「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 91 92 93 94 95 96 97 98 99 .... 399 400 次へ＞- A polycrystalline silicon island is formed by etching and, thereafter, a gate oxide layer 13 and a metal layer are formed, then, a gate electrode 14 and a data line 15 are formed by etching.
エッチングにより多結晶シリコンアイランドを形成した後、ゲート酸化層１３と金属層を形成し、エッチングによりゲート電極１４とデータライン１５とを形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANAGING SURFACE CLEANLINESS OF SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR DETECTING ETCHING MARGIN
半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME
ウエットエッチング方法およびそのウエットエッチング方法を用いた電子素子の製造方法 - 特許庁 - As the etching gas at this time, a mixture gas of SF_6, CHF_3 and Ar is used.
このときのエッチングガスには、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁 - A heat amount calculation part 22 calculates a heat amount generated during etching based on a temperature rise amount calculated from the obtained temperature and an etching time.
熱量算出部２２は、取得された温度から算出される温度上昇量とエッチング時間とに基づいて、エッチング中に発生した熱量を算出する。 - 特許庁 - To provide an etching device which can relatively easily carry out etching treatment, without causing large thickness variation among many semiconductor substrates.
多数の半導体基板に、それぞれの厚さ寸法に大きなばらつきを生じることなく、比較的容易にエッチング処理を施し得るエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of burying the metal plug in the port, then dry etching exposed surfaces of the fifth interlayer dielectric and the plug with an atmosphere containing a CF4 and executing etching back.
接続口に金属プラグを埋め込んだ後、第５の層間絶縁膜と金属プラグの露出表面をＣＦ4ガスを含む雰囲気でドライエッチングを行い、エッチバックを実施する。 - 特許庁 - The etching mask consists of a light-absorbing layer made of a material absorbing a laser beam.
エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, CRYSTALLINITY EVALUATING METHOD, AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To reduce variations in an etching rate in an arranged state, and to reduce variations in the shape in the depthwise direction of a recessed pattern by the variations of the etching rate in a semiconductor device.
半導体装置において、配置状態によるエッチングレートのばらつきを低減し、エッチングレートのばらつきによる凹状パターンの深さ方向の形状ばらつきを低減する。 - 特許庁 - Through the side wall layer, a first set of characteristics are etched in the etching mask stack.
側壁層を通して、第１組の特徴が、エッチングマスクスタック内へとエッチングされる。 - 特許庁 - ETCHING PROCESS FOR PRODUCING SILICON HAVING SUBSTANTIALLY NO UNDERCUT ON INSULATOR STRUCTURE
実質的にアンダカットのないシリコンを絶縁体構造上に作製するエッチング工程 - 特許庁 - APPARATUS FOR ETCHING GLASS WAFER AND GLASS SHEET MANUFACTURED BY THE SAME
硝子基板のエッチング装置と前記エッチング装置によって製造された硝子薄板 - 特許庁 - The etching method of a resin film comprises, when the film is etched, irradiating a microwave in the system at least one of before the etching is made or during it is made.
樹脂膜をエッチングするに際し、エッチング前もしくはエッチング中の少なくとも一方において、マイクロ波を照射することを特徴とする樹脂膜のエッチング方法。 - 特許庁 - The etching radicals R can efficiently flow into the corners 8 in the deposition chamber 2.
エッチングラジカルＲを成膜チャンバ２内のコーナ部８に効率良く流入できる。 - 特許庁 - To provide a magnetic material dry etching method capable of precisely etching a very small area to be etched of a magnetic material of the area width of ≤ 150 nm.
領域幅が例えば１５０ｎｍ以下の磁性材の微細なエッチング対象領域を精密にエッチングすることができる磁性材のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The stopper film 65 is formed by using a material in which an etching rate of an etching in the step of forming the contact holes 71, 72 is smaller than that in the step of forming the interlayer insulating film 7.
ストッパ膜６５は、コンタクトホール７１、７２を形成する工程のエッチングのエッチングレートが、層間絶縁膜７よりも小さい材料を用いて形成する。 - 特許庁 - To provide an etching liquid for copper which can perform etching while maintaining the top shape of a pattern even if being continuously or repeatedly used, and to provide a method for forming a conductor pattern using the same.
連続又は繰り返し使用してもパターンのトップ形状を維持しながらエッチングできる銅のエッチング液と、それを用いた導体パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - At the point of time in which the concn. of ferrous chloride in a ferric chloride etching soln. in a reproducing soln. tank 4 reaches a 1st set concn., the spray pressure of the etching soln. is raised.
再生液槽４における塩化第二鉄エッチング液中の塩化第一鉄濃度が、第１の設定濃度に達した時点でエッチング液のスプレー圧力を上げる。 - 特許庁 - By adjusting a composition ratio, a band gap of the etching stop layer 30 can be made larger than that of an active layer 23, and optical absorption in the etching stop layer 30 is suppressed.
組成比の調整によりエッチングストップ層３０のバンドギャップを活性層２３よりも広くすることが可能となり、エッチングストップ層３０での光吸収が抑えられる。 - 特許庁 - An etching stopper 2 having light-transmission and insulation property is formed on one side surface 31 of a main substrate 5 and an EL element 6 is formed on the etching stopper 2.
主基板５の一方面３１上に透光性および絶縁性を有するエッチングストッパ２を形成し、このエッチングストッパ２の上にＥＬ素子６を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, the metal plate 40 undergoes an etching process to have the circuit 36.
その後、金属板４０に対してエッチング処理を施して、回路３６を形成する。 - 特許庁 - Then, optimum etching time required for etching the opening part with the desired opening diameter ϕ up to the desired depth H is obtained based on the third correlation relationship.
第３の相関関係に基づいて、被エッチング膜に所望の開口径を持つ開口部を所望のエッチング深さまでエッチングする場合に要する最適エッチング時間を求める。 - 特許庁 - To start discharging stably in plasma etching which uses He gas.
Heガスを用いたプラズマエッチングにおいて、安定的に放電開始をおこなうものである。 - 特許庁 - Consequently, the etching time needed to form the end surface of the optical waveguide is shortened.
これにより、光導波路の端面形成に必要なエッチング時間を短縮する。 - 特許庁 - After that, recesses 23 having new shapes thereon are formed by etching on the printing surface 20.
その後、印刷面２０には、エッチングにて新たな形状の凹部２３を形成する。 - 特許庁 - Next, the patterning of the reflection preventing film is carried out by etching employing fluorine series gas.
次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより反射防止膜のパターニングを行う。 - 特許庁 - To provide a etching method of semiconductor substrate, capable of forming a recess having an accurately controlled depth without depending on a shape or a size of an etching pattern.
エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - In the next step, after removing the resist film 36 outside the wiring groove 35 by means of dry-etching method, the resist film 36 inside the groove is removed by means of wet-etching method.
次に、ドライエッチングにより、配線溝３５の外側にあるレジスト膜３６を除去した後、ウェットエッチングにより、配線溝３５の内部にあるレジスト膜３６を除去する。 - 特許庁 - To process an ink supply port, etc. with high accuracy by etching a silicon anisotropically.
シリコンの異方性エッチングによってインク供給口等を高精度に加工する。 - 特許庁 - Moreover, in a drop etching method, etching can be equalized by providing a member opposed to the substrate 102 with a gas discharge port thereby preventing the occurrence of bubbles.
また、ドロップエッチング法においては、基板と対向する部材に気体放出口を設けることにより気泡の発生を防いで、エッチングを均一にすることができる。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device and its manufacturing method capable of preventing the occurrence of an etching residue without an etching time increased when a level difference adjustment film is formed.
エッチング時間を増加させることなく、段差調整膜を形成する際のエッチング残渣の発生を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - After this etching protective film 23 is formed, a resist mask 24 for regulating a groove area is formed on the surface of the etching protective film 23 outside the area on which two V-shaped grooves are formed.
このエッチング保護膜２３の形成後、２つのＶ型の溝を形成する領域外のエッチング保護膜２３の表面に溝領域規定用レジストマスク２４を形成する。 - 特許庁 - In etching, the focus ring 8 rises up to an etching position together with an ESC stage 3 while being floated from the support 10 to ensure a stable plasma region.
エッチング時には、フォーカスリング８がＥＳＣステージ３とともにエッチングポジションまで上昇し、支柱１０から浮いた状態になって安定なプラズマ領域を確保する。 - 特許庁 - To solve the following problem: wet etching a silicon nitride film including arsenic with the use of phosphoric acid generates a reaction product (a particle) in a wet etching solution to cause a contamination.
砒素を含んだシリコン窒化膜に対して、燐酸を用いたウェットエッチングを行うと、ウェットエッチング液中に反応生成物（パーティクル）が発生し、汚染の原因になってしまう。 - 特許庁 - To realize desired pattern widths stably by trimming by plasma etching.
プラズマエッチングを用いたトリミングにより、目的とするパターン幅を安定性よく実現する。 - 特許庁 - A conduction hole 7 is then bored at a specified position of the insulating base material 4 machined thin through plasma etching, wet etching or laser machining means.
そして、薄く加工した絶縁べ−ス材４の所定の箇所に再度プラズマエッチング又はウエットエッチング加工或いはレ−ザ−加工手段で導通用穴７の加工を行う。 - 特許庁 - METHOD OF SETTING ETCHING QUALIFICATION, SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
エッチング条件の設定方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING LIQUID EJECTION HEAD
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに液体吐出ヘッドの製造方法 - 特許庁 - To form an opening for electrically connecting between a lower layer wiring and an upper layer wiring efficiently and at a low cost without causing an excessive etching or etching shortage.
下層配線と上層配線との間を電気的に接続するための開口部を、過剰エッチングやエッチング不足を生じることなく、効率よく且つ低コストで形成する。 - 特許庁 - At the time of etching the barrier layers 6 and 5, the hard mask 10 is etched back automatically using fluorine based gas such that the hard mask 10 disappears at the end of etching.
バリア層６、５をエッチングする時にフッ素系ガスを用いることにより、ハードマスク１０を自動的にエッチバックし、エッチング終了時にハードマスク１０を消滅させる。 - 特許庁 - Then the Cu layers 6, 8 of the etchable part 11 is eliminated by etching (f).
次に、エッチング可能部１１のＣｕ層６、８をエッチング処理により除去する（ｆ）。 - 特許庁 - This etching can suppress film reduction in the exposed part.
このようにエッチングを行うことで、露出された部分の膜減りを抑えることができる。 - 特許庁 - A first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 comprising glass substrates are prepared, on which a first etching stopper layer and a second etching stopper layer HFFS2 are formed in this order.
第一の基板ＳＵＢ１と弟２の基板ＳＵＢ２をガラス基板とし、その上に第一のエッチングストッパ層と第二のエッチングストッパ層ＨＦＦＳ２をこの順で形成する。 - 特許庁 - (c) After removing the second etching mask layer 14, part of the backside semiconductor layer 9 in the weight section formed region 4 is etched using the first etching mask layer 12 as a mask.
第２エッチングマスク層１４を除去した後、第１エッチングマスク層１２をマスクにして重錘部形成領域４の裏面側半導体層９の一部をエッチングする（ｃ）。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING CARBON-CONTAINING FILM AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
炭素含有膜エッチング方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a method for making an etching groove for optical fiber setting and an etching groove for an optical waveguide of an optical coupler with less error of mask alignment.
光結合器の光ファイバ装着用エッチング溝と光導波路用のエッチング溝とをマスクアライメントによる誤差を少なく製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - MEMBER FOR SEMICONDUCTOR WAFER ETCHING CONSISTING OF SILICA GLASS SINTERED COMPACT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
シリカガラス焼結体からなる半導体ウエハエッチング用部材とその製造方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of preventing damage of etching by protecting a tunnel insulating film exposed upon a gate pattern etching process.
ゲートパターンエッチング工程の際に露出するトンネル絶縁膜を保護してエッチング損傷を防止することが可能な半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The contact etching/plating process is performed in local etching/plating cells 12, 14 in closed or open cavities between the master electrode 8 and the substrate 9.
密接エッチング／めっきプロセスは、マスター電極（８）と基材（９）の間の閉じた又は開いたキャビティ中の局所的なエッチング／めっきセル（１２，１４）中で実施される。 - 特許庁
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