「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 100 101 102 103 104 105 106 107 108 .... 399 400 次へ＞- Thus, the ferroelectric film 13 does not depend upon the etching shape of the lower electrode 12.
これにより、強誘電体膜１３は、下部電極１２のエッチング形状に依存しない。 - 特許庁 - Next, the plasma TEOS film 8 is flattened by etching the entire surface to a predetermined thickness.
次に、プラズマＴＥＯＳ膜８を所定の厚さ全面的にエッチングして平坦化する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method for readily forming sequentially tapered aluminium wiring.
順テーパ状のアルミニウム配線を容易に形成するためのドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - When they agree with each other, the time when the judgement is performed is adopted as the end point of the etching.
それらが一致した場合には、その判断時をエッチング処理の終点とする。 - 特許庁 - To provide a wet etching method that enables uniform wet etching by sufficiently suppressing the retention of "bubbles generated by reactive generated gas" on a surface of a semiconductor wafer even when patterns formed by wet etching are reduced in size.
ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR HIGH-RESOLUTION IN-SITU PLASMA ETCHING OF INORGANIC AND METALLIC FILMS
無機および金属フィルムの高分解能インサイチュプラズマエッチングのための方法および装置 - 特許庁 - A recess 34 is formed by etching the flattened film 32 in a position corresponding to an IR picture element.
ＩＲ画素に対応する位置の平坦化膜３２をエッチングして、凹部３４を形成する。 - 特許庁 - The etching mask 26a is used to process the IrO2 film 18 and to form a bottom electrode 18a.
エッチングマスクを用いてＩｒＯ_2 膜を加工し、下部電極１８ａを形成する。 - 特許庁 - Thus, the whole surface of a fact to be electrolytic-etching can be uniformly electrolytic-etched.
ワーク２はエンジンシリンダブロックであり、電解エッチングすべき面がシリンダボア面である電解方法。 - 特許庁 - Dry etching is executed, and fine irregularities 2 are formed on a polycrystalline silicon substrate.
多結晶シリコン基板１の表面に、ドライエッチングを行い微細な凹凸２を形成する。 - 特許庁 - To dispense with an etching process in forming a glaze layer on a thermal printing head.
サーマルプリントヘッドにグレーズ層を形成する際に、エッチングプロセスを廃止できるようにする。 - 特許庁 - To form a desired pattern on a film to be etched by in etching that uses, multilayer resist.
多層レジストを用いたエッチングにおいて、被エッチング膜に所望のパターンを形成する。 - 特許庁 - INGOT ROLLING METHOD OF ALLOY LOW IN THERMAL EXPANSION FOR ELECTRONIC PARTS EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY
エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金の分塊圧延方法 - 特許庁 - The residual underetched film 24 and the lower electrode material film 12 are patterned by etching.
また、アンダーエッチング残膜２４及び下部電極材料膜１２をエッチングによりパターニングする。 - 特許庁 - To improve etched shape and etching selectivity of compound semiconductor film.
化合物半導体膜に対するエッチング形状およびエッチング選択性を向上させる。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING DEVICE FOR CRYSTAL PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTAL PLATE AS WELL AS CRYSTAL PLATE
水晶板のプラズマエッチング装置および水晶板の製造方法並びに水晶板 - 特許庁 - Next, the nitride film 6 is anisotropically etched back using the oxide film 5 as an etching stopper.
次に、酸化膜５をエッチングストッパーとして用いて、窒化膜６を異方性エッチバックする。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF CAPACITANCE TYPE MICRO ELECTROMECHANICAL SYSTEM (MEMS) SENSOR
半導体基板のエッチング方法および静電容量型ＭＥＭＳセンサの製造方法 - 特許庁 - Next, the resist of a desired circuit pattern is applied to the surface of this copper plate for etching.
次いで、この銅板の表面に所望の回路パターンのレジストを塗布しエッチングを行う。 - 特許庁 - METHOD FOR DRY ETCHING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
ドライエッチング方法及びこのドライエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND ETCHING INDIVIDUAL WAFER BY UTILIZING WET CHEMICAL PHENOMENA
湿式化学現象を利用して、個々のウエハを洗浄かつエッチングする方法と装置 - 特許庁 - The atmosphere of the heat treatment can include an appropriate etching gas, for example, HCl gas.
熱処理の雰囲気中には、適度なエッチングガス、例えばＨＣｌガスが含まれていてもよい。 - 特許庁 - To improve the etching resistance of a silicon nitride film formed by low-temperature atomic layer deposition.
低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁 - An oxide film is formed through electrolysis on a surface of the region to prevent advancement of etching.
そしてその表面では電気分解により酸化膜が形成され、エッチングが進まない。 - 特許庁 - A structure 38 is formed by etching the upper silicon base material layer 30 in a desired pattern.
上のシリコン基材層３０を所望のパターンでエッチングして、構造体３８を形成する。 - 特許庁 - Then, dents 7 are formed only in electrode areas preliminarily determined by etching.
次に、エッチングによって予め決められた電極領域だけに窪み７を形成する。 - 特許庁 - An unnecessary part of a first silicon board is eliminated by etching, and a retaining board 1 is formed.
第１のシリコン基板の不要部分をエッチング除去して支持基板１が形成される。 - 特許庁 - To reduce falling foreign matters onto a semiconductor wafer in etching using a plasma.
プラズマプロセスを用いたエッチング時における半導体ウェハ上への異物の落下を低減する。 - 特許庁 - To provide an electrolytic etching method and a device therefor in which electrolytic etching can be easily performed without largely releasing an etching liquid even in a complicated curved shape in the weld zone at the bottom part of a nuclear reactor, and crystal grain boundaries in the surface of the structure in a nuclear reactor are made visible.
原子炉底部溶接部などの複雑な曲面形状でも、エッチング液を多量に放出することなく簡易に電解エッチングを行い、原子炉炉内構造物表面の結晶粒界を視認可能とする電解エッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus which suppresses the loading effect.
ローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To form an insulator film having such characteristics as low dielectric constant, low etching rate, and high insulation property.
低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - To suppress contamination inside a processing chamber to thereby improve uniformity of etching as much as possible.
処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。 - 特許庁 - To shorten a process cycle time by efficiently etching a channel part etc., of a semiconductor device.
半導体装置のチャネル部分等のエッチングを効率化し処理タクトを短縮する。 - 特許庁 - To reduce processes of photolithography for forming an etching resist.
本発明は、エッチングレジストを形成するためのフォトリソグラフィの工程を減らすことを目的とする。 - 特許庁 - The Mo layer is removed by entire-surface etching after being made into silicide, and the Ni layer is eliminated.
Ｍｏ層はシリサイド化した後全面エッチングにより除去し、Ｎｉ層は省略する。 - 特許庁 - To accurately determine the etching end point of an upper layer of a two-layer silicon-based structure.
二層シリコン系構造の上層のエッチング終点をより明確に判定すること。 - 特許庁 - To carry out an optical proximity effect correction of a simulation base in consideration of etching characteristics.
エッチング特性が考慮されたシミュレーションベースによる光近接効果の補正を行う。 - 特許庁 - Consequently, the etching amount of the surface of the etching stopper layer exposed in the upper part of a gate groove can be suppressed by reducing impurities such as hydrogen, chlorine, etc., contained in the silicon nitride film, and suppressing the wet etching rate of an HF system to the ≤1/4 of a thermally oxidized film.
これによって、シリコン窒化膜中の水素・塩素などの不純物を低減し、ＨＦ系のウェットエッチレートを熱酸化膜の１／４以下に抑えることにより、ゲート溝上部に露出したエッチングストッパー膜表面のエッチング量を抑えることができる。 - 特許庁 - The insulating film 1 may be desirably dissolved and removed by an etching process.
絶縁性フィルム１の除去は、エッチング処理による溶解除去であることが好ましい。 - 特許庁 - The first layer 5 becomes a mask when performing etching for the substrate 2.
前記第一層５は、前記基板２に対してエッチングを行う際にマスクとなる層である。 - 特許庁 - An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.
Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁 - When RIBE is performed using chlorine for etching gas, the structure of Fig.17 (b) is provided.
エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。 - 特許庁 - To provide a novel metal wiring film having characteristics excellent in wet etching property.
ウエットエッチング性に優れた特性を有する新規な金属配線膜を提供すること。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT ADOPTING WET ETCHING, ELECTRONIC COMPONENT AND SUSPENSION FOR HARD DISK
ウェットエッチングを採用した電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション - 特許庁 - Then, the spin chuck starts its rotation, and prescribed cleaning by the spin etching is performed.
次にスピンチャックが回転を開始し、スピンエッチングによる所定の洗浄が行われる。 - 特許庁 - As a result, there is no constraint of the etching time, and moreover, its yield can be improved.
その結果、エッチング時間の制約がなく、また歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁 - When etching processing is performed, the material film 17 is removed around the mask 22.
エッチング処理が施されると、マスク２２の周囲で素材膜１７は取り払われていく。 - 特許庁 - PROCESSING METHOD OF THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR AND HIGH DENSITY PLASMA ETCHING DEVICE
薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置 - 特許庁 - After a prescribed processing time, wet etching using the APM is finished (step 112).
所定の処理時間が経過したらＡＰＭによるウェットエッチングを終了する（ステップ１１２）。 - 特許庁 - To provide a method of processing an organic film through plasma etching where damages to a base film are small.
下地膜へのダメージが少ないプラズマエッチングによる有機膜加工方法を提供する。 - 特許庁
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