「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 111 112 113 114 115 116 117 118 119 .... 137 138 次へ＞- In the method for grasping the one-line processing quantity by the FIB under the prescribed condition, the sample is processed by performing scanning of a plurality of lines, and the etching size at that time is measured by the microscope length measuring function, and the average processing quantity by one-line scanning is calculated.
所定条件下のＦＩＢによる１ラインの加工量を把握する方法は複数ラインの走査を行って試料を加工し、その際のエッチング寸法を顕微鏡測長機能で測長し、１ライン走査の平均加工量を算出する。 - 特許庁 - The substrate inspection method includes a step of preparing the substrate provided at its main surface with the plurality of layers, a film forming step, a local etching step (S321), and an inspection step (S323) or a composition analysis step (S322).
基板検査方法は、主表面上に複数の層が形成された基板を準備する基板準備工程および成膜工程と、局所的なエッチング工程（Ｓ３２１）と、検査工程（Ｓ３２３）または組成分析工程（Ｓ３２２）とを備える。 - 特許庁 - To provide a mask structure for color selection producible by being arranged side by side in n-lines even if the size of the mask structure for color selection slightly exceeds 1/n of effective etching width, to provide its manufacturing method, and to provide a color selection mechanism, and a color cathode-ray tube.
色選別用マスク構体のサイズが、有効エッチング幅の１／ｎを少々超えても、ｎ列に並べて生産できるようにした、色選別用マスク構体及びその製造方法、色選別機構、カラー陰極線管を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a particulate sample processing/retaining material for reducing FIB processing time, preventing deformation by ion beams, reducing objects to be etched, reducing the occurrence of contaminants, preventing a decrease in the degree of vacuum, and preventing a decrease in etching precision, and to provide a method and an apparatus for processing the particulate sample processing/retaining material.
ＦＩＢ加工時間短縮、イオンビームによる変質防止、被エッチング物低減、汚染物発生減少、真空度低下防止、エッチング精度低下防止可能の、微粒子試料加工保持材、その加工方法および加工装置の提供。 - 特許庁 - In the method for reducing a hydrochloric acid odor of a hydrochloric acid-containing aluminum chloride solution, such as a concentrated liquid of an etching treatment process waste liquid of aluminum foil, the addition of polyaluminum chloride to the solution reduces the odor of the aluminum chloride solution.
アルミニウム箔のエッチング処理工程廃液の濃縮液など、塩酸を含む塩化アルミニウム溶液の塩酸臭を低減する方法において、該溶液にポリ塩化アルミニウムを添加することにより、該塩化アルミニウム溶液の臭気を低減する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the forming die 10 includes steps of: forming a pattern having a concave portion and a convex portion on a substrate 11; and etching the patterned substrate 11 to form a circular arc at the corner of the convex portion.
この成形型１０の製造方法としては、基材１１に凹部と凸部とを有するパターンを形成する工程と、パターンが形成された基材１１に対してエッチングを施し凸部の角に円弧を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a viahole forming method excellent in utility where etching liquid reaches surely the insides of recessed parts when viaholes having a small diameter are formed, so that the viaholes can be excellently formed and a precise circuit can be formed.
径小なビアホールを形成する際にもエッチング液が凹部内に確実に達して良好にビアホールを形成することができ、よって、精密な回路を形成することができる実用性に秀れたビアホール形成方法を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a production method for a laminate having patterned metal films, capable of readily plasma etching a plating layer and of obtaining a laminate having excellent insulating properties between the patterned metal films.
本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - As shown in the top view, the piezoelectric vibrator 1 is supported by a thick silicon peripheral part 3 arranged on an outer peripheral part including the right and left of the figure through two beams 2 formed by removing silicon by a known method such as etching.
上面図に示すように圧電振動子１は、シリコンをエッチングなどの公知の方法で除去して形成した２本の梁２を介して、厚みのある図の左右を含む外周部に設けられているシリコン周辺部３に支持がされている。 - 特許庁 - To provide a touch panel manufacturing method for reliably preventing wiring located outside a sealed part from being cut even in removing micro-crack or flaw generated at the end of a cut glass substrate by etching, and to provide a touch panel.
切断したガラス基板の端部に発生するマイクロクラックや傷をエッチングにより除去する場合でも、シール部分の外側に位置する配線が断線することを確実に防止することのできるタッチパネルの製造方法およびタッチパネルを提供すること。 - 特許庁 - To provide a composition for cleaning an electronic device that exhibits excellent cleaning performance for etching residue, resist residue and the like without causing any damage to a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper and to provide a method for cleaning an electronic device using the composition.
アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent stray light, such as lens-reflected light reaching an image surface from disturbing the inspection sensitivity in a dark field defect detection method by high elevation angle illumination for detecting groove bottom short-circuit defects or scratch, after the completion of etching.
エッチング完了後の溝底ショート欠陥やスクラッチを検出するための高仰角照明による暗視野欠陥検出方法において、レンズ反射光などの迷光が像面に到達することによる検査感度を阻害することを防止する。 - 特許庁 - To provide a ridge type semiconductor laser so constituted as to improve the reproducibility of diffraction grating formation during a production process, and to prevent the deterioration of the crystal quality of an etching stopper layer, and a method for manufacturing the ridge type semiconductor laser.
製造中に回折格子形成の再現性を良くすること及びエッチングストッパ層の結晶品質の劣化を防ぐことができる構造のリッジ型半導体レーザ及びリッジ型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a TAB tape in which the TAB tape whose conductor pattern has high precision is stably manufactured by eliminating deviation and variance of etching which tends to occur as the TAB tape is widened.
ＴＡＢテープの幅広化に伴って生じやすくなる傾向にあったエッチングの偏りやばらつきを解消して、導体パターンの寸法精度の高いＴＡＢテープを安定的に製造することを可能としたＴＡＢテープの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing 2-chloro-3,3,3-trifluoropropene which may become functional materials such as coolants, foaming agents, detergents, solvents, etching agents, and aerosol; or physiologically active substances, intermediates of functional materials; and a monomer for polymer compounds.
本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤、溶剤、エッチング剤、エアゾール等の機能材料又は生理活性物質、機能性材料の中間体、高分子化合物のモノマーとなりうる、２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a glass etching method, nickel layers 3 are formed in a certain pattern on the surface 2 of a glass substrate 1, and the obtained glass substrate with the nickel layers 3 is heated to induce spontaneous release of the nickel layers 3 as well as the surface parts of the glass substrate 1 on which the nickel layers 3 are deposited.
ガラス基材１の表面２にニッケル層３をパターン形成したのち、得られたニッケル層３付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層３に付着したガラス基材１の表面部分とともにニッケル層３を自然剥離させる。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a micro electromechanical device, a first sacrifice layer member 102 and a second sacrifice layer member 104 having an etching rate lower than that of the first sacrifice layer member 102 are prepared, and a space layer 102a is formed by removing all of the first sacrifice layer member 102.
第１犠牲層部材１０２と、第１犠牲層部材１０２のエッチング・レートよりも遅いエッチング・レートを有する第２犠牲層部材１０４とからなり、第１犠牲層部材１０２がすべて除去されて空間層１０２ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a substrate washing method and a substrate washing apparatus which can prevent chemicals from remaining on the surface of a substrate by not mixing the chemicals and a washing liquid at the time of continuous spin etching using the chemicals of different kinds.
本発明は、異種の薬液を用いて連続したスピンエッチングする際に、薬液と洗浄液とを混合させずに、基板の表面上の薬液残りを防止するための、基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can form via holes, a wiring groove or the like by etching a layer insulation film or the like, while restraining enlargement of a pattern size of a hard mask and can properly remove the used hard mask.
ハードマスクのパターン寸法の拡大を抑制しつつ層間絶縁膜等をエッチングしてビアホールや配線溝等を形成することができ、また、用いたハードマスクを十分に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a liquid jetting head in which a reservoir can be formed good by surely removing an adhesion layer by wet etching, and a channel-forming substrate and a reservoir-forming substrate can be firmly joined to each other, and to provide its manufacturing method.
密着層をウェットエッチングによって確実に除去してリザーバを良好に形成することができ、且つ流路形成基板とリザーバ形成基板とを強固に接合することができる液体噴射ヘッド及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing plastic plated goods which does not require chemical etching, does not always require the addition of a large amount of inorganic fillers for forming a physically roughened surface effective for the adhesion property of plating and is capable of assuring high plating quality.
化学エッチングが不要で、また、メッキ密着性に有効な物理的粗化表面を形成するための多量な無機充填材添加を必ずしも必須とせず、高いメッキ品質が確保できるプラスチックメッキ品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The first mask 43 wherein the shape of a spiral contactor 20 is pattern-formed on the surface of a conducting member 40 is formed, and the conducting member 40 not covered with the first mask 43 is etched up to the middle part by the wet etching method.
導電性部材４０の表面にスパイラル接触子２０の形状がパターン形成された第１マスク４３を形成し、前記第１マスク４３に覆われていない前記導電性部材４０を途中までウエットエッチング法にてエッチングする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a copper foil for a printed circuit board without exfoliation of copper powder, which can obtain satisfactory peel strength to an insulating resin base material and high etching factor Ef, without being influenced by a surface roughness of face to be adhered of a copper foil.
銅箔の被接着面の表面粗さに影響されることなく、絶縁樹脂基材との十分な引き剥がし強さと高いエッチングファクターＥｆが得られ、銅粉落ちのない印刷回路基板用銅箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrooptical device and a manufacturing method thereof, which avoids pervasion into a reflective electrode due to permeation of an etching solution, expands the reflective electrode up to an edge of a transparent conductive layer, and improves the productivity, and also to provide electronic equipment.
エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避でき、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができ、かつ生産性を向上することができる電気光学装置とその製造方法および電子機器を提供する。 - 特許庁 - The invention relates to the method for manufacturing of the mechanical part including a step providing a substrate 53 made of micro-machinable material, and a step etching, with help of photo-lithography, a pattern that includes the mechanical part over the entire substrate 53.
マイクロ機械加工可能材料から構成される基板５３を用意するステップと、フォトリソグラフィを用いて、前記基板５３の全体にわたって機械パーツを含むパターンをエッチングするステップとを含む、機械パーツを製造する方法に関する。 - 特許庁 - The electrostatic printing method forms an etching-resistive toner resin pattern directly on a conductive layer on the surface of a dielectric material (i.e., a PCB-precursor) which can be used for production of a printed circuit board(PCB's).
プリント回路板（ＰＣＢ’ｓ）の製造に用いることができる誘電材料の表面上（すなわちＰＣＢ−前駆体上）の導電性層上にエッチング−抵抗性トナー樹脂のパターンを直接形成するための直接静電印刷法を記載する。 - 特許庁 - This is a manufacturing method for the two-layer wiring semiconductor device which includes a process of forming barrier metal and a conductor wiring layer by electrolytic plating, with a conductive frame as a lead for electrolytic plating, and a process of etching off the conductive frame.
導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin copper-clad laminate, which can produce the thin copper-clad laminate with uniform thickness distribution of a copper foil by continuous etching with using a cupric chloride and alkali persulfate etchants.
塩化第二銅系エッチング液と過硫酸アルカリ塩エッチング液を用いて連続的にエッチングを行うことにより銅箔の厚みばらつきの少ない薄型銅張積層板を得ることが可能な薄型銅張積層板の製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for plasma processing able to control the transmittance of electromagnetic waves and improve the discharge characteristic and the uniformity of the plasma and the performance and stability of etching processing by selecting material of the transmission window.
本発明は、透過窓の素材を選択することにより、電磁波の透過率をコントロールでき、プラズマの放電特性と、プラズマの均一性と、エッチングプロセス性能および安定性が向上するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - At this time, the inorganic compound is silicon oxide and the chemical etching liquid is preferably hydrofluoric acid, an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed solution of them and the first and second films are preferably formed by a plasma CVD method.
このとき、無機化合物が酸化珪素であり、化学エッチング液がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましく、第一の膜と第二の膜がプラズマＣＶＤ法で形成されることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method that forms fine metal patterns without etching and enables metal patterns with a good adhesivenes of board and metal film to be formed even when the board surface scarcely contains concaves and convexes.
エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板界面の凹凸が少ない場合でも基板と金属膜との密着性に優れた金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - In the method, since metal copper is not reduced from an etching waste liquid, there is no need of using an extraction solution easily contaminating chemicals and an expensive ion selective membrane, and there is no need of using high temperature molten copper and purification which extremely consumes electric power.
本発明の方法はエッチング廃液から金属銅を還元しないため、容易に薬品を汚染する抽出溶液や高価なイオン選択膜を使用する必要も、高温溶銅と非常に電力を消費する純化を用いる必要もない。 - 特許庁 - The method for manufacturing an element including the structures 3, 5 having the photonic crystal effect comprises the steps of forming a GaN system semiconductor layer 3 including a crystal inverting region 4 and removing the crystal inverting region 4 with the wet etching process.
フォトニック結晶効果を有する構造３，５を含む素子を製造する方法であって、結晶反転領域４を含むＧａＮ系半導体層３を形成する工程と、結晶反転領域４をウェットエッチングにより除去する工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device in which the line width or the like of a resist pattern really formed in a photo-lithography process can be precisely measured and a desired circuit pattern can be finally formed after etching.
フォトリソグラフィ工程で実際に形成されたレジストパターンの線幅等を精密に測定でき、エッチング処理後において最終的に所望の回路パターンを形成することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁 - In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.
半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electrode foil for electrolytic capacitors which forms compact and high-density etching pits into the surface of an aluminum foil to increase the surface area and improve the capacitance and the leakage current characteristics.
アルミニウム箔の表面を緻密で高密度のエッチングピットを生成させて表面積を拡大し、静電容量および漏れ電流特性を向上させることができる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a flexible base material having superior peeling strength, without using a metal vapor-deposited film with nickel and chromium possibly causing a migration as main components also without requiring two-time etching processes, and to provide a manufacturing method for the base material.
マイグレーションの原因ともなり得るニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜を用いることなく、また、２度のエッチング工程も必要となることなく、優れた剥離強度を有するフレキシブル基材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput.
素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming semiconductor device oxide films that allows oxide films of different thickness to be formed in different areas as well as prevents etching damage on the semiconductor substrate and oxide film quality deterioration.
半導体基板にエッチング損傷が発生することと酸化膜の膜質が低下することを防止すると共に、相異した領域に異なる厚さの酸化膜をそれぞれ形成することが可能な半導体素子の酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method therefor includes an etching process by photolithography, or a process for forming the EBD probe tip 5 in the hole 6 of the sensor tip 4 by corpuscular beam deposition, after removing a material by irradiation of a corpuscular beam.
その製造方法はホトリソグラフィーのエッチング工程によるか又は粒子線照射による材料の除去後に、センサ尖端（４）の孔（６）にＥＢＤ探針尖端（５）を粒子線蒸着により形成する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of preventing the defective phenomenon of the semiconductor device in which its generation is expected by a recess even when the recess is formed to an insulating film and a foundation layer by an over-etching.
オーバエッチングによって絶縁膜や下地層に凹みが形成された場合でも、その凹みによって発生することが予想される半導体装置の不良現象を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This is a method of removing a photoresist 16 and/or residues after etching from an exposed low K dielectric layer 14 and makes a non-oxygen plasma, having electrically neutral particles and charged particles, by exposing a non-oxygen gas to an energy source.
フォトレジスト16および／またはエッチング後の残留物を露出した低ｋ誘電体層14から除去する方法で、無酸素ガスをエネルギー源にさらすことにより、電気的に中性な粒子と荷電粒子を有する無酸素プラズマを作り出す。 - 特許庁 - To provide an adamantane derivative having excellent optical characteristics such as light resistance, mechanical properties such as heat resistance, adhesion properties, etching resistance and the like, to provide a method for producing the same, to provide a resin composition containing the derivative and to provide a cured product using the derivative.
耐光性などの光学特性、耐熱性などの機械物性、接着性、エッチング耐性等に優れるアダマンタン誘導体、その製造方法、当該誘導体を含む樹脂組成物及び当該誘導体を使用する硬化物を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and a pattern forming method that uses identical satisfying high sensitivity, high resolution, proper pattern shape, proper line edge roughness and dry etching resistance, at the same time.
高感度、高解像性、良好なパターン形状及び良好なラインエッジラフネス、さらには耐ドライエッチング性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性低分子化合物含有組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing 3,3,3-trifluoropropene capable of serving as a functional material such as a refrigerant, a foaming agent, a detergent, a solvent, an etching agent and an aerosol, an intermediate of a physiologically active substance or a functional material or a monomer composing a polymer compound.
本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤、溶剤、エッチング剤、エアゾール等の機能材料又は生理活性物質、機能性材料の中間体、高分子化合物のモノマーとなりうる、３，３，３−トリフルオロプロペンの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a bimetal which forms a discrimination mark without using etching without complicating manufacturing processes while restraining a blur of a discrimination mark in a heat treatment (aging) process for releasing from stress.
バイメタルの製造工程を煩雑化させることなく、応力除去の熱処理（エージング）工程により識別マークが不鮮明になるのを抑制するとともに、エッチングを用いずに識別マークを形成することが可能なバイメタルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method, since the Be oxide formed in the AuBe layer 4 and its vicinity can be efficiently dissolved and eliminated in a first surface treatment step, a subsequent etching step can be executed without delay while preventing the influence of the Be oxide.
第１の表面処理工程によりＡｕＢｅ層４内及びその近傍に生成されたＢｅ酸化物を効率良く溶解除去することができるため、続くエッチング工程をＢｅ酸化物の影響を受けずに遅延なく行うことができる。 - 特許庁 - To provide a method and device for cleaning a substrate which remove a by-product and residual fluorine without damaging a pattern including an exposed portion of a silicon layer when forming the pattern by plasma etching.
シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for recovering patterns on a silicon substrate, wherein foreign matters grown between the patterns formed on the silicon substrate by etching are removed to recover a shape of the patterns.
シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which eliminates the need for tapering a connection hole by wet etching to reduce the aspect ratio of the connection hole and can reduce the generation rate of a connection hole formation defect.
本発明は、接続孔のアスペクト比を低減するために、ウェットエッチングにより接続孔にテ−パを施す必要がなく、接続孔形成不良の発生率を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
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