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＜前へ 1 2 .... 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 次へ＞- To provide a semiconductor packaging substrate in which, by a method for providing an external connection terminal by etching and next embedding a resin as a base material, the bottom of the obtained connection terminal is formed greater than the top thereof, thereby solving restriction items on a circuit side, and the top of the connection terminal is formed greater than the bottom thereof, thereby forming higher density wiring.
エッチングによって外部接続端子を設けておき、後から基材となる樹脂を埋め込む方法により得られる接続端子のトップ径よりボトム径の方が大きいことによる回路側の制約事項を解消し、接続端子のトップ径をボトム径より大きくすることにより、より高密度の配線を可能にした半導体パッケージ用基板を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises a step of forming a GaAs layer 2 made of a material easier to etch than an n-type GaN layer 6 on a Si substrate 1, a step of forming the n-type GaN layer 6 on the GaAs layer 2, and a step of etching the GaAs layer 2 to remove it, thereby separating the n-type GaN layer 6 from the Si substrate 1.
Ｓｉ基板１上に、ｎ型ＧａＮ層６に比べてエッチングされやすい材料からなるＧａＡｓ層２を形成する工程と、ＧａＡｓ層２上にｎ型ＧａＮ層６を形成する工程と、その後、ＧａＡｓ層２をエッチングにより除去することによって、Ｓｉ基板１とｎ型ＧａＮ層６とを分離する工程とを備えている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an electric solid device by which even when an aperture pattern is formed by dry-etching an overlay conductive film on an insulating film, an insulating film with an appropriate film thickness can be left in a region overlapping the aperture pattern, and to provide an electric solid device and a liquid crystal device having the electric solid device as an element substrate.
絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。 - 特許庁 - For this evaluation method, a silicon wafer is evaluated by subjecting the surface of the silicone wafer to a long-time etching treatment, while using a treatment liquid composed of ammonia, a mixture of hydrogen peroxide and water and by investigating the number of light point defects(LPD) formed on the surface of the silicon wafer and the concentration of ammonia in the treatment liquid is made higher than that of hydrogen peroxide.
アンモニア、過酸化水素、水よりなる処理液を用いてシリコンウェーハ表面に長時間のエッチング処理を施し、該シリコンウェーハ表面に形成されたＬＰＤの個数を調べることによりシリコンウェーハの評価を行う方法であり、該処理液中のアンモニアの濃度を過酸化水素の濃度よりも高濃度とするようにした。 - 特許庁 - This relates to the pick-up method of the minute test piece in charged particle beam device in which a minute test piece and a manipulator are held by a beam assisting deposition film formed by irradiating charged particle beam while supplying a deposition gas, and the minute test piece and the manipulator are separated by removing the beam assisting deposition film by irradiating the charged particle beam while supplying an etching gas.
本発明は、デポジション用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射して形成されるビームアシスト堆積膜により微細試料とマニピュレータを保持し、エッチング用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射してビームアシスト堆積膜を除去することにより微細試料とマニピュレータを分離することに関する。 - 特許庁 - To provide a metal recovering method and apparatus, which is related to a method and apparatus of recovering a metal or an alloy as a valuable resource from a process liquid such as an etching waste liquid containing mainly copper (Cu), and nickel (Ni), capable of recovering copper and the like of recovery object metals as a metal or an alloy as a valuable resource, and dispensing with additional preparation of a flocculant for treatment.
主として銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を含むエッチング廃液等の被処理液から、それらを有価物である金属単体あるいは合金として回収する方法と装置に関し、エッチング廃液等の被処理液から回収対象金属である銅等を有価物である金属単体あるいは合金として回収することができ、しかも処理のための凝集剤を別途準備する必要のない回収方法と装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be manufactured without generating etching residues and without deteriorating element characteristics and without collapsing and disconnecting wirings and without adhesion and disconnection of wirings when manufacturing the semiconductor device that is a fine structure like an aerial wiring and has a structure with a gap of high-aspect-ratio, and to provide the semiconductor device manufactured by its manufacturing method.
空中配線のように微細構造体で、かつ高アスペクト比の間隙を持つ構造を備えた半導体装置を製造するに際し、エッチング残磋が生じることがなく、素子特性を劣化させることがなく、配線の倒壊や断線が生じることがなく、配線がくっついたり、切れたりすることがなく製造することができる半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - This method for manufacturing the capacitor comprises the steps of; providing a metallic foil; forming dielectrics on the metallic foil; forming a first electrode on a part of the dielectrics; forming a protective coating on a part of the metallic foil that includes the whole dielectrics; and etching the metallic foil to form a second electrode.
金属箔を提供する工程と、該金属箔の上に誘電体を形成する工程と、該誘電体の一部分の上に第１の電極を形成する工程と、該誘電体全体を含む該金属箔の一部分の上に保護被膜を形成する工程と、該金属箔をエッチングして第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする、キャパシタを製造する方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, with which a seam part is prevented from being exposed outward by extinguishing the seam part formed in silicon by heat treatment, residue is prevented from being left after a silicon film is etched back, etching can sufficiently be performed and oxidization of the silicon film is prevented at the time of oxidizing the silicon film.
シリコン内に形成されたシーム部を熱処理により消滅させることにより、シーム部が外部に露出することを防止して、シリコン膜をエッチバックした後に残渣が残ることを防止することができ、また、エッチングを良好に行うことができると共に、シリコン膜上を酸化する際にシリコン膜内も酸化されることを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.
パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.
本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁 - The coarse surface making method of the semiconductor substrate for the solar cell has the steps of: preparing a tape 10 for masks in which predetermined hole patterns are formed; sticking the tape 10 for masks to a front surface of a semiconductor substrate W; and removing the tape 10 for masks, while immersing the semiconductor substrate W in etchant and selectively etching the front surface of the semiconductor substrate W.
本発明の太陽電池用半導体基板の粗面化方法は、所定の孔パターンが形成されたマスク用テープ１０を準備する工程と、マスク用テープ１０を半導体基板Ｗの表面に貼合する工程と、半導体基板Ｗをエッチング液に浸漬し、半導体基板Ｗ表面を選択的にエッチングするとともに、マスク用テープＷを除去する工程とを有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the flash memory includes the steps of forming gate patterns for cells and gate patterns for selection transistors on a semiconductor substrate, forming a low dielectric film on a resultant including the gate patterns, and etching the low dielectric film so as to leave the low dielectric film only in a space between the gate patterns for cells.
半導体基板の上部にセル用ゲートパターン及び選択トランジスタ用ゲートパターンを形成する段階と、前記ゲートパターンを含んだ結果物上に低誘電体膜を形成する段階と、前記低誘電体膜をエッチングして前記セル用ゲートパターン間の空間にのみ前記低誘電体膜を残留させる段階とを含む、フラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the production method, by using spherical particulates for an etching mask, a lithography stage is reduced, mask formation is possible in a simple process, and periodic spacing can be controlled at a high precision in accordance with the particle diameter of the particulates, and further, the selection ratio with a base material can be freely controlled and lattice height can be controlled to a high precision in accordance with the material of the particulates.
エッチングマスクに球状の微粒子を用いることで、リソグラフィ工程を削減し、簡易な工程でマスクの形成ができ、微粒子の粒径で周期間隔を高精度に制御することが可能になるとともに、微粒子の材料により基材との選択比を自由に制御でき、格子高さを高精度に制御することができる製造方法としたものである。 - 特許庁 - To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.
珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the layered capacitor, recessed sections produced by an electrical insulating section are flattened by etching a dielectric layer by performing a step of forming a dielectric, a step of treating the surface of the dielectric, a step of forming a pattern on a metallic electrode, a step of forming the metallic electrode, and a step of treating the surface of the metallic electrode in the same vacuum tank.
同一真空槽内で、誘電体を形成する工程と、誘電体の表面を処理する工程と、金属電極にパターンを形成する工程と、金属電極を形成する工程と、金属電極表面を処理する工程を有し、誘電体層を蝕刻して電気絶縁部により生ずる凹部を平坦化することを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 特許庁 - A determination method for determining a replacement timing of a focus ring disposed around a substrate to improve in-plane uniformity of a pattern when the pattern is formed by etching a film on the substrate comprises a measurement step of measuring a shape or dimension of the pattern and a determination step of determining a replacement timing of the focus ring based on the shape or dimension of the measured pattern.
基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 - 特許庁 - To provide an acrylate or a methacrylate copolymer suitable for use as a resin component of a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, a resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a high affinity to an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development, and to provide a method for producing the same.
ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂成分として好適に用いうるアクリル酸若しくはメタクリル酸エステル共重合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens.
実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 - 特許庁 - To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.
選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.
製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.
この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁 - In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source.
チャンバー１５内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励起してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板１４の表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin layer superior in forming metal printed wiring, by eliminating the problem of tangle to a conveying system by an peeling piece in an etching resist peeling process, in the final stage of a manufacturing process in a printed circuit board manufacture, and to provide a photosensitive transfer material, and a method for manufacturing a printed circuit board which uses it.
プリント基板製造において、製造工程の最終段階でのエッチングレジスト剥離工程で剥離片による搬送系への絡み付きなどの問題が無く、金属のプリント配線を形成するに良好な感光性樹脂層を形成する感光性樹脂組成物及び感光性転写材料、並びにそれを用いたプリント基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The method includes a process of forming an energy-sensitive negative type resin composition film containing at least one kind of polymerizable compound by using an energy-sensitive negative type resin composition, a process of irradiating the energy-sensitive negative type resin composition film with an active energy beam in the shape of an image, and a process of heating the energy-sensitive negative type resin composition film without performing etching operation.
感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用い、少なくとも１種類の重合可能な化合物を含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を照射する工程；および前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜をエッチング操作を行うことなく加熱する工程を含む。 - 特許庁 - The transparent barrier film including a carbon deposition layer having a thickness of 0.5 to 10 nm at least on one face of the substrate comprising a plastic material and laminating an aluminium oxide layer having a thickness of 3 to 500 nm thereon, the transparent barrier film in which the carbon deposition face of the substrate is a treated face utilizing plasma of a reactive ion etching (RIE) mode, and its production method are provided.
プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、厚さ０．５〜１０ｎｍのカーボン蒸着層を有し、その上に厚さ３〜５００ｎｍの酸化アルミ層を積層した透明バリアフィルムや上記基材のカーボン蒸着面がリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した処理済みの面である透明バリアフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.
少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁 - This manufacturing method of the wiring board includes a process for forming a plurality of patterned wiring on a substrate, a process for depositing the insulating film on the wiring, a process for arranging the wiring in environment for allowing the wiring to be subjected to etching treatment, and a process for forming a conductive layer for electrically connecting the wiring to a contact hole provided in the insulating film.
基板上に、パターニングされた複数の配線を形成する工程と、前記配線上に絶縁膜を成膜する工程と、前記基板を、前記配線をエッチング処理する環境に配置する工程と、前記配線と、前記絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続する導電層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28.
基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。 - 特許庁 - A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method.
ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。 - 特許庁 - To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.
表面高さが低い下部拡散層２４と表面高さが高い下部配線層２６が、表面が平坦な層間絶縁膜３８に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層２４と下部配線層２６に達するコンタクトホール３６と３８を、表面高さが高い下部配線層２６を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁 - For example, in a method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses to be used for a liquid crystal projector, a microlens array with fidelity to a designed feature is manufactured by using a gray scale mask 30 for lithography which has a plurality of correction portions 32 to form an enhancing feature (protruding features) on the borders of the plurality of microlenses and by gray scale lithography techniques and etching techniques.
例えば、液晶プロジェクタに用いられる複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの製造方法において、複数のマイクロレンズの境界部に強調形状（突出形状）を形成するための複数の補正部３２を有するグレースケールのリソグラフィ用マスク３０を用いて、グレースケールリソグラフィ技術およびエッチング技術により、設計形状に対して忠実なマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the smooth laminate which comprises laminating a resistance alloy layer on at least one side of a smooth electroconductive plate, the resistor having the required resistance value can be formed to the inside of the wiring pattern formed by etching by laminating the resistance alloy layer on the smooth electroconductive plate immediately after activation treatment is applied to the electroconductive plate.
平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the CMOS image sensor comprises steps of: preparing a semiconductor substrate in which a light receiving element region and a transistor region are demarcated; forming fine dust by generating plasma discharge at the light receiving element region; forming a nano pillar at the light receiving element region by etching the fine dust as a mask, and removing the fine dust.
ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、受光素子領域及びトランジスタ領域が画定された半導体基板を用意するステップと、前記受光素子領域にプラズマ放電を発生させて微細ホコリを形成させるステップと、前記微細ホコリをマスクとしてエッチングして、前記受光素子領域にナノピラーを形成するステップと、前記微細ホコリを除去するステップとを含む。 - 特許庁 - A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching.
インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 - 特許庁 - A method for manufacturing the slider is provided with a stage for forming an air bearing surface 30 to base materials for slider including a thin film magnetic head element 22 and a stage for etching at least a part of the air bearing surface 30 using a convergent ion beam 100 so that the step between a part corresponding to the thin film magnetic head 22 and the other part is decreased.
本発明のスライダの製造方法は、薄膜磁気ヘッド素子２２を含むスライダ用の素材に対してエアベアリング面３０を形成する工程と、エアベアリング面３０において、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分と他の部分との間の段差が減少するように、エアベアリング面３０の少なくとも一部を集束イオンビーム１００によってエッチングする工程とを備えている。 - 特許庁 - In the method for forming rugged surface whose cross-section has nonlinear symmetric shape, the rugged surface is obtained by a process of forming energy-sensitive negative type resin composition material including polymerizable monomer or oligomer of at least one kind, a process of applying active energy rays via a mask patterned with three or more gradations and a process of performing post-heating without etching operation.
少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物質を形成する工程、３値以上の階調パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を放射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により得られる表面凹凸の断面形状が、非線対称である表面凹凸形成方法。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.
下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing a photomask determines a drawing position of a transfer pattern so that, in a drawing step, at least a part of the defects existing in a thin film of the photomask blank and/or a surface of a resist film is within an area of the transfer pattern and the defects of the part disappear after etching processing on the basis of defect information of the photomask blank grasped beforehand.
描画工程において、予め把握したフォトマスクブランクの欠陥情報に基づき、フォトマスクブランクの薄膜及び／又はレジスト膜表面に存在する欠陥の少なくとも一部分が、転写パターンの領域内にあって、かつエッチング加工後には該一部分の欠陥が消滅するように、転写パターンの描画位置を決定するフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁 - The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.
本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁 - The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.
基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - As the manufacture, the made through hole is charged with resin paste, and after hardening of the charged resin paste, desmear treatment is applied to the laminate 1, and a metallic plated layer 4 by electrolytic plating method is made on this surface where desmear treatment is applied, and the needless section of the made plated layer 4 is removed by etching to form a wiring pattern.
製造方法としては、形成したスルーホールに金属粒子を含有する樹脂ペーストを充填し、充填した樹脂ペーストの硬化後に、その積層体にデスミア処理を施して、このデスミア処理の施された表面に電解メッキ法による金属メッキ層（４）を形成し、形成されたメッキ層（４）の不要部分をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the solar cell provided with the silicon semiconductor substrate having the texture surface comprises the steps of forming a silicide layer 102 on the surface of a silicon semiconductor substrate 100, and forming the texture surface by anisotropic etching porcessing the surface of the silicon semiconductor substrate on which the silicide layer is formed.
テクスチャ表面を有するシリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、このシリコン系半導体基板１００の表面にシリサイド層１０２を形成するステップと、このシリサイド層の形成された前記シリコン系半導体基板の表面を異方性エッチング処理してテクスチャ表面を形成するステップと、を備える、太陽電池の製造方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing a silicon-based regeneration test wafer or the like includes a step of performing chemical mechanical polishing to one main surface of the wafer having irregularities by the use of a polishing slurry containing floating abrasive particles and a water-soluble polymer after removing a structural layer on a surface of a used test wafer (non-product wafer) to a necessary extent by wet etching.
本願の一つの発明は、シリコン系再生テスト・ウエハ等の製造方法において、使用済みテスト・ウエハ（非製品ウエハ）の表面の構造層をウエット・エッチングにより、必要な程度、除去した後、凹凸を有するウエハの一つの主面に対して、浮遊砥粒、および水溶性ポリマを含有する研磨スラリを用いた化学機械研磨を実施する工程を含むものである。 - 特許庁 - The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.
このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁 - To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.
キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method and a surface treating agent, with which a smear occurring in a via and the like can effectively be removed without performing treatment using permanganate and the like which is a large load to an environment and an operator and which is expensive and without etching an inner layer metal, and adhesion and connection reliability of an inner layer metal circuit and a plated metal are improved.
環境や作業員への負荷が大きく高コストである過マンガン酸塩等を用いた処理を行うことなく、また内層金属をエッチングすることなく、ビア等に発生したスミアを効果的に除去し、内層金属回路とめっき金属との密着性、接続信頼性を向上させるための表面処理方法及び表面処理剤を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the substrate for biochip provided with a probe having a specific chemical reaction with a biological substance to be inspected includes a step for selectively etching a portion of the second layer arranged on a first layer make the first layer expose and a step for immersing the first layer in a sodium solution and introduces a plurality of hydroxy groups in the surface of the first layer.
被検対象の生体物質と特異的な化学反応をするプローブを設けたバイオチップ用基板であって、第１の層上に配置された第２の層の一部を選択的にエッチングし、第１の層を表出させるステップと、第１の層をナトリウム溶液に浸し、第１の層表面に複数の水酸基を導入するステップとを含むバイオチップ用基板の製造方法。 - 特許庁 - The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.
本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁 - To provide a reflection type mask blank and a reflection type mask for EUV exposure, and a method of manufacturing the same enabling defect inspection without removing a hard mask layer in a process inspection after the etching of an absorbing material layer and also enabling easier defect repair without any complicated process even if a black defect is found in the process inspection.
本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
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