「etching method」を含む例文一覧(6852)
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本発明の課題は、大きな面積全体、あるいは適当なピッチでの溝構造をエッチングするにあたり、周辺部が中心部より早くエッチングされてしまう不具合を解決して、全体として加工精度のよいエッチング加工を施せる方法を提示することにある。 - 特許庁 - In addition, the manufacturing method has a step, in which the second nitride semiconductor layer 18 is etched so that the etching is automatically stopped, in a state where the second nitride semiconductor layer 18 remains, by making the second nitride semiconductor layer 18 react with an alkali etchant, while irradiating the second nitride semiconductor layer 18 with a light.
続いて、第２の窒化物半導体層１８に光を照射しつつアルカリ性のエッチャントと反応させることにより、第２の窒化物半導体層１８が残存した状態で自動的にエッチングが停止するように第２の窒化物半導体層１８をエッチングする。 - 特許庁 - The method of manufacturing a diode device (30) such as PIN diodes comprises a step for forming an upper and lower regions (38, 40) having opposite conductivities, and a step for anisotropically etching into the upside to form a pit (32) having side walls (56, 58 and 60) extending and converging toward the downside.
PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a large number of reproducible, hyperbolic drum type elements by using an ion beam etching process, and a hyperboloidal drum type structure that is adjustable in size of an active layer and that is usable for manufacturing optical devices and an electronic devices of nano-scale.
イオンビームエッチング法を利用して再演性のある双曲面ドラム型素子を大量に製造する方法、及び活性層の大きさの調節が可能であって、ナノ規模の光素子及び電子素子の製造に活用することができる、双曲面ドラム型構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure of an electronic device capable of properly etching a sacrificial layer to release a movable part even if a gap becomes smaller in an electronic device with the movable part having a gap from a function structure body constituting a function element, and a manufacturing method therefor.
機能素子を構成する機能構造体が下方に間隙を有する可動部を備えてなる電子装置において、上記間隙が小さくなっても可動部をリリースするための犠牲層エッチングを適度に行うことができる電子装置の構造及び製法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film, either an LaAlO_x film or PrAlO_x film, on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 9-10 in pH.
シリコン基板の上に、ＬａＡｌＯ_ｘ膜およびＰｒＡｌＯ_ｘ膜のいずれか一方の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ９〜１０の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method capable of manufacturing a semiconductor device with a good yield by preventing damage and contamination of a wafer and an etching device caused due to grinding dusts generated in a mechanical grinding process, in a semiconductor wafer ground up to extremely-small thickness, in particular, an extremely-thin wafer with an annular projecting part formed thereon.
極薄にまで研削された半導体ウエハ、特に環状凸部が形成された極薄ウエハにおいて、機械的研削工程で発生した研削屑によるウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を防止し、半導体装置を歩留まりよく製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a remover for multistage processing which safely and efficiently removes an etching residue in a short time that is formed in the forming process of a semiconductor multi-layer wiring structure and a display panel such as a liquid crystal panel, and to provide a stripping method using the remover.
半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ短時間に効率的に除去することのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.
（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a memory cell of a floating gate structure which can form a silicon nitride film without involving reduction in yield while suppressing fluctuations in transistor threshold voltage as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode.
浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this method of manufacturing a high purity caustic soda aqueous solution for wafer etching, a caustic soda aqueous solution is contacted with an active carbon activated by immersion treatment in nitric acid, and its iron content is reduced to not higher than 200 ppb, and its nickel content to not higher than 20 ppb.
苛性ソーダ水溶液を硝酸に浸漬処理して賦活した活性炭と接触させて、その含有鉄分を２００ｐｐｂ以下に、ニッケル分を２０ｐｐｂ以下になるまで除去することを特徴とするウエーハエッチング用高純度苛性ソーダ水溶液の製造方法。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device manufacturing method which can improve sensitivity of a solid state imaging device while restraining generation of a dark current, and manufacture easily a solid state imaging device in which wiring is not damaged by etching treatment.
本発明の目的は、暗電流の発生を抑制しつつ固体撮像装置の感度を向上させることができると共に、エッチング処理により配線がダメージを受けていない固体撮像装置を容易に製造可能とできる固体撮像装置製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method with less damage such as a pattern peel-off when performing a processing of removing a residual substance such as a sacrifice film after etching a film to be etched, by solubilizing this residual substance in a prescribed liquid and subsequently removing the residual substance by this prescribed liquid.
被エッチン膜をエッチング後、犠牲膜等の残存物質を除去する処理を、その残存物質を所定の液に可溶化し、次いで、その所定の液により残存物質を除去することで行う際に、パターンはがれ等のダメージが少ない基板処理方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises (A) a step of forming a patterned organic film on a substrate, (B) a step of forming the conductive layer on a surface of the patterned organic film by electroless plating and (C) a step of removing a part of the conductive layer by contacting the same with an etching gel composition.
上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁 - To provide a pattern forming material excellent in follow-up feature for unevenness of a base material surface and capable of forming a high definition pattern excellent in tenting property and uniformity of etching, a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material, and a pattern forming method using the pattern forming material.
基体表面の凹凸追従性に優れ、かつ、テント性及びエッチングの均一性に優れた高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.
コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for developing a photogravure in which development is performed by etching cell parts on which a photosensitizing agent film is provided, with an alkali developer containing sodium silicate as a principal component, the temperature of the photosensitizing agent film is adjusted to <35°C.
珪酸ナトリウムを主成分とするアルカリ現像液により感光剤被膜が設けられたセル部を腐食することにより現像するグラビア版の現像方法において、感光剤被膜の温度を３５℃未満とすることを特徴とするグラビア版の現像方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can make etching without giving a local damage to a base film, when patterning is made by using multilayer resist as a mask on a semiconductor substrate having a surface step and machining for a gate electrode, a fine wiring and so on are made.
表面段差を有する半導体基板上において、多層レジストをマスクとしてパターニングを行い、ゲート電極や微細配線等を加工する際に、下地膜に局所的な損傷を与えずに、エッチングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element of fine structure in which an alignment accuracy, an accuracy of processing technology by step and repeat exposure, finishing size of resist mask, yield by etching technology, etc. are overcome; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the semiconductor elements of the fine structures are highly integrated.
本発明では、アライメント精度、縮小投影露光による加工技術の精度、レジストマスクの仕上り寸法、エッチング技術等による歩留まりを克服し、微細構造の半導体素子、及び微細構造の半導体素子が高集積化された半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The method of this invention for manufacturing a display device, in which at least a first electrode film (11), a light emitting film (13) and a second electrode film (14) are formed on a substrate (10), and has a feature of patterning at least any of the films by means of laser etching.
本発明の表示装置の製造方法は、基板上(10)に少なくとも第１の電極膜(11)、発光膜(13)及び第２の電極膜(14)を形成してなる表示装置の製造方法において、少なくともいずれかの膜をレーザエッチングによってパターニングすることを特徴とする。 - 特許庁 - The cavity part is etched by a reaction ion etching method and completely specified along side surfaces by side walls arranged at angles between 80°-100° with respect to the membrane, and the adjacent side walls are arranged at an angle of at least 40° with respect to each other.
空洞部は反応イオンエッチング法によってエッチングされ、空洞部は、薄膜に対して８０度と１００度との間の角度で配置された側壁によって側面に沿って全面的に規定され、隣接する側壁は互いに対して少なくとも４０度の角度で配置される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a radio tag 5 and an antenna 2 for the radio tag which can manufacture the radio tag 5 having communication reliability equal to that of an antenna formed by etching, or formed of a bulk metal like a copper coil at a low cost by forming the antenna 2 having sufficient conductive performance.
十分な導電性能を有するアンテナ２を形成し、エッチングや銅線コイル等のバルク金属で形成されたアンテナ同等の通信信頼性を有する無線タグ５を低コストで作製できる、無線タグ５および無線タグ用アンテナ２の形成方法を提供する。 - 特許庁 - A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a base film on a semiconductor substrate; a step of forming an amorphous carbon film on the base film; a step of forming a pattern of the amorphous carbon film; and a step of etching the base film using the amorphous carbon film as a mask.
半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。 - 特許庁 - The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.
シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁 - This method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming etching stop films 102 and 104 made of materials having a low dielectric constant at the upper part of a semiconductor substrate 101 in which a predetermined structure is formed, and a step of forming interlayer dielectrics 103 and 105.
及び、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程において窒化膜または層間絶縁膜より誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a new β-alkylcarboxylate which has two functional groups in the identical molecule and is useful as resist materials having excellent etching resistance, an acid releasing property and adhesivity, or as medicines, agrochemicals, and polymers, and to provide a method for producing the β- alkylcarboxylate.
同一分子中に２つの官能基を有し、優れたエッチング耐性、酸脱離性、密着性を有するレジスト材料、あるいは医薬・農薬・高分子などと関連する合成化学工業の分野で有用な新規なβ−アルキルカルボン酸エステル類及びその製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide a mesa type piezoelectric vibrator which prevents the generation of stage cutting of an electrode in a level difference of a thick part and a thin part at a drawing electrode forming time, and which has high reliability in a method of manufacturing a mesa type piezoelectric vibrator of etching a piezoelectric substrate with an electrode pattern used as a protective film.
電極パターンを保護膜として圧電基板をエッチングするメサ型圧電振動子の製造方法において、引出電極形成時に肉厚部分と肉薄部分との段差に電極の段切れが発生することを防止し、信頼性高いメサ型圧電振動子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a resist composition excellent in transparency to radiation and dry etching resistance and capable of forming a resist pattern excellent in resolution, sensitivity, flatness and heat resistance, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device with a fine pattern having a high degree of integration using the resist composition.
放射線に対する透明性、ドライエッチング耐性に優れ、解像度、感度、平坦性、耐熱性に優れるレジストパターンを形成できるレジスト組成物、ならびに、該レジスト組成物を用いる微細で集積度の高いパターンを持つ半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide an acid-unstable group effective for a fluorine-containing compound; a fluorine-containing compound, a fluorine-containing polymerizable monomer, and a fluorine-containing polymer compound, all of them having an acid-unstable group or groups with high transparency and etching resistance; a photoresist using them; and a pattern formation method.
含フッ素化合物にとって効果的な酸不安定基を提供し、さらに酸不安定基自体に高い透明性、エッチング耐性を持たせた含フッ素化合物、重合性単量体、高分子化合物、又はそれらを用いたフォトレジスト及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents the formation of a nonpermissible notch in a gate during a gate etching process and maintains a trench (a cut portion of a gate footing) in the footing of the gate to the minimum, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor which is quite effective to technology at the level of 0.18 μm.
ゲートエッチングプロセスの間に、許容不可能なノッチがゲートに形成されることを回避し、ゲートの基部のくぼみ（ゲート基部の切削部）を最小に維持された半導体デバイスおよび０．１８μｍ以上の技術に非常に有効である半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the noncontact data carrier has a process for applying printing resist to the metallic foil surface of the base material, on which the resin base material and a metallic foil are laminated, the etching process and a process for removing only the resist from the antenna connection terminals 131, 132.
また、本発明の非接触データキャリアの製造方法は、樹脂基材と金属箔が積層された基材の金属箔面上に印刷レジストを塗布する工程と、エッチングする工程と、アンテナ接続端子上のレジストのみを除去する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a mounting method for preventing tilting when an inertial sensor element formed by etching a quartz plate of a Z plate is mounted in a container, or tilting when the container storing the sensor element is mounted in a user substrate.
本発明は、Ｚ板の水晶板をエッチング加工して形成し、収納容器に実装した慣性センサー素子が、センサー素子と収納容器への実装の傾きあるいは、センサー素子を収納した容器とユーザ基板への実装時の傾きを防止するためのセンサ素子ーの実装改善を目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties achieved by more stabilizing a surface layer oxide film of the aluminum material to solve the problem in the surface treatment before final annealing in the conventional production of the above aluminum material.
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements.
異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.
また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition satisfying demands for a wide exposure latitude, reduction of a skirt-like pattern profile, favorable pattern features and excellent dry etching durability, and allowing formation of a pattern having fewer defects after development, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.
広い露光ラテテュード、パターン裾引き低減、良好なパターン形状、優れたドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.
多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁 - To provide a polyesterimide having a low liner thermal expansion coefficient, a high glass transition temperature, a low water absorption, film toughness sufficient for various applications, and etching characteristics, and useful as an electric insulation film or the like in various kinds of electronic devices; and to provide a precursor thereof, and a method for producing them.
本発明は低線熱膨張係数、高ガラス転移温度、低吸水率、各種用途に十分な膜靭性、およびエッチング特性を有する、各種電子デバイスにおける電気絶縁膜等として有益な、ポリエステルイミドとその前駆体およびこれらの製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - The method further comprises the subsequent steps of: forming a conductive film; anisotropically etching the conductive film thereby to form word lines 111a to 111d on side faces of the third insulator 106a to 106c; and forming a second contact plug 115b for connecting to a capacitor on an apex portion of the third insulator 106b.
その後、導電性膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、第３絶縁体１０６ａ乃至１０６ｃの側面にワード線１１１ａ乃至１１１ｄを形成し、第３絶縁体１０６ｂの頂部にキャパシタへ接続するための第２コンタクトプラグ１１５ｂを形成する。 - 特許庁 - The method has an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film 12, a wiring groove forming step of etching the interlayer insulating film 12 to form a wiring groove 13, and a wiring forming step of filling Al-Cu alloy in the inside of the wiring groove 13 to form a wiring 18.
層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。 - 特許庁 - The method of treating a semiconductor substrate includes: (a) a process for preparing the semiconductor substrate, where the front is subjected to mirror polishing and the rear is not subjected to the mirror polishing; and (b) a process for etching the rear to reduce the roughness on the rear and reducing the warpage of the semiconductor substrate.
半導体基板の処理方法は、（ａ）表面が鏡面研磨され、裏面が鏡面研磨されていない半導体基板を準備する工程と、（ｂ）裏面をエッチングして、該裏面の粗さを減少させるとともに、半導体基板の反りを減少させる工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a stamper for pattern transfer in which the edge shape of a pattern formed on the surface thereof by film deposition or etching has satisfactory linearity, and capable of corresponding to a fine pattern accompanying the increase of the density and capacity in an information recording medium or the like, and to provide its production method.
成膜又はエッチングによりスタンパ表面に形成されたパターンの端形状が良好な直線性を有し、情報記録媒体等の高密度、高容量化に伴う微細パターンに対応可能な、パターン転写用スタンパ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To restrain the formation of a recess in a device separation region and to restrain the deterioration of the accuracy of dimension due to undercut of an oxide film mask, by enabling to remove a part of an oxide film existing on side walls of stepped parts by only anisotropic etching, with respect to a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造方法に関し、段差部側壁に在る酸化膜を異方性エッチングのみで除去することを可能にして、素子分離領域に沈み込みが発生することを抑止し、また、酸化膜マスクのアンダーカットに依る寸法制度の劣化を抑止できるようにする。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the lead frame wherein the thin metal bar formed with a resist film is dipped in an etchant to form a prescribed pattern, a lead frame base material 11 which has finished with etching process is passed between rollers 15 and 16 which are located opposite to each other to crush the end parts in the width direction of the material.
レジスト膜が形成された薄板金属条材をエッチング液に浸漬して所定のパターンを形成するリードフレームの製造方法において、エッチング処理が完了したリードフレーム基材１１を、対向配置されたローラ１５、１６の間を通過させて、その幅方向端部を押し潰す。 - 特許庁 - The metallic foil 1 is manufactured by a method including at least such processes that resist ink is pattern- printed on a metallic sheet raw roll by rotary printing, a surface of the pattern- printed metallic foil sheet raw roll is processed by etching, and the resist ink is removed.
こうした金属箔シート１は、金属箔シート原反上に、輪転印刷によってレジストインキをパターン印刷する工程と、パターン印刷された金属箔シート原反の表面をエッチング加工する工程と、レジストインキを除去する工程とを少なくとも有する方法で製造される。 - 特許庁 - In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.
真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。 - 特許庁 - This manufacturing method is designed to determine whether or not an oxide film 13 in a portion A is completely removed by checking electrical conduction between checking conducting films (non-doped polysilicon film 17) 17b and 17c in portions B and C which have not been dry-etched, whereby dry etching can be performed in an appropriate amount.
ドライエッチングされなかったＢ、Ｃ部分のチェック用導電膜（ノンドープポリシリコン膜）１７ｂと１７ｃ間の電気的な導通をチェックすれことにより、Ａ部分のノンドープポリシリコン膜１７が完全に除去されたか否かを正確に判断し、適量のドライエッチングを施す。 - 特許庁 - The method of manufacturing the photoelectric conversion device 1 comprises processes of: joining silicon bases 4a to the element base 3, providing the photoelectric conversion elements 2 onto the element base 3; and forming the lenses 4 by etching the silicon bases 4a on the surface of the element base 3 opposite to its other surface where the photoelectric conversion elements 2 are provided.
シリコン基体４ａと素子基体３とを接合する工程と、素子基体３に光電変換素子２を設ける工程と、シリコン基体４ａを光電変換素子２とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズ４を形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the stamper including a process for forming a metal thin film 61 on a stamper original plate 50 on which a rugged pattern is formed by etching and then performing electroplating, before the metal thin film 61 is formed, the stamper original plate 50 is heat-treated at 200 to 500°C in air.
エッチングにより凹凸パターンが形成されたスタンパ原版５０に、金属薄膜６１を形成して電気メッキする工程を備えたスタンパの製造方法において、金属薄膜６１を形成する前に、スタンパ原版５０を、空気中において２００℃以上５００℃以下の温度で熱処理する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the dynamic pressure bearing, resist is formed on a dynamic pressure groove forming surface, at a portion excluding the dynamic pressure grooves having an axial width L smaller than the axial width D of the dynamic pressure groove forming surface, and at both axial ends of the dynamic pressure grooves, and the dynamic pressure grooves are formed by electrolytic etching.
動圧軸受の製造方法は、動圧溝形成面の軸方向幅Ｄよりも小さい軸方向幅Ｌを有する前記動圧溝を除く部分および前記動圧溝の軸方向両端に動圧溝形成面にレジストを形成し、電解エッチングによって動圧溝を形成する。 - 特許庁
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