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プローブヘッドの一面に熱可塑性樹脂基板を接合する工程と、上記プローブヘッドの他面に複数の端子を形成する工程と、上記熱可塑性樹脂基板に金属基板を接合する工程と、上記金属基板を選択的にエッチングしてプローブチップを形成する工程と、を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.
半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element in which the problem of etching residue happening at formation of the element is solved and the defects such as coverage failure and short circuit are reduced, and reliability can be greatly improved in the light-emitting element having a structure of improved numerical aperture and improved extraction efficiency of light, and its manufacturing method.
開口率を向上させ、光の取り出し効率を改善させる構成を有する発光素子において、当該素子を形成する際に起こるエッチング残渣の問題を解決しカバレッジ不良やショートなどによる不具合を低減させ、信頼性を大幅に改善することが可能である発光素子及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.
ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent a short line occurring when a SiN film cannot be made to open completely by via etching having improved sticking force, by using a Ta/TaN film instead of the SiN film as a capping film, and to provide a method for fabricating a copper interconnect which can eliminate increasing elements of a dielectric constant.
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのことで、 SiN膜代わりにTa/TaN膜をキャッピング膜で使うことで、付着力が向上してビア蝕刻でSiN膜をまったくオープンさせることができなくて発生する短線を防止する事だけではなく、誘電定数の増加要素を無くすことができる銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a metallic pattern that can form a minute metallic pattern without performing an etching process, and a metallic pattern having a high adhesion property to a substrate, little uneveness at its interface with the substrate, enough conductivity, and high insulation in a region where the metallic pattern does not exist.
エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for etching a dual damascene structure employing at least one layer of Lowk film and at least one layer of hard mask, at lest one dummy layer which is not left finally in the structure is formed on the hard mask in order to prevent shoulder dropping.
少なくとも１層以上のＬｏｗＫ膜と少なくとも１層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって，肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に，最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも１層以上形成することを特徴とする，デュアルダマシン構造のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.
特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.
本発明のポリシリコン膜１０８を含む多層導電膜の形成方法は、Ｃ、Ｓ、そしてＦ成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜１０８の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜１０８より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The method for making the mold with the protective layer includes making a mold base plate having at least one substantially flat surface, accumulating a mold protective material layer on at least one substantially flat surface, and etching a plurality of cavities on at least one substantially flat surface through the mold protective layer.
保護層を有する金型を形成する方法が、少なくとも１つの実質的に平坦な面を有する金型基板を形成することと、少なくとも１つの実質的に平坦な面の上に金型保護材料の層を堆積させることと、金型保護層を通って、少なくとも１つの実質的に平坦な面内に複数のキャビティをエッチングすることとを含む。 - 特許庁 - To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.
塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁 - The laser beam machining method includes: a laser beam applying step of forming a modified area 50 with the physical properties being modified by forming a superimposed focal spot to the laser beam L, superimposing the focal point on a workpiece 5 through which the laser beam L is transmitted and applying the laser beam L thereto; and an etching step of removing the modified area 50.
レーザー光Ｌに対して多重焦点を形成し、レーザー光Ｌを透過する被加工物５に多重焦点を重ね合わせレーザー光Ｌを照射して、物性が改質された改質領域５０を形成するレーザー光照射工程と、改質領域５０を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とするレーザー加工方法。 - 特許庁 - To provide a metal defect detection method capable of highlighting defect through etching treatment of the inspection surface of a metal sample, while when detection of the defect is carried out by imaging the inspection surface with an imaging device, brightness of non-defect parts on the imagery of inspection surface is made to be homogenized and brightened, leading clear defection of defect part.
金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming patterns on both faces of a transparent substrate, by which even when photoresist films disposed on transparent metal films on both faces of the transparent substrate are simultaneously subjected to different pattern exposure, transparent metal film patterns with good dimensional accuracy can be efficiently and easily formed on both faces of the transparent substrate after etching and peeling treatment.
透明基材の両面の透明金属膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明金属膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition containing, as a base material, a molecular material capable of reducing LER and LWR in EUV lithography capable of forming an ultrafine pattern, and giving a resist film which ensures low outgassing in EUV exposure and has high etching resistance, and a resist pattern forming method using the same.
極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＬＥＲ及びＬＷＲの低減が可能な分子性材料を基盤材料として含有するレジスト組成物であって、ＥＵＶ露光時でのアウトガスが低く、またエッチング耐性の高いレジスト膜を与えるレジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.
本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁 - The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.
電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁 - The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.
本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁 - In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.
分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁 - To provide a plated article which has a polycarbonate resin as a base material and in which a metal plating film having excellent adhesiveness is formed on the base material and can be produced by a simple electroless plating method without spoiling impact resistance of the polycarbonate resin base material and without performing complicated etching treatment or the like.
本発明は、ポリカーボネイト樹脂を基材とし、その基材上に密着性に優れる金属めっき膜が形成されためっき物であって、ポリカーボネイト樹脂基材の耐衝撃性を損なわず、しかも煩雑なエッチング処理等行うことなく、簡易な無電解めっき法により製造することができるめっき物の提供を課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a double-sided photomask having a diffraction optical element pattern formed on a transparent substrate, which is capable of obtaining desired optical characteristics by accurately recognizing the etched state of the transparent substrate to form the diffraction optical element pattern with precise etching depth and pattern dimensions, and to provide the double-sided photomask.
透明基板に回折光学素子パターンが形成されている両面フォトマスクの作製方法において、透明基板のエッチング状態を正確に把握して、回折光学素子パターンのエッチング深さおよびパターン寸法を高精度に形成し、所望の光学特性を得ることが可能な両面フォトマスクの作製方法および両面フォトマスクを提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.
積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁 - The production method of the circuit board contains the steps of forming a metal layer on one face or both faces of the substrate via an adhesive sheet containing fluoroplastic, forming a circuit pattern by etching the metal layer, and forming the circuit pattern to then re-adhere the circuit pattern by a thermocompression bonding process.
本発明に係る回路基板の製造方法は、フッ素樹脂を含む接着シートを介して基材の片面または両面に金属層を形成する工程、金属層をエッチングすることにより回路パターンを形成する工程、および回路パターンを形成した後、熱圧着処理により回路パターンを再接着する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The method includes a first step of forming a metal thin film for wiring lines on a glass substrate 11a, a second step of forming a resist pattern on the metal thin film by using a photomask 20 where a pattern for the wiring lines is formed, and a third step of forming the wiring lines by selectively removing the metal thin film by wet etching using the resist pattern as a mask.
ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成する第３ステップとを備える。 - 特許庁 - To produce an inexpensive base stock for a lead frame provided with mechanical strength that a lead material is not easily deformed, capable of radiating the heat generation of an element with high efficiency, excellent in electric characteristics and good in etching and punching properties needed for the pattern formation of a lead frame, to provide a method for producing it and to provide a semiconductor package using it.
リード材が容易に変形しないような機械的強度を備え、素子の発熱に対して効率よく放散することができ、電気的特性に優れ、リードフレームのパターン形成に必要なエッチング性や打ち抜き性が良好であり，且つ安価であるリードフレーム用素材とその製造方法と、それを用いた半導体パッケージとを提供すること。 - 特許庁 - To provide a processing method after a development processing of a base material for manufacturing wiring plate which can remove sticky foreign matters adhered to a surface of the base material after the exposure processing and the development processing of a photosensitive resin coat formed on the base material, and which can prevent occurrence of circuit forming defect such as short circuit when a circuit is formed by an etching processing.
基材に形成した感光性樹脂皮膜の露光・現像処理後に基材表面に付着した粘着性の異物を除去することができ、エッチング処理による回路形成時にショートサーキット等の回路形成不良の発生を防止することができる配線板製造用の基材の現像処理後の処理方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.
本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁 - The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.
親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which is thoroughly developed, has high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate and excellent etching resistance, can be developed with a dilute aqueous alkali solution and makes stripped pieces small in stripping with an aqueous alkali solution and to provide a photosensitive resin laminate and a method for producing the same.
現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The microlens array substrate 1 includes, in the surface of a quartz substrate or a glass substrate, a microlens array 8 constituted of a plurality of continuous concave microlenses 11 and an alignment mark 7 formed outside a microlens array region, wherein the microlens array 8 and the alignment mark 7 are simultaneously formed by a transfer method through dry etching.
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板またはガラス基板の表面内に、連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８と、マイクロレンズアレイ領域外に形成されたアライメントマーク７を有し、マイクロレンズアレイ８及びアライメントマーク７が、ドライエッチングによる転写法で同時に形成されて成る。 - 特許庁 - In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.
また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁 - To protect the gate oxide film of an input cell transistor against damages caused by electric charge generated, when a multilayer metal interconnection is formed through an RIE(reactive ion etching) method in a semiconductor integrated circuit device, where output cells and input cells are connected through a multilayer metal interconnection.
本発明は、出力用セルと入力用セルとの間を、多層メタル配線により接続してなる構成の半導体集積回路装置において、ＲＩＥによって多層メタル配線を形成する際に生じる電荷により、入力用セルのトランジスタのゲート酸化膜が破壊されるのを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁 - The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.
半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁 - To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.
波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.
波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.
本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.
本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.
セラミック基板１上にグレーズ層２を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜３を形成して、エッチング処理後にレジスト膜３を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル５から粒子径が２５０μｍ以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜３を除去する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor device is characterized in that the contact hole is filled with a conductive material without causing a defect inside when the contact hole is filled with the conductive material in a succeeding stage by removing by anisotropic etching the barrier layer formed in the opening area of the contact hole filled with the conductive material forming the connection line.
本発明の半導体装置の製造方法は、接続線を形成する導電材料を埋め込むコンタクトホールの開口領域に形成されたバリア層を異方性エッチングにより除去することにより、後の工程で導電材料を埋め込むに際して、欠陥を内在させることなくコンタクトホールに導電材料を充填することを特徴とする。 - 特許庁 - A method of manufacturing a crystal oscillator for carrying out the frequency adjustment in units of crystal wafers includes the steps of: measuring the thickness on a predetermined concentric circle of the crystal wafer; etching the thick portion thereof by a processing liquid for selectively dissolving the crystal based on the thickness measurement result; and adjusting the frequency by reducing the thickness of the thick portion.
水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a semiconductor device by spin-etching a rear surface 10b of a semiconductor wafer 10 having semiconductor elements 60 formed on an active surface 10a, an angle θ is set to be an acute angle between at least part of the side surface 10c of the semiconductor wafer 10 and the rear surface 10b of the wafer 10.
本発明は、半導体素子６０が能動面１０ａに形成された半導体ウエハ１０の裏面１０ｂをスピンエッチングによりエッチングする半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の側面１０ｃの少なくとも一部と、半導体ウエハ１０の裏面１０ｂとのなす角度θを鋭角に形成することを特徴とする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.
また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.
被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the optical waveguide substrate including an optical element and an optical waveguide 5 optically connected to the optical element, a composite substrate having a substrate 4 which can be etched and an etching stop member 2 provided on one face of the substrate is prepared, and a mask having a desired pattern is formed on the substrate which can be etched.
光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁 - The method for bonding by an epoxy adhesive film includes a heating process wherein the film is sandwiched between the two bondable surfaces of object bodies and then subjected to heating or heating and pressing and a subsequent removing process wherein the part of the film not requiring bonding and/or the part of the film melted and forced out of the bonded surfaces are subjected to etching.
エポキシ接着フィルムを被着体の二つの接着面間に挟み、加熱または加熱および加圧する加熱工程と、前記加熱工程の後に、エポキシ接着フィルムのうち接着が不要な部分および溶融して接着面からはみ出した部分の少なくとも一方をエッチングする除去工程とを含むエポキシ接着フィルムによる接着方法。 - 特許庁 - To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.
プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁 - The fine-processing method for the glassy carbon comprises the processes of: coating the glassy carbon substrate with an ultraviolet ray-sensitive resin used in the development of a photograph; forming the resin into a desired micropattern by the exposure and development of the resin; dry-etching the resin, to transfer the micropattern onto the glassy carbon substrate.
本ガラス状カーボンの微細加工方法は、ガラス状カーボン基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布する工程と、紫外線感光性樹脂の露光、現像を行い、紫外線感光性樹脂を所望の微細パターンに成形する工程と、紫外線感光性樹脂にドライエッチングを施し、微細パターンをガラス状カーボン基板へ転写する工程を有する。 - 特許庁 - The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.
基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁 - The micromachining method of the substrate includes each step for forming a magnetic film on the substrate, adding a desired magnetic pattern to the magnetic film, sprinkling magnetic powder onto the magnetic film where the magnetic pattern is given, selectively concentrating the magnetic powder according to the magnetic pattern, and performing reactive ion etching with the centrally arranged magnetic powder as a mask.
基板の微細加工方法であって、基板上に磁性膜を形成し、磁性膜に所望の磁気パターンを付与し、磁気パターンの付与された磁性膜上に磁性粉を振りかけて、磁性粉を磁気パターンに応じて選択的に集中させ、集中配置された磁性粉をマスクとして反応性イオンエッチングを行なう各ステップを含んでいる。 - 特許庁 - The problem is solved by adopting the manufacturing method of the piezoelectric vibrator including steps of: adhering a thin piezoelectric substrate to a thin substrate to which a plurality of holes are formed to form through-holes in order to apply concavity processing to the thin piezoelectric substrate; and applying etching to the through-holes until the thin substrate is extinguished.
課題を解決するために本発明は、薄板状圧電基板に凹状加工を施すために、複数の孔加工を施し貫通孔を形成した薄板状基板に、該薄板状圧電基板を貼り合わせる工程と、該貫通孔側を該薄板状基板が消滅するまでエッチングを施す工程と、を備えた圧電振動子の製造方法により課題を解決する。 - 特許庁
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