「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 94 95 96 97 98 99 100 101 102 .... 399 400 次へ＞- To shorten a substrate treating time including etching treatment, and to collect etching liquid, and to surely remove a thin film formed on the back face of the substrate or the edge part of the substrate.
エッチング処理を含む基板処理時間を短縮し、かつエッチング液の回収が可能で、確実に基板の裏面あるいは基板端部に形成された薄膜を除去できる。 - 特許庁 - When the remaining second isolation layer 180a is removed through etching and the sacrificial layer 160 is removed through etching, the first isolation layer 140 is exposed.
エッチングにより前記の残留している第２遮断層１８０ａを除去し、犠牲層１６０もエッチングにより除去すると、第１遮断層１４０が露出する。 - 特許庁 - Then, the etching of the gate layer is carried out to form a desired feature.
その後、その所望のフィーチャーを形成するため、ゲート層のエッチングが実施される。 - 特許庁 - In a first recessed part schedule region, a new etching liquid is hard to flow into the recessed part, and further, the etching liquid in the recessed part is hard to flow out compared with the case of a second recessed part schedule region.
第１凹部予定領域では、第２凹部予定領域に比べて、新しいエッチング液が凹部に流入しにくく、また、凹部内のエッチング液が流出しにくい。 - 特許庁 - The etching radicals R can uniformly be introduced over the overall deposition chamber 2.
エッチングラジカルＲを成膜チャンバ２内の全体に亘って均一に導入できる。 - 特許庁 - make or take a proof of, such as a photographic negative, an etching, or typeset
写真ネガ、エッチングなどを製版するまた校正刷りをする、あるいは活字に組む - 日本語WordNet - After an opening is formed in the oxide film 11 by photo-etching, an anisotropic etching step is carried out with a mask of the oxide film 11 to form a trench 12 in the semiconductor substrate 10.
そして、フォトエッチングにより酸化膜１１を開口させたのち、酸化膜１１をマスクとした異方性エッチングを施し、半導体基板１０にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, a layer insulation film 8 is formed and a contact hole 10 is formed by etching.
その後、層間絶縁膜８を形成し、エッチングしてコンタクトホール１０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which eliminates etching process and forms dual damascene wiring without having to use an etching stopper as an interlayer film.
この発明は、エッチング工程を削減し、且つエッチングストッパーを層間膜に用いずにデュアルダマシン構造の配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the second oxide film 13 and the first oxide film 11 on the bottom of the trench 3, which have been damaged by the anisotropic etching, are completely removed by isotropic etching.
次いで、等方性エッチングによって、異方性エッチングによって損傷した第２酸化膜１３及びトレンチ３底部の第１酸化膜１１を完全に除去する。 - 特許庁 - (e) A mold having an aspherical surface-shaped recess 28 can be formed by etching the base board for forming the sacrifice layer again for a predetermined time by liquid phase etching.
（ｅ）この犠牲層を形成した基板を再度液相エッチングにより予め定めた時間だけエッチングすることにより、非球面状凹部２８をもつ成形型が形成できる。 - 特許庁 - By wet etching, only a silicon bulk substrate is removed by etching at high selectivity without removing an embedded oxide film 33 in the lower layer of the silicon bulk substrate of the semiconductor chip 2.
また、ウェットエッチングにより、半導体チップ２のシリコンバルク基板の下層にある埋込み酸化膜３３を除去せずに、シリコンバルク基板のみを高選択にエッチング除去する。 - 特許庁 - Further, the UV irradiation cures the tensile stress film 3, but the UV irradiation is done after the etching, and thus, etching failure that might be caused by such curing is avoided.
また、ＵＶ照射によって引っ張り応力膜３が硬化するが、エッチング後にＵＶ照射を行うため、そのような硬化に起因したエッチング不良の発生は回避される。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of thereafter etching the SOI layer 3 with an ammonia hydrogen peroxide water in the etching step, and finally forming an oxide film 9 an electrode 10 to complete the MOSFET.
その後、エッチング工程において、アンモニア過水によりＳＯＩ層３をエッチングして、最後に酸化膜９及び電極１０を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。 - 特許庁 - For the plasma etching, an etching gas including unsaturated fluorocarbon gas containing oxygen expressed as C_xF_yO (x is 4 or 5, y is integer, and y/x is 1-1.5) is used.
プラズマエッチングには、Ｃ_xＦ_yＯ（ｘは４又は５、ｙは整数でｙ／ｘは１〜１．５）で表される不飽和の酸素含有フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用する。 - 特許庁 - INK SUPPLY TRENCH ETCHING TECHNIQUE FOR COMPLETELY INTEGRATED THERMAL INK-JET PRINTING HEAD
完全に一体化した熱インクジェットプリントヘッド用のインク供給トレンチエッチング技術 - 特許庁 - Furthermore, the protective film existing in the peripheral part of each wafer after alkali etching is removed.
更に、アルカリエッチング後の各ウェーハの外周部に存在する保護膜を除去する。 - 特許庁 - An auxiliary film is formed on a side wall of the pattern and etched to form a second etching mask pattern 121a between first etching mask patterns in an automatic alignment manner.
このパターンの側壁に補助膜を形成し、これをエッチングすることにより、第１のエッチングマスクパターン間に第２のエッチングマスクパターン１２１ａを自動整列方式で形成する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法並びにコンピュータ記憶媒体 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor capable of increasing electrostatic capacity by making generation and growth of an etching pit more suitable.
エッチングピットの発生、成長をより好適化することにより、静電容量の増大を図ることのできる電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The plasma emission intensity of the etching marker layer 42 is larger than that of an n-type contact layer 21 and the lower cladding layer 25 that are in contact with the etching marker layer 42.
エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。 - 特許庁 - The aperture 3 is formed through a dry etching step, and its aspect ratio becomes lower by broadening the reference surface through an ensuing wet chemical etching process.
開口部３は、ドライエッチング工程により形成され、該開口部３のアスペクト比は続いて行われるウェットケミカルエッチング工程により基準表面部を広げることにより低くなる。 - 特許庁 - In plasma etching, a potential gradient on a substrate is vertical to the substrate.
プラズマエッチング時においては、基板上の電位勾配は、基板に対して垂直になる。 - 特許庁 - PLASMA TREATMENT METHOD, PLASMA FILM FORMING METHOD, PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
プラズマ処理方法、プラズマ成膜方法、プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - A trench 6, having a predetermined depth, is formed in the semiconductor substrate 1 by dry etching.
ドライエッチングにより半導体基板１に所定深さのトレンチ６を形成する。 - 特許庁 - To provide an etching method for an insulating film with high accuracy by performing an etching end point detection for a semiconductor wafer stably, even if the semiconductor wafer has a low effective aperture ratio.
低開口率の半導体ウェハであっても、半導体ウェハのエッチング終点を安定に検出して、絶縁膜のエッチングを精度高く行うエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR RECOVERING COPPER OXIDE FROM COPPER CHLORIDE- CONTAINING WASTE ETCHING SOLUTION AND APPARATUS THEREFOR
塩化銅含有エッチング廃液から酸化銅を回収する方法及びその装置 - 特許庁 - To provide a pattern forming method capable of easily removing photoresist remaining after dry etching processing in the case of forming a pattern by a dray etching method.
ドライエッチング法によってパターンを形成する場合に、ドライエッチング処理後に残存するフォトレジストを容易に除去することが可能なパターン形成方法を提供する - 特許庁 - To provide an etching method for a silver alloy film where, in a silver alloy film having an adhesive layer, a side etching width is reduced, and desired fine patterning is made possible.
密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The apparatus for wet etching the resin film is characterized by arranging a microwave radiation unit on an upper part of an etching tank.
本発明のエッチング装置は、樹脂膜をウエットエッチングするエッチング装置において、エッチング槽の上部にマイクロ波照射ユニットを設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁 - Using a normal silicon process such as lithography and etching, an SOI substrate is subjected to a process of lithography and wet etching with a hydrofluoric acid for forming a silicon bridge.
リソグラフィーとエッチングという通常のシリコン・プロセスを用いて、ＳＯI基板に対し、リソグラフィーを用いた加工とフッ酸によるウェット・エッチングを行うことで、シリコン・ブリッジを形成する。 - 特許庁 - The scrubber device may be provided with a program controller which supplies a non-etching fluid to the frontside of the wafer whenever an etching fluid is supplied to the backside of the wafer.
このスクラバ装置は、エッチング流体がウェーハの背面に供給されるときにウェーハの前面に非エッチング流体を供給するプログラム制御装置を備えていてもよい。 - 特許庁 - To provide a silicon anisotropically etching method and an apparatus thereof which makes a high-anisotropy and a good etched shape compatible with a high etching rate and high selectivity.
異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを両立できるシリコンの異方性エッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - RESIN COMPOSITION, SURFACE ETCHING, CIRCUIT SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION
樹脂組成物及び表面エッチング方法並びに回路基板及びその製造方法 - 特許庁 - In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.
そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor laser element capable of preventing side etching from progressing to a side wall of a GaAs cap layer when performing etching for forming a ridge part.
リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After the steam is added, the process gas is supplied to an atmospheric pressure plasma etching system 30.
水蒸気添加後の処理ガスを常圧プラズマエッチング装置３０へ供給する。 - 特許庁 - The etching mask 26a is used to process the IrO2 film 22 and form a top electrode 22a.
エッチングマスクを用いてＩｒＯ_2 膜を加工し、上部電極２２ａを形成する。 - 特許庁 - Furthermore, selective etching can be used for a formation of an emitter mesa, that of a base mesa, that of a ledge in the unit HBT, and gate recess etching in the unit FET for improved reproducibility.
更に、単位ＨＢＴのエミッタメサ、ベースメサ形成、レッジ形成および単位ＦＥＴのゲートリセスエッチングに選択エッチングを採用でき、再現性が良好となる。 - 特許庁 - An electrode support part 21 and a gap 22 are formed by wet-etching the insulating layer 2.
電極支持部２１、ギャップ２２は、絶縁層２をウェットエッチングして形成される。 - 特許庁 - The composition of the etching liquid is constituted of dodecylbenzenesulfonic acid, oxalic acid, and water.
ドデシルベンゼンスルホン酸とシュウ酸と水を配合してエッチング液組成物を構成する。 - 特許庁 - A hollow part is formed between the Si substrate 1 and the Si layer 31 by etching the SiGe layer 13 via the groove 43 by wet etching using nitrohydrofluoric acid.
次に、フッ硝酸を用いたウェットエッチングで、溝４３を介してＳｉＧｅ層１３をエッチングすることによって、Ｓｉ基板１とＳｉ層３１との間に空洞部を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor nano particles having a certain grain size are provided by using an optically etching method.
光エッチング法を用いることにより一定の粒径の半導体ナノ粒子を得る。 - 特許庁 - The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions.
第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。 - 特許庁 - Besides, the active layer side face is protected by the protection layer formed in the first etching step and therefore, damage to the active layer 24 during the second etching step is reduced.
活性層側面はその上に第１のエッチングで形成された保護層で保護されるので、第２のエッチング中における活性層２４へのダメージは低減される。 - 特許庁 - METHOD FOR REMOVING OVERHUNG USING SPUTTER ETCHING AFTER DEPOSITING LINER/BARRIER/SEED LAYERS
ライナー／バリア／シード層の堆積後にスパッタエッチングを用いてオーバハングを除去する方法 - 特許庁 - A trench etching mask oxide film 2 is formed on the upper face of a silicon substrate 1, etching by using the mask oxide film 1 is performed, and the trenches 3 are formed on the silicon substrate 1.
シリコン基板１の上面にトレンチエッチング用のマスク酸化膜２を形成し、マスク酸化膜２を用いたエッチングを行ってシリコン基板１にトレンチ３を形成する。 - 特許庁 - Next, a second etching-resistant resin layer 24 is formed on the second resist layer 22, and the opening 11 is formed by performing etching from the one surface 20A side of the metal substrate 20.
次に第２のレジスト層２２上に、第２の耐エッチング樹脂層２４を設け、金属基板２０の一面２０Ａ側からエッチングを施して、開孔１１を形成する。 - 特許庁 - To remove the greater part of the photoresist layer, wet etching work is carried out.
フォトレジスト層の大部分を除去するために、湿式エッチング作業が行われる。 - 特許庁 - The acoustic cavity is formed on a back surface of the silicon substrate 12 by anisotropic dry etching.
異方性ドライエッチングでシリコン基板１２の背面に音響キャビティーを形成する。 - 特許庁
