「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 118 119 120 121 122 123 124 125 126 .... 137 138 次へ＞- To propose an advantageous method of manufacturing a laminated wafer without causing not only flaws on a surface in the stop of the grinding at the oxygen ion implanted layer and further the non-uniform thickness of the top layer in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer in the stop of the grinding or the step of the etching at the oxygen ion implanted layer, when laminateing is performed.
貼り合わせに際し、酸素イオン注入層で研磨Stopする際の表面傷、さらには酸素イオン注入層で研磨StopまたはエッチStopする際のウェーハ外周部近傍におけるTop層の膜厚不均一を生じることのない貼り合わせウェーハの有利な製造方法を提供する。 - 特許庁 - The molding method also comprises a film forming step of forming a release film 18 on the molding surface 16 of the mold 1 before the molding step, and a removal step of removing the release film 18 by introducing an etching liquid E via an introducing passage provided in the mold 1 and communicating with the molding surface 16, before the mold release step.
成形工程前に、成形型１の成形面１６に剥離膜１８を成膜する成膜工程と、離型工程前に、成形型１に設けられ成形面１６に通じる導入路を介してエッチング液Ｅを導入し剥離膜１８を除去する除去工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a photosetting ink composition which eliminates a photolithography stage in a TFT process, is satisfactory in etching resistance, is wide in printing process margin and can perform printing in the resolution of several tens μm, to provide a method for producing an electronic component using the photosetting ink composition, and to provide the electronic component.
ＴＦＴ製造過程におけるフォトリソグラフィー工程を無くし、エッチング耐性が良好で、印刷プロセスマージンも広く、数十μｍ以下の解像度で印刷することが可能な、光硬化性インキ組成物と、それを用いた電子部品の製造法ならびに電子部品の提供。 - 特許庁 - The method also comprises steps of forming a second metal film (5) on an exposed surface (2a) of the first metal film (2) in which the exposed layer (3) is removed by etching, finally removing the film (4b) and the layer (3) and the film (2) coated by the film (4b), and thereby exposing the substrate (1).
露出したレジストバリア層(3)をエッチング除去した第１の金属膜(2)の露出面(2a)に第２の金属膜(5)を形成し、最後に、第２のレジスト膜(4b)並びに第２のレジスト膜(4b)に被覆されたレジストバリア層(3)及び第１の金属膜(2)を除去して、半導体基板(1)を露出させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a substrate with recessing parts, by which desired aspheric recessing parts can easily and certainly be formed by applying a wet etching to the substrate, and to provide the substrate with the recessing parts, the substrate with the recessing parts for micro lenses, a micro lens substrate, a counter substrate for liquid crystal panel, a liquid crystal panel and a projection display device.
基板に対しウエットエッチングを施すことにより、容易かつ確実に所望の非球面の凹部を形成し得る凹部付き基板の製造方法、凹部付き基板、マイクロレンズ用凹部付き基板、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method of the wiring board comprises the steps of forming a wiring pattern 20 by patterning a conductive layer 12 formed on the surface of a base board 10, and forming holes 30 in the base board 10 by etching the portions exposed from the wiring pattern 20 on the surface of the base board 10.
配線基板の製造方法は、ベース基板１０の表面に形成された導電層１２をパターニングして配線パターン２０を形成すること、及び、ベース基板１０の表面における配線パターン２０からの露出部をエッチングしてベース基板１０に穴３０を形成することを含む。 - 特許庁 - After stripe-shaped red patterns 27 are formed as the first color on a support member by using a dry etching method, a blue layer 33B is formed, and the red patterns and the blue layer are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.
支持体上に第１色目として、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の赤色パターン２７を形成後、青色層３３Ｂを形成し、赤色パターン及び青色層をドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ及び、緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁 - A film made of polymeric material is formed on the entire surface of a lower electrode connected to a thin transistor by a coating method, and then is etched by etching by plasma, thereby allowing selective forming of a polymeric material layer.
本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成した後、プラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜をエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁 - To remove the native oxide without reducing the thickness of a gate sidewall insulating film, by setting the etching rate of the gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film which is formed by LP-CVD method by using HCD as a material gas sufficiently lower than that of the native oxide.
原料ガスとしてＨＣＤを用いたＬＰ−ＣＶＤ法により形成した、シリコン窒化膜からなるゲート側壁絶縁膜のエッチングレートを、自然酸化膜のエッチングレートよりも十分に遅くし、ゲート側壁絶縁膜の薄膜化を招くことなく、自然酸化膜を除去すること。 - 特許庁 - The method includes a step of preparing a photomask blank having a light shielding film 15 on a transparent substrate 14, a step of forming a first resist pattern by drawing and developing a resist film formed on the light shielding film, and a step of performing first patterning by etching the light shielding film with the first resist pattern as a mask.
透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。 - 特許庁 - The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.
少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁 - To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties by solving the problem at issue as to surface treatment before final annealing in the conventional production of an aluminum material for an electrolytic capacitor and making a surface layer oxide film in the aluminum material more stable.
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reliable contact plug for preventing the short-circuiting between the contact plug and bit wiring by applying a material, where the ratio of etching speed to that of a silicon nitride film becomes at least 100, to an interlayer film for forming a self-alignment contact plug.
自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、窒化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.
基板１上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁 - To provide a method for patterning carbon nanotube able to pattern it with an optional size which is from submicron to a few mm for a large area or a curved face, furthermore being unnecessary for troublesome etching or a negative plate, superior in wear resistance with noncontacting type and being advantageous for industrial mass production.
大面積や曲面などに対してもサブミクロから数ミリまでの任意の大きさのパターニングが可能であり、しかも面倒なエッチング処理や原版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗性に優れ、大量生産に適した工業的に有利なカーボンナノチューブのパターニング方法を提供する - 特許庁 - To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.
半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method which an suppress an increase in the contact resistance of an Al alloy wire in a connection hole, by preventing products of reaction on Al from being formed, when etching for forming the connection hole in an interlayer insulating film is carried out.
層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a wiring board with wiring excellent in a corrosion resistance formed on the surface of the board comprising a porous material by a wet process such as etching or the like without increase in a relative permittivity and influence of a structure disorder, and to provide a method for forming the wiring.
比誘電率の上昇や構造破壊をおよぼすことなく、多孔質材料からなる基板の表面に耐食性の優れた配線をエッチング等のウェットプロセスによって形成した配線基板、および、この配線を形成する配線の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.
特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for chemical and mechanical planarization capable of surely eliminating a residue of a silicon dioxide, without requiring reverse mask etching work or re-removing work, improving the grinding control capability, reducing the cost and improving the yield.
確実に二酸化珪素の残留の課題を解消できると共に、反マスクエッチング作業や再除去作業を要しないようにすることができ、研磨制御能力を向上でき、コストを低減させることができとともに、歩留まりをも向上できる化学機械平坦化方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an integrated circuit element and its manufacturing method for making the surface area of an electrode increased, by forming a capacitor lower electrode in a symmetrically half-cylindrical shape within an intaglio pattern with a small aspect ratio and also for securing a thin filming margin and an etching margin.
縦横比が小さい陰刻パターン内に、キャパシタ下部電極を対称的な半シリンダ型で形成することによって、電極の表面を増加させると同時に、薄膜化限界とエッチングマージンを確保することができる集積回路素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method is employed to accurately compart the trench section 32 on the thermal ink jet print head 10 to be etched in the region of a substrate surface 34 and performs etching by protecting the element of an adjacent liquid-drop generator from being damaged by exposing the element to a silicon etchant with a rigid mask.
サーマルインクジェットプリントヘッド(10)のトレンチ部分(32)を、エッチングされる基板表面(34)の領域を正確に画定し、且つシリコンエッチング液に曝されることによる損傷から近接する液滴発生器の構成要素を保護する強靱なマスクを使用してエッチングする方法。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device and its manufacturing method eliminated inferior display at the liquid crystal display by preventing etching residues at the formation of an ITO film onto a coated insulation film, reducing contact resistance between the ITO film and an underlayer metal film.
塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the crystal piece forming method of obtaining a plurality of crystal pieces 1 from an AT-cut crystal wafer like a plane plate by etching, a mask film for taking the plurality of crystal pieces 1 respectively is formed on a principal flat surface of the crystal wafer 10.
ＡＴカットにて切り出した平板状の水晶ウェハ１０からエッチングにより複数の水晶片１を得る水晶片形成方法において、前記複数の水晶片１のそれぞれを取り出すためのマスク膜を前記水晶ウェハ１０における主平面形成しておく。 - 特許庁 - To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.
10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.
基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁 - This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled.
この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method for the optical switch having movable micromirrors which are supported through the beam formed integrally with the silicon substrate and enabled to move to projection positions and sinking positions by the beam includes forming an embossed beam precursor by etching one surface side of a 1st silicon substrate.
シリコン基板に一体に形成された梁を介して支持されその梁により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラーを有する光スイッチの製造方法を、第１のシリコン基板の一方面側をエッチングすることにより浮き彫り状の梁前駆体を形成する。 - 特許庁 - The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid.
ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing semiconductor devices further includes a step of manufacturing the thickened resist patterns by forming the resist patterns on an underlayer and then applying the thickening material on the surfaces of the resist patterns thereby thickening the resist patterns, and a step of patterning the underlayer by etching using the thickened resist patterns.
下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - In the above method, annealing treatment of the SiO_2 film formed on the surface of the workpiece is performed in the atmosphere in which oxygen active species and hydroxyl group active species are made principal, and reforming is performed so that there is no seam in the SiO_2 film, and further, etching tolerance of the SiO_2 film can be improved.
このように、被処理体の表面に形成されたＳｉＯ_２ 膜を酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気中でアニール処理することにより改質を行ったので、ＳｉＯ_２ 膜中にシームがなく、しかもそのエッチング耐性を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide a method of producing a phase shift mask by which an etched state of the surface of a quartz substrate as the base is decreased and a rough surface or production of a rough pattern are suppressed when etching of a coating film consisting of a phase shift mask material such as oxide nitride of molybdenum silicon is completed.
モリブデン−シリコンの酸窒化物のような位相シフトマスク材料からなる被膜のエッチング終了後における下地である石英基板表面のエッチングを低減して表面荒れや凹凸の発生を抑制した位相シフトマスクの製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a coupling ratio can be maintained higher than or equal to a specified value in the case of micronization, increase of the number of processes is restrained to a minimum, insulating resistance is increased, generation of electric field concentration is restrained and etching residue is not left, and a manufacturing method of the device.
微細化されてもカップリング比を一定以上に保つことができ、かつ、工程数の増加を最小限に留め、より絶縁抵抗を向上し、電界集中の発生を抑制した、エッチング残渣が残らない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of forming a nanohole for the CNT growth includes the steps of forming a generator layer, an oxide layer formed of a catalyst metal as a catalyst layer for the CNT growth and an insulating layer on a main surface of a substrate for the CNT growth in their order, and etching the insulating layer to form the nanohole for the CNT growth therein.
ＣＮＴ成長用基板の主面上に母線層、ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にＣＮＴ成長用の微細ホールを形成する。 - 特許庁 - This method includes a step of forming the resist film, through which an opening having an aspect ratio of 1.8-2.4 is made on the silicon oxide film and a step of forming a hole, having an aspect ratio of 4.0-4.5 through the silicon oxide film by etching the oxide film, using the resist film as a mask.
このエッチング方法は、シリコン酸化膜上にアスペクト比が１．８〜２．４の開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングすることにより、該シリコン酸化膜にアスペクト比が４．０〜４．５のホールを形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁 - A method of manufacturing an integrated circuit device comprises steps of etching a trench in a substrate; and forming DRAM cells which include a build-up capacitor 24 at a lower edge and a perpendicular-type MOSFET having a gate conductor 30 covering the build-up capacitor 24 and a boron doped channel.
集積回路デバイスを製造する方法は、基板内のトレンチをエッチングするステップと、下部端にある蓄積キャパシタ２４と、これを覆うゲート導体３０およびホウ素ドープ・チャネルを有する垂直型ＭＯＳＦＥＴと、を有するＤＲＡＭセルを形成するステップとを有する。 - 特許庁 - The manufacturing method of a semiconductor device comprises an etching process, using an etchant 5 that includes H_2SO_4 of 86 wt.%-97.9 wt.%, HF of 0.1 wt.%-10 wt.%, and H_2O of 2 wt.%-4 wt.%, wherein ozone of 10 ppm or higher is dissolved therein.
半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a radio tag antenna capable of mass-producing the radio tag antennas with high performance that can sufficiently supply power to an IC at a small number of steps at a lower cost by eliminating defects of a technology using etching and a technology employing hot stamp at the same time.
エッチングを用いる手法及びホットスタンプを用いる手法の不具合を一挙に解消し、少ない工程数で、より安価に、しかもＩＣへの電力供給が十分に行える高性能の無線タグ用アンテナを量産することが可能な無線タグ用アンテナの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method, the side peripheral surface of the glass disk 10 is polished by contacting to an etching liquid of the side peripheral surfaces 12, 14 of a glass disk stack 1 where the glass disk 10 and a spacer 20 are alternately stacked, and the side peripheral surface of the spacers 20 are retreated from the side peripheral surface of the glass disks 10.
ガラスディスク１０とスペーサ２０とが交互に積層されたガラスディスク積層体１の側周面１２，１４がエッチング液に接することによってガラスディスク１０の側周面を研磨加工する方法であって、スペーサ２０の側周面は、ガラスディスク１０の側周面より後退している。 - 特許庁 - To restrain short-circuiting from occurring between wirings by a method, where etching is prevented from proceeding beyond the lower wiring when a contact is formed so as to connect an upper wiring and a lower wiring together, even if the contact is designed in a case where the allowance of the overlap of a contact with the lower wiring is small.
上層配線と下層配線とを接続するコンタクトを形成する際に、下層配線との被り余裕がない状態で設計されている場合でもエッチングを下層配線よりも下に進ませないようにし、配線間のショートを引き起こさないようする。 - 特許庁 - Also, the manufacturing method of the liquid crystal display device includes: a step for forming a metal layer on a substrate, and etching the metal layer so as to form a black matrix and the alignment mark; and a step for successively forming R (red), G (green), and B (blue) color filter layers on the substrate on which the black matrix has been formed.
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に金属膜を形成しエッチングして、ブラックマトリックスおよび整列マークを形成する段階と、前記ブラックマトリックスが形成された基板上にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）カラーフィルタ層を順次に形成する段階とを含む。 - 特許庁 - This method forms a mask pattern 13a on the treatment film, forms a hardened portion 12a on the treatment film by injecting energy such as an electron beam to the treatment film with the mask pattern set as a mask, and then forms a groove 12b by providing anisotropic etching to the hardened portion of the treatment film with the mask pattern set as a mask.
この上にマスクパターン１３ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜に向けて電子線等のエネルギー注入を行って被加工膜に硬化部位１２ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜の硬化部位を異方性エッチングし溝１２ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a portion projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.
圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁 - In this joining method of a silicon base material, a base material 11 formed of silicon is prepared, Si-H bonds are imparted to a surface of the base material 11 by applying etching by a hydrofluoric acid-containing solution to the surface of the base material 11, whereby a first silicon base material 1 is provided.
本発明のシリコン基材の接合方法は、シリコンで構成された基材１１を用意し、この基材１１の表面にフッ酸含有液によるエッチングを施すことにより、基材１１の表面にＳｉ−Ｈ結合を付与し、第１のシリコン基材１を得る。 - 特許庁 - The method for treating the inside surface of a glass tube by heating the glass tube through moving a heat source relatively against the glass tube and along the length of the glass tube while flowing an etching gas inside the glass tube, comprises a speed-reduction stage that reduces the moving speed of the heat source, in both end parts of the glass tube.
ガラス管の長手方向に沿って相対的に移動させることによりガラス管を加熱して、ガラス管の内面を表面処理するガラス管の表面処理方法において、前記ガラス管の両端部で、前記熱源の移動速度を低下させる減速工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.
ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁 - To make the shape of the branching point of a core so that the radiation loss is reduced, relating to a method for manufacturing a Y-branching optical waveguide which is made of a polymer resin material and manufactured by using the techniques of stacking, photo-lithography, and reactive ion etching.
本発明は積層技術、フォトリソグラフィー技術、反応性イオンエッチング技術を使用して高分子樹脂材料製のＹ分岐光導波路デバイスを製造する方法に関し、コアの分岐点の個所を放射損失の改善がなされた形状となるようにすることを目的とする。 - 特許庁 - The method is constituted by forming an amorphous silicon film 13 on an electric insulation film 12, etching the silicon film 12 so as to taper the sectional shape of the film 13, to form a pattern, and irradiating the film 13 with an excimer laser to form a polycrystalline silicon film 13'.
電気絶縁膜１２上に非晶質珪素膜１３を形成し、非晶質珪素膜１３の断面形状がテーパー状になるようにエッチングしてパターン形成し、エキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜１３を多結晶化して多結晶珪素膜１３’にする。 - 特許庁 - To provide a dynamic pressure bearing and its manufacturing method causing little damage of dynamic pressure grooves even if a shaft is put in whirling operation of a conical mode, simplifying alignment accuracy for maintaining symmetry in performing electrolytic etching work and exhibiting high performance as the dynamic pressure bearing.
例え軸が円錐モードの振れ回り動作があったとしても動圧溝の損傷が少なく、電解エッチング加工に際して対称性を維持するための位置合わせ精度を簡便化し、動圧軸受としても高性能を発揮することのできる動圧軸受及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method, a semiconductor substrate is cleaned by a silicon etching alkali or acid solution, a surface of the cleaned semiconductor substrate is oxidized by an oxidizing composition including one or more oxidizing agent and having a pH of higher than 7, and the oxidized semiconductor substrate is textured by a texturing composition.
半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 - 特許庁
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