「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 99 100 101 102 103 104 105 106 107 .... 137 138 次へ＞- In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.
ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁 - To provide a method of producing electronic parts at low cost without using organic solvent which involves disposal problem, the method employing wet etching polyimide insulation layer of sheet laminate using dry film, the laminate having a conductive inorganic layer and an insulation layer.
導電性無機物層、絶縁層を有する枚葉の積層体のポリイミドの絶縁層をドライフィルムを用いたウェットエッチングにより電子部品を製造するのに、低コストで、廃棄処理に問題のある有機溶剤を使用することがなく製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method capable of obtaining a concentration of a hydrofluoric acid as a whole including the hydrofluoric acid from a fluorophosphoric acid and concentrations of the fluorophosphoric acid and a phosphoric acid in the method for analyzing a mixed acid liquid in an etching process including the hydrofluoric acid, the phosphoric cid and the fluorophosphoric acid.
フッ酸とリン酸とフルオロリン酸とを含むエッチングプロセスにおける混酸液の分析方法であって、フルオロリン酸からのフッ酸をも含めた全体としてのフッ酸の濃度とフルオロリン酸およびリン酸の各濃度を求めることが出来る方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a mold for imprinting, smoothly performing dry etching on a hard mask layer and forming a fine pattern with a high pattern precision, to provide a mold with unremoved a remaining hard mask layer, to provide a method for manufacturing the mold with unremoved remaining hard mask layer, and to provide mask blanks.
ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクスを提供する。 - 特許庁 - To provide a printed board capable of attaining an extremely high etching factor which can not be attained in a conventional method, capable of reproducing a metal pattern whose accuracy is the same as designed and having a high aspect ratio and a highly accurate cross-sectional shape; and to provide also a method for manufacturing the printed board.
従来の方法では不可能であった飛躍的な高エッチングファクターを達成し、かつ精度についても設計通りの金属パターンを再現できる、高アスペクト比かつ高精細なエッチング断面形状のプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing or application of an external force by introducing a cavity having a large opening area formed using an ELOG method into the inside of a semiconductor layer.
ＥＬＯＧ法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a circuit forming method which reduces etching process load and resist process load to achieve improvement of dimensional precision and minuteness of circuit intervals when obtaining a circuit board comprising a metal-insulator composite member and is versatile, and to provide a product manufactured by the circuit forming method.
金属−絶縁体複合部材による回路基板を得るにあたり、エッチング加工負荷およびレジスト工程負荷の軽減を図り、寸法精度の向上や回路間隔の細小化を図ると共に汎用性のある回路形成方法とその製品を提供する。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, where the contact resistance of a metal film is reduced by removing a polymerized film produced by etching an insulating film with a simple process, in a method of manufacturing a semiconductor device in which the metal film is vapor- deposited, after the insulating film is etched.
絶縁膜のエッチング処理後に金属膜を蒸着する半導体製造方法において、絶縁膜のエッチングにより生成された重合膜を簡単なプロセスで除去し金属膜のコンタクト抵抗の低減を図った半導体製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an efficient method for reducing the amount of an iron material to be used and also suppressing the generation of hydrogen as for a method by which metallic copper is recovered from an aqueous solution containing hydrochloric acid and copper chloride such as an etching waste solution, and by which an aqueous solution of ferrous chloride is obtained.
エッチング廃液等の塩酸および塩化銅を含有する水溶液から、金属銅を回収しかつ塩化第一鉄水溶液を得る方法に関して、鉄材の使用量を減少させ、かつ水素の発生を抑制する効率的な方法の提供。 - 特許庁 - To obtain a non-reciprocal circuit element which has high productivity and superior characteristics by evading the problem of an etching method that the manufacturing time is long and variations in line width is large and the problem of a punching method that an element is easy to bend or curve when transported alone for supply.
製造時間が長く、線幅のばらつきが大きなエッチング法による問題や、単品での供給に際して、輸送時に折れや曲がりが発生し易いという打ち抜き法による問題を回避して、生産性が高く、特性の優れた非可逆回路素子を得る。 - 特許庁 - To inhibit both roughening and black silicon of a trench sidewall in a manufacturing method of a vertical MOSFET having parallel pn regions formed by a trench refill method when etching deep trenches at a trench aperture ratio of 30% and over.
トレンチ埋込法により形成された並列ｐｎ領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法において、トレンチ開口率が３０％以上であり且つ深いトレンチをエッチングする際に、トレンチ側壁の荒れおよびブラックシリコンの両方を抑制する。 - 特許庁 - The method comprises a step of forming a mask touching a first conductive layer, and a step of forming a second conductive layer by etching the first conductive layer using the above-mentioned mask, and the above-mentioned mask is formed by a drop discharge method, further, characterized in that it is not removed.
第１の導電層に接するマスクを形成するステップ、前記マスクを用いて第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成するステップを有し、前記マスクは液滴吐出法により形成し、さらに除去しないことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.
クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method, which are capable of making a semiconductor device undergo the desired processing by thickening the thin part of a mask film that is used for processing such as etching of the semiconductor device.
エッチング等の半導体装置に対する処理時に使用するマスク膜における薄膜部の厚みを増大することにより、半導体装置に所望の処理を施すことが可能なマスクパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning by dry etching capable of easily forming a mask with a taper-shaped side face on a member to be etched with a hollow and well performing the patterning, a mold used for it and a method for manufacturing an inkjet head.
空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of the suspension for the hard disk head which can manufacture a 'wireless suspension' by an etching method with superior productivity and working environment which were difficult before, and excellent in a fast access at a low price.
従来困難であった生産性および作業環境性に優れたエッチング法によって「ワイヤーレス・サスペンション」を製造することが可能となり、また高速アクセス性に優れ、かつ安価に供給することができるハードディスクヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since a method for forming a pattern is not accompanied by the volume contraction of the resist mask, heating is hardly required and the method is accompanied by large viscosity lowering, and moreover since the plane size of the resist mask is enlarged by a simple method before the second etching, and the resist mask can be formed with proper adhesion, thus easily forming a wiring 11 having a forward-tapered structure.
レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、２回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線１１が容易に形成できるようになる。 - 特許庁 - And a process where the metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where a wiring part 8 is formed by a semi-additive method on the insulation layer 5 and a process where a resist image for processing the insulation layer 5 is formed and the insulation layer 5 is processed by wet etching according to the resist image are included in the method.
そして、金属層５をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層５を加工する工程を含む。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film-forming method capable of forming a resist underlayer film that has a function as an antireflective film and that is excellent in pattern transfer performance and etching resistance, to provide an underlayer film that does not bend in micronized pattern transfer and a method of forming the underlayer; and also to provide a pattern forming method.
反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法、微細化したパターン転写時においても曲がらない下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method of a printed circuit substrate using an imprint method comprises a step for disposing a plating layer on an insulating layer on which a number of incised character patterns are formed by an imprint method and a step for etching-polishing a part of the plating layer to expose other surface of the insulating layer than that on which incised character patterns are formed.
インプリント法により多数の陰刻パターンが形成された絶縁層上にメッキ層を形成する段階と、前記メッキ層の一部を、前記多数の陰刻パターン以外の絶縁層の表面が露出されるようにエッチング研磨する段階とを含む、インプリント法を用いたプリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the electrode foil for an electrolytic capacitor includes an etching step with an aluminum foil, an immersion step in which the aluminum foil is immerged in a processing liquid at least once, a thermal treatment step, and a chemical formation step.
電解コンデンサ用電極箔を製造するにあたっては、アルミニウム箔に対するエッチング工程、アルミニウム箔を処理液に１回以上浸漬する浸漬工程と、熱処理工程、および化成工程を行う。 - 特許庁 - To provide a reaction product peeling preventive structure capable of preventing or suppressing the peeling of reaction products undesirably sticking and deposited on a member in a chamber of a plasma etching device, and a manufacturing method thereof.
プラズマエッチング装置のチャンバ内で部材に不所望に付着・堆積する反応生成物の剥離を防止ないし抑制することができる反応生成物剥離防止構造及びその制作方法を提供する。 - 特許庁 - With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).
感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an SOI wafer including a low-stress film without causing a problem in a process of lithography, resist application, dry etching or the like when used as an MEMS substrate; and to provide a method of manufacturing the same.
本発明は、ＭＥＭＳ基板として使用する際に、リソグラフィー、レジスト塗布、ドライエッチングなどの工程で問題を引き起こさないような低応力膜を備えたＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition with high resolution, excellent in dry etching resistance, with reduced wear of the film and suitably used in a method for forming a resist pattern via an exposing step using a low-energy electron beam.
高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - The metal blade body 15 constituting the fixed blade 10 (or the movable blade 11) is constituted of a blade body 28 which is formed by the etching method, and a reinforcing plate 29 which is bonded and fixed to the non-sliding surface side of the blade body 28.
固定刃１０（または可動刃１１）を構成する金属刃体１５を、エッチング法で形成される刃本体２８と、刃本体２８の非摺動面側に接合固定される補強板２９とで構成する。 - 特許庁 - To obtain a CPP type thin-film magnetic head advantageous to formation of a narrower shield by reducing an element output noise and a resistance not contributing to the element output and also by evading an etching damage to a thin-film magnetic head element, and to obtain its manufacturing method.
素子出力ノイズ及び素子出力に寄与しない抵抗を低減し、且つ、薄膜磁気ヘッド素子へのエッチングダメージを回避して狭シールド化に有利なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide an electro-optical apparatus having a reflection plate structure which does not receive a damage of etching in a process in which an electrode is formed in a reflection display region, a method of manufacturing the apparatus and electronic equipment.
反射表示領域において、電極を形成する工程におけるエッチングにより損傷を受けない反射板構造を有する電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method capable of realizing an etching high in aspect ratio and high in precision, wherein the masking film is very thin and the base film (etch-stop film) has a high selection ratio.
マスク膜厚の薄い高アスペクト比のエッチングにおいて、下地膜（エッチングストッパ膜）の高選択比で高精度な高アスペクト比のエッチングを実現可能な処理条件とするプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - The cleaning sequence of the etching residue removing method conducts a first water cleaning process 11, a first drying process 12, a peeling solution process 13, a rinse process 14, a second water cleaning process 15, and a second drying process 16.
エッチング残渣除去方法の洗浄シーケンスでは、第１の水洗処理１１、第１の乾燥処理１２、剥離液処理１３、リンス処理１４、第２の水洗処理１５、及び、第２の乾燥処理１６を行う。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.
エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a detergent solution and a cleaning method which can effectively remove a resist, a residue of etching, a residue of ashing and particles, while preventing dissolution and the deterioration of the surface of a metal film with low-resistance and a film with low dielectric constant.
低抵抗金属膜および低誘電率膜の溶解および表面の変質を防止しつつレジスト、エッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去できる洗浄液および方法を提供すること。 - 特許庁 - To realize a defective junction detecting method, which can accurately detect a defective location in a p-n junction in a semiconductor device and can avoid etching of an impurity inlet region by the defective detection.
半導体装置中のｐｎ接合不良個所を精確に検出し、かつ、検出によって不純物導入領域をエッチングしてしまわない、接合不良の検出方法を実現することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a copper-clad laminate capable of forming a fine-pitch microcircuit by improving etching factor of a copper plating film, and to provide a method of forming the copper plating film for the film-formation to the copper-clad laminate.
銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する - 特許庁 - To provide a resist material which excels not only in transmittance to vacuum UV light but in an etching resistance and more particularly a chemically amplified resist material and a pattern forming method using the same.
一般式（１）に示される繰り返し単位ｋ及びｍを含む高分子化合物（ｉ）と、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物（ｉｉ）とを含むするレジスト材料。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for treating the periphery of a substrate which is capable of precisely controlling an etching width and of providing a good treatment even to a substrate formed with an orientation flat, and which has no special need to protect a device formation region with a pure water or the like.
エッチング幅を精密に制御可能で、かつ、オリフラが形成された基板であっても良好な処理を施すことができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive membrane which is of an amorphous membrane and can be patterned comparatively easily by weak acid etching, and which has a low resistance and a high light transmittance, and furthermore, can be easily crystallized, and its manufacturing method.
アモルファス膜で弱酸エッチングにより比較的容易にパターニングでき、さらに低抵抗で且つ透過率が高く、またさらに容易に結晶化できる透明導電膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a conductive pattern during heating of an etching solution, whereby accurate time when the formation of the conductive pattern having an accurate pattern width is completed becomes available.
エッチング液を加温しながら、導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an array substrate with which damage on a TFT(thin film transistor) caused by wet etching during contact hole formation in the array substrate is prevented and to provide a method used for manufacturing the same which are used for the flat display device etc.
平面表示装置等に用いられるアレイ基板及びその製造方法において、コンタクトホール形成の際のウェットエッチングに起因するＴＦＴの損傷を防止することのできるアレイ基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same.
ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁 - In this method, the adhesive ability can be homogeneously improved, when no etching treatment is conducted, without degradation of the inner part of the plastic and without damaging the material characteristics of the plastic (heat resistance, electric insulation, electric characteristics, and the like).
また、エッチング処理を行わない場合、プラスチック内部の変質を起こさず、プラスチックの本質的特性（耐熱性、絶縁性、電気的特性等）を劣化させることなく、接着性を均一に向上させることができる。 - 特許庁 - To provide an insulating film material can be satisfactorily used for forming an insulating film having a low dielectric constant, excellent in damage resistances such as an etching resistance, a chemical resistance, or the like, and to provide a multilayer wiring and its efficient manufacturing method.
低誘電率で、耐エッチング性、耐薬液性等の耐ダメージ性に優れた絶縁膜の形成に好適に使用可能な絶縁膜材料、並びに多層配線及びその効率的な製造方法の提供。 - 特許庁 - The optical semiconductor integrated circuit device 1 manufactured by this method is constituted so that the insulating layer formed on the top surface of the antireflection film of the photodiode 2 may be removed by dry etching after the multiple wiring layers are formed on the top surface of the substrate 4.
本発明の光半導体集積回路装置１では、基板４上面に多層の配線層を形成した後に、フォトダイオード２の反射防止膜上面の絶縁層をドライエッチングにより、除去している。 - 特許庁 - Then a first insulating film and second insulating film 28 on a terminal part 41, and the second insulating film 28 on the auxiliary capacitor upper electrode 18b are simultaneously etched by a plasma etching PE method to form a contact hole.
次いで、端子部４１上の第１絶縁膜及び第２絶縁膜２８と補助容量上電極１８ｂ上の第２絶縁膜２８を同時にプラズマエッチングＰＥ法でエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the flexible board comprises the steps of forming a metallic layer, forming a resist layer, exposing, developing, etching, removing the resist, and forming an insulating layer.
本発明のフレキシブル基板の製造方法は、金属層形成工程と、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、エッチング工程と、レジスト除去工程と、絶縁層形成工程とから構成されている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory element which sufficiently compensates for an etching damage while preventing an occurrence of an abnormal oxidation in a metal layer, and enhances a reliability of the process and electric characteristics of the element.
エッチングダメージを十分補償しながら金属層への異常酸化の発生を防止して工程の信頼性および素子の電気的特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film.
フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for producing a radiation sensitive material resin which has an excellent transparency and high sensitivity to far ultraviolet rays, good adhesion with a board, and is excellent in an etching resistance and the processability to a fine pattern.
遠紫外線に対して優れた透明性と高感度を有し、基板との密着性が良く、エッチング耐性を持ち、微細パターン加工可能な放射線感光材料用樹脂の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.
液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁
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