「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 96 97 98 99 100 101 102 103 104 .... 137 138 次へ＞- To provide a method of manufacturing an array substrate of a liquid crystal display that reduces the extent of over-etching of a TFT channel and can secure display function of the liquid crystal display.
ＴＦＴチャンネルのオーバーエッチングされる程度が低下され、液晶表示装置の表示機能が確保できる液晶表示装置のアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a ferroelectric element which can conduct heat treatment in an oxygen atmosphere in a state that the TiAlN of a hard mask material for etching a ferroelectric capacitor element remains.
強誘電体キャパシタ電極のエッチング用ハードマスク材料のＴｉＡｌＮが残存する状態で、酸素雰囲気中の熱処理を可能にする強誘電体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for forming a high accuracy concave lens shape, a hollow of rotational symmetry is formed in a glass surface with a pulse laser or the like and the glass around the hollow is removed by etching.
ガラス表面にパルスレーザなどで回転対称の窪みを形成し、その窪みを中心にエッチングによってガラス除去を行うことで、高糖度な凹面レンズ形状を形成する方法である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical switch, which forms a movable micromirror and input-side and output-side optical fiber holding V grooves on one silicon substrate through anisotropic wet etching.
異方性ウェットエッチングにより１枚のシリコン基板に可動マイクロミラーと入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝とを形成させることができる光スイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To remove components of a solvent that is used for polymer residue removal when a wet cleaning process is included in a standard post-photoresist-etching cleaning method for porous materials used in semiconductor device manufacturing.
半導体装置製造で多孔質材料のための標準的ホトレジストエッチング後のクリーニング法は、湿式クリーニングを含み、その場合、重合体残留物を除去するため溶媒を用いる。 - 特許庁 - To pattern a transparent conductive thin film laminated product comprising a transparent, high-refraction factor thin film layer and a transparent metal thin film layer by a fine patterning dry etching method.
透明高屈折率薄膜層と透明金属薄膜層からなる透明導電性薄膜積層体を反応ガスを用いたドライエッチング手法により、微細なパターニドライエッチング法を用いてパターニングする。 - 特許庁 - To provide an etching device and method for obtaining the sidewall of a silicon nitride film, having film thickness and height sufficient for electrical insulation at the sidewall part of a pattern having a step in level.
段差のあるパターンの側壁部において電気的絶縁のために十分な膜厚と高さを有するシリコン窒化膜のサイドウォールを得られるように改良されたエッチング装置および方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method thereof includes a step for forming a flattening film on a steeply stepped projection, and a step for making gentle the step of the projection by etching back the projection part together with this flattening film.
その製造方法は、急峻な段差の凸部上に、平坦化膜を形成する工程と、この平坦化膜と共に凸部をエッチバックすることで当該凸部の段差を緩やかにする工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a ferroelectric capacitor which may be formed, without etching of the lower insulation film of capacitor, and to provide a memory device using the same ferroelectric material capacitor.
キャパシタ下地絶縁膜をエッチングすることなく、強誘電体キャパシタの形成が可能な強誘電体キャパシタの製造方法、および強誘電体キャパシタを用いたメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress corrosion of an external connection terminal in a method of manufacturing display panels by which a glass substrate is made thin by etching the glass substrate after fabricating a plurality of display panels at the same time on the glass substrate by gang printing.
ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食を抑制する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the etching of an upper electrode can be suppressed, even when a mask material is retreated and the upper surface of the upper electrode is exposed from under the mask material.
マスク部材が後退して上部電極の上面がマスク部材下から露出した場合でも、この上部電極のエッチングを抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of semiconductor package for realizing rigid deposition thereof on a mounting substrate by projecting terminal electrodes formed by etching from the lower surface of the same package.
エッチングにより形成した端子電極を半導体パッケージの下面から突出させることによって、実装基板への強固な固着を実現することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching.
本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can effectively etch a Pt residue, Pt contamination or a Pt film and prevent the development of corrosion in a metal member of an etching apparatus.
Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, a groove 12 is formed by etching the silicon nitride film 3 and silicon oxide film 4 using a resist pattern 11 as a mask, and an SiOC film 13 is embedded only in the groove 12 with the CMP method.
その後、レジストパターン１１をマスクとしてシリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４をエッチングして溝１２を形成し、溝１２内のみにＳｉＯＣ膜１３をＣＭＰ法を用いて埋込む。 - 特許庁 - An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.
基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁 - The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c.
そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a capacitor which can prevent leaning phenomenon that may cause a storage node bridge during wet-etching to form a cylindrical storage node structure and drying process.
円筒状のストレージノード構造を形成するためのウェットエッチング及び乾燥処理のとき、ストレージノードブリッジの原因となるリーニング現象を防止することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The first undercoat insulation film 2 may be formed by a conventional method but the second undercoat insulation film 3 is formed at a deposition rate lower than that of the first undercoat insulation film 2 and etching rate by hydrofluoric acid is lowered.
第一アンダーコート絶縁膜２は従来通りの方法で形成してよいが、第二アンダーコート層３は、第一アンダーコート絶縁膜２よりも堆積速度を遅くし、フッ酸によるエッチング速度を遅くする。 - 特許庁 - In the method for the production of a silicon epitaxially grown wafer, a flattening process by plasma etching of a silicon wafer 1 after primary polishing and a growth process of an epitaxial layer are successively performed.
一次ポリッシング後のシリコンウェーハ１を、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程とを連続で行なうことを特徴とするシリコンエピタキシャル成長ウェーハの製造方法である。 - 特許庁 - In at least some embodiments, the invention is a plasma etching method comprising steps of applying a gas mixture of CF_4, N_2, and Ar and forming high density low impact energy plasma.
少なくともいくつかの実施形態においては、本発明は、ＣＦ_4、Ｎ_2、Ａｒを含むガス混合物を適用するステップと、高密度低衝撃エネルギープラズマを形成するステップとを含むプラズマエッチング法である。 - 特許庁 - To provide an optical element in which a periodic structure itself is hardly separated from a substrate even when removing the minute particles being an original form of the periodic structure by etching or the like, and to provide its manufacturing method.
周期性構造の元型となる微粒子をエッチングなどで除去する際にも、周期性構造物そのものが基板から剥がれ難い光学素子およびその作製方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method and a substrate processing device capable of removing a predetermined part of a layer on a substrate without carrying out a complicated step such as etching, ashing, cleaning or the like.
基板上の層の所定部分をパターニング、エッチング、アッシング、洗浄等の煩雑な工程を経ることなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁 - The method of manufacturing the electronic device includes a process of performing dry etching using a gas containing fluorine on the metal film containing Ti such as the TiN film 103 formed on a semiconductor substrate 100.
電子デバイスの製造方法は、半導体基板１００上に形成されたＴｉＮ膜１０３等のＴｉを含む金属膜に対し、フッ素を含むガスを用いてドライエッチングを行なう工程を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily prevent damage to etching of a copper wiring due to substitutional plating of a catalyst metal for forming an upper surface barrier film of a copper groove wiring.
銅の溝配線の上面バリア膜を形成するための触媒金属の置換めっきに起因する銅配線のエッチング損傷を容易に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a defect detection method for easily detecting defects in an SOI substrate by performing etching while restraining deterioration in the surface roughness of a silicon film and uniformity in a film thickness within a plane.
シリコン膜の表面粗さおよび面内の膜厚均一性の悪化を抑えながらエッチングすることで、ＳＯＩ基板の欠陥を検出容易にする、欠陥検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This method is used for collectively etching a layered product including a layer, containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt.
及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing the needle-shaped material includes the steps of forming a needle shape 11 on a monocrystal silicon substrate 10 and crystal-anisotropic-wet-etching the silicon substrate having the needle shape formed.
針状体製造方法は、単結晶シリコン基板１０に針状体形状１１を形成し、針状体形状が形成された単結晶シリコン基板に結晶異方性ウェットエッチング処理を施す。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which a plurality of trenches having the same width are formed on the entire substrate, while preventing residues generated at etching of a gate conductive film.
本発明は、ゲート導電膜のエッチングの際に発生する残滓を防止すると同時に、基板全体に同じ幅を有する複数のトレンチを形成する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element manufacturing method which can improve in-plane uniformity in etching of a processing target substrate and form an element isolation trench having a round and smooth bottom surface.
被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a langasite-based single crystal substrate capable of obtaining good surface state at a relative low temperature for a short time without forming a film on substrate surface by etching.
エッチングにより基板表面に被膜が形成されることなく、比較的低温および短時間で良好な表面状態を得ることができるランガサイト系単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.
パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device wherein a mesa structure is formed by using wet etching of little damage and a mask which has not eaves can be used for forming current constriction parts.
ダメージの少ないウェットエッチングによってメサ構造を形成すると共に、電流狭窄部の形成に庇のないマスクを使用することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having few shape failures in a patterned wiring layer even if the device has the wiring layer which needs to be patterned for long etching time, and to provide the manufacturing method.
長いエッチング時間をかけてパタニングする必要のある配線層を有する場合であっても、パタニングされた配線層の形状不良が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus where hydrogen peroxide in a hydrogen peroxide-containing copper etching waste solution is efficiently decomposed to a low concentration, and copper with high purity is more efficiently recovered from the copper waste solution.
過酸化水素含有銅エッチング廃液中の過酸化水素を効率的に低濃度まで分解し、銅廃液から、より効率的に高純度の銅を回収する方法及び装置の提供。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a microphone, for forming a cavity in a semiconductor substrate by etching from a front surface side and easily forming vent holes with large acoustic resistance.
表面側からのエッチングによって半導体基板に空洞を形成することができると共に、音響抵抗の大きなベントホールを容易に作製することのできるマイクロフォンの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method also includes: flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; irradiating the substrate with a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma.
また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。 - 特許庁 - To provide a composition for a resist underlay film having excellent etching selectivity and preferable antireflection ability against short wavelengths and to provide a resist underlay film and a method for forming a pattern on a substrate both using the above composition.
優れたエッチング選択性を有し、かつ、短波長に対する反射防止能が良好なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a field emission electron gun capable of forming extremely-thin needle-like parts at a tip of an emitter electrode by etching a tip surface of the emitter electrode.
エミッタ電極の先端面をエッチング加工することによりエミッタ電極の先端に極めて細い針状部を形成することができる電界放出型電子銃の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a gate with nitride film sidewalls whose shape of shoulders of a stopper nitride film is vertically formed and which can reduce recession of the nitride film during contact hole etching.
ストッパー窒化膜肩部の形状が垂直化され、コンタクトホールエッチングでの窒化膜の後退を低減することができる窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a base material for forming an underlayer film having a low exposure light reflectance and also excellent in resistance to etching with oxygen plasma or the like, and also to provide a multilayer resist pattern forming method using the base material.
露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor device capable of alleviating the damage to the main surface of a semiconductor substrate upon the etching of an insulating film between conductive films on the semiconductor substrate.
半導体基板上の導電膜間の絶縁膜をエッチングする際に、半導体基板の主表面に与えるダメージを軽減することができる不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor wafer cutting device by which protective sheets can be prevented from being thermally damaged at the time of cutting semiconductor wafers by plasma etching.
プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The manufacturing method is to pattern a thin film pyroelectric 23 into a desired shape for constituting an infrared photodetector through a laminate etching mask made of an organic resist material and an inorganic resist material.
赤外線受光部を構成する薄膜焦電体２３が有機系レジスト材料と無機系レジスト材料の積層エッチングマスクを介して所望形状にパターニング形成できる製造方法である。 - 特許庁 - The method is performed by a reactive ion etching by using a mask, plasma and a fluorinated organic compound arranged on a substrate, and the fluorinated organic compound is provided in solid polymer form.
この方法は基板上に配置したマスクおよびプラズマならびにフッ素含有有機化合物を用いて反応性イオンエッチングによって行われ、フッ素含有有機化合物は固体ポリマーの形態で設けられる。 - 特許庁 - To provide a method for etching a ruthenium film, which can surely remove ruthenium layered or deposited particularly on a periphery, a back side, and the other part, of a substrate other than the circuit formed part.
特に回路形成部以外の基板周縁部および裏面、その他の部分に成膜ないし付着したルテニウムを確実にエッチング除去できるようにしたルテニウム膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of commercially manufacturing a high purity caustic soda aqueous solution which is reduced in iron and nickel content to the level capable of using as an etching agent of silicon wafer at a low cost.
シリコンウエーハのエッチング剤として使用できるレベルにまで鉄分およびニッケル分を除去した高純度の苛性ソーダ水溶液を、低コストで工業的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etchant composition which secures the stability of the etchant, and guarantees a margin in an etching process to reduce the cost, and to provide a method for manufacturing an array substrate using the same.
エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In addition, when a film composed of a zirconium oxide- or hafnium oxide-based material is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.
また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a method of producing a high-purity fluorine gas that is employable as an etching gas or a cleaning gas in the process for manufacturing semiconductors or liquid crystals inexpensively on a mass scale.
半導体や液晶等の製造工程においてエッチングガスまたはクリーニングガスとして使用することができる高純度フッ素ガスを、安価に、かつ、大量に製造する方法を提供すること。 - 特許庁
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