「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 95 96 97 98 99 100 101 102 103 .... 137 138 次へ＞- To provide a manufacturing method of a double-gate type thin film transistor which will not give unnecessary plasma damages to a semiconductor film at or near the boundary of a channel-protective film and the semiconductor film at etching.
エッチング時にチャネル保護膜と半導体膜との界面及びその近傍の半導体膜に不必要なプラズマダメージを与えることのないダブルゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a section observation sample obtaining a clean machining section without being affected by the size of the sample, when manufacturing the section observation sample by etching using ion beams.
イオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する場合に、試料の大きさに影響されないで清浄な加工断面が得られる断面観察試料の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material.
誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.
そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.
保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a bit contact which settles an issue of insufficient separation margin on resist pattern exposure as well as local variations in dry-etching process to suppress increase in the number of steps and laboriousness.
レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for producing an SiC single crystal which can control an SiC polycrystal to be accumulated on the surrounding of a pedestal at which a seed crystal is installed even if not using etching gas.
エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁 - The forming method of a conductor pattern (1) forms the conductor pattern (1) by etching at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr alloy and Pd with the liquid.
本発明の導体パターン(1)の形成方法は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属を、前記エッチング液によりエッチングして導体パターン(1)を形成する。 - 特許庁 - This method has a process of depositing a metal film containing aluminum on a semiconductor substrate, and a process of etching the metal film by using plasma of mixed gas of Cl_2 gas, BCl_3 gas, and CH_2Cl_2 gas.
半導体基板上にアルミニウムを含む金属膜を堆積する工程と、Ｃｌ_2ガス、ＢＣｌ_3ガス、ＣＨ_2Ｃｌ_2ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、前記金属膜をエッチングする工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a gate electrode, having a vertical side shape by overetching films etched by a first etching step by using a mixed etchant of a fluorine etchant and a chlorine etchant.
フッ素系エッチャントと塩素系エッチャントとの混合エッチャントを用いて第１エッチングステップを過度エッチングすることによって垂直した側面形状を有するゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an interconnection member having a sharp tip shape part of various shapes without depending on a supporting substrate and having a sufficient hardness without etching a supporting substrate directly, and a manufacturing method thereof.
支持基板を直接エッチングすることなく、かつ、十分な硬度を有し、かつ、支持基板によらずに様々な形状の先端鋭利形状部を有する相互接続部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a mask by which the dimensional unevenness of etching rate of a chromium film due to fogging and the area of a resist can be suppressed independently of the pattern layout of LSI.
Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、ＬＳＩのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for monitoring a plasma etching or deposition process that reduces the sensitivity of a detector to fluctuations in plasma emission, has a sufficient signal to noise ratio, and allows for measurements over a broad range of wavelengths.
プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent the leaving of recesses and projections having a pitch the same as that of a scanning pitch on a surface when a semiconductor wafer having an oxide film is subjected to a flattening work by local dry etching method.
酸化膜の付いた半導体ウェハを局所ドライエッチング法によって平坦化加工するとき、加工後の表面にスキャンピッチと同じピッチの凹凸が残されることを防止することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a vacuum processing method for reducing adhesion of foreign matter to a sample in transporting the sample from a vacuum transport chamber to a processing chamber, and reducing the foreign matter adhering to the sample after starting an etching process.
真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。 - 特許庁 - In a pre-via type dual damascene method, a via hole 10 and a wiring groove 13 are formed, and then an SiN film 8, the exposed part of an SiC film 5 and the exposed part of an SiC film 3 are removed by etching.
先ビア方式のデュアルダマシン法において、ビアホール１０及び配線溝１３を形成した後、ＳｉＮ膜８、ＳｉＣ膜５の露出部及びＳｉＣ膜３の露出部をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a mask pattern in an easy process so as to increase the etching selection ratio for a material to be etched (such as a metal film to be etched) comparable with a hard mask.
ハードマスクに匹敵する被エッチング材料（例えば金属からなる被エッチング膜）とのエッチング選択比を大きくすることが可能なマスクパターンを簡単な工程で形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To improve characteristics of an element by recovering an element substrate from a damage due to etching treatment in a method of manufacturing an element substrate having a laminate structure of a first conductive film, an insulation film and a second conductive film.
第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。 - 特許庁 - To provide a hardening component for a transferring material which is preferable to a nano-imprint method that the selectivity of a dry etching speed of an argon gas and an oxygen gas is high and can form a fine pattern with a high throughput.
アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method by which application of a resist on the surface of a wafer is eliminated to reduce the number of manufacturing steps, when the rear surface of the wafer is etched entirely and productivity can be improved.
ウェーハの裏面を全面エッチングする場合に、ウェーハの表面にレジストを塗布することを不用にして製造工程数を減らし、生産性を高くすることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating an electromagnetic wave shielding material which can form a fine metal pattern with high accuracy without carrying out an etching process, and which can achieve good adhesion between the metal pattern and a substrate.
エッチング工程を行うことなく、微細な金属パターンを高精度で形成することができ、該金属パターンの基材との密着性も良好な、電磁波シールド材料の作製方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor manufacturing method by which the residue of a trench etching can be reduced, hence increase the manufacturing yield.
素子領域を確定するリソグラフィー工程において、有効チップ外のウェハ周辺部に残ったレジストにより、ウェハ全体に占める被エッチング領域は小さくなり、残さが多量に残って製品の歩留まりが低下する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which the need of separately forming a mask oxide film thickness at the time of gate etching and the gate formation of a stack gate transistor and a peripheral transistor is facilitated.
ゲートエッチングの際のマスク酸化膜厚を作り分ける必要をなくし、スタックゲートトランジスタ部及び周辺トランジスタ部のゲート形成を容易にした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode with a homogeneous aluminum surface layer oxide film and excellent etching characteristic which can be treated in a short time without any precise atmospheric control.
精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、アルミニウム表層酸化膜が均質でエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - The number of etching factors Ef of the wiring pattern 2 in the subtractive method is 2 to 4, the top width T of the wiring 3 of the wiring pattern 2 is 2 to 6 μm, and a wiring pitch is ≤30 μm.
サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device having the tapered through hole comprises the steps of forming a interlayer dielectric 2 and a first plasma nitride film 7 on a lower layer wiring 1, dry etching with a photoresist 3 as a mask, and forming a recess 8 on a surface of the dielectric 2.
下層配線１上に層間絶縁膜２及び第１のプラズマ窒化膜７を形成し、フォトレジスト３をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁膜２の表面に凹部８を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element, with which generation of a pit originating from a pit source 14 such as a micro scratch is suppressed in chemical etching of surfaces 11a, 12a of glass substrates 11, 12.
ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをケミカルエッチングする際、微少な傷などのピット起点１４を起点としたピットの発生を抑制できる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a conductive pattern with high conductivity which uses an etching liquid with less environmental load, the reduced number of steps and low-temperature processing that is applicable even for a plastic substrate.
環境負荷の少ないエッチング液で、工程数が少なく、プラスチック基板に対しても適用可能な低温処理で、高伝導率の導電性パターンを形成することができる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition excellent in resolution in lithography, having high etching resistance and capable of giving an ultrafine resist pattern and to provide an appropriate pattern forming method using the composition.
リソグラフィーにおける解像度に優れ、高エッチング耐性を有し、極めて微細なレジストパターンを得ることを可能とするレジスト組成物及びこれを用いた好適なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a liquid crystal display device which can be safely handled in the following process even after etching a pair of large-sized transparent substrate 1, and is hard to crack on an end surface.
一対の大判透明基板１をエッチングした後でも、以降の工程において安全にハンドリングができ、且つ端面にクラックの入り難い液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flat thin film which does not have a domain structure and is excellent in etching characteristics even in the case an ITO thin film is formed at the substrate temp. not lower than the crystallization temp. by a sputtering method.
ＩＴＯ薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。 - 特許庁 - The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal.
フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。 - 特許庁 - Further, this method is provided with a step for forming a reaction layer on the surface of the semiconductor wafer, and a step for etching the surface of the wafer by detaching the reaction layer formed on the surface of the semiconductor wafer.
さらに、半導体ウエハの表面に反応層を形成する段階及び前記半導体ウエハの表面に形成された反応層を脱着させてウエハ表面をエッチングする段階を含む。 - 特許庁 - To provide a method for treating a layer to be treated, which suppresses an increase in the number of processes as few as possible, and forms a layer to be treated into a desired shape by removing part of the layer by etching.
工程数の増加を可及的に抑制し、エッチングによって被処理層の一部を除去して、被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a solid state image sensor in which a diffusion layer can be formed at a light receiving part without requiring any additional fabrication step while preventing a semiconductor substrate from being cut through etching and poly-Si from being left.
製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Ｓｉ残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。 - 特許庁 - In the case of using such a method, the oxide film formed in the hard mask so plays the role of a protective layer when performing the over-etching of the silicon nitride film as to suppress the damage of the silicon nitride film by preventing the generation of its pitting.
このような方法によるとハードマスクに形成された酸化膜がオーバエッチングの際の保護層の役割を果たして、ピティングの発生が防がれ、窒化シリコン膜の損傷が抑えられる。 - 特許庁 - To provide an etching solution for a conductor allowing excellent profiles to be obtained while minimizing manufacturing processes and costs, and to provide the manufacturing method of a thin film transistor display panel using the same.
製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method capable of improving both of the etching speed of a nonmagnetic material and the flatness of a surface, and manufacturing a magnetic recording medium having little damage to a magnetic recording layer and good floating characteristics.
非磁性材料のエッチング速度と表面の平坦性をともに改善でき、磁気記録層へのダメージが少なく、浮上特性も良好な磁気記録媒体を製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - To secure uniformity in ITO dry etching in a method of fabricating a liquid crystal display device, wherein an electrically conductive transparent film is pattern-formed on an interlayer insulating film comprised of at least an electrically insulating organic film.
少なくとも有機絶縁膜を有する層間絶縁膜上に透明導電膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法において、ＩＴＯドライエッチング時の均一性を確保する。 - 特許庁 - To provide a producing method of a cast block for producing an Fe-Ni base alloy material, for a shadow mask or the like, which can reduce the cost while keeping the uneven etching grade to be the conventional degree or not less than this degree.
エッチングむら品位を従来程度またまそれ以上に維持したままコスト低減可能なシャドウマスク用等のＦｅ−Ｎｉ系合金材料製造用鋳塊の製造方法の提供。 - 特許庁 - To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.
ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁 - To provide a method for recovering and reducing relative dielectric constant of an interlayer insulating film which has been deteriorated and raised, being influenced by preceding etching, ashing or the like treatment, with a comparatively simplified arrangement.
先行するエッチング、アッシング処理等の影響で劣化上昇した層間絶縁膜の比誘電率を比較的簡易な構成で回復低下させる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.
基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁 - The method uses a gas containing Xe in a process that uses plasma for forming films, etching, surface deterioration and the like.
本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, by which the iron oxide having prescribed powder characteristic values and scarcely containing impurities can be produced from an etching waste liquid, and to provide a device for producing the same.
エッチング廃液から所定の粉体特性値を有し、かつ不純物の少ないフェライト原料用酸化鉄を製造することができる製造方法および製造装置の提供。 - 特許庁 - To provide a substrate with transparent conductive film which achieves a resistance showing no problem in view of practical use without annealing and has good etching resistance and light transparency, and to provide a method of manufacturing the same.
アニールなしで実用上問題ない抵抗値を実現するとともに、対エッチング性および光の透過性も良好な、透明導電膜付き基板、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of flattening the treated surface reduces maximum protrusion 5a, 5b, 5c length (Rmax) of the treated surface 2 to 10 nm or less by etching the treated surface using the near-field light.
さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - To equalize the etching rates of a laminated part of insulating layer/ metal layer and a part in which the insulating layer does not substantially exist, in a method of manufacturing the magneto-resistive(MR) element to simultaneously etch both parts.
絶縁層と金属層の積層部と、絶縁層が実質的に存在しない部分とのエッチングを同時に行うＭＲ素子の製造方法において、両部分のエッチング速度の均一化を図る。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.
周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of inexpensively producing etched parts by pasting both sides of a metallic thin sheet with the etched parts having half- etched parts in a multi-face way without connecting them by a bridge, and performing etching working.
金属薄板の両面にハーフエッチング部を有するエッチング部品をブリッジで連結させずに多面付けしてエッチング加工によって廉価に製造するエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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