「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 102 103 104 105 106 107 108 109 110 .... 137 138 次へ＞- A first metal film 2 and a second metal film 3 are formed by successively laminating them on a substrate 1 and a plating frame resist 4 having a prescribed pattern is formed on the second metal film 3 using a dry etching method.
基板１上に第１の金属膜２と第２の金属膜３とを順次積層して形成し、第２の金属膜３上に、ドライエッチング法を用いて所定のパターンのめっきフレームレジスト４を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device enhancing the yield and capable of obtaining a desired threshold voltage by uniforming the etching depth of an opening of a gate forming region in a semiconductor wafer face, and a production method thereof.
半導体ウエハ面内におけるゲート形成領域の開口部のエッチング深さを均一化して所望の閾値電圧を得ることができ、併せて歩留を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can facilitate trench formation by thinning the thickness of a laminated film required for forming a trench for separation, and dispenses with the use of wet etching in the trench formation.
分離用トレンチ形成に必要な積層膜の膜厚を薄くして、トレンチ形成を容易にできるとともに、トレンチ形成に際してウエットエッチングを使用せずに済む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin which has good solubility to organic solvent when applied for a resin for resist and exhibits high etching resistance, a resist composition, and a semiconductor manufacturing method.
レジスト用樹脂等に応用した場合に有機溶媒への溶解性が良好で、基板への密着性が良く、更に高い耐エッチング性を発揮できる樹脂、及びレジスト組成物、ならびに半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sealing plate 30 is produced from a sheet-shaped transparent glass raw substrate made of an alkali-containing glass, for example, by wet etching method and a peripheral protrusion 31 is formed at the peripheral part so as to define a concave central part.
封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明なアルカリ含有ガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁 - To prevent satisfactory ohmic contact between a p-type nitride semiconductor and metal even if a defect occurs on the surface of the p-type nitride semiconductor worked by using a dry etching method and metal is deposited.
ドライエッチング法を用いて加工したｐ型の窒化物半導体の表面に欠陥が発生し、金属を蒸着しても、ｐ型の窒化物半導体と金属の間には良好なオーミック性接触が形成されない。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress a crack in a semiconductor layer from reaching a semiconductor element region when a wafer having the semiconductor layer on a principal surface side is cut by etching from a rear surface side.
半導体層を主面側に有するウェハを裏面側からエッチングにより切断する際に、半導体層のクラックが半導体素子領域に達することを抑止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which corners which are boundaries between side faces and a bottom face of concave portions can be rounded by carrying out isotropic dry etching after forming the concave portions such as trenches in a semiconductor layer.
半導体装置の製造方法において、半導体層にトレンチ等の凹部を形成した後に、等方性ドライエッチングをおこなうことにより、凹部の側面と底面との境界となる角部を丸めること。 - 特許庁 - A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.
本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a semiconductor device having excellent electrical characteristics can be manufactured by using a High-k film having good characteristics and combining the characteristics of the film with a realizable etching technique.
良好な特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜を用い、この良好な特性を実現可能なエッチング技術と組み合わせることによって、電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a laminate having a patterned metal film capable of easily performing plasma etching treatment of a plated layer and obtaining a laminate excellent in insulation properties between patterned metal films.
被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - As a result, the light extraction area of the element can be enlarged, compared to the conventional method for performing only surface roughening treatment by anisotropic etching, and resulting in further improvement of light extraction efficiency.
その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。 - 特許庁 - In the method for forming the embedded bit line, a non-electrolytic metal layer is selectively formed in a groove for bit line formed by etching a substrate, and a silicide film is formed inside the groove for bit line by executing a silicide process.
埋め込みビットラインの形成方法は、基板をエッチングして形成されたビットライン用溝に無電解金属層を選択的に形成し、シリサイド工程を行ってビットライン用溝の内部にシリサイド膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of processing a glass substrate by which a pattern faithful to a shape pattern of a photomask can be provided in a thin glass substrate which deforms when provided with a film used as etching mask.
エッチングマスクとなる膜を設けて変形が生じる薄いガラス基板に対して、フォトマスクが有する形状パターンに忠実なパターンをガラス基板に設けることができるガラス基板の加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.
半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - In this method, the semiconductor wafer 1 is heated for releasing the gas 8 out of the resist film 4 before the reaction products between the etching gas and the resist film 4 are deposited on the surface of the resist film 4.
ここで、エッチングガスと、レジスト膜４との反応により生じる反応生成物がレジスト膜４の表面に堆積する前に、半導体ウエハ１を加熱し、レジスト膜４中に存在するガス８を膜外へ放出させる。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method in which the concentration of residual sulphur (S) on a substrate to be processed can be controlled to a specified value or below after an oxide film is subjected to plasma etching by using CF based gas and COS gas.
ＣＦ系ガスとＣＯＳガスとを用いて酸化膜をプラズマエッチングした後に、被処理基板上に残留する硫黄（Ｓ）の濃度を所定値以下に制御することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of etching resin which can perform plating with a high plating adhesiveness at a low cost with respect to a substrate formed of almost any kind of resin material and which can improve the printing adhesiveness.
大部分の樹脂材料からなる基材に対して低コストでメッキ密着性の強いメッキを施すことができると共に、印刷の密着性を高めることができる樹脂のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light emitting element and a method of manufacturing the same which can prevent a residue of a protective metal layer in a dry etching process from being deposited on a compound semiconductor layer and degrading electrical characteristics.
ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a polymer for a photoresist having high transmittance, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity for a developer in order to obtain a pattern improved of LFR (line edge roughness), and to provide a photoresist composition including the polymer, and a method for forming a pattern by using the composition.
ＬＥＲが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.
被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the collection apparatus of solid matter suited to simple and safe treatment of dry etching exhaust gas containing solid matter, and the collection method of the solid matter using the same.
本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。 - 特許庁 - In a method for forming a chip from wafer, a die 30 containing an integrated circuit removes a substrate material 32 damaged in a cutting process through selective etching, after the material 32 is separated (cut off) from a wafer with a CO2 laser beam in the cutting process.
本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがＣＯ_2レーザによりウェハから分離（切断）された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。 - 特許庁 - To provide a separator for a fuel cell with a gas flow channel formed by applying etching treatment on a metal plate hardly broken, thin, and excellent in gas mobility, and its manufacturing method as well as a fuel cell using it.
割れ難く、薄型で、ガス流動性の優れた、金属板にエッチング加工を施してガス流路を形成した燃料電池用セパレータおよびその製造方法、並びに、それを用いた燃料電池を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a microlens, and the like, whereby when recesses for forming microlenses are formed, improved discharge properties of foreign matter from etching holes is ensured, while holding a satisfactory shape.
マイクロレンズを形成するための凹部を形成する際に、良好な形状を維持しつつ、エッチング用穴からの異物の排出性の向上を図ることができるマイクロレンズの製造方法等を提案することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the dielectric constant of an inter-wiring layer insulating film, and improving the controllability of etching at the time of forming a via hole in the inter-wiring layer insulating film.
配線層間絶縁膜の低誘電率化を図るとともに、配線層間絶縁膜にビアホールを形成する際にエッチングの制御性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - These through grooves 404 are formed by an isotropic wet etching method using an HF solution.
この構成により真空下におけるエッチング処理等によってデバイス収納部に達する開口を形成する際、デバイス収納部の雰囲気を外界と同様の雰囲気に保持し、デバイス収納部の急激な圧力変化を防止した。 - 特許庁 - A silicon etchant is an alkaline solution containing an alkali compound, hydroxylamines, and acid, and characterized in anisotropically dissolving single-crystal silicon; and the etching method for silicon using the same etchant.
アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン類および酸を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform a desired fine wet etching processing even for a semiconductor substrate that has a hole of high aspect ratio and can manufacture a fine semiconductor device.
高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.
成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To remove a polysilicon film formed on the surface of a semiconductor device, without damaging its base material layer or leaving etching residues, in a method for manufacturing the semiconductor device.
本発明は半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の表面に形成されたポリシリコン膜を、その下地膜にダメージを与えることなく、かつ、エッチング残渣を発生させることなく除去することを目的とする。 - 特許庁 - When the size-selective light etching method is applied to nanoparticles, pH on a size-selective photoetching reaction is controlled, so that the preparation of the monodispersed semiconductor nanoparticles having high reproducibility is made possible.
ナノ粒子に対してサイズ選択光エッチング法を適用する際に、サイズ選択光エッチング反応時のｐＨを制御することにより、再現性の高い単分散半導体ナノ粒子の調製が可能となった。 - 特許庁 - A trench 3 of narrow opening width and a trench 5 of wide opening width are formed in a silicon substrate 1 simultaneously by RIE method employing mixture etching gas of halogen based gas, fluorocarbon-based gas, and O2.
シリコン基板１に開口幅の狭いトレンチ３と開口幅の広いトレンチ５をＲＩＥ法により形成するエッチング加工で、エッチングガスとしてハロゲン系ガス、フロロカーボン系ガス、Ｏ２を混合したガスを用いて同時に形成する。 - 特許庁 - The photomask is manufactured by forming a resist pattern by photolithography on the film of the photomask blank manufactured by the above method, etching to remove a part of the film not covered with the resist, and then removing the resist.
又、この方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィ法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method which manufactures a quartz-crystal vibrator for obtaining a desired quartz-crystal piece from a quartz-crystal wafer by etching and freely disposes electrodes without adding a new process.
新規の工程を追加することなく、エッチングによって水晶のウエハから所望の水晶片を得ることができると共に、電極を自由に配設することができる水晶振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region.
チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method for roughening a surface of copper foil or sheet by etching it in an electrolyte including a salt, is characterized by adding an anion capable of forming a poorly soluble chemical compound through reacting with the copper ion, into the electrolyte.
塩を含む電解液中で銅箔又は銅板の表面をエッチングにより粗化する方法であって、前記電解液中に銅イオンと反応して難溶性の化合物を形成し得る陰イオンを添加する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate has a process for removing zones affected by treatment on the surface of the silicon carbide single crystal substrate by etching by using reactive gas excluding fluorine base gas.
炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いたエッチングによって除去する工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.
本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The method for etching an area having a negatively polarized face in a fluoride ferroelectric single crystal comprises a step of heating hydrochloric acid and a step of applying the hydrochloric acid to the fluoride ferroelectric single crystal.
フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法は、塩酸を加熱するステップと、塩酸をフッ化物強誘電体単結晶に付与するステップとを包含する。 - 特許庁 - To provide a method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process where the oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity.
ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。 - 特許庁 - This method for polishing the semiconductor comprises a process of etching a part which belongs to a film formed on a semiconductor substrate and is thicker in thickness than the other part, prior to the other part.
本発明に係る半導体装置の研磨方法は、半導体基板上に形成された膜のうちの一の部分であって厚さが他の部分より大きい一の部分を他の部分より優先的にエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - To provide an abatement agent and method, which has high eliminating capability per unit capacity to remove harmful halogen type gas in exhaust gas during fabricating process, such as etching and cleaning of a semiconductor device.
半導体デバイスの製造工程のエッチング及びクリーニング排ガスに含まれる有害なハロゲン系ガスに対する単位容積当たりの除害能力が高く、しかも廉価な除害剤及び除害方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a lead frame without generating a filiform waste metal although a periphery of the lead frame is formed by etching, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame.
本発明は、エッチングによりリードフレームの外周を形成しても、糸状の金属屑が発生しないリードフレーム及びそのようなリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The planarization method for the polysilicon includes a process that forms the polysilicon on the surface of a substrate, a process that reduces the roughness of the surface by etching, and a process that planarizes the polysilicon surface by laser-annealing.
基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of securely removing a residual halogen without a resistance of a conductive film lowered when etching the conductive film including a silicon by a halogen series gas.
シリコンを含有する導電膜をハロゲン系ガスでエッチングする際に、導電膜を低抵抗化させることなく確実に残留ハロゲンを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide single crystal of wide applications, including semiconductor category, and to provide the etching method of the silicon carbide single crystal, capable of smoothing with nitrogen trifluoride plasma on it.
半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method by which an underlayer film can freely be worked without rupturing an etching mask formed on the underlayer film even when a material having a high carbon content is used for the underlayer film.
下層膜に炭素含有量が高い材料を用いても、下層膜上に形成したエッチングマスクの破裂を起こすことなく、支障なく下層膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an underlayer film composition for forming an underlayer film having a low reflectance for exposure light at a short wavelength and excellent etching resistance against oxygen plasma or the like, and to provide a method for forming a multilayer resist pattern.
短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下層膜用組成物及び多層レジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - In the cleaning method of the semiconductor substrate, the residual generated in dry-etching the insulating film layer is removed by a cleaner including oxidizing agent and chelate agent in the manufacturing process of the semiconductor substrate.
半導体基板の製造工程において、絶縁膜層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレート剤とを含有する洗浄剤により除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法である。 - 特許庁
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