「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 94 95 96 97 98 99 100 101 102 .... 137 138 次へ＞- To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer.
サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効率的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。 - 特許庁 - The method includes further a step for releasing structure including the probe structure and the holder from the substrate, by under-etching the probe structure from a side of substrate generated with the probe structure.
該方法は、さらに、プローブ構造が生成された基板の側から該プローブ構造にアンダーエッチングを行うことにより、プローブ構造とホルダとを含んでいる構造を基板から離型するステップを含んでいる。 - 特許庁 - This method for correcting the light proximity effect corrects the mask wiring pattern in order to compensate the light proximity effect when forming an etching mask by transferring the mask wiring pattern by photolithography.
本方法は、フォトリソグラフィによりマスク配線パターンを転写してエッチングマスクを形成する際、光近接効果を補償するためにマスク配線パターンを補正する光近接効果補正方法である。 - 特許庁 - Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.
さらに、Ｈ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、ＳｉＮ膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes the process of performing a second wet etching until the face to be etched penetrates through the silicon substrate and reaches a sacrifice layer to the silicon substrate to form an ink feeding opening 20 equipped with the beam 19.
さらに、シリコン基板に対して、被エッチング面がシリコン基板を貫通して犠牲層に達するまで第２のウエットエッチングを行い、梁１９を備えたインク供給口２０を形成する工程を有する。 - 特許庁 - To provide a method for recovering valuable materials from a spent copper chloride etching solution that treats the surplus spent solution within the site and allows an effective utilization of the byproducts from the treatment process within the site.
余剰となる廃液を同一工場内で処理し、処理に伴い発生する副生物が当該工場内で有効利用できる塩化銅エッチング廃液からの有価物回収方法。 - 特許庁 - After a resist layer 6 is formed via the heat-resisting ultraviolet light peeling tape 5, the GaAs substrate 1 is removed (peeled off) from the semiconductor layer 2 by the wet etching method, in a state with the substrate 1 stuck to the support.
耐熱性紫外光剥離テープ５の周辺にレジスト層６を形成した後に、この貼り付けられた状態でGaAs基板１を半導体層２からウェットエッチング法により除去（剥離）する。 - 特許庁 - After that, the silicon wafer surface mirror-finished by the gas-phase etching is scanned by a TXRF method so that in-plane distribution information of the metal impurities contained in the first surface layer of the silicon wafer is obtained.
その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 - 特許庁 - In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.
このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁 - A trench 7 is provided to a silicon layer 3 by anisotropic dry etching through the opening 6 of a trench forming mask, and an oxide film 9 is formed as an isolation insulating film inside the trench 7 through a CVD method.
シリコン層３にトレンチ形成マスクの開口部６から異方性ドライエッチングによりトレンチ７を形成し、その内部に分離絶縁膜としての酸化膜９をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a pattern film, capable of forming a pattern film with a narrower width than the resolution of an exposure machine and a resist used independently of etching at the end.
最終的にエッチングに依存せずとも、使用される露光機及びレジストの分解能よりも小さな幅を有するパターン膜を形成することができるパターン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.
フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method for a copper foil which can increase adhesive strength to a substrate, reduce treatment cost and prevent the falling of copper powder or copper residue after etching from occurring.
基板に対する銅箔の接着強度を高めることができ、かつ処理コストを抑えることができ、しかも銅粉落ちやエッチング後の銅残留が起こらない銅箔の表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - The sealing plate 30 is obtained by processing a glass plate of flat and transparent no-alkali glass by an etching method for example, and a peripheral protrusion 31 is formed at its periphery to specify that its center part takes a recessed shape.
封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁 - After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.
以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁 - To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.
ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁 - The organic EL element is formed by performing patterning by an optical etching method, so that the organic EL display device is manufactured inexpensively with high accuracy compared with a case wherein coating is carried selectively by different colors using vapor-deposition masks.
光エッチング法によりパターニングを行って有機ＥＬ素子を形成するため、蒸着マスクを用いて塗り分けを行う場合に比べ、低コストかつ高精度に有機ＥＬ表示装置を製造できる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method, by which an insulator film after wet etching has a large taper angle, a linear taper form is ensured, and the variation in the taper angle within a substrate plane can be reduced.
ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The present invention describes an interferometric method and an apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thin film using a flash lamp providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.
高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁 - To provide a method of forming a compound semiconductor light absorption layer for performing etching using potassium cyanide improved in working efficiency and obtaining a uniformly etched light absorption layer.
シアン化カリウムによるエッチングを作業性良く行うことができ、且つ、均一にエッチングされた光吸収層を得ることが可能な化合物半導体光吸収層の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a die cutter having a blade with sharpness and superior durability by effectively utilizing the processing characteristic in etching, forming a DLC layer, and the like, and to provide a method of manufacturing the die cutter.
エッチングしたり、ＤＬＣ層を形成したりする際の加工特性を有効に利用して切れ味が良く耐久性に優れた刃部を有するダイカッターおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a curing composition for transfer materials, which is suitable for a nanoimprint method in which selectivity of a dry etching speed with argon gas and oxygen gas is high, and which is capable of forming a fine pattern with a high throughput.
アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁 - This textured surface and the oxidized layer coating on a metal material is attained by a chemical and/or electrochemical surface etching, and an in-situ surface oxidation method, of modifying a texture of the surface.
金属材料上のテクスチャ加工表面および酸化層コーティングが、表面のテクスチャを改質する、表面の化学的および／または電気化学的エッチング、ならびに現場酸化方法により達成される。 - 特許庁 - To provide a method for creating a pattern for reducing deviation from a design pattern of a post-etching feature caused by a step feature that generates after rule-base OPC used for correcting a residual component of an OPC model.
パターン作成方法に関し、ＯＰＣモデルの残渣成分を補正するために用いるルールベースＯＰＣ後に発生する段差形状に起因するエッチング後形状と設計図パターンとの乖離を低減する。 - 特許庁 - In this method, precursor liquid for forming a titanium oxide-based transparent conductive film is applied to a transparent substrate and dried at a temperature not more than 350°C, and the thus-obtained coating film is subjected to etching and then to annealing.
透明基板上に酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液を塗布し、３５０℃以下の温度で乾燥させ、得られた被膜にエッチング処理を施した後、アニール処理を施す。 - 特許庁 - To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.
素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a fabrication method of a semiconductor device in which an etching process is eliminated by removing residue of a pattern obtained from mold pressing, and even a fine pattern having a size equal to a wavelength of irradiated light or less can be formed.
モールドプレスすることにより得られたパターンの残渣をなくすことでエッチング工程をなくし、照射光の波長以下の微細パターンまで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.
水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A method of surface-modifying an unvulcanized rubber includes irradiating a region to be jointed of the unvulcanized rubber member 12 with infrared laser light La to remove an adhesion-inhibiting substance, such as blooming caused due to fatty acid zinc and waxes, by etching.
未加硫ゴム部材１２の接合予定部位に赤外線のレーザー光Ｌａを照射して表面の密着阻害物質（例えば、脂肪酸亜鉛、ワックス類等のブルーム）をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To provide a laminate manufacturing method capable of suppressing a metal residue from occurring during etching processing and acquiring a laminate having a plating film including patterned copper excellent in linearity and adhesion.
エッチング処理時における金属残渣の発生が抑制されると共に、直線性、および、密着性に優れるパターン状銅含有めっき膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, the stencil mask and its manufacturing method can be provided, which can improve the size precision in the stencil mask substrate surface by reducing the influence of microloading effect in the dry etching process.
したがって、ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させて、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供することができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a physical value detector which can eliminate easily a bridge such as a sacrifice beam formed in manufacturing processes without performing laser assisted etching treatment.
レーザアシストエッチング処理を行うことなく、製造工程で形成される犠牲梁等の架橋部分を容易に除去することができる物理量検出器の製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition of superior etching resistance, sensitivity, preservation stability and safety and developable with water or an aqueous alkali solution, and to provide a pattern forming method using the composition.
耐エッチング性、感度、保存安定性及び安全性に優れ、かつ水又はアルカリ水溶液により現像が可能な感光性組成物並びにこれを用いたパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁 - In Fig. 2 (a), an impurity diffusion area 2 is formed as a lower electrode on the surface of a Si substrate, then a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 by a dry etching method.
図２の（ａ）ではＳｉ基板１の表面に下部電極となる不純物拡散領域２を形成した後、不純物拡散領域２に複数のトレンチをドライエッチング法により形成する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.
酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁 - To provide an improved method for etching a silicon wafer which produces a silicon surface having a little roughness and a little metal concentration and does not significantly deteriorate the shape and the size of the wafer.
わずかな粗面性及びわずかな金属濃度を有するシリコン表面が生じ、同時にウェハの形状寸法は著しく悪化しない、シリコンウェハの改善されたエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processor, a focus ring and a plasma processing method for much more improving the in-face uniformity of etching and productivity than a conventional manner.
従来に比べてエッチング処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface wave plasma etching method which can greatly reduce a preheat time of a glass plate transmitting a surface wave and suppress damages to the glass plate caused by fluorine and the deposition of polymers to the glass plate.
表面波を伝えるガラス板の予熱時間を大幅に短縮でき、フッ素によるガラス板の損傷およびガラス板へのポリマー付着を抑えることができる表面波プラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Since an etching mask having a fin pitch can be formed by ink jet method, a fine protruding/recessed structure can be obtained and since the light confinement effect is improved, a high efficiency solar cell can be produced.
また、インクジェット法により、ピッチが小さいエッチング用マスクを形成できるので、微細な凹凸構造ができ、その結果、光閉じ込め効果が改善されるので、高効率の太陽電池を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby leakage is prevented by increasing a current path between cells without deeply etching a device isolation region, so that the degradation of an active region can be prevented.
素子分離領域を深くエッチングせずにセル間の電流経路を長くして漏れを防止し、活性領域の崩壊を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a hard mask is used having high etching resistance and fine adhesiveness to a ground layer such as a silicon oxide film and a silicon nitride film and allowed to be easily removed.
酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の下地層に対して、高いエッチ耐性及び良好な密着性を有し、且つ除去が容易なハードマスクを用いる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide means for shortening the time required for a gas phase decomposition reaction and improving the analytical sensitivity, in analyzing metallic contamination of a silicon wafer by a gas phase etching method.
気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for designing a mask dimension at the formation of metallic wiring by etching for making the width of the metallic wiring smaller than that of an ohmic electrode, and making it larger than that of a contact hole.
金属配線の幅を、オーミック電極の幅よりも小さく、かつ、コンタクトホールの幅よりも大きくできるように、金属配線をエッチングにより形成する際のマスク寸法の設計方法を提供する。 - 特許庁 - The nitride film obtained by the method has an etching-resistant property and high conformality, and an excellent barrier layer can be provided without changing the structure and processes of a conventional semiconductor device.
この方法によって得られた窒化膜は、耐エッチング性を有し、高いコンフォーマリティを有し、従来の半導体デバイスの構造およびプロセスを変更することなく、優れたバリア層を提供することができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an optical waveguide, which is advantageous to the forming of an optical waveguide having an orderly core shape by removing excessive parts of a core material without using an etching process or a vacuum process.
エッチングや真空プロセスを用いることなくコア材料の余剰分を除去してコア形状の整った光導波路を形成する上で有利な光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁 - There are provided the collection apparatus of the solid matter of dry etching exhaust gas containing solid matter having a filter and a cooler, and the collection method of solid matter using the same.
本発明の課題は、フィルター及び冷却器を備えた固形物含有ドライエッチング排ガスの固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物の捕集方法によって解決される。 - 特許庁 - To provide a cleaning method and the like of a thin film formation apparatus which improves the etching rate for extraneous matter adhered to the interior of the apparatus and the selection ratio thereby reducing a burden to a gas supply device.
装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くするとともに選択比を高め、ガス供給装置への負担を低減させた薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。 - 特許庁 - This ceramic insulator cleaning method comprise a step to calcine the part of the ceramic insulator in an oxygen atmosphere at 600-1,300°C in the dry etching chamber.
前記目的を達成するために、本発明は乾式エッチング装置内の絶縁体部品を酸素雰囲気下、６００〜１３００℃でか焼する段階を含むセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a method of forming a circuit pattern whereby a high- reliability product can be obtained efficiently for a short time, without costing by eliminating the need of etching works and associated facilities, form plates, etc.
エッチング作業、それに伴う設備や版等を不要として、能率よく短時間で、コストがかからず、しかも信頼性の高い製品を得ることができることとした回路パタ−ンの形成方法とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including a dummy pattern which attains an excellent effect in improving a process failure caused by a pattern dependency in a planarization process or an etching process, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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