「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 96 97 98 99 100 101 102 103 104 .... 399 400 次へ＞- Next, reactive ion etching using CH4 and H2 as an etching gas is executed to remove the part of the thin-film lamination structure except a semiconductor element forming region selectively.
次に、エッチングガスとしてＣＨ_4 及びＨ_2 を用いた反応性イオンエッチングで前記薄膜積層構造の半導体素子形成領域以外の部分を選択的に除去する。 - 特許庁 - After that, selective anisotropic etching treatment is performed using the etching window, thereby forming the equivalent surface to the {110} surface or {100} surface on the semiconductor substrate.
その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。 - 特許庁 - A source/drain diffusion layer 15 is formed on a surface side of the semiconductor substrate 1, and the second sidewall 13a is selectively removed by wet etching using an alkaline etching solution.
半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。 - 特許庁 - When etching quantity is less, the silicon pillar becomes columnar along the shape of the hard mask, but the (100) face appears and becomes prismatic in a lower part as etching quantity increases.
エッチング量が少ない場合、シリコンピラーはハードマスクの形状に沿って円柱状になるが、エッチング量が多くなるにつれて下部に（１００）面が出現し角柱状になる。 - 特許庁 - A photoresist film 122 having an opening on the light emitter is formed on the laminate structure 88, and etching treatment is performed for the laminate structure 88 using the photoresist film 122 as an etching mask.
積層構造８８の上に、受光部上に開口を有したフォトレジスト膜１２２を形成し、これをエッチングマスクとして、積層構造８８に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁 - In the plasma etching method, the gas containing C_4F_6 and O_2 and CO is used as a processing gas for plasma etching to suppress surface roughness of a photoresist.
本発明のプラズマエッチング方法は、処理ガスとして、Ｃ_４Ｆ_６とＯ_２とＣＯとを含むガスを用いてプラズマエッチングすることで、フォトレジストの表面荒れを抑えることができる。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR COPPER OR COPPER ALLOY, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC SUBSTRATE USING THE SAME
銅又は銅合金のエッチング液及びそれを用いる電子基板の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR RECOVERING METAL BY ELECTROLYSIS AND METHOD FOR RECOVERING COPPER FROM WASTE ETCHING ACID
電解による金属の回収方法、及びエッチング廃酸からの銅回収方法 - 特許庁 - DRY ETCHING PROCESS USING SELECTIVE POLYMER MASK FORMED BY CO GAS
ＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法 - 特許庁 - Consequently, the silicon substrate 20 serves as a stopper layer during the etching of the silicon substrate 11.
そのため、シリコン層２０はシリコン基板１１のエッチングの際のストッパ層となる。 - 特許庁 - On a silicon wafer, holes are formed by masking by photolithography and by etching.
シリコンウェハー上にフォトリソグラフィーによるマスキングおよびエッチングにより穴を形成する。 - 特許庁 - To inhibit etching of an island-like semiconductor film which is an active layer, in etching a raised region, in a semiconductor device having a raised source and drain structure.
せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。 - 特許庁 - To provide a halftone phase shift photomask having a structure which enables dry etching without complexing steps and the structure of an etching apparatus and to provide blanks for the halftone phase shift photomask.
工程を複雑にせず、エッチング装置の構成も複雑にせず、ドライエッチング加工ができる構成のハーフトーン位相シフトフォトマスクを提供しようとするものである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents wraparound of an etching solution toward a surface opposite to a surface to be etched of a substrate or a support substrate during spin etching.
スピンエッチング時、基板又は支持基板の被エッチング面とは反対側の面へのエッチング液の回り込みを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC DEVICE AND PIEZOELECTRIC VIBRATION PIECE UTILIZING THE METHOD
エッチング方法およびこれを利用した圧電デバイスと圧電振動片の製造方法。 - 特許庁 - The silicon dioxide can be removed by consecutive wet etching using HF (hydrogen fluoride).
シリコン二酸化物層は、ＨＦを用いた後続のウエットエッチングにより除去され得る。 - 特許庁 - In performing anisotropic etching by using an alkali etching solution, the reflection member 106 which is the mirror formed just backside of the light receiver can be formed by an extremely inexpensive process.
また、アルカリエッチング液を用いて異方性エッチングを行う場合は、きわめて安価な工程で受光装置直裏面の鏡である反射部材１０６を形成できる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing apparatus of an etching foil for electrolytic capacitor capable of restricting variation of electrostatic capacitance in a widthwise direction, and to provide the etching foil for electrolytic capacitor.
幅方向における静電容量のバラツキを抑制することのできる電解コンデンサ用エッチング箔の製造装置、および電解コンデンサ用エッチング箔を提供する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a dielectric device, an etching gas containing at least one type of a chlorine-based gas and a fluorocarbon-based gas is used as an etching gas.
上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。 - 特許庁 - To provide a cathode generally suitable for use in high-temperature plasma etching applications.
本発明は概して高温プラズマエッチング応用例での使用に適したカソードである。 - 特許庁 - Furthermore, profile of etching process can be adjusted with a low process pressure.
さらには、低い工程圧力でエッチング工程のプロファイルを調節することができる。 - 特許庁 - Etching is performed by using a C* gas and an F* gas containing CF+ ions from the top surface of the resist pattern film 14 to form an etching hole 112A in the oxide film 112.
レジストパターン膜１１４の上面から、ＣＦ＋系イオンを含むＣ＊、Ｆ＊のガスを用いてエッチングを行い、酸化膜１１２にエッチング孔１１２Ａを形成していく。 - 特許庁 - The etching of a polyimide resin of the insulation layer can be performed with high processing accuracy by making the shape of an electrode so as to have curvature, when it is processed by plasma etching.
絶縁層であるポリイミド樹脂の加工をプラズマエッチングで行うに際し、電極形状が曲率を持つようにしたことにより、加工精度よくエッチングが行える。 - 特許庁 - METHOD OF RAISING ETCHING SELECTIVITY OF METAL SILICIDE FILM TO POLYSILICON FILM AND METHOD OF ETCHING LAMINATE FILM OF POLYSILICON FILM AND METAL SILICIDE FILM, USING THE SAME
ポリシリコン膜に対する金属シリサイド膜のエッチング選択比を高める方法及びこれを用いてポリシリコン膜及び金属シリサイド膜との積層膜をエッチングする方法 - 特許庁 - An etchant includes a solution containing nitric acid, hydorchloric acid and phosphoric acid, and has a small difference in etching speed in etching films different in the content of a copper oxide.
エッチング液は、硝酸と、塩酸と、燐酸とを含有する水溶液で構成されており、銅酸化物の含有量の異なる膜をエッチングする際の、エッチング速度の差が小さい。 - 特許庁 - The etching liquid composition for silver or a silver alloy comprises nitric acid, an oxidizer other than nitric acid and water, and improves plane uniformity in etching.
硝酸、硝酸以外の酸化剤および水を含有し、エッチングにおける面内均一性を向上させる、銀または銀合金用のエッチング液組成物を提供する。 - 特許庁 - Then other wiring patterns 7 are formed in the conductor layer 1 by etching, etc.
そして、導体層１にエッチング手段等で他の配線パタ−ン７を形成できる。 - 特許庁 - The process of patterning the lower electrode layer 42 includes a process of etching the lower electrode layer 42 by using a mixed etching gas which contains a chlorine-based gas and an oxygen-based gas.
下部電極層４２をパターニングする工程は、下部電極層４２を、塩素系ガスと酸素系ガスとを含む混合エッチングガスを用いてエッチングする工程を有する。 - 特許庁 - A semiconductor device manufacturing method comprises selectively etching an In-Sn-Zn-O-based semiconductor layer by dry etching using a gas containing chlorine such as Cl_2, BCl_3 and SiCl_4.
Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。 - 特許庁 - A charge transfer electrode 6 is formed by performing etching through the mask pattern 7.
マスクパターン７を介したエッチングを行って、電荷転送電極６を形成する。 - 特許庁 - To provide an economical etching solution with which the stabilization of hydrogen peroxide is attained and which is excellent in operational stability at the time of etching titanium, tungsten or a titanium-tungsten alloy.
チタン、タングステンまたはチタン・タングステン合金をエッチングする際、過酸化水素の安定化を達成し、経済的かつ操作安定性に優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁 - In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and high frequency bias power is applied to a ferroelectric film under high vacuum high density plasma.
ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND DRY ETCHING APPARATUS
半導体素子の製造方法、半導体基板の加工方法及びドライエッチング装置 - 特許庁 - Mishima: bowls made by etching a detailed continuous pattern on the paste and covering with a thin white clay.
三島-胎土にこまかな連続地紋を押した上で白土を薄く掛けたもの。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - The third mask pattern is allowed to function as an etching mask, and the polysilicon film 112 and an inter-layer insulator film 110 are etched so as to allow the etching inhibiting film to be exposed on the surface of a bottom.
第３マスクパターンをエッチングマスクにして、エッチング阻止膜が底面に露出するようにポリシリコン膜１１２及び層間絶縁膜１１０をエッチングする。 - 特許庁 - The etching device 1 is composed of a drum 2, a chamber 10, a nozzle head 4 or the like.
本発明のエッチング装置１は、ドラム２、チャンバ１０、ノズルヘッド４等からなる。 - 特許庁 - Until the end of the etching treatment, the fine spherical particles 36 remain in the pits.
エッチング処理の終了まで窪み内に球状微粒子３６は残存する。 - 特許庁 - To reduce variations in an etching rate in an arranged state, and to reduce variations in the shape in the depthwise direction of a recessed pattern by the variations of the etching rate, in a semiconductor device.
半導体装置において、配置状態によるエッチングレートのばらつきを低減し、エッチングレートのばらつきによる凹状パターンの深さ方向の形状ばらつきを低減する。 - 特許庁 - Moreover, surface treatment to improve etching resistance is applied on the metal mask 11.
また、メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている。 - 特許庁 - Successively, the resist R in a zone as non-etching objective in the thin sheet 12 is disposed.
次いで、薄板１２のエッチング対象とならない領域にレジストＲを配設する。 - 特許庁 - To provide a dry etching device which is capable of preventing reaction product gas from adhering to a view port by a simple method and determining the end point of the etching stably.
簡単な方法でエッチングの反応生成ガスがビューポートへ付着するのを防止し、安定したエッチングの終点判定ができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The recess forming process comprises two steps of a step for digging each recess by dry etching, and a step for removing a surface deterioration layer of each recess inner wall, by wet etching using an acid.
凹部形成工程は、ドライエッチングにより凹部を掘り下げるステップと、酸を用いたウエットエッチングにより凹部内壁の表面変質層を除去するステップの２段階からなる。 - 特許庁 - In a method for manufacturing semiconductor storage device, highly selective anisotropic etching SAS(self-aligned source) etching is performed on a silicon oxide by using a resist 56, laminated gates 46, and thermally oxidized films 58 as a mask.
レジスト５６、積層ゲート４６および熱酸化膜５８をマスクとしてシリコン酸化物に対する選択性の高い異方性エッチング（ＳＡＳエッチング）を行なう。 - 特許庁 - The conductive layer 16 of the annulation 18 is removed by etching process.
さらに、蝕刻（エッチング）工程により、環状部１８の導電層１６を除去する。 - 特許庁 - A method for etching the LSI device includes a step of etching a diffusion preventive film (SiC) 17 with a plasma for the low dielectric constant film (SiOC) 18 of a wafer 4 installed on a support base 5 of a plasma treating apparatus.
プラズマ処理装置の支持台５に載置されているウエハ４の低誘電率膜（ＳｉＯＣ）１８に対して、拡散防止膜（ＳｉＣ）１７をプラズマでエッチングする。 - 特許庁 - As a result, satisfactory etching properties can be obtained, and an electrolytic capacitor of high quality can be obtained.
その結果、良好なエッチング性が得られ、高品質の電解コンデンサが得られる。 - 特許庁 - To remove overhang of the deposition of a liner, a barrier and a seed using sputter etching.
スパッタエッチングを用いるライナ／バリア／シードの堆積においてオーバハングを除去すること。 - 特許庁 - To provide a stable process by restraining discharge of those other than the process and eliminating power losses and abnormal discharges, and to provide a dry etching apparatus for improving an etching rate.
プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The etching liquid composition contains partially neutralized or completely neutralized oxalic acid.
エッチング液組成物は、蓚酸の部分中和物または完全中和物を含有する。 - 特許庁 - When the thickness in the measuring point is within an allowable range from the intermediate target thickness in etching in each area, the XY-stage 12 is driven, and etching is terminated.
各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 - 特許庁
- 特許庁
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