「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 93 94 95 96 97 98 99 100 101 .... 399 400 次へ＞- Therefore, degradation in the transistor characteristics caused by etching damages can be minimized.
従って、エッチングダメージによるトランジスタの特性低下を最小化することができる。 - 特許庁 - A tray 15 of a dry etching device 1 is provided with substrate storage holes 19A-19D.
ドライエッチング装置１のトレイ１５は、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄを備える。 - 特許庁 - To form an embedded insulating film such that a pattern formed by etching will not collapse.
エッチング形成したパターンが倒壊しないように埋め込み絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - The first intermediate layer 11 is then etched in a dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a first intermediate layer 11a having a film thickness of d_1'.
ドライエッチング装置にて第一中間層１１を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_1’の第一中間層１１ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a etching method for eliminating problems such as unetching or an unopen phenomenon.
アンエッチングまたは未開口現象などの問題のないエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Then, by the etching of a second step, the remaining first oxidized film is removed completely.
そして、第２ステップのエッチングで、残りの第１の酸化膜が完全に除去される。 - 特許庁 - By the dissolution of the side of the active layer 3, damage by dry etching is removed.
この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 - 特許庁 - After the dry etching is completed, a dipping treatment is executed by a polymer removing liquid to remove a polymer.
ドライエッチングの終了後、ポリマ除去液で浸漬処理をし、ポリマを除去する。 - 特許庁 - After a gate electrode forming film and a gate electrode cover film are formed on a semiconductor substrate, the gate electrode is formed by etching the gate electrode forming film by anisotropic etching and by using a gate electrode cover formed by patterning the gate electrode cover film as a mask.
さらに、ゲート電極の細小化にともなってＬＤＤ構造のサイドウォール厚みを可変とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A semi-additive method may be used wherein the wiring board is replaced by a board having an etching barrier layer also on the rear surface for the etching barrier layers on both surfaces to serve as seed metal layers.
配線基板の代わりに裏面側にもエッチングバリア層を形成し、両面でエッチングバリア層をシードメタル層として利用したセミアディティブ法を行ってもよい。 - 特許庁 - A dry etching system (MERIE system) allows dry etching to a chromic half-tone phase shift film.
金属薄膜のドライエッチング加工において、エッチングガスとして、酸素含有ガスとハロゲン含有ガスとからなる反応性イオンエッチングガスにさらに還元性のガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁 - In this case, the narrowing layer 13 is utilized as an etching stop layer.
この際ＡｌＡｓ電流狭窄層１３をエッチングストップ層として利用している。 - 特許庁 - Due to this etching processing, unnecessary objects such as polymer or the like depositing on the wafer surface.
このエッチング処理によりウェハ表面にはポリマ等の不要部位が付着する。 - 特許庁 - Thus, it is possible to sharply improve the controllability of inter-base and collector separation etching.
これによりベース・コレクタ間の分離エッチングの制御性を飛躍的に向上させる。 - 特許庁 - To provide a dry-etching method which can confirm that an etching selection ratio between a high melting point metal film such as an Mo film, a W film, etc., and an oxide film such as an SiO_2 film, etc., is secured.
ＭｏＷ等の高融点金属とＳｉＯ_2等の酸化膜とのエッチング選択比確保を確認することが可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To improve etching resistance by increasing a resist film thickness in a lithography process step.
リソグラフィ工程において、レジスト膜厚を厚くしてエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁 - (4) By an etching operation, the prescribed regions are removed so as to reach the resin sheet.
４．エッチングにより、前記所定領域を前記樹脂シートに達する迄除去。 - 特許庁 - The mask has at least one air opening for exposing the etching region.
該マスクにはエッチング区域を暴露させる少なくともひとつの空気開口部がある。 - 特許庁 - To provide a regeneration method and a generation device for an etching waste liquid where an Mo component and an Al component in an etching waste liquid comprising phosphoric acid are removed, so as to regenerate the same.
リン酸を含むエッチング廃液中のＭｏ成分及びＡｌ成分を除去して再生する、エッチング廃液の再生方法及び再生装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a side spacer capable of stably detecting an etching termination.
安定したエッチング終点検出が可能なサイドスペーサ形成法を提供する。 - 特許庁 - An emission is monitored by an emission monitor 19 during the etching of a second metallic layer 3.
第２の金属層３のエッチング中に発光モニタ19にて発光をモニタリングする。 - 特許庁 - To eliminate a partial etching residue of a metal film and a barrier film while a semiconductor film is left alone, by allowing a sample temperature to be a specified value when etching with plasma a metal film of a multi-layer film which comprises a metal film, a barrier film, and a semiconductor film.
半導体素子の配線やゲート電極に用いられる金属と多結晶シリコンの多層膜を高精度、高選択に加工する方法を提供する。 - 特許庁 - An etching solution in which the metal to be etched starts to dissolve by etching treatment (n1), and trivalent iron is converted into bivalent iron, is subjected to regenerating treatment (n4) with hydrochloric acid and a hydrogen peroxide aqueous solution.
エッチング処理（ｎ１）によって、被エッチング金属が溶けだし、３価鉄が２価鉄に変化したエッチング液を塩酸と過酸化水素水で再生処理する（ｎ４）。 - 特許庁 - The conductive layer functions so as to dissipate a part of the charge storage generated on the wafer part during the etching thereof when the conductive layer is exposed during the etching of the wafer part.
ウエハ部分のエッチング中に導電層が露出されると、導電層はウエハ部分のエッチング中にウエハ部分上の電荷蓄積の一部を消散するように働く。 - 特許庁 - A figure indicates the course for etching a processed part b of the sample 6.
図５は試料６の加工部分ｂがエッチングされていく過程を示した図である。 - 特許庁 - To provide a dry etching device which can fix the gas composition in a reaction chamber so as to always maintain optimum etching conditions, regardless of the area of an object to be etched.
被エッチング物の面積によらず常に最適なエッチング条件を保つよう反応室内のガス組成を一定に制御可能なドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - A photo resist needs to be elaborated in order to carry out accurate dry-etching of the gate electrode.
ゲート電極のドライエッチングを精度よく行なうため、フォトレジストに工夫を凝らす。 - 特許庁 - This structure provides full overlap between a storage node contact and an active region, resolves an overlay problem in an etching process, and increases an etching line width of a storage node.
格納電極コンタクトと活性領域との間のフルオーバーラップを提供し、食刻工程でのオーバーレイ問題を解消し、格納電極の食刻線幅を増加させる。 - 特許庁 - Then a process of cleaning a silicon substrate surface by dry etching is carried out (S20).
次いで、シリコン基板表面をドライエッチによりクリーニングする処理を行う（Ｓ２０）。 - 特許庁 - METHOD OF PERFORMING WASHING TREATMENT AND WET ETCHING TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AT THE SAME TIME
半導体基板の洗浄処理及びウェットエッチング処理を同時に行う方法 - 特許庁 - The method is characterized by etching the surface of the resin substrate with an etching solution including a Pd compound, and then contacting it with an aqueous solution including a reducing agent.
Ｐｄ化合物を含むエッチング液を用いて樹脂基材表面をエッチング処理した後、還元剤を含む水溶液に接触させることを特徴とする方法。 - 特許庁 - In the above structure, first, on a first etching condition, a hole is formed in such a way that it penetrates up and down the interlayer insulating film 5 and exposes the surface of the etching stopper film 4.
前述の構造においては、まず、第１のエッチング条件で、層間絶縁膜５を上下に貫通し、エッチングストッパ膜４の表面を露出させるホールが形成される。 - 特許庁 - A method for etching the coating on the substrate of the surface of the substrate is also provided.
基板上の被膜または基板の表面をエッチングする方法も記載している。 - 特許庁 - To provide a wafer edge etching washing treatment apparatus that can reliably etch merely a specific range of an edge when performing etching washing treatment to the edge a wafer.
ウエ−ハの端面をエッチング洗浄処理する際、端面の所定範囲のみを確実にエッチングできるようにしたウエ−ハ端面エッチング洗浄処理装置を提供する。 - 特許庁 - The method for forming the pattern of the circuit board comprises the steps of forming the pattern by a plurality of etching liquids having different dissolving speeds of the copper and the copper alloy or an etching method.
回路基板のパターン形成において、銅および銅合金の溶解速度の異なる複数のエッチング液あるいはエッチング方法によりパターン形成を行う。 - 特許庁 - To reduce undesired etching by using chemicals to improve the quality of chemical processing.
薬液による不所望なエッチングを低減して、薬液処理の品質を向上する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a liquid jet head in which an escape groove is formed by anisotropic etching while protecting the (111) plane defining a through-hole, and to provide a manufacturing method of a microdevice for achieving such anisotropic etching.
貫通孔を構成する（１１１）面を保護しながら逃げ溝を異方性エッチングにより形成する液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the etching process advances to some degree, the corrosion-proof film in the side of +Z axis is removed and thereafter a part with side surface residues of vibration leg are removed with the wet etching process.
ある程度エッチングが進んだら、＋Ｚ軸側の耐食膜を除去した後、さらにウエットエッチング加工を行って振動脚の側面残渣の発生部分を除去する。 - 特許庁 - Based on the tip shape of the extracted etching residues, residues (due to, for example, a crystal defect, dust, etc.) other than etching residues due to the watermark are excluded.
抽出したエッチング残渣の先端形状に基づき、ウォーターマークに起因したエッチング残渣以外の（例えば結晶欠陥やゴミなどに起因した）残渣を除外する。 - 特許庁 - To provide a method to determine a resist trimming time in an etching process.
エッチングプロセスにおけるレジストトリミング時間を決定するための方法を提供する。 - 特許庁 - To control the etching rate and to detect the end point in the formation of an optical element by transferring a three-dimensional shielding structure on a base material to a base material by dry etching.
基材上に設けた３次元形状遮蔽構造物をドライエッチングにて基材に転写する光学素子形成において、エッチング速度制御と終点検出を行う。 - 特許庁 - ETCHANT COMPOSITION FOR COPPER-CONTAINING MATERIAL AND METHOD FOR ETCHING COPPER-CONTAINING MATERIAL
銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 - 特許庁 - To control dry etching speed on a film boundary even in the case of the same material.
同じ材料であっても、膜界面においてドライエッチング速度を制御する事。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for discriminating an etching end, which can perform an etching end discrimination for a semiconductor wafer stably, even if the semiconductor wafer has a low effective aperture rate.
低開口率の半導体ウェハであっても、半導体ウェハのエッチング終点を安定に検出できるエッチング終点判定方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - By applying etching to it, the stock for shadow mask in which electron beam transmission holes free from dispersion of hole diameter in the part pierced by etching and excellent uniformity of hole diameter are formed can be obtained.
これをエッチング加工することにより、エッチング穿孔部の孔径ばらつきのない、孔径の均一性に優れる電子線透過孔を形成したシャドウマスク用素材が得られる。 - 特許庁 - ETCHING AGENT AND MANUFACTURE OF SUBSTRATE FOR ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME AND ELECTRONIC EQUIPMENT
エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 - 特許庁 - The etching selectivity of the contact layer to the active layer is high and hence in a channel etching process the thickness of the active layer can be made uniform in the substrate plane.
さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。 - 特許庁 - Then, by adjusting the content of the etching suppressing element or the etching accelerating element, the taper angle of a sidewall in a recessed and projected shape formed on the base material 1 is controlled.
そして、エッチング抑制元素又はエッチング促進元素の含有量を調整することにより、基材１に形成される凹凸形状の側壁のテーパ角を制御する。 - 特許庁 - To provide a method for etching a magnetic material which makes the manufacture of a fine element possible by reducing the amount of again adhering reaction products and etching a magnetic material into a satisfactory shape.
反応生成物の再付着量が少なく、エッチング形状が良好になり、微細な素子の作製を可能にする磁性材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, all the etching treatment parameters such as etching speed, end point detection and chamber maintenance can be characterized by the method in which the autonomous operations of the system are enabled.
従って、エッチング速度、終点検出、及び室保守の様なエッチング処理パラメタは、全部がシステムの自律的動作を可能にするやり方で特徴付けられる。 - 特許庁
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