「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 108 109 110 111 112 113 114 115 116 .... 137 138 次へ＞- To provide a thin-film conductor pattern which can be made without etching an ITO film, and its manufacturing method, and provide a wiring structure object equipped with the thin-film conductor pattern and a planar heater.
ＩＴＯ膜に対してエッチングを行うことなく作製できる薄膜状導体パターンおよびその製造方法を提供すること、その薄膜状導体パターンを備えた配線構造物および面状ヒーターを提供することにある。 - 特許庁 - To provide a method for descaling hot rolled alloy steel band which improves an intermediate term material surface quality to upgrade an etching quality in the end products of Fe-Ni system alloy for both a shadow-mask and a lead frame.
シャドウマスク用およびリードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ系合金の最終製品におけるエッチング品質を向上させるために、中間素材表面品質を改善する熱間圧延合金帯の脱スケール方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device by which a variance in shape of grating due to etching can be reduced without using a GaAs thermal deformation preventive layer and thermal deformation of the grating can be suppressed.
ＧａＡｓ熱変形防止層を用いること無く、エッチングに起因する回折格子の形状ばらつきを低減できると共に、回折格子の熱変形を抑制できる、半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for recycling copper resources in a production process where an etching waste liquid after treatment is recharged to an electroplating stage, the waste liquid is reduced from the origin, and the most environment-friendly recycling system is obtained.
処理後のエッチング廃液を電気めっき工程に再投入し、廃液を元から減少して最も環境にやさしい循環再生方式を実現した、製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法の提供。 - 特許庁 - To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.
ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.
このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁 - To provide a cast ingot prepared for manufacturing Fe-Ni system alloy sheet that can suppress abnormal wear of rolling rolls in cold rolling, keeping the etching characteristics and cost at worst at the same level as those of the conventional Fe-Ni alloy sheet and a manufacturing method of the same.
少なくとも従来のエッチング性とコストを維持しつつ冷間圧延時の圧延ロールの異常摩耗等を抑制したＦｅ−Ｎｉ系合金薄板製造用鋳塊および該鋳塊の製造方法の提供。 - 特許庁 - In the surface treatment method for a lithium based magnesium alloy material, after degreasing, etching and surface control treatment, the surface of a lithium based magnesium alloy material is treated with a fluorine and aluminum-containing treatment solution.
脱脂、エッチング及び表面調整処理を行った後に、リチウム系マグネシウム合金材の表面に、フッ素及びアルミニウム含有処理液で処理することを特徴とするリチウム系マグネシウム合金材の表面処理方法である。 - 特許庁 - A method for defining a pattern includes etching the pattern through a photoresist into a substrate, heating the patterned substrate to a temperature sufficient to ash the photoresist and provide a residue, and removing the residue by bringing the residue into contact with the cleaning composition.
バターンの規定方法は、フォトレジストを通した基材へのパターンのエッチング、フォトレジストが灰化するのに充分な温度にパターン化された基材を熱すること、および該クリーニング組成物と残渣が接触することによる除去を含む。 - 特許庁 - When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly.
半導体基板２を主面側から加工する場合においては、プラズマＣＶＭ法による加工と砥石車１による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an antenna pattern with which characteristics of the antenna pattern can be accurately measured even if an aluminum layer is residual around the antenna pattern when forming the antenna pattern by means of etching.
アンテナパターンをエッチングにより形成する際に、アンテナパターンの周囲にアルミニウム層を残存させた場合であっても、アンテナパターンの特性を正確に計測することができるアンテナパターンの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method for modifying the surface of the amorphous carbon film includes a step for etching the surface 21 of an amorphous carbon film 2 by using an inert gas and a step for treating the etched surface 21 of the amorphous carbon film 2 by using a silane coupling agent.
不活性ガスを用いて非晶質状炭素膜２の表面２１をエッチング処理するステップと、エッチング処理された非晶質状炭素膜２の表面２１を、シランカップリング剤を用いて表面処理するステップとを含む。 - 特許庁 - To provide an ion beam etching method in which ESD (electrostatic damage) can be prevented from being generated by suppressing fluctuations in substrate potential regardless of the type of shape and conductivity of the shutter in a shutter device.
シャッターの形状や導電性などシャッター装置の種類に関わらず、基板電位の変動を抑制し、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏsｔａｔｉｃ Ｄａｍａｇｅ）の発生を防ぐことができるイオンビームエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a semiconductor laser element having a ridge stripe 9, after the formation of the ridge stripe 9, an insulating mask 8 containing Si is oxidized using an etching solution containing hydrogen peroxide to inactivate the surface treatment.
リッジストライプ９を有する半導体レーザ素子の製造方法において、リッジストライプ９を形成後、過酸化水素水を含むエッチング液を用いてＳｉを含む絶縁マスク８を酸化処理して、この表面処理を不活性化にする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of selectively etching the predetermined structure by protecting a semiconductor substrate even though an arrangement density and a size of the structure formed on the semiconductor substrate are nonuniform.
半導体基板の上に形成された構造体の配置密度や大きさに不均一性があっても、半導体基板を保護しながら所望の構造体を選択的にエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the same comprises the steps of forming the multilayer film on the EUV mask substrate, forming the light absorption layer on the multilayer film, and forming an opening for penetrating through the absorption layer up to the multilayer film by etching.
この方法はＥＵＶマスク基板上に多層膜を形成し、この多層膜上に光吸収層を形成し、そしてエッチングにより前記多層膜まで前記光吸収層を貫通する開口を形成する工程を含む。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device provided with backside electrodes for external connection using a lead frame having a circuit formed only by a simple etching work or a stamping work, and to provide a manufacturing method of backside electrodes for external connection therefor.
単なるエッチング加工、或いはスタンピング加工のみで回路形成したリードフレームを用いて裏面に外部接続用裏面電極を備えた半導体装置及びその外部接続用裏面電極の形成方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device with superior performance, protecting from crystal defect being introduced in a semiconductor film, as well as repeatedly and controllably etching the semiconductor film used for the semiconductor apparatus.
半導体装置に用いられる半導体膜を再現性よく、かつ制御性よくエッチングするとともに、半導体膜中に結晶欠陥が導入されるのを防ぎ、優れた性能を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method comprises decreasing the copper foil thickness to 30%-60% of an original thickness with a cupric chloride etchant at first, and further etching it with the alkali persulfate etchant to decrease the thickness to 5%-75% of the original thickness.
先ず塩化第二銅系エッチング液を用いて元の銅箔厚みに対して３０％〜６０％の厚みにした後、過硫酸アルカリ塩エッチング液を用いて更にエッチングを行い、銅箔の厚さを元の５％〜７５％にする。 - 特許庁 - To provide an industrially advantageous method for efficiently producing a perfluoroalkyne compound useful as a raw material for producing gas for plasma reaction, a fluorine-containing polymer, a medicine and an agrochemical or as an etching agent useful in a semiconductor production process.
プラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料または半導体製造工程で使用されるエッチング剤などとして有用であるパーフルオロアルキン化合物を効率良く、工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - This method for electroless plating includes dividing a precipitation process into several steps, and removing the catalyst of the part in which the plated layer has not been formed, between every steps by either one or both of washing or chemical etching.
また、無電解メッキの処理において、メッキ析出を複数の段階に分け、各段階の中間工程でメッキ層が形成されない部分の触媒を洗浄及び化学的エッチングのいずれか一方または両方によって除去する。 - 特許庁 - The method is for controlling the surface flatness of a quartz glass substrate, where the quartz glass substrate is set in a hydrogen radical etching apparatus and hydrogen radicals work on the quartz glass substrate to control the surface flatness by a subnanometer level.
石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 - 特許庁 - Its method includes a process to expose a portion of the base semiconductor layer removed by etching a portion of an uppermost layer of the semiconductor layers, and a subsequent process to grow a semiconductor on the exposed portion of the base layer.
その方法は、半導体層の最上部層の一部分をエッチング除去して、ベース半導体層の一部分を露出させる工程と、次いでベース層の露出させた部分上に半導体を成長させる工程とを含む。 - 特許庁 - To form a circuit pattern of a micro semiconductor element by a method wherein the thickness of a photoresist is made thin, and a high etching selectivity ratio is made possible between the photoresist and the lower thin film to be etched.
フォトレジストの厚さを薄くし、フォトレジストとエッチングされる下部薄膜との間で高いエッチング選択比を実現することで微細な半導体素子の回路パターンを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.
エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist removing and rinsing method for a semiconductor substrate by which resist residue produced after dry etching is thoroughly removed and the corrosion of a metallic electrically conductive film of Al, Al alloy or the like can be satisfactorily prevented.
ドライエッチング後に発生するレジスト残渣を完全に除去し、さらに、アルミニウムあるいは，アルミニウム合金等の金属導電膜の腐食を良好に防止することができる半導体基板のレジスト剥離、リンス方法を提供すること。 - 特許庁 - The method of manufacturing the wiring structure includes an etching step to selectively etch a first cap film and a step to form a second cap film made of SiOC or SiO_2 to cover the upper surface of a semiconductor substrate.
また、かかる配線構造の製造方法が、第１キャップ膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、半導体基板の上面を覆うように、ＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる第２キャップ膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of measuring electrical characteristics of TEG (Test Element Group) provided to a semiconductor substrate even when the surface of a measuring pad is damaged by etching a UBM (Under Bumping Metal) layer, and also a method of manufacturing the semiconductor device.
測定用パッドの表面がＵＢＭ層エッチングによって損傷を受けても、半導体基板に設けられたＴＥＧの電気的特性の測定が可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method for forming an opening, which is used for imprinting on etching objective film, on a mask film or an intermediate film while allowing the size of the opening satisfy a requirement for miniaturization of a semiconductor device with respect to a substrate to be processed.
処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - The objective etching method comprises alternately introducing a reactive gas and an inert gas into a reaction chamber 1 in a pulsed way, and applying a high-frequency power to a stage 4, only when introducing the inert gas into the reaction chamber 1.
本発明のエッチング方法は、反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで反応室１内に導入し、希ガスを反応室１内に導入するときにのみステージ４に高周波電力を印加することを特徴とするものである。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board that can easily align a land and a via hole, and that can improve defects during mounting a semiconductor device due to etching-thinnings of minute wiring patterns, thereby manufacturing the multilayer circuit board having excellent reliability and reducing electric connection resistance.
ランド部とビアホールの位置合わせが容易であり、また微細配線パターンのエッチング細りによる半導体実装時の不具合を改善でき、電気的接続抵抗値を低減できて信頼性に優れたものとする。 - 特許庁 - By this method, fine particles can be two-dimensionally arrayed in a closest packed state in fine regions arrayed by self organization of di-block copolymers, and the array body exhibits excellent performance as an etching mask for forming a thin film pattern.
この方法によれば、ジブロックコポリマーの自己組織化されて配列された微小領域に微粒子を二次元的に最密充填することができ、薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクとして優れた性能を示す。 - 特許庁 - To provide a substrate material for magnetic head, a substrate for magnetic head, and a manufacturing method of a head slider and the substrate for magnetic head, which improves the surface smoothness of an etching surface, and reduces the level difference of an air bearing surface.
エッチング面の表面平滑性の向上、およびエアベアリング面の段差の低減を図ることができる磁気ヘッド用基板材料、磁気ヘッド用基板、ヘッドスライダおよび磁気ヘッド用基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method repeats the following processes of: depositing a silicon dioxide (SiO_2) film at a prescribed thickness using a cathode CVD device as shown in Fig. 1; and removing an overhang growing from a corner of the core by chemical etching using gas with H_2 as a major component.
図１に示すカソードCVD装置を用いて、二酸化珪素（SiO_2）膜を所定の厚さに形成する工程と、コアのコーナーから成長するオーバーハングをH_2を主体とするガスで化学的エッチングにより除去する工程を繰り返す。 - 特許庁 - To provide a conveyance table without deforming or breaking a metal ribbon [or a TAB (tape automated bonding) tape] when the metal ribbon (or the TAB tape) is conveyed and etched during its conveying, and to provide a conveying method capable of preventing an etching liquid from being accumulated.
金属リボン（又はＴＡＢテープ）を搬送する際、搬送中にエッチングする場合に、金属リボン（又はＴＡＢテープ）の変形や破損を生じさせない搬送テーブル及びエッチング液溜まりを防ぐ搬送方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a reliable semiconductor device that prevents the whisker- like protrusions of an upper layer film due to side etching of a lower layer film when the surface electrode wiring of a semiconductor device is to be formed, and to provide a method for manufacturing the reliable semiconductor device.
半導体装置の表面電極配線を形成する際、下層膜がサイドエッチされることによる上層膜のヒゲ状張り出しのない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide colloidal silica for use in mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica.
半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device including metal gate MISFETs suitable to an nMOS and a pMOS differing in work functions without causing a gate insulating film to deteriorate by exposure to an atmosphere, etching liquid of a metal electrode, etc.
ゲート絶縁膜が大気やメタル電極のエッチング液等に曝されて劣化することなく、仕事関数の異なるｎＭＯＳ、ｐＭＯＳに適したメタルゲートＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist pattern surface modifying method which can increase the polymerization and the carbon-carbon bonding density and improve the etching resistance on the outermost surface of the resist layer without degrading the resist peeling on the adhering surface on the plate, and also to provide an imprinting method, a magnetic recording medium, and its manufacturing method.
基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の重合率、炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるレジストパターンの表面改質方法及びインプリント方法並びに磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for cleaning deposition film forming device, by which a high-quality deposited film of, particularly, high quality electrophotographic sensitive material can be obtained stably, by efficiently removing by-products in a reaction vessel, a dry etching method, and to provide a method of manufacturing article including a step of executing either of the methods.
反応容器内の副生成物を効率的に除去することができ、高品質の堆積膜、特に高品質の電子写真感光体を安定して得ることが可能な堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.
また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、（ｉ）超低Ｋ誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および（ｉｉ）超低Ｋ誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.
半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁 - The composite material 6 for the transfer method is produced by a method for bonding a strip material wherein the carrier material 1 and the barrier material 2 are laminated and the wiring forming material 2 under pressure to form a composite strip or a method subjecting the bonding surfaces of the barrier material 2 and the wiring forming material 3 to ion etching to laminate and bond both materials by rolling.
また、本発明の転写法用複合材の製造方法としては、キャリア材とバリア材を積層した帯材と、配線形成材とを圧着して複合帯とする転写法用複合材の製造方法や、バリア材と配線形成材の接合面がイオンエッチングされた後、圧延により積層接合する転写法用複合材の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method which can form dense patterns without receiving the influence of standing waves and can form the patterns having a high aspect ratio in a dry etching step by combining lower layer films usable as thin films having excellent dry etching resistance and a resist film containing a fluorine-containing polymer having high transparency at a wavelength ≤193 nm and multilayered films for forming the patterns.
ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、波長１９３ｎｍ以下において透明性の高いフッ素含有重合体を含有するレジスト被膜とを組み合わせることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成でき、ドライエッチング工程において高いアスペクト比を有するパターンを形成できるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。 - 特許庁 - In the method, when the same material is buried into a plurality of recesses on a semiconductor substrate or in it and a surface layer formed of the same material 107 is flattened, the surface layer is fined by carrying out an energy beam radiation 110 in advance to an area where a rate of etching in the surface layer is to be lowered, then, etching is carried out to flatten the surface layer.
半導体基板上又は中に存在する複数の凹部に同一材料を埋め込み、該同一材料１０７で形成される表面層を平坦化するに際して、表面層中エッチングのレートを低くすべき領域にエネルギービーム照射１１０を予め行うことにより表面層の緻密化をし、次いでエッチングを行って平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.
本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁 - Also, the etching method of the thin plate comprises the process of forming the resist film of the prescribed pattern corresponding to an open hole to be etched on the thin plate as the mask, the process of etching the thin plate with the resist film as the mask and forming the open hole and the process of peeling the resist film by spraying the resist release agent to which the chemically stable particles are added.
また、薄板上にエッチングしようとする開孔に対応する所定のパターンのレジスト膜をマスクとして形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記薄板をエッチングして開孔を形成する工程と、前記レジスト膜を、化学的に安定な微粒子が添加されたレジスト剥離剤をスプレーすることによって剥離する工程と、を備えることを特徴とする薄板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.
薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the method for recovering copper oxide from a copper chloride-containing waste etching solution, the waste etching solution as a solution to be treated is mixed with an aqueous alkali solution of ≥pH 11 at ≥50°C to prepare a mixed solution having ≥50°C and pH 6-11, dissolved copper ions in the mixed solution are precipitated as copper oxide and this copper oxide is recovered.
塩化銅含有エッチング廃液を被処理液として処理する方法において、該被処理液とｐＨ１１以上のアルカリ水溶液とを５０℃以上の条件で混合して、５０℃以上の温度及び６〜１１のｐＨを有する混合液を形成することによって、該溶存銅イオンを酸化銅として沈殿させ、それを回収することを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液から酸化銅を回収する方法。 - 特許庁 - The present method comprises providing a substrate in which a resistance heater for heating ink is formed, forming a shallow first trench communicating with an ink chamber to be formed later on a first surface of the substrate in which the resistance heater is formed through a wet or dry etching step, and forming a deep second trench communicating with the first trench and penetrating the substrate on a second surface through a dry etching step.
本方法は，インク加熱用の抵抗発熱体を形成した基板を準備し，湿式または乾式エッチング工程を介して抵抗発熱体が形成された基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成し，乾式エッチング工程を介して基板の第２面に第１のトレンチと連通し基板を貫通する深めの第２のトレンチを形成する。 - 特許庁
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