「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 95 96 97 98 99 100 101 102 103 .... 399 400 次へ＞- To provide an etching apparatus which can accurately control an etching condition and can stably form a fine wiring, and to provide a method for manufacturing an etched substrate.
エッチング条件を精密に制御することが可能で、ファイン配線も安定して形成することができるエッチング装置およびエッチング基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since the fluorosilicic acid is removed from the recovered acid, when the recovered acid is reused as, for instance, an etching liquid, etching speed can be prevented from decreasing.
回収した酸は、ケイフッ酸が除去されているので、例えば、回収した酸を、エッチング液として再利用する場合に、エッチング速度が低下するのを防ぐことができる。 - 特許庁 - A first insulation film, first etching stopper film, second insulation film, and second etching stopper film are formed in order on a semiconductor substrate formed with a conductive region.
本発明では、導電領域が形成された半導体基板上に第１絶縁膜、第１エッチング阻止膜、第２絶縁膜及び第２エッチング阻止膜を順次形成する。 - 特許庁 - This etching method is for etching the metal consisting principally of tantalum exposing it to chlorine-based gas containing oxygen in the range of 0.2 to 4%.
タンタルを主成分とする金属を、０．２％よりも多く且つ４％以下の酸素を含有する塩素系ガスに晒してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁 - The density of the etching gas plasma is influenced by the potential of the main wiring film 34, but the etching speed becomes uniform because the main wiring films 34 are set to the same potential.
エッチングガスプラズマの密度は、主配線膜３４の電位に影響を受けるが、主配線膜３４は同電位にされているから、エッチング速度が均一になる。 - 特許庁 - It is also preferable that the etching gas contains the gas mixture of a fluorocarbon gas and an O_2 gas.
エッチングガスは、フロロカーボンガスとＯ_２ガスとの混合ガスを含むことが好ましい。 - 特許庁 - Then the plasma impedance during etching is monitored to detect the silicon- rich layer 20, whereby etching is made to stop and a wiring groove 17 is formed in the film 13.
次に、エッチング中のプラズマインピーダンスをモニタしてシリコンリッチ層２０を検出することによりエッチングを停止させ、第２の層間絶縁膜１３に配線溝１７を形成する。 - 特許庁 - Treatment is then executed in order of the developing of the second positive type photoresist layer, the etching of the oxide film 13, the developing of the first positive type photoresist layer and the etching of the oxide film 13.
ついで、第２ポジ型フォトレジスト層の現像、酸化膜１３のエッチング、第１ポジ型フォトレジスト層の現象、酸化膜１３のエッチング順に処理を行う。 - 特許庁 - The solution containing the aluminum, phosphoric acid and sulfuric acid may contain etching waste liquid.
アルミニウム、リン酸、及び硫酸を含有する溶液は、エッチング廃液を含んでもよい。 - 特許庁 - Furthermore, it is mounted on a reaction ion etching device capable of performing aeolotropic etching, and the SiO2 film 43g is etched until a surface of an Al film 42g is exposed (f).
更に、異方性エッチングが可能な反応性イオンエッチング装置に装着し、ＳｉＯ_2膜４３ｇをＡｌ膜４２ｇの表面が露出するまでエッチングする(ｆ)。 - 特許庁 - Thereby, at the time of etching the silicon substrate 10, the silicon nitrate membrane 11 is functioned as an etching stopper, therefore the silicon oxide membrane 12 is prevented from being eliminated.
これにより、シリコン基板１０をエッチングする際に、シリコン窒化膜１１がエッチングストッパとして機能し、シリコン酸化膜１２が除去されないようにすることができる。 - 特許庁 - Next, using this photoresist layer PR as a mask and the gas of the phlorocarbon system as the etching gas, the plasma etching is executed to the interlayer insulating film 10 to form a micro-lens 11.
次に、このホトレジスト層ＰＲをマスクとして、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして用いて、層間絶縁膜１０のプラズマエッチングを行い、マイクロレンズ１１を形成する。 - 特許庁 - To prevent Si solved out from a silicon board forming an integrated circuit from being attached to a wiring layer in manufacturing the integrated circuit by etching with the etching liquid.
エッチング液でエッチング処理して集積回路を得る際に、該集積回路を構成するシリコン基板から溶出したＳｉが配線層に付着することを回避する。 - 特許庁 - This etching method of an acceleration cavity includes processes of: (I) immersing the acceleration cavity in an etchant in a vessel; and (II) etching the acceleration cavity in a state where the pressure in the vessel is increased.
（I）容器内のエッチング液に加速空胴を浸漬する工程、及び、（II）前記容器内を加圧した状態で前記加速空胴をエッチングする工程を包含する。 - 特許庁 - COMPOSITE ELECTRODE PLATE, ITS USAGE, AND PLASMA ETCHING DEVICE MOUNTED THEREWITH
複合型電極板、それの使用方法及びそれを装着したプラズマエッチング装置 - 特許庁 - The upper face (surface) of a first region 110 of the vibration electrode is configured of a chrome layer, and formed of materials whose etching rate in dry etching is relatively small.
励振電極の第１の領域１１０はその上面（表面）がクロム層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。 - 特許庁 - The manufacturing process of the ink jet head comprises the etching step for boring nozzle holes in a filmlike resin material by wet etching using ink jet method.
フィルム状の樹脂材料にインクジェット法を用いたウエットエッチング法によりノズル孔を形成するエッチング工程を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁 - The silicon substrate 1 is subjected to wet etching and tapered by using the sidewall film 6 and the silicon nitride film 3 as a mask, and successively, it is subjected to anisotropic etching and a trench groove 8 is formed.
このサイドウォール膜６及びシリコン窒化膜３をマスクとして、シリコン基板１をウエットエッチして順テーパー角にし、続いて異方性エッチングしてトレンチ溝８を形成する。 - 特許庁 - Since the etching liquid composition does not contain hydrogen peroxide, the stability and the process margin can be secured, and superior taper etching profile can be obtained.
本発明のエッチング液組成物は過酸化水素を含有しないので安定性と工程上マージンを確保することができ、優れたテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 - 特許庁 - The mesa step is formed by dry-etching using a tapered shape of a resist.
メサ段差部は、レジストのテーパ形状を利用してドライエッチングを用いて形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PRODUCTION OF INK JET HEAD, INK JET HEAD AND INK JET RECORDER
エッチング方法、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTROLYTIC ETCHING APPARATUS AND APPARATUS FOR MANUFACTURED SEMICONDUCTOR
半導体装置の製造方法、電解エッチング装置および半導体製造装置 - 特許庁 - A silicon sub-mount having at least one groove formed by wet etching is manufactured.
湿式エッチングによる少なくとも１つの溝を備えるシリコンサブマウントを製造する。 - 特許庁 - The shape of scratch after etching is made flat or into a projection by carrying out etching using mixture solution of ammonia concentration of 0.12 wt% and hydrogen peroxide of 0.03 wt%.
アンモニア濃度０．１２ｗｔ％、過酸化水素濃度０．０３ｗｔ％の混合溶液でエッチングすることにより、エッチング後のスクラッチ形状を平坦ないし凸状にする。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
ＩＩＩ族窒化物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - PARTIAL ETCHING FOR SURFACE MODIFICATION OR CONTROLLING OF DEPOSITION BY PULSE ION BEAM
パルスイオンビームによる表面改質のための局所エッチングまたは堆積の制御 - 特許庁 - Then, the etching solution provides the adequate reproducibility of an etching rate, and makes the thin film of metallic silver or the silver alloy etched with the adequate precision of the dimension.
即ち、エッチングレートの良好な再現性が得られ、金属銀薄膜または銀合金薄膜に対して良好な寸法精度でエッチングを行うことができる。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING ETCHING PROXIMITY EFFECT CORRECTION MODEL, ETCHING PROXIMITY EFFECT CORRECTION MODEL, METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN, PHOTOMASK, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング近接効果補正モデルの作成方法、エッチング近接効果補正モデル、マスクパターンの補正方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR MACHINING SUBSTRATE, DRY ETCHING METHOD OF POLYETHERAMID RESIN LAYER, MANUFACTURE OF INK JET RECORDING HEAD, INK JET HEAD AND INK JET PRINTER
基板に加工を行うためのエッチング方法およびポリエーテルアミド樹脂層のドライエッチング方法、並びに、インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリント装置 - 特許庁 - MONOCRYSTAL SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING WITH LITTLE IN-PLANE VARIATION OF SPECIFIC RESISTANCE VALUE
比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 - 特許庁 - In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.
ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁 - In this way, high and uniform electrostatic capacitance by etching treatment can be obtained.
これにより、エッチング処理による高く、均一な静電容量を得ることができる。 - 特許庁 - An etching mask 23 is formed on the metal film 17 containing the titanium and formed on a semiconductor substrate, and the metal film 17 is dry-etched through the etching mask 23.
半導体基板上に形成されたチタンを含む金属膜１７上にエッチングマスク２３を形成し、エッチングマスク２３を介して、金属膜１７をドライエッチングする。 - 特許庁 - The etching rate of the upper layer 34A using a fluorine radical is lower than that of the lower layer 34B.
上層３４Ａのフッ素ラジカルによるエッチングレートが、下層３４Ｂよりも低い。 - 特許庁 - Anisotropic etching is given to the silicon thin film 2 using this photoresist 3 as an etching mask and a pattern where circular openings are arranged is formed to the silicon thin film 2.
このフォトレジスト３をエッチングマスクとして用いてシリコン薄膜２に異方性エッチングを施し、シリコン薄膜２に円形の開口が配列されたパターンを形成する。 - 特許庁 - To control a ridge shape and ridge height by controlling the stabilization of wet etching which follows dry etching in the manufacture of a semiconductor device having a ridge shaped part.
リッジ形状部を有する半導体装置の製造において、ドライエッチングに引き続くウェットエッチングを安定して制御して、リッジ形状とリッジ高さを制御する。 - 特許庁 - Since the width of the insulator mask 16 is reduced by etching while etching the multiple quantum well layer 12, the quantum wire 17 having a desired width is formed.
多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。 - 特許庁 - During etching, etchant damages a passivation layer on a wafer somewhat.
エッチング中に、エッチング液がウェーハ上の不活性化層をいくらか損傷してしまう。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD
シリコン基板のエッチング方法及びその方法によって製造された半導体装置 - 特許庁 - The oscillator 112 is formed on a substrate 111 in etchant 102 by wet etching, and when the oscillator 112 having target oscillation characteristics is completely formed, the wet etching is stopped.
ウェットエッチングによりエッチング液102中で基板111に振動子112を形成して、目標の振動特性を持つ振動子112を達成できたところで、ウェットエッチングを停止する。 - 特許庁 - To provide an ion beam film forming device that can strictly control the thickness of a thin film to be formed and an ion beam etching device that can strictly control the thickness of etching.
形成する薄膜の膜厚を厳密にコントロールできるイオンビーム成膜装置およびエッチング厚を厳密にコントロールできるイオンビームエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To enhance productivity by simplifying the production process in a method for etching a crystal based semiconductor substrate such as a single crystal silicon wafer by touching it to etching liquid.
単結晶シリコンウエハなどの結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする方法において、製造工程を簡略化し、生産性を高める。 - 特許庁 - To calculate etching rate by easily and accurately measuring change in the absolute height when calculating, with the experiment, the etching rate of the mask portion and the region other than the mask portion.
実験によりマスク部及びマスク部以外の領域のエッチングレートを算出する際、絶対的な高さの変化を測定できず、正確にエッチングレートを算出できない - 特許庁 - The simultaneous etching of the double metallic layers is performed by using the etching solution containing a neutral salt and at least one selected from an inorganic acid and organic acid and hydrogen peroxide.
中性塩と無機酸と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素とを含むエッチング溶液を用いて二重金属層の一括エッチングを行う。 - 特許庁 - The acid silicon nitride layer protects the SOG material during a subsequent wet etching treatment.
酸窒化珪素層は、続く湿潤エッチング処理の間、ＳＯＧ材料を保護する。 - 特許庁 - To eliminate an under cut generated by wet anisotropic etching of a silicon wafer.
シリコンウェハの湿式異方性エッチングによって生じるアンダーカットを除去すること。 - 特許庁 - To reduce the difference in the etching rate between-various silicon oxide films to obtain excellent oxide removing efficiency, and to provide etching fluid useful on forming a cobalt silicide.
各種酸化シリコン膜間のエッチング速度差が少なく、且つ酸化物の除去効率に優れ、特にコバルトシリサイドを形成する場合に有益なエッチング液を提供する。 - 特許庁 - COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS MANUFACTURE METHOD, AND SUBSTRATE ETCHING METHOD
化合物半導体結晶およびその製造方法、ならびに基板のエッチング方法 - 特許庁 - Inside an etching chamber 1, a pair of positive and negative electrodes 11 and 12 is provided.
エッチング室１の内部には、正負一対の電極１１，１２が設けられている。 - 特許庁 - To provide a wet etchant used for etching in an aluminum-based metal wiring.
アルミニウム系金属配線のエッチングに使用するウエットエッチング液を提供すること。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
