「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 100 101 102 103 104 105 106 107 108 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for forming an ink channel substrate without lowering the work efficiency in a process for making a through hole through the ink channel substrate by etching only the outer circumference of the through hole.
本発明は、インク流路基板の貫通孔を貫通孔の外周のみをエッチングして形成するプロセスにおいて、作業効率を低下させることなくインク流路基板を形成する方法を提案することを課題とする。 - 特許庁 - In the treatment method of an amorphous carbon film which is formed on a substrate and has been treated with wet washing after dry etching, the surface of the amorphous carbon film is treated with reforming processing before forming an upper layer thereon after the wet washing.
基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric driver which prevents phosphoric acid from penetrating into a PZT film during etching, prevents, the electrolytic corrosion during the driving, and obtains a more high displacement characteristics and its manufacturing method.
エッチングの際のリン酸によるＰＺＴ層４への浸入を防止し、駆動時に起こる電蝕の発生を防止し、さらにより大きな変位特性を得られる圧電駆動体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - After a coppered laminated board 1 is shaped, washed, and dried, a dry film resist 2 to be an etching resist is laminated on the surface of a copper coil 3 in this method for manufacturing an inner layer circuit board.
銅張り積層板１を整面した後、水洗し、次いで銅張り積層板１を乾燥した後、エッチングレジストとなるドライフィルムレジスト２を銅箔３の表面にラミネートする内層回路板の製造方法に関する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the piezoelectric resonator includes a base side wafer measurement process S3, a load capacity value calculation process S4, a cover side wafer measurement process S5 and an etching process S7 in the previous process of a layout junction process S8.
圧電共振子の製造方法は、配置接合プロセスＳ８の前工程に、基体側ウェハ測定プロセスＳ３と負荷容量値演算プロセスＳ４と蓋体側ウェハ測定プロセスＳ５とエッチングプロセスＳ７とを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same, having no restriction on pattern layout, on the kind of employed etching solution or the like, and is provided with a bipolar transistor capable of being manufactured by suppressing generation of mesa-shaped abnormalities.
パターンレイアウトや使用するエッチング液の種類などに制約がなく、メサ形状異常の発生を抑制して製造することができるバイポーラトランジスタを有する半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a wiring board which can in the case where the wiring board is manufactured, facilitate work and moreover, effectively prevent the unsatisfactory state of an overetching, etching residues and the like, and the manufacturing method of the wiring board.
配線基板を製造する場合に、作業が容易でしかもオーバーエッチングやエッチング残り等の不具合を効果的に防止できる構造の配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a means for easily forming a metal wiring, having high orientation and a long service life with a substance whose dry etching is difficult, for example, Cu as the materials in a method for forming metal wiring.
金属配線形成方法に関し、例えばＣｕのようにドライ・エッチングが困難な物質を材料とし、しかも、高い配向性をもった長寿命の金属配線を簡単に形成できる手段を提供する。 - 特許庁 - To provide a washing processing method after etching highly effective for removing the damage area of PZT in a FeRAM laminated structure with high selectivity so as not to damage other constituting elements.
ＦｅＲＡＭ積層構造において、ＰＺＴのダメージ領域の除去に極めて効果的であり、且つ他の構成要素に害を及ぼさないように高い選択性を持つ、エッチング後の洗浄処理法の提供。 - 特許庁 - To provide a production method capable of forming a transmission type diffraction element with high precision by simple and low-cost process and equipment without using expensive equipment such as a vapor deposition system and an etching system and an expensive die.
蒸着装置やエッチング装置などの高額設備や、高額な金型を使用せず、簡単、且つ低コストなプロセス、設備にて精度の良い透過型回折素子を形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a film can be embedded with favorable characteristics in a fine trench patterned by etching and thereby a finer embedding pattern can be attained.
エッチングによってパターン形成された微細な溝パターン内に特性良好に埋め込み膜を埋め込むことが可能で、これによりさらなる埋め込みパターンの微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing compound in which reliable embedded pattern of a metal film can be formed efficiently by fully decreasing etching rate while maintaining high CMP speed, and to provide a polishing method therefor.
高いＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができる、ＣＭＰ用研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor laser element, by which an etching removal of unnecessary current inhibition layer formed on a ridge stripe can be easily and certainly carried out and the semiconductor laser element can be designed with a degree of freedom.
リッジストライプ上に形成された不要な電流阻止層を容易且つ確実にエッチング除去できて、半導体レーザ素子の設計上の自由度がある半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress protuberant deteriorated matter which occurs after exposing a dielectric film to the plasma of gas for etching including chlorine and the irregularity of a base film or the difference in level of the base film.
誘電体膜を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝した後に発生する突起状変質物、下地膜の凹凸及び下地膜の段差を抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.
ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film formation method which can make an etching rate in cleaning to be relatively small by increasing concentration of a carbon contained even in deposition at a relatively low temperature thereby improving controllability of a film thickness in cleaning.
比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁 - After one part of the film 5 is subjected to etching treatment, an epitaxial film 6 is formed on the substrate 1, including the interiors of the trenches 2 by an epitaxial growth method to fill the interiors of the trenches 2 with the superposed epitaxial films 5 and 6.
エピタキシャル膜５の一部をエッチング処理した後に、エピタキシャル成長法によりトレンチ２内を含めたシリコン基板１上にエピタキシャル膜６を形成して、重ねたエピタキシャル膜５，６にてトレンチ２内を埋め込む。 - 特許庁 - To provide a method for cleaning a film-forming apparatus, which can uniformly remove deposits that contain tantalum nitride or tantalum and have deposited on the wall of a treatment chamber of the film-forming apparatus, at a high etching rate without using plasma.
プラズマを利用することなく成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去し得る成膜装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent corrosive disconnection of an auxiliary capacitance line in a consecutive pixel etching step in a manufacturing method of an electrooptical element using a corrosive metal such as Al or an Al alloy as the auxiliary capacitance line.
ＡｌあるいはＡｌ合金など腐食しやすい金属を補助容量配線に用いた電気光学素子の製造方法において、後続画素エッチング工程における補助容量配線の腐食断線を防止する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of avoiding contamination of the inside of a processing chamber and a substrate by preventing etching of a high purity SiC film formed on the surface of a substrate support composed of a carbon base or Si-impregnated SiC base, when cleaning the processing chamber.
カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of etching a side face of a mesa type diode chip 4, then coating the side face with a surface protective film 6 generated by a reaction generated water, heat treating it at 200 to 450°C, and growing a modified oxide film 5 on the connecting surface.
メサ型ダイオードチップ４の側面をエッチング後、反応生成水を生じる表面保護膜６を塗布し、２００〜４５０℃で熱処理して、接合表面に改質酸化膜５を成長させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a device and so on, in which a yield is prevented from being lowered owing to a foreign matter produced by film floating even when the film floating (film peeling) has newly occurred especially through wet etching.
特にウエットエッチングによって新たに膜浮き（剥離）が生じた場合にも、この膜浮きに起因して異物が発生し、これによって歩留まりが低下するのを防止した、デバイスの製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a forming method of an interlayer insulating film in a semiconductor device, which prevents etching residues, when wirings are formed, from being generated, can prevent reduction in the yield of the formation of the interlayer insulating film due to short-circuiting between the wirings and also is superior in reliability.
配線を形成するときのエッチング残りを防ぎ、配線間のショートによる歩留りの低下を防ぐことができると共に、信頼性が優れた半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method capable of forming an organic film pattern after an development process in the intended dimension and shape, even though the initial organic film pattern is damaged by an etching or exposed.
当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a piezoelectric element in which the risk of disconnection is reduced when etching a hollow part of a protective film owing to a decrease in overetching of an upper electrode, thus reducing cost by a thinned upper electrode.
保護膜の中抜き部をエッチングする際に、上部電極のオーバーエッチングが減少して断線の危険性が少なくなり、上部電極の薄膜化によりコストの低減した圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method and the like for a microlens, whereby when recesses for forming microlenses are formed, improved discharge properties of foreign matter from etching holes is ensured while a satisfactory shape is held.
マイクロレンズを形成するための凹部を形成する際に、良好な形状を維持しつつ、エッチング用穴からの異物の排出性の向上を図ることができるマイクロレンズの製造方法等を提案することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for selectively forming a diamond film where a recessed part is easily formed without performing masking and etching on the surface of the diamond film and to provide a CMP pad conditioner using the diamond film for a cutting blade.
ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁 - To provide a method capable of forming a sidewall film by suppressing dispersion of depth from a groove opening on an upper surface of the sidewall film without receiving etching damage on a surface of the sidewall film when forming the sidewall film on a groove side face.
溝側面に側壁膜を形成する際に、側壁膜表面にエッチングダメージを受けることなく、側壁膜上面の溝開口部からの深さのばらつきを抑制して形成可能な方法を提供する。 - 特許庁 - The present invention describes an interferometric method and an interferometric apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thing film using a flash lamp 35 providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.
高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ３５を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁 - To provide a production method of a porous glass in which treatment time can be shortened in selective etching step of a phase separated glass with an acid solution, and remaining and deposition of gel silica in the pores of an obtained porous glass are suppressed.
分相ガラスの酸溶液による選択エッチングの工程で、処理時間が短縮でき、且つ多孔質の細孔中にゲル状シリカの残留、堆積が抑制された多孔質ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a wiring substrate without degrading etching work accuracy or degrading productivity even when a single substrate-responsive facility used from the past is used for a thin substrate having a substrate thickness ≤0.4 mm.
基板厚が0.4mm以下と薄い基板に対して、従来から使用している枚葉基板対応の設備を使用しても、エッチング加工精度が低下せず、生産性も低下しない配線基板の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a hole such as a deep hole can be formed in a substrate in a good shape with a high etching speed and a high selection ratio using a photoresist film formed on the substrate as a mask.
基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An organic material is used for an interlayer insulating film 111 covering a switching element and each wiring, a mask of a metal film 112 is used, and a contact hole is formed by a dry etching method, thereby forming a wiring 114.
スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method which can bring an insolubilization layer with higher etching resistance than before as a mask material when polysilazane is coated on a resist pattern to form the insolubilization layer as a pattern.
レジストパターンにポリシラザンを塗布し、不溶化層を形成してパターンを形成する場合に、従来に比して不溶化層にマスク材としてのエッチング耐性を持たせることができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of changing an etching region within an opening part by suppressing increase in flow rate of hydrogen to minimum for efficiently supplying hydrogen plasma to the opening part.
水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a resist ink having excellent resist tendencies as well as printability to be used for obtaining optimum fine images desired for various electronic parts by etching, and to provide a method for forming a resist pattern using the ink.
各種電子部品として所望される最適な微細画像を、エッチングで得るために用いる、レジスト適性はもとより、印刷適性に優れるレジストインキ、及び、該インキを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a high quality crystal oscillator with a reduced leak vibration and an appropriately regulated detuning degree, that can be realized by regulating the leak vibration and the detuning degree in a single etching process.
漏れ調整と離調度調整をひとつのエッチング工程によって実現し、漏れ振動が抑制され、且つ、適正に離調度調整された高性能な水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A recessed and projected structure is introduced into a surface by a method wherein a metallic carbide, represented by titanium carbide (TiC) as the conductive powder, is employed and etching treatment is applied on the conductive powder before kneading with a binder.
導電性粉末として炭化チタン（ＴｉＣ）を代表とする金属炭化物を用い、結合材との混練を行う前に、導電性粉末にエッチング処理を施すことにより、表面に凹凸構造を導入する。 - 特許庁 - To prevent corrosion disconnection of auxiliary capacitance wiring in the succeeding pixel etching process in the manufacturing method of an electro-optical element in which a metal which tends to corrode, such as Al or Al alloy, is used as auxiliary capacitance wiring.
ＡｌあるいはＡｌ合金など腐食しやすい金属を補助容量配線に用いた電気光学素子の製造方法において、後続画素エッチング工程における補助容量配線の腐食断線を防止する。 - 特許庁 - The oxide film is formed on the surface of the contact hole by a deposition method, the oxide film in a section extensively over the circuit on the A surface side is removed by the etching, and a barrier seed (TiN/Cu) is formed after the washing by chemicals.
次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、Ａ面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.
および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁 - To provide an etching liquid and refilling liquid which can promptly etch at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr alloy, and Pd, and a forming method of conductor pattern using it.
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属を速やかにエッチングすることができるエッチング液と補給液、及びこれを用いた導体パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the occurrence of a via-defect such as high resistance in a plasma etching step for forming a hole conducting to floating lower-layer metal wiring.
フローティングしている下層金属配線に通じるホール形成のためのプラズマエッチング工程において、高抵抗などのビア不良の発生を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for inexpensively performing lamination of an application insulating film and a film differing in the etching rate from the application insulating film in a short time, as compared with the conventional cases, and to provide its manufacturing method.
塗布絶縁膜と、当該塗布型絶縁膜とエッチレートを異にする膜との積層を、従来よりも短時間かつ安価に行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method capable of effectively removing particles or metal contaminants from a surface of a substrate in a short length of time and requiring smaller amounts of etching on the surface of the substrate in cleaning the substrate in a single wafer processing.
枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。 - 特許庁 - To optimize the conditions of a method of performing an electrolytic etching on an aluminum alloy board, which is performed for imparting a superior work adhesion to a thermoplastic resin-coated aluminum alloy board formed, by coating the surface of the aluminum alloy board with thermoplastic resin.
熱可塑性樹脂を被覆してなる熱可塑性樹脂被覆アルミニウム合金板により一層優れた加工密着性を付与するために行なわれるアルミニウム合金板の電解エッチング法の条件を最適化する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which etching residues can be removed without greatly overetching a film to be etched formed covering a step, and a ground oxide film can be made thin.
段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film metal conductive line capable of preventing the occurrence of voids or seams and preventing undercut phenomena at the time of etching, when the thin film metal conductive line is manufactured, and to provide a method for manufacturing the same.
薄膜金属導電線を製造するに際して、ボイドまたはシームの発生を防止し、エッチング時にアンダーカット現象を防止することができる薄膜金属導電線、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a micropattern forming method using a highly practical fluorine-containing polymer capable of improving dry etching resistance with respect to a fluorine-containing polymer having high transparency to exposure light of a short wavelength such as F_2 excimer laser light.
Ｆ_2短波長の露光光に対して透明性の高い含フッ素重合体において、ドライエッチング耐性を改善できる実用性の高い含フッ素重合体を用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a facet-free good etching shape without forming a metallic oxide film in the surface of metallic wiring in a manufacturing method of a semiconductor device for forming a contact hole or a trench in the surface of metallic wiring.
金属配線の表面にコンタクトホールまたはトレンチを形成する半導体装置の製造方法において、金属配線の表面に金属酸化膜を形成することなく、ファセットのない良好なエッチング形状を得る。 - 特許庁
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