「etching method」を含む例文一覧(6852)
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プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - In an electroless plating method to a polystyrene-based resin in which the polystyrene-based resin is subjected to the resin plating, the polystyrene-based resin or the polystyrene-based resin mainly consisting of styrene component is subjected to the ozone water treatment using ozone aqueous solution to the polystyrene-based resin as the etching treatment.
ポリスチレン系樹脂に、樹脂めっき処理するポリスチレン系樹脂の無電解めっき処理方法であって、ポリスチレン樹脂もしくはスチレン成分が主構成成分となるポリスチレン系樹脂について、エッチング処理として、ポリスチレン系樹脂にオゾン水溶液を用いたオゾン水処理を施す。 - 特許庁 - To provide a method of producing a micro structure of nitride semiconductor, which forms a microstructure containing a hole inside of a semiconductor without fluctuating the size of the hole formed under precision control in the etching step of the semiconductor even after applying a heat treating step.
半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁 - There is provided a method for treating onychomycosis by forming with e.g. pulse laser beam, one or more small orifices traversing the entire nail plate or etching the nail plate, and administering to the nail, a composition containing e.g. an antifungal, e.g. terbinafine.
全体の爪甲を横切るか爪甲をエッチングする、一つもしくはそれ以上の小さいオリフィスを例えばパルスレーザービームにより形成し、そして例えば抗真菌剤を、例えばテルビナフィンを、含有する組成物を爪に投与することにより、爪甲真菌症を処置する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ion species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or absence of radiation of light having a controllable radiation range.
プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide copper foil which has a high etching factor, has the excellent straightness of the bottom line of a circuit pattern, leaves no copper grains in circuit pattern resin, can produce a fine pattern, has excellent visibility, and has a reduced high frequency transmission loss, and to provide a production method therefor.
本発明は、高いエッチングファクターを持ち、回路パターンのボトムラインの直線性に優れ、なおかつ回路パターンの樹脂中に銅粒子が残ることなく、ファインパターンが作製でき、視認性に優れ、高周波伝送ロスの少ない銅箔並びにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The method for manufacturing the substrate for mounting the light emitting element includes a stage of forming a metal projection part 22b at the position where the light emitting element is mounted by selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 and a stage of forming an electrode 23a nearby the metal projection 22b.
金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁 - To provide a simple retrieval method and a device with high retrieval efficiency which can retrieve highly-pure Xe by functionally removing water, CO_2, FC and the like from waste gases from semiconductor production processes, such as the plasma etching, that contain low-concentration Xe.
低濃度のＸｅが含まれるプラズマエッチング等の半導体製造プロセス排ガス中より、水分、ＣＯ_２およびＦＣ等を機能的に除去して高純度なＸｅを回収することが可能な、簡便で捕集効率の高い回収方法および回収装置を提供すること。 - 特許庁 - In the method for forming a wiring of an MOSFET, wiring layers 22 and 24 formed on an insulating film 20 are etched by dry etching to form groups of wiring lines which are arranged, in each group, to have a set spacing therebetween and are extended in the same direction.
本方法は、ＭＯＳＦＥＴの配線形成方法であって、絶縁膜２０上に成膜された配線層２２、２４をドライエッチング法によりエッチングして、配線と配線との間が設定配線間スペースで配列され、同じ方向に延在する複数本の配線からなる配線群を形成する。 - 特許庁 - For the surface patterning method of etching the surface of a silicon substrate 1 by using a hard mask 3A, the hard mask 3A is provided with an uneven pattern 3b of depth t1 shallower than the film thickness (t) of the hard mask 3A together with an opening pattern 3a facing the etched part of the silicon substrate 1.
ハードマスク３Ａを用いてシリコン基板１の表面をエッチング加工する表面パターニング方法であって、ハードマスク３Ａには、シリコン基板１のエッチング部分に臨む開口パターン３ａと共に、このハードマスク３Ａの膜厚ｔよりも浅い深さｔ１の凹凸パターン３ｂが設けられている。 - 特許庁 - To provide a copper which makes possible high productivity and high authenticity in the manufacture of a high performance wiring plate, etc. an abrasive powder for copper alloy, and a polishing method using it by assuring a front surface which is as smooth as high polishing speed by a CMP and does not have etching.
ＣＭＰによる高い研磨速度と平滑で腐食のない表面とを確保することにより、高性能配線板等の製造における高い生産性と信頼性を可能とする銅及び銅合金用研磨剤並びにそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of forming a concave structure on a substrate surface, spherical particles are disposed on a substrate, and a film made of a material different from that of the spherical particles is formed over the spherical particles, and the substrate is etched with the spherical particles and the film as an etching mask.
基板上に球状粒子を配置し、前記球状粒子上に前記球状粒子とは異なる物質の膜を形成し、前記球状粒子及び前記膜をエッチングマスクとして基板のエッチング処理を行うことにより、基板表面に凹形状構造を形成する方法。 - 特許庁 - To provide a pattern forming material from which a high resolution negative pattern is obtained using supercritical carbon dioxide without deteriorating dry etching resistance, and also to provide a pattern forming material and a developing method which enable a fine pattern to be formed without pattern falling.
本発明の目的は、ドライエッチング耐性を低下させることがなく、高解像度のネガ型パタンが超臨界の二酸化炭素で得られるパタン形成材料を提供し、微細なパタンをパタン倒れなしに形成できるパタン形成材料及び現像方法を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.
厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this method of etching a plurality of substrates transported horizontally by means of a conveying means, the adjacent substrates are connected to each other by only sticking the substrate connecting tape to blank sections in the edge sections of the substrates in the direction perpendicular to the transporting direction of the substrates.
搬送手段で水平に搬送される複数の基板をエッチングする方法において、隣り合う各基板の搬送方向に対する直角方向の縁部に位置する余白部分にのみ基板接続用テープを貼り付けて基板を互いに連結する基板のエッチング方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a printed wiring board in which scattered pieces of copper can be securely removed without excessively etching a copper layer of an inner layer disposed at a via bottom nor a copper layer surface on the side of a multilayer stacked plate surface when vias are formed in a multilayer stacked plate by direct laser machining.
ダイレクトレーザー加工で多層積層板にビアを形成する場合に、ビア底に位置する内層の銅層や多層積層板表面側の銅層表面を過剰にエッチングすることなく銅の飛散り物を確実に除去できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a ceramic insulator cleaning method by which a contaminated expensive part of a ceramic insulator can be cleaned excellently in a dry etching chamber and the service life of the expensive part can be prolonged while hardly damaging the expensive part.
乾式エッチング装置内の汚染された絶縁体部品に対して優れた洗浄効果を有し、セラミック絶縁体部品自身がほとんど損傷せずに高価なセラミック絶縁体部品の寿命を延長させることができるセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device or the like by which productivity efficiency can be improved than before and a semiconductor device can be efficiently manufactured, and the unnecessary etching of a base film can be prevented so as to manufacture a high-performance semiconductor device at a high yield.
従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるとともに、下地膜の不所望なエッチング等を防止して高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element for performing control in a shape of a process at the time of the formation of a ridge stripe and control in etching depth, and for preventing the deterioration of a characteristic and a yield caused by the existence of an ending point detecting layer.
リッジストライプ形成の際の加工形状の制御性とエッチング深さの制御性とを両立させることができ、かつ、終点検出層が存在することによる特性劣化や歩留りの低下を防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method comprises the steps of: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first film on the insulator using printing technique; and removing a predetermined portion of the insulator by using the fist film as a mask, using photographic exposure technique or etching technique.
絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 - 特許庁 - To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.
反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, and a method of fabrication, in which the contact resistance of an Al alloy interconnection can be prevented from increasing in a contact hole by preventing formation of reaction products with Al when a contact hole is made in an interlayer insulation film by etching.
層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor light emitting element of high luminance without deterioration, in which electrodes are oppositely installed, separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, and a light emitting region is not damaged, and also to provide a manufacturing method of the light emitting element.
電極が対向して設けられるとともに、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a negative pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, which has a chemical structure with high durability against dry etching and shows excellent resolution without swelling in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a standard developer.
ＡｒＦエキシマレーザーの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、標準現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Layers 602, 606, 610 of SiON as a Fresnel lens material are deposited by a known method and the chemical composition for depositing material is selectively altered to form middle etching stopping layers 604, 608 at appropriate positions.
本発明の一態様による製作方法では、公知の方法でフレネルレンズ材であるＳｉＯＮ層６０２，６０６，６１０をそれぞれ堆積した後、堆積された材料の化学組成を選択的に変化させることにより、中間エッチング停止層６０４，６０８が適当な位置に形成される。 - 特許庁 - A lattice pattern formed on the encoder scale and a shaft hole are etched by using the same photomasks or photomasks accurately locatable with each other in combination with a photolithography used to manufacture a semiconductor integrated circuit and the like and an etching method using an ion or a plasma.
半導体集積回路などの製造に用いられるフォト・リソグラフィ法と、イオン又はプラズマを用いるエッチング法を組み合わせて、エンコーダ・スケールに形成された格子パターンと軸穴部を、同一のフォトマスク、又は互いに正確に位置決め可能なフォトマスクを用いてエッチング加工を行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a microstructure of a nitride semiconductor capable of forming the microstructure including a vacancy inside the semiconductor without greatly changing the size of a hole formed by precise control in an etching step of the semiconductor after performing a heat treatment process.
半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.
ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.
六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁 - This method submerges a crystal silicon substrate in an alkaline solution and provides anisotropic etching on a surface of the substrate to form a projection-recess structure on the surface for concave-convex substrate fabrication.
アルカリ性溶液中に結晶系シリコン基板を浸漬し、該基板の表面を異方性エッチングすることにより、該基板の表面に凹凸構造を形成して凹凸基板を製造する方法であって、アルカリ性溶液に、以下の一般式（１）で表わされる添加剤が含有されている。 - 特許庁 - Disclosed is a method for etching the surface of an aluminum-based member obtained by casting and/or forging an aluminum-based material with a surface treatment liquid of pH ≤3 comprising inorganic acid, and includes feeding steps 2, 11 feeding F ions and alkali metal ions into the surface treatment liquid.
酸エッチング方法は、アルミニウム系材料を鋳造及び／又は鍛造してなるアルミニウム系部材の表面を、無機酸を含むｐＨ３以下の表面処理液で酸エッチングする方法であり、Ｆイオンとアルカリ金属イオンとを上記表面処理液に供給する供給工程２，１１を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method for a semiconductor device is constituted such that a sacrifice film is formed all over the semiconductor substrate provided with a trench, and subsequently by removing the sacrifice film with isotropic etching, and the trench opening and the corner of the trench bottom are made roundish by shape processing.
トレンチを備えた半導体基板全面に犠牲膜を形成し、次いで等方性エッチングにより犠牲膜を除去することにより、トレンチ開口部及びトレンチ底面のコーナーを丸みを帯びた形状に加工することを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。 - 特許庁 - A metal patterning method includes a step for forming a photocrosslinking resin layer on a substrate, a step for thinning the photocrosslinking resin layer with an alkaline aqueous solution containing an organic alkaline compound, and exposure, development and etching steps of a circuit pattern in this order.
基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of surely preventing short-circuit defects without generating deposited foreign matters when removing a side wall formed when using fluorine-based gas for dry-etching a metal film containing titanium, and the semiconductor device.
チタンを含む金属膜のドライエッチにフッ素系ガスを使用する際に形成される側壁を除去する際に析出異物が生成されることがなく、短絡不良の発生を確実に防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy plate for a printing plate in which an excellent electrolytic roughened surface can be obtained by electrolytic etching or the like, and whose strength after burning is not reduced, and to provide a production method for producing the aluminum alloy plate for a printing plate.
電解エッチングなどによって優れた電解粗面を得ることができ、かつ、バーニング後の強度が低下しない印刷版用アルミニウム合金板を提供すること、および、このような印刷版用アルミニウム合金板を製造する製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor chips for manufacturing the semiconductor chips 1d by dividing a semiconductor wafer into each semiconductor device, a mask 3 formed for plasma dicing in which the semiconductor wafer is divided by plasma etching is removed by mechanical grinding using a grinding head 26.
半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップ１ｄを製造する半導体チップの製造方法において、半導体ウェハの分割をプラズマエッチングによって行うプラズマダイシングのために形成されたマスク３を、研削ヘッド２６を用いた機械研削によって除去する。 - 特許庁 - The method includes formation of one or a plurality of shallow trench isolations inside a semiconductor wafer through etching, sticking of an insulation oxide layer 20 inside a trench, formation of thermal oxide 25 inside a trench and sticking of the silicon nitride liner 43 inside a trench.
この方法は、エッチングを施して半導体ウェハ内に１つ又は複数の浅トレンチ分離を形成することと、トレンチ内に絶縁酸化物層２０を付着させることと、トレンチ内で熱酸化物２３を成長させることと、トレンチ内に窒化ケイ素ライナ４３を付着させることからなる。 - 特許庁 - The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.
基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises applying a photosensitive resist 4 on one side of a substrate 1, carrying out laser lithography to the photosensitive resist 4, developing the drawn image to form a mask pattern 5 having a desired opening pattern 5a, and etching the substrate 1 through the mask pattern 5 to a desired depth to obtain a mold 11.
基板１の一方の面に感光性レジスト４を塗布し、この感光性レジス４トにレーザ描画を行い、その後、現像を施して、所望の開口パターン５ａを有するマスクパターン５を形成し、このマスクパターン５を介して基板１を所望の深さまでエッチングしてモールド１１とする。 - 特許庁 - In the manufacturing method, the tip 3a of the optical fiber 3 is moved towards a liquid face 2a of an etching liquid 2, and during the movement, a light detecting part 7 detects reflected light of an incident light emitted from the other end of the optical fiber 3 that reflected on the tip of the optical fiber.
本発明の製造方法は、光ファイバ３の先端３ａを、エッチング液２の液面２ａに接近するように移動させ、その移動中において、光ファイバ３の他端から入射された光のうち光ファイバの先端において反射した反射光を光検出部７にて検出する。 - 特許庁 - The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.
溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a circuit board capable of forming a circuit of fine pattern by improving etching characteristic of a copper layer or copper foil, as well as a laminate of an insulating substrate and a copper layer or a copper foil for a wiring board which is suitable for fine pattern, along with a printed wiring board using the same.
ファインピッチ化に適した配線板用銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体及びそれを用いたプリント配線板、さらには、銅箔または銅層のエッチング性を向上させてファインパターンの回路を形成することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a part projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.
圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁 - A silicon layer 103 is patterned using a preparation method similar to a conventional one utilizing a well-known lithographic technique and etching technique, after forming a p-type silicon layer 132 and a germanium layer 107 in one part of the silicon layer 103, so as to form a silicon core 131.
シリコン層１０３上の一部にｐ型シリコン層１３２およびゲルマニウム層１０７を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層１０３をパターニングし、シリコンコア１３１を形成する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for processing development, capable of developing a resist pattern having a rectangle shape whose tip is not rounded, and capable of processing with sufficient accuracy a film to be etched, when etching the under layer film to be etched using the resist pattern as a mask.
先端が丸みを帯びない矩形形状を有するレジストパターンを現像することができ、レジストパターンをマスクに用いて下層の被エッチング膜をエッチング処理により加工する際に、被エッチング膜を精度よく加工することができる現像処理方法及び現像処理装置を提供する。 - 特許庁 - The device manufacturing method includes a step of disposing a mask closely onto the base material 2 having a modified part 2a subjected to modification beforehand and position-selectively forming a film 6 in a gas phase so as to cover the modified part 2a and then a step of performing chemical etching of only the modified part 2a.
予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of suppressing the reduction of the thickness of an insulating film for a side wall upon forming a silicide block layer, and suppressing the generation of dispersion in the etching of a gate electrode or the width of the side wall.
本発明の目的は、シリサイドブロック層の形成時におけるサイドウォール用絶縁膜の膜厚の減少を抑制することができ、ゲート電極のエッチングやサイドウォール幅のばらつきの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The method of forming the buried wire includes steps of etching a wire groove with an opening for exposing a wire 1 on a lower layer, then peeling the residuals 5 on the wire by plasma excitation, and then cleaning the wire-exposed surface by a gaseous organic gas 6 without exposing in the atmosphere.
下層の配線１を露出させるための開口を伴う配線溝孔エッチング後に、プラズマ励起により配線上の残渣５を剥離処理したのち、大気中に晒すことなく、気体状態の有機系ガス６により配線の露出部表面の清浄化処理を行う。 - 特許庁 - Further, the method comprises steps of generating plasma in the chamber by a plasma generating means by introducing gas for etching into the chamber, and increasing plasma density in the chamber by the high plasma density means to etch the Al thin film by the use of the density-increased plasma.
更に、チャンバーにエッチング用ガスを導入しながら、プラズマ発生手段によってチャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ高密度化手段によって、チャンバー内のプラズマの密度を向上させることで、この密度が向上されたプラズマを用いてＡｌ薄膜をエッチングするようにした。 - 特許庁 - To provide a metallic pattern forming method capable of forming fine metallic patterns, without performing etching process and forming the metallic patterns having superior adhesiveness between a base material and a metal film and having a high thermal resistance, even when there is little irregularities of the base material interface.
エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基材界面の凹凸が少ない場合でも基材と金属膜との密着性に優れた耐熱性の高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
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