリコン化学エッチングによる洗浄を行い、シリコン半導体基板の裏面側から３ｎｍまでの部分に局在化した状態で含まれる銅の含有量を１×１０^9／ｃｍ^2以下とする。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the printed circuit board in which metal layers are laminated via insulating layers and a via-hole is provided to connect the metal layers, the metal layers in the front surface side of the via-hole are reduced in thickness by the chemical etching process after resin is supplied into the via-hole.
絶縁層を介して金属層を積層し、金属層間を接続するビアホールを設けるプリント配線板の製造方法にあって、前記ビアホール内に樹脂を注入後、化学エッチングで前記ビアホールの表面側の前記金属層を薄くする。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for economically mass-producing activated calcium hydrogen phosphate dihydrate by etching and activating the particle surface of calcium hydrogen phosphate dehydrate without polluting environment or degrading the performance.
リン酸水素カルシウム二水和物からその粒子表面をエッチング処理して活性化した活性化リン酸水素カルシウム二水和物を、環境を汚染することなく、またその性能を落とすことなく、経済的に量産することができる方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - The method includes steps of providing a semiconductor substrate on which a gate electrode pattern is formed, implementing many-time simultaneous vapor deposition and etching processes to form an interlayer dielectric film made up of multilayer HDP oxidized films so as to embed the gate electrode pattern.
ゲート電極パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、多数回の同時蒸着及びエッチング工程を行い、前記ゲート電極パターンが埋め込まれるように多層のＨＤＰ酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁 - In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.
プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light element capable of preventing the reduction of contact area between a semiconductor layer in a waveguide ridge top and an electrode by a simple process, and preventing the semiconductor layer in the waveguide ridge top from being damaged by etching.
簡単な工程により導波路リッジ頂部の半導体層と電極の接触面積の減少を防ぎ、導波路リッジ頂部の半導体層がエッチングによって損傷を受けるのを防ぐことができる半導体光素子の製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method for producing a polyol compound for photoresists which can reduce line edge roughness (LER) and can efficiently obtain a high purity polyol compound for photoresists useful in preparing a resist composition having excellent resolving power and etching resistance.
ＬＥＲを低減することができ、且つ、解像性及び耐エッチング性に優れるレジスト組成物を調製するために有用なフォトレジスト用ポリオール化合物を高い純度で効率よく得ることができるフォトレジスト用ポリオール化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming a gate trench in a semiconductor layer containing silicon by etching the semiconductor layer using, as a mask, a mask layer containing silicon nitride and a side wall film formed on a side wall of the mask layer.
実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、シリコン窒化物を含むマスク層及びマスク層の側壁に形成されたサイドウォール膜をマスクにして、シリコンを含む半導体層をエッチングし、半導体層にゲートトレンチを形成する工程を有する。 - 特許庁 - This method includes a step of treating an anhydrous sulfide by using a disulfur dichloride solution between a step of forming a stripe-like mesa section by etching and a step of forming a current blocking layer.
半導体レーザの製造方法において、 エッチングによってストライプ状メサ部を形成する工程と、電流ブロック層を形成する工程との間に、二塩化二硫黄液による無水系硫化物処理を行う工程を、含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 特許庁 - Then after a GaN layer 16 having a prescribed film thickness is grown on the GaN layer 14 by an HVPE method, the self-supporting substrate is formed by removing the GaAs substrate 10 and the GaN buffer layer 12 of a growth substrate 1 by polishing and etching or the like.
つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。 - 特許庁 - To provide a formation method for an inter-metal layer insulating film of a semiconductor element by which element characteristics are effectively prevented from deteriorating by preventing the formation of an inter-metal wiring abnormal film caused by etching for a part of metal wiring when an inter-layer insulating film is formed.
層間絶縁膜形成時に金属配線の一部がエッチングされることで金属配線間の異常膜が形成されるのを防止し、素子特性の劣化を有効に防止できる半導体素子の金属層間絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film carrier tape that reduces the full-etching warping or curling of a conductive layer which becomes one of the warping indexes of the conductive layer at the time of patterning the conductive layer by widening the selection width for the chemical structure of a polyimide film, and also to provide a method of manufacturing the tape.
ポリイミドフィルムにおける化学構造の選択の幅を広げ、導電層にパターニングを行った際の、反りの指標の一つとなる導電層フルエッチング時のそりやカールを低減させることができるフィルムキャリアテープおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an optical element using a thin plate having a rugged part formed on the surface of a substrate by dry etching and the like, wherein the surface of the substrate which lacks Li by its external diffusion is repaired and breakage of the substrate is suppressed.
ドライエッチングなどにより基板表面に凹凸部を形成した薄板を使用する光学素子の製造方法において、Ｌｉの外拡散で欠乏した基板表面を補修すると共に、基板の破損を抑制した光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - When the shape of the photosensitive resist material is transferred to the cemented carbide by a dry etching method, micro- concaves 14 of about 0.02 μm diameter are formed in micro-concaves 12 in the surface 10b of a structural component of the cemented carbide.
そして、感光性レジスト材料形状をドライエッチング法によって超硬合金に転写すると、超硬合金の機構部品表面１０ｂ表面のマイクロ凹形状１２の内部に、さらに小さな直径０．０２μｍ程度の凹形状１４が形成される。 - 特許庁 - To provide a convenient method for producing monofluoromethane, by which monofluoromethane is produced with a high yield, which is suitable for producing high-purity monofluoromethane usable as an etching agent or a cleaning agent etc., in a thin film process of a semiconductor industry, and which is conducted with a simple apparatus and an easy operation.
モノオフルオロメタン収率が高く、半導体工業の薄膜プロセスでのエッチング剤、クリーニング剤等として使用できる高純度のモノフルオロメタンの製造に適し、かつ簡易な装置と容易な操作で行える簡便なモノオフルオロメタンの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.
露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.
この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a semiconductor device, in which a sidewall insulating film covering the side surface of a gate electrode of a first element is formed while the occurrence of a damage caused by etching on a region on which a second element of a semiconductor substrate is formed is suppressed.
半導体基板の第２素子が形成される領域にエッチングによるダメージが発生するのを抑制しながら第１素子のゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning method of heat processing equipment in which cleaning operation can be carried out quickly by removing an unnecessary film, i.e. a silicon oxide film formed by TEOS (tetraethyl orthosilicate), adhering to the structure in the heat processing equipment efficiently and quickly at a high etching rate.
熱処理装置内の構造物に付着した不要な膜であるＴＥＯＳによるシリコン酸化膜を高いエッチングレートで効率的に、且つ迅速に除去するようにしてクリーニング処理を迅速に行うことが可能な熱処理装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of etching substrate by which a plurality of substrates can be etched by preventing the sticking of a substrate connecting tape onto circuit patterns by eliminating the sticking error of the tape at the time of connecting the edge sections of adjacent substrates to each other with the tape.
複数の基板をエッチングする方法において、基板接続用テープによって隣り合う各基板の縁部を連結する際に、基板接続用テープの貼り付け誤差を解消し、基板接続用テープの回路パターン上への貼付を解消することを課題とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device further comprises the steps of: forming an amorphous Si layer 26 on the opposite surface side of the epitaxial semiconductor layer 4 after the etching step; and forming an anti-reflection film and a color filter on the amorphous Si layer 26 in this order.
半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an organic bottom anti-reflective coating over an etch target layer, a step of forming a photoresist pattern over the organic bottom anti-reflective coating, and a step of etching the organic bottom anti-reflective coating using a sulfur-containing gas.
被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing an ink jet head in which failure of production is reduced through a production process for blocking progress of silicon etching and a silicon channel plate is provided while reducing the cost, and to provide an ink jet head and an ink jet recorder.
本発明は、シリコンエッチングが進行しないようにする製造工程によって製造不良が低減し、低コスト化を図れるシリコン流路板を提供するインクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.
このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a substrate, in which a desired fine uneven structure having a comparatively large area can be formed on a surface of the substrate, by paying attention to mask formation by a nano-inprint process allowing a mask having a comparatively large area to be obtained and chemical etching allowing a large area to be processed.
比較的大面積化が可能なナノインプリントプロセスによるマスクの形成と、大面積の処理が可能な化学エッチングとに着目することで，基板の表面に比較的大面積の所望の微細凹凸構造を形成可能な方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which can control a reflection electric power generated when an etching primary process and a deposition primary process are switched or when on and off of a high frequency electric power which is supplied to a plasma generation device or an electrode are switched.
エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のＯＮ／ＯＦＦを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.
酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.
ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁
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