「etching method」を含む例文一覧(6852)
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素子分離領域を形成する際に素子領域周辺に設けられる溝に露出するコレクタ層を保護する構造の半導体装置及び化合物半導体基板上に形成される素子領域中の半導体素子を分離する素子分離領域を形成するためのエッチングを正確に制御する方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.
本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film.
有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。 - 特許庁 - Vertical groove shields 11a and lateral groove shields 11b are formed by irradiating a photosensitive glass 1 with ultraviolet rays with a mask by an ultraviolet-ray mask exposure method, processing the glass, etching it with an acid, making grooves shaped like a lattice in the direction of the incidence of X rays and filling and encapsulating the powder of heavy metal like tungsten into the grooves.
感光性ガラス１に紫外線マスク露光法によりマスクを用いて紫外光を照射し、現像処理し、酸でエッチングして、格子状の溝をＸ線入射方向に形成し、その溝にタングステン等の重金属粉を充填封入し、縦溝遮蔽１１ａと横溝遮蔽１１ｂを形成する。 - 特許庁 - In order to express the adhesion of the plated layer, since the fiber treated with the coating agent in advance is used, in the gold coated fiber or the structure thereof, the surface of the fiber and the gold coated layer adhere to each other through a coated layer and the strength retention of the fiber is high, because the method does not include the etching step.
めっき層の密着性を発現させるために、あらかじめ被覆剤で処理した繊維を用いるため、金めっきされた繊維またはその構造体は、繊維の表面と金めっき層が繊維の被覆層を介して密着しており、エッチング工程を持たないため繊維の強度保持率が高い。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.
食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a recycling method of continuously and effectively peeling nickel from the scrap of copper or a copper alloy plated with nickel without using an expensive peeling liquid having the short life or also without etching the copper or copper alloy after the peeling operation, and using the scrap of the copper or copper alloy from which a plated nickel film has been peeled, as a raw material for producing copper or a copper alloy.
高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離し、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用する。 - 特許庁 - In the pore machining method of the diamond, an oxide film 2 is formed on the diamond base material 1, and a part of the diamond base material is exposed by forming the pore 5 by irradiating a focused ion beam 3 on the oxide film 2, and the etching by plasma is performed on the exposed diamond base material 1.
ダイヤモンド基材１に酸化物被膜２を形成し、該酸化物被膜２に集束イオンビーム３の照射を行って孔５を形成して該ダイヤモンド基材１の一部を露出させ、露出させた該ダイヤモンド基材１にプラズマによるエッチングを行うことを特徴とする、ダイヤモンドの細孔加工方法である。 - 特許庁 - The method includes a step of etching part of the semiconductor layer from between the source electrode 9 and the drain electrode 12, a step of performing He plasma treatment on the partially etched semiconductor layer from between the electrodes 9 and 12, and a step of performing H_2 plasma treatment on the semiconductor layer after the He plasma treatment.
そして、ソース電極９とドレイン電極１２との間から半導体層の一部をエッチングする工程と、ソース電極９とドレイン電極１２との間から一部をエッチングされた半導体層にＨｅプラズマ処理を施す工程と、Ｈｅプラズマ処理後に、半導体層にＨ_２プラズマ処理を施す工程とを備える。 - 特許庁 - To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.
半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - A buried layer 34 is formed through a process of applying material of low viscosity on the ferroelectric film 32 formed through an MOCVD method, then the whole surface of the buried layer 34 is subjected to anisotropic etching to remove projection tops on the surface of the ferroelectric film 32, and then the buried layer 34 left on the surface of the ferroelectric film 32 is removed.
ＭＯＣＶＤにより形成した強誘電体膜３２上に、低粘度の材料を塗布して埋め込み層３４を形成し、次いで、全面を異方性エッチングして強誘電体膜３２表面の凸部頂上を除去し、次いで、強誘電体膜３２表面に残存する埋め込み層３４を除去する。 - 特許庁 - In the forming method, a dispersion solution containing metal particles whose mean particle diameter is ≤100nm is coated on the surface of a base material to form a coating film, and it is dried under the condition of maintaining the range where the mean particle diameter is ≤500nm on the coating film after drying, pattern-formed into a prescribed plane shape by etching and calcined.
形成方法は、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for manufacturing a piezoelectric vibration piece, which is capable of suppressing variations in the thickness between recessed parts generated in initial etching within a prescribed range reliably and in a short time, without adding the step of sticking a porous thick plate on a wafer in the midway of a conventional manufacturing step or other steps.
従来の製造工程の途中でウェハへの貼り付け工程等を追加せずに、さらに初回のエッチングで生じた各凹陥部の厚みのばらつきを確実に且つ短時間で、あらかじめ設定された範囲内に収めることのできる圧電振動片の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.
特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The surface treatment method for the optical member for EUVL is characterized in that the optical plane of an optical member for EUVL made of a quartz glass material having OH concentration of ≥100 ppm, essentially consisting of SiO_2 and comprising TiO_2 is subjected to GCIB (Gas Cluster Ion Beam) etching using a source gas comprising at least either fluorine or chlorine.
ＯＨ濃度が１００ｐｐｍ以上で、ＴｉＯ_2を含有し、ＳｉＯ_2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶＬ用光学部材の光学面に、フッ素または塩素の少なくとも一方を含有するソースガスを用いたＧＣＩＢエッチングを施すことを特長とするＥＵＶＬ用光学部材の表面処理方法。 - 特許庁 - To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.
金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁 - The method comprises the steps of: cleaning an etching residue of the workpiece remaining on the etched pattern with a first chemical liquid; rinsing the workpiece subjected to cleaning with the first chemical liquid with a rinse liquid; and applying an application liquid designed to form an insulating film to the workpiece subjected to rinsing.
前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第１の薬液により洗浄する工程と、前記第１の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a method for its manufacturing by which no bowing is formed at the cross section of a via hole formed in the organic low-permittivity film, no lack of edges of an insulating film containing silicon used as an etching mask of the organic low-permittivity is generated and an organic low-permittivity film can be accurately etched.
有機低誘電率膜に形成するビアホールの断面がボーイング形状になったり、有機低誘電率膜のエッチングマスクとして用いるシリコン含有絶縁膜が肩落ちすることがなく、有機低誘電率膜を精度よくエッチングすることができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a thin wafer manufacturing method of simultaneously establishing grinding resistance in reverse-surface grinding of a wafer, high temperature heat resistance for heat applied during the process that followed, chemical resistance during plating or etching, smooth peeling of the processed wafer from a support substrate, and excellent removability of adhesive layer residue on a wafer surface after the peeling.
ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、その後のプロセス中にかかる熱に対する高温耐熱性、めっき又はエッチング時の耐薬品性、加工後のウエハの、支持基板からのスムースな剥離、剥離後のウエハ表面の接着層残渣の優れた除去性を同時に成立させる、薄化ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.
半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the members having the antireflection function includes a step of spraying an etching solution to a surface of a substrate having a metallic layer on at least a surface thereof to form an etched layer on the surface of the substrate and a step of transferring a fine rugged structure of the etched layer formed on the substrate, to a surface of a resin material.
少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 - 特許庁 - The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.
本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - The method for separating the metallic plate to a required shape comprises a first step for forming a plastically deformed portion having a locally thin portion along a separating portion by the plastic working, and a second step for chemically dissolve and remove the plastically deformed portion by the etching work.
金属板材を所望の形状に分離加工する方法において、塑性加工により、分離部に沿って局部的に板厚の薄い塑性変形部を形成する第一工程、及び、エッチング加工により、前記塑性変形部を化学的に溶解除去する第二工程からなる金属板材の分離加工方法。 - 特許庁 - Before the deposition of the III-V compound semiconductor film 17 with the MBE method, forming the homoepitaxial film 15 on a polished surface 13a of the semiconductor single crystal wafer 13 reduces a dependency of an optical characteristic of the III-V compound semiconductor film 17 on the presence of a chemical etching process on the main surface of the wafer.
III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a high-output solar battery that can reliably fix a spherical cell even if it is not a full sphere, prevents an etching agent from leaking, solves the problem of continuity between inner and outer electrodes in high-density packaging, and improves reliability and working efficiency, and to provide the solar battery.
球体セルが真球でない場合でも固定が確実にでき、エッチング剤が漏れず、高密度実装においての内側電極と外側電極との導通の問題を解決し、信頼性の向上をはかり、作業性が良く、高出力の太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The semiconductor chip package of a silicon substrate 1 is subjected to etching machining to form a recessed groove, the semiconductor chip 2 is packaged in the recessed groove in a flip-chip method, a semiconductor chip mount is sealed with a sealing resin 3, and a projection part from the upper surface is polished in the silicon substrate 1 of the semiconductor chip 2.
シリコン基板１の半導体チップ実装部分にエッチング加工して凹状の溝を作り、その凹状溝に半導体チップ２をフリップチップ方式により実装し、半導体チップ搭載部を封止樹脂３により封止し、半導体チップ２のシリコン基板１上面からの突出部分を研磨する。 - 特許庁 - The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.
半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a (first) mask material film 13 on the film 12 to be worked, a step of making a tapered opening pattern 18 on the film 13, and a step of etching the film 12 by using the film 13 as a mask.
被加工膜１２上に（第１の）マスク材料膜１３を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３にテーパ形状の開口パターン１８を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３をマスクに用いて前記被加工膜１２をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistive magnetic head made correspondent to narrow tracks and a method for manufacturing the magnetic head by which the level difference in the base is eliminated when the lead head track of the magnetoresistive magnetic head is formed, and degradation in the dielectric voltage due to overetching is prevented when the magnetoresistance film is patterned by etching.
電極間隔を決定するためのホトレジストパターンを形成する時点で下地パターンの段差が大きいと、安定的な狭トラック形成が不可能となる事、磁気抵抗効果膜をエッチングでパターンニングする時のオーバーエッチングによって、下部絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁耐圧が悪化する事。 - 特許庁 - To provide a method for cleaning a substrate holding part or the like, which results in forming a deposition film with constantly uniform film thickness and film quality to sharply reduce image defects, through removing a residue deposited on the base-substance holding part or an auxiliary part or the like with an etching treatment after forming the deposition film.
堆積膜形成後におけエッチング処理によって、基体保持部品あるいは補助部品等に堆積した残留物を取り除くことにより、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、画像欠陥を激減することが可能な基体保持部品等のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a copper foil for micro wiring, which has fine surface roughness on a surface to be bonded, is uniformly roughened, has a high etching factor without lowering a bonding strength between the copper foil and a base resin material, and does not leave copper particles on the base material, to form micro wiring.
銅箔の被接着面側の表面粗さが小さく、粗化が均一であり、銅箔と樹脂基材間の接着強度を低下させることなく、高いエッチングファクターを持ち、基材側に銅粒子が残ることなく、微細配線が形成可能な微細配線用銅箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist material having high sensitivity and high resolution to high energy-beam exposure, small line-edge roughness because of controlled swelling at the time of development, small residual dross after development, excellent dry etching resistance, and suitably usable also for liquid immersion lithography, and provide a method for forming patterns by using the resist material.
レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the curved surface forming method, by an etchant of a different etching rate corresponding to the composition ratio f of a specified element in a second clad layer 13, the second clad layer 13 in which the specified element has the distribution of the composition ratio f in a crystal growth direction is selectively removed, and a prescribed curved surface S is formed on the surface.
曲面形成方法は、第２クラッド層１３中の特定の元素の組成比ｆに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比ｆの分布を有する第２クラッド層１３を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Ｓを形成する。 - 特許庁 - This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.
真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.
少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁 - More concretely, the manufacturing method of the micro electromachinery type device to simultaneously carry out the removal of the mask and the sacrifice layer by selectively forming the sacrifice layer 10 on the insulating substrate, forming a semiconductor layer 104 by covering the sacrifice layer, forming the mask 105 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer by using the mask is provided.
具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 - 特許庁 - There is provided the manufacturing method of the magnetic recording medium in which the convex magnetic patterns are formed on a substrate, a film of non-magnetic body is formed on a concave portion between the magnetic patterns or thereon, and etch back is performed using an etching gas including an oxygen while a surface of non-magnetic body is modified.
基板上に凸状をなす磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部および前記磁性パターン上に非磁性体を成膜し、酸素を含有するエッチングガスを用いて、前記非磁性体の表面を改質しながらエッチバックを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - The method is characterised in that, when the shape of a film is predicted by performing a numerical simulation on the object where a film is formed or etching is performed by the deposition of moving particles, a phenomenon in which the particles are reflected by a part of the film is mathematically handled as reflection and deposition which occur at the same time.
運動する粒子の付着によって成膜あるいは食刻が行われる対象について数値シミュレーションを実行して膜形状を予測する際に、上記粒子が膜部位によって反射される現象を計算上では反射と付着とが同時に起こるものとして取り扱うことを特徴としている。 - 特許庁 - In the pattern forming method for forming the desired resist pattern by making photosensitive a resist 2 formed on a substrate 1 to be processed, the film thickness and transmissivity of the resist 2 are determined, so as to balance an etching selection ratio with the substrate 1 to be processed and to make the sidewall of the formed pattern vertical to the substrate 1 to be processed.
被処理基板１の上に形成されたレジスト２を感光させることにより所望のレジストパターンを形成するパターン形成方法において、被処理基板１とのエッチング選択比がとれ、かつ、形成されたパターンの側壁が被処理基板１に対して垂直となるようにレジスト２の膜厚及び透過率を決定する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor wafer includes a step of carrying out a grinding process for grinding and flattening the both faces of the wafer instead of a process for flattening a beveled wafer, that is, a lapping process, and carrying out a dry etching process (for example, sandblast) for putting uniform scratches on the back face of the wafer after the grinding process.
半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。 - 特許庁 - A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.
ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁 - In the surface treatment method for aluminum or an aluminum alloy, in an aqueous solution of an alkali metal salt having a concentration of ≥0.01 mol/L, energizing is performed using an aluminum or aluminum material as an anode in such a manner that voltage is controlled to ≥10 V and electric quantity is controlled to 1.5 to 9.0 A×hr/dm^2, and etching is performed.
本発明に係るアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法は、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上のアルカリ金属塩の水溶液中で、アルミニウム又はアルミニウム合金材を陽極として電圧１０Ｖ以上で電気量１．５〜９．０Ａ・ｈｒ／ｄｍ^２ を通電し、エッチングすることを特徴とする。 - 特許庁 - The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.
第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a deposition film forming method by which, in substrate treatment such as formation of a functional deposition film, the clogging of exhaust piping when exhaust gas including unreacted gas, by-products or the like is exhausted is remarkably reduced, also substance deposited on the piping is effectively removed upon etching, and the original treatment can be efficiently performed.
機能性堆積膜の形成といった基体処理において、未反応ガスや副生成物等を含んだ排気ガスを排気する際の排気配管の閉塞が大幅に低減され、かつ、エッチングの際に効果的に除去され、効率良く本来の処理を行うことができる堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - A gas-barrier resin molded article is obtained by plasma-etching the surface of a resin molded article to attain the root-mean square roughness (Rms) into 3 nm or lower and forming a diamond like carbon film of 5-20 nm thickness by a plasma CVD method on a surface of a resin molded article.
本発明のガスバリア性樹脂成形体は、樹脂成形体の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を３ｎｍ以下にする工程、次にプラズマＣＶＤ法により樹脂成形体の表面に膜厚が５〜２０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜を形成することにより得られる。 - 特許庁 - Concerning the producing method for a thin film wiring board formed with thin film layers on the baseboard having a VIA for electrically conducting the layers, the void defect existent on the VIA is filled with a conductive member having corrosion resistance in respect to an etching solution and afterwards, the thin film layers are formed on the base.
層間を電気的に導通させるＶＩＡを有するベース基板に薄膜層を形成した薄膜配線基板の製造方法において、前記ＶＩＡ上に存在するボイド欠陥を、エッチング溶液に対する耐腐食性を有する導電材により埋めた後、前記ベース基板上に薄膜層を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the solid-state imaging element comprises, at least a step of forming the hole 13 in a part directly above the sensor 2 of the transparent film 9, the step of forming the organic polymer 10 by embedding the polymer in the hole 13, and the step of planarizing surface by etching back the polymer 10.
そして、透明膜９の受光センサ部２の直上の部分に孔部１３を形成する工程と、この孔部１３を埋めて有機ポリマー１０を形成する工程と、この有機ポリマー１０に対してエッチバックを行って表面を平坦化する工程とを少なくとも有して上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁 - To provide a new printed circuit board manufacturing method assuring the through-hole forming process of an insulation film of the relevant printed circuit board with higher accuracy and effectiveness for entire area of the printed circuit board without generation of problems such as generation of damage on circuit patterns and elimination of conductive circuits due to the over-etching.
プリント配線板の全面積にわたって精度良く、かつ効率的に、しかもオーバーエッチングによる回路パターンへのダメージ発生や導体回路の消失といった問題を生じることなしに、当該プリント配線板の絶縁層を貫通加工することが可能な、新規なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an equipment and a method for plasma processing being employed in a plasma CVD system where a high quality large area thin film can be deposited at a high rate with limited film quality and film thickness distribution or in a plasma etching system where a large area can be etched at a high rate with limited machining rate distribution.
膜品質や膜厚分布が小さく、高速かつ大面積で高品質な薄膜の成膜が可能となるプラズマＣＶＤ装置あるいは、加工レート分布が小さく高速かつ大面積でエッチングが可能となるプラズマエッチング装置等に用いられる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electric solid-state device which has sufficient hillock resistance even when used as an aluminum-based wiring material, can be applied with dry etching, and never has wiring etched with a resist stripper used to peel a resist mask, and to provide an electro-optical device and a method of manufacturing the electric solid-state device.
アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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