「etching method」を含む例文一覧(6852)
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金属製基板をエッチング法により凹凸構造を形成し、その上にシリコーン樹脂を凸部は薄く凹部は厚くかつ、凹凸構造を倣うようににコーティングしたオフセット枚葉両面印刷機用圧胴または渡し胴ジャケットおよびその製造方法である。 - 特許庁 - To provide an apparatus for a plasma treatment of a work and a plasma treatment method of the work, in which the etching rate is increased by making the electrode parts near to each other during a plasma treatment, and a space between the electrode parts is increased when the work is taken in and out through the space between the electrode parts after the plasma treatment is completed.
プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.
ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a stage of photoetching of a conductor by using an etching solution composition containing phosphoric acid of 65 to 75 wt.%, nitric acid of 0.5 to 15 wt.%, acetic acid of 2 to 15 wt.%, a potassium compound of 0.1 to 8.0 wt.% and water in the residual quantity.
導電体を６５乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸、０．１乃至８．０重量％のカリウム化合物及び残量の水を含むエッチング液組成物を利用して写真エッチングする段階を含む。 - 特許庁 - In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.
空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁 - To provide a method for producing a mold for nano-imprints, which forms a metal mold by reproducing a pattern on a resin layer when the production of a resin reproduction plate by methods such as an imprint while utilizing a high degree of freedom of the shape of a fine pattern using a silicon etching master is difficult.
シリコンエッチングマスタを用いることによる微細パターン形状の自由度の高さを活かしつつ、インプリント等の方法で樹脂複製版を作製するのが困難な場合に、樹脂層にパターンを複製して金属モールドを形成するナノインプリント用モールドの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The method for manufacturing the metallic member for the picture display unit, which has holes corresponding to picture elements of the picture display unit, comprises the steps of: forming holes in a metallic substrate by irradiation with thermal energy; and etching the formed holes.
本発明は、画像表示装置の画素に相当する穴部を有する金属部材の製造方法であって、金属基板への熱エネルギーの照射によって穴加工する工程と、該穴加工の後にエッチング加工を行う工程を含む画像表示装置用金属部材の製造方法である。 - 特許庁 - This collecting method comprises the steps of: removing the insoluble In compound from the filter having trapped the insoluble In compound in the oxalic etching solution containing oxalic acid and In by dissolving the insoluble In compound into an inorganic acid; and collecting the In, In alloy or In compound, which has dissolved in the inorganic acid.
シュウ酸とＩｎとを含有するシュウ酸エッチング液中の不溶性Ｉｎ化合物を捕捉したフィルターから、無機酸によって前記不溶性Ｉｎ化合物を溶解させて除去し、無機酸に溶解したＩｎ若しくはＩｎ合金、又はＩｎ化合物を回収することである。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents current driving capability by preventing parasitic resistance from increasing while taking into consideration an influence of etching on a semiconductor substrate on an NMOS transistor, and thus prevents the operation speed of a semiconductor integrated circuit from decreasing.
ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.
特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the light emitting diode includes a step of removing the area provided for forming the antennas 2 by etching the surface electrodes 3 and surface semiconductor layer 4 of the chip 1, and a step of forming the antennas 2 by packing a dielectric substance in the etched-off portions.
発光ダイオードの製造方法は、発光チップ１の表面電極３と表面半導体層４をエッチングして、誘電体アンテナ２を設ける領域を除去する工程と、エッチングして除去された部分に誘電体を充填して誘電体アンテナ２を設ける工程とからなる。 - 特許庁 - To provide a mask for manufacturing an observation sample of an electron microscope which surely controls the etching quantity of a member having an observed region or easily searches the observed region, and a manufacturing method and a manufacturing apparatus of the observation sample using the mask.
観察対象領域を有する部材のエッチング量を確実に制御でき、あるいは、観察対象領域を容易に探すことができる電子顕微鏡の観察用試料作製用マスク、並びに、このマスクを用いた観察用試料の作製方法および作製装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a semiconductor element capable of processing shapes with different etching depths in a same plane easily while suppressing unevenness of a surface without generating induction of defects (group-V atom vacant lattices) nor deterioration in surface morphology caused by desorption of constituent atoms of a semiconductor.
半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element.
ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a vent gas detoxifying method which can safely and efficiently detoxify a vent gas containing a reactive halogen or a halogen compound gas left in the piping of a cylinder cabinet for supplying gas to an etching apparatus used in the production of semiconductors and liquid crystals, a CVD apparatus, or the like.
半導体・液晶製造に用いられるエッチング装置やＣＶＤ装置などにガスを供給するシリンダーキャビネットの配管内に残留する反応性の高いハロゲン又はハロゲン化合物ガスを含有するベントガスを、安全に且つ高効率で無害化できるベントガスの除害方法を提供すること。 - 特許庁 - This method includes a pretreatment step of etching the magnesium alloy material with chromic acid after degreasing, and then pickling or activating it, and an electroless nickel plating step, which is immediately performed after the pretreatment by using of a weakly alkaline electroless bath, to form a single layer of the plated film.
マグネシウム合金素材に対し、脱脂後クロム酸エッチングし、ついで酸浸漬又は活性化処理をおこなう前処理工程と、該前処理後、直ちに弱アルカリ性無電解浴を用いておこなう無電解ニッケルめっき処理工程を包含し、めっき皮膜を単層形成する。 - 特許庁 - The thin film etching method includes steps of forming a thin film on a substrate, aligning a mask having a predefined pattern above the thin film, and selectively removing the thin film by irradiating the mask with a femtosecond laser on the front surface thereof to produce the defined pattern.
基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 - 特許庁 - (1) The method for disposal of the optical recording medium utilizes a dry etching means on the occasion of recovering the polycarbonate resin by removing a metal layer and an ultraviolet-curing resin layer from the optical recording medium having these layers on a polycarbonate resin base.
（１）ポリカーボネート樹脂基板上に金属層及び紫外線硬化樹脂層を有する光記録媒体から、金属層及び紫外線硬化樹脂層を除去して、ポリカーボネート樹脂を回収するに際し、乾式エッチング手段を利用することを特徴とする光記録媒体の処理方法。 - 特許庁 - To provide a method for recovering copper from a copper-etching waste liquid containing sulfuric acid, hydrogen peroxide, and a hydrogen peroxide stabilizer without producing sludge, wasting electricity, and considering variations in current efficiency caused by variations in a composition of copper and hydrogen peroxide.
スラッジの発生がなく、かつ電気量の浪費がなく、銅と過酸化水素との組成変動による電流効率の変動も配慮する必要がない、硫酸、過酸化水素及び過酸化水素安定剤を含有する銅エッチング廃液から銅を回収する方法の提供。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of etching the conductive film by the plasma of a gas including a halogen or a halogen compound, and removing the residual halogen on a substrate by the plasma of the gas without hydrogen terminating the dangling bond existing on the conductive film.
本発明は、ハロゲン、またはハロゲン化合物を含有するガスのプラズマにより導電膜のエッチングを行う工程と、前記導電膜に存在するダングリングボンドを水素終端することのないガスのプラズマにより基板上の残留ハロゲンを除去する工程とを有する。 - 特許庁 - An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.
直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the semiconductor device wherein a semiconductor device is formed on the surface of a semiconductor substrate in which a protective coating film for wet etching carried out in a CVD furnace is formed on the whole surface, the protective coating film is formed by turning up the rear face of the semiconductor substrate and accommodating it in the CVD furnace.
ＣＶＤ炉によって全面にウエットエッチングに対する保護膜を形成した半導体基板の表面に半導体素子を形成した半導体装置の製造方法において、保護膜は、半導体基板の裏面を上方に向けてＣＶＤ炉に収容して形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a printed circuit board, which is effective in thinning of line and high precision of a circuit pattern in a build-up printed wiring board capable of high density wiring and high density mounting, by preventing thickening of etching margin of the circuit pattern caused by copper plating used in interlayer connection.
高密度配線および高密度実装が可能なビルドアッププリント配線板において、層間接続のための銅めっきにより配線パターンのエッチング代が厚くなるのを阻止し、細線化と配線パターンの高精度化にも有効なプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The dry etching method and system comprises (1) stages divided integrally into some regions by a partition 25, (2) a mechanism 27 for setting up and maintaining the stage temperature respectively for the divided stage, and (3) a mechanism 28 for setting up and maintaining the quantity of gas flow and pressure for heat conduction and pressure respectively for the divided stages.
１）仕切り２５によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、２）分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構２７、３）分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構２８を具備すること。 - 特許庁 - To provide a process for producing an epitaxial wafer for nitride semiconductor light-emitting diode, in which a moderately roughened surface exhibiting high light take-out efficiency is provided, without bringing about increase in fabrication method and fabrication cost, as in the methods where wet etching or a resist pattern have been used for a long time.
長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the combined electric discharge machining method and device with a chemical etching action, the device includes a conducting electrode providing an electrode in a negative electrode environment, an auxiliary electrode providing an environment under a positive electrode condition, an insulating liquid, and the bad conducting workpiece as a workpiece yet to be machined.
ケミカルエッチング作用具備の複合放電加工法及び装置において、その装置は陰極環境の電極を提供する導電性電極と、陽極条件の環境を提供する補助電極と、絶縁液、加工待機する工作物である不良導電性工作物とを包括する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which degradation of a current drive capacity is prevented and degradation of an operating speed of a semiconductor integrated circuit is prevented by preventing an increase of a parasitic resistor in consideration of an influence due to etching a semiconductor substrate to an NMOS transistor.
ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a system and a method for reusing exhaust gas in which the size of the system can be reduced easily, the system can be fixed to each etching system, exhaust gas used for plasma reaction can be reused entirely, and exhaust gas component can be collected with high efficiency.
装置の小型化が容易であり、エッチング装置毎に装着することができると共に、プラズマ反応に使用した後の排ガス全てを再利用することができ、排ガス成分を高効率で回収することができる排ガス再利用装置及び排ガス再利用方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming the first film, made of polycrystalline silicon containing impurity, by thermally treating an amorphous silicon film provided on an insulating film and reducing the thickness of the first film by etching back the first film.
また、絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜をエッチバックして、前記第１の膜の膜厚を減らす工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁 - The method for manufacturing the printed circuit board comprises the steps of forming the photoresist layer by coating a liquid-like photoresist on the conductive board, laminating a film on the photoresist layer to manufacture a laminate for the printed circuit board, then exposing the circuit pattern, removing the film, alkali developing, and etching the pattern.
導電性基板上に、液状フォトレジストを塗布しフォトレジスト層を形成し、次いでフォトレジスト層上にフィルムをラミネートしプリント配線板用積層板を作製し、次いで回路パターンの露光、該フィルムの除去、アルカリ現像、エッチングを行うことを特徴とするプリント配線板の作製方法。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a printed-wiring board in which an etching resist inside of a through hole or/and a non-through hole can be obtained simply and surely and in which a satisfactory resist exfoliating property inside is provided even in the through hole or/and the non-through hole in a high aspect ratio.
簡易かつ確実な貫通孔または／及び非貫通孔内部のエッチングレジストを得ることが可能であり、かつ高アスペクト比の貫通孔または／及び非貫通孔であっても内部に於ける良好なレジスト剥離性を有するプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The conductive flat cable with good heat resistant property having a narrow pitched conductive circuit is manufactured without going through a complicated manufacturing process such as etching, if it matches a material quality of the insulating base material, and not limited by any electric connection conduction method if it matches usage of conductive paste.
エッチング等の煩雑な製造プロセスを介することなく、絶縁基材の材質特性に合わせれば、耐温性がよく、導電回路のピッチが小さい導電フラットケーブルを製造でき、導電ペーストの使用に合わせれば、いずれの電気的接続導通方式にも制限されない。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition having a low refractive index and also less development residue and allowing formation with high resolution of a pattern excellent in dry etching resistance, a pattern forming material, and a photosensitive film, a pattern formation method, a pattern film, a low refractive index film, an optical device and a solid imaging element using the same.
屈折率が低く、更には、現像残渣が少なく、ドライエッチング耐性に優れたパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that does not generate etching residues, when an inorganic insulating film coated with an organic insulating film is etched and suppressing the corrosion of copper and a copper alloy such as a metallic wiring, a metallic layer, or the like, to provide a manufacturing method for the semiconductor device, and to provide a photosensitive-resin composition and an electronic component.
有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成せず、金属配線や金属層などの銅及び銅合金の腐食を抑制する半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a device where, from a metal-containing mixed acid aqueous solution such as a metal-containing acid waste solution generated, e.g. from an etching stage for metal such as aluminum in a semiconductor production workshop or the like, the metal is separated, and further, the phosphoric acid is recovered at a high yield.
半導体製造工場などにおけるアルミニウムなどの金属エッチング工程などから発生する金属含有酸廃液のような金属含有混酸水溶液から、金属を分離するとともにリン酸を高い収率で回収する方法および装置の提供。 - 特許庁 - This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.
塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.
熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method includes steps of: selectively depositing a phase change resist having high light transmittance onto a dielectric to form a pattern; etching away portions of the dielectric not covered by the resist; and depositing a metal seed layer on the etched portions of the dielectric.
方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。 - 特許庁 - To provide a method for selectively fixing hydrogen chloride and hydrogen fluoride in chlorofluorocarbon decomposition gas or dry etching exhaust gas by a dry process using a sodium compound, and collecting and reusing chlorine component as a solid substance of sodium chloride and fluorine component as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride.
フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、ナトリウム化合物を用いて乾式法により選択的に固定化し、塩素分は塩化ナトリウムの固形物として、フッ素分はフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収・再利用する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device for using a mask material that has excellent dry etching resistance and can be formed at low temperature to achieve a fine via hole and a high yield in a semiconductor via hole-machining process, and achieving a high-performance ultra-high-frequency semiconductor device.
半導体ヴィアホール加工工程において、ドライエッチング耐性良好、かつ低温において形成可能なマスク材料を使用することにより、ヴィアホール微細化や高歩留まり化を達成させ、高性能な超高周波半導体装置が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.
本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁 - In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.
半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁 - This manufacturing method of the guide wire includes a step where a coil made of a metallic material and a core material 11 of a metallic wire are welded with a laser, and by the control of a time of dipping the core material 11 in etching solution 16, the tip portion of the core material 11 is worked into a tapered shape.
ガイドワイヤーの製造方法は、金属材料で作られたコイルと金属ワイヤーのコア材１１をレーザで溶接され、コア材１１がエッチング液１６に浸る時間を制御することにより、コア材１１の先端部分をテーパ形状に加工する工程を含む。 - 特許庁 - In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.
半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁 - This treating method comprises heating the copper-etching waste liquid containing sulfuric acid, hydrogen peroxide, and a hydrogen peroxide stabilizer composed of an organic compound to 60-80°C, keeping the liquid in the same temperature range for 0.5-10 hours to decompose hydrogen peroxide, and then recovering a copper component as metallic copper through electrolysis.
硫酸、過酸化水素及び有機化合物からなる過酸化水素安定剤を含有する銅エッチング廃液を６０〜８０℃に加熱し同温度範囲に０．５〜１０時間維持して過酸化水素を分解した後に、電気分解して銅成分を金属銅として回収する。 - 特許庁 - To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.
ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁 - The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.
反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁 - To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.
例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, a step of forming the vibration plate, a step of grinding the silicon single crystal substrate, and a step of forming a mask for etching the silicon single crystal substrate can be skipped, so that a method for manufacturing an inkjet type recording head 1 reduced in manufacturing cost can be obtained.
したがって、振動板の形成工程、シリコン単結晶基板を研削する工程およびシリコン単結晶基板をエッチングするためのマスク膜を形成する工程を省略でき、製造コストの低減したインクジェット式記録ヘッド１の製造方法を得ることができる。 - 特許庁 - The manufacturing method of a light emitting element mounting substrate includes a process of selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 to form a metal protruded part 22b at a mounting position of a light emitting element; and a process of forming an electrode 23a in the vicinity of the metal protruded part 22b.
金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁
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