「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 87 88 89 90 91 92 93 94 95 .... 399 400 次へ＞- To provide an etching method and apparatus for a wafer edge in which etching liquids of different components or blending can be reused by concurrently and simultaneously etching edge portions of multilayered wiring of an insulating film or a metal film formed on an upper surface of the wafer.
ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - This stopper layer performs a role of an etching stopper when etching back the unnecessary embedded layer at the upper part of the trench (step S20), and hence a step between the stopper layer and the field oxide film is reduced after the etching to improve the flatness of an element isolation region.
このストッパ層はトレンチ上部の不要な埋め込み層をエッチングバックする際に（工程Ｓ２０）エッチングストッパの役割を果たすので、エッチング後にストッパ層とフィールド酸化膜との段差が少なくなり素子分離領域の平坦性が向上する。 - 特許庁 - Moreover, the desired etching shape can be attained by providing, as the upper layer of the silicon nitride film 6, a first TEOS oxide film 7, having higher etching selection ratio for the silicon nitride film 6 so that the silicon nitride film 6 functions effectively as the etching stopper layer.
さらに、窒化シリコン膜６の上層には、窒化シリコン膜６に対してエッチング選択比の高い第１ＴＥＯＳ酸化膜７を設けることにより、窒化シリコン膜６がエッチングスットパ層として有効に機能するので、所望するエッチング形状が得られる。 - 特許庁 - To improve etching characteristics such as an etching rate and an etching anisotropy, to reduce the formation of a polymer film on the side wall of a pattern, and to efficiently remove the polymer film formed on the side wall of the pattern.
エッチング速度およびエッチング異方性などのエッチング特性を向上し、パターン側壁ポリマー膜の生成を低減するとともに生成したパターン側壁ポリマー膜を効率よく除去することのできる多層膜材料のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - After that, the electrode 8 whose surface facing the cavity is exposed is, as one electrode for electrolytic etching, energized with another electrode 12 in contact with an electrolytic etching solution provided outside and subjects the sacrificial layer to electrolytic etching to form the cavity 9.
その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。 - 特許庁 - To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.
Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - First and second ridges 32 and 33 are formed in the first and second semiconductor lasers 19 and 29 by dry etching, using a resist 31 as a mask, and the dry etching is stopped when a second etching stopper layer 25 is exposed in a side part of the second ridge 33.
レジスト３１をマスクとしたドライエッチングにより、第１，第２の半導体レーザ１９，２９に第１，第２のリッジ３２，３３を形成し、第２のリッジ３３の横の部分において第２のエッチングストッパ層２５が露出した時点でドライエッチングを停止する。 - 特許庁 - To provide a method of removing processing damage of an Si wafer by achieving wet etching by a mixed acid that brings the Si wafer into a surface condition at a level without roughening it at an etching rate of 10-60 μm/min and at uniformity of ±5% with respect to an etching amount.
１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。 - 特許庁 - A material composed of two layers of an insulating base material 2 and adhesive polyimide 3 which differ in etching resistance is used as the insulating base material, and the hole 6 for conduction is formed by resin etching using a conductor layer on a higher etching-resistance side as a conformal mask.
絶縁べ−ス材としてエッチング耐性が異なる絶縁べ−ス材２と接着性ポリイミド３との２層からなる材料を用い、エッチング耐性の高い側の導体層１をコンフォ−マルマスクとして樹脂エッチングして導通用孔６を形成する。 - 特許庁 - To provide an etching agent having a sufficient etching selection ratio for a substrate silicon oxide film with a slight influence on a resist film when silicongermanium is wet etched and capable of collectively etching a cap Si film and an SiGe film.
シリコンゲルマニウムをウェットエッチング処理する際にレジスト膜に対する影響が少なく、下地シリコン酸化膜に対して十分なエッチング選択比を有し、キャップＳｉ膜とＳｉＧｅ膜の一括エッチングが可能なエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁 - The method for manufacturing a microneedle includes a step of forming an island-like etching mask, which has a thickness distribution, on a substrate, and a step of processing the substrate into needle shape by using a difference between the etching rate of the etching mask and that of the substrate.
基板上に厚み分布をもつ島状のエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクと基板とのエッチングレートの差を利用して前記基板を針状に加工する工程とを含むことを特徴とするマイクロニードルの製造方法。 - 特許庁 - The etching speed to be provided under the same condition without using a dummy wafer is stably maintained by carrying out a plasma etching process by O_2 gas by using this inductively coupled plasma etching device before a main process.
本発明による誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてＯ_2ガスによるプラズマエッチング処理を本処理前におこなうことで、ダミーウェハを用いなくても同一条件下において得られるエッチング速度を安定的に維持するを可能にした。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a dual damascene wiring capable of etching a wiring groove while protecting a lower layer wiring and keeping the shape of a via hole good without using an etching stopper in the case of etching the wiring groove.
配線溝エッチング時に、エッチングストッパ層を用いず、下層配線を保護しつつ、かつビア孔形状を良好に保って、配線溝のエッチングを行なえる、デュアルダマシン配線を有する半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - On the basis of the found ethyl alcohol addition ratio, the optimum addition ratio is determined, etching operation is carried out with use of the etching gas containing the optimum addition ratio of ethyl alcohol to remove a part of an anti-reflection film to be exposed from the etching mask.
求められたエチルアルコール添加比率に基づいて、前記最適添加比率が決定され、この最適な添加比率のエチルアルコールを含むエッチングガスを用いたエッチング処理により、反射防止膜のエッチングマスクから露出する部分が除去される。 - 特許庁 - To provide an electromagnetic wave shielding member which is adapted to have a resistance against mesh working by etching by not only incorporating a transparency and electromagnetic wave shielding properties but also eliminating discoloring of an adhesive in the meshing work by etching and upgrading an etching workability.
透視性と電磁波遮蔽性を有するだけでなく、エッチングによるメッシュ加工における接着剤の変色を無くし、エッチング加工性を良くし、エッチングによるメッシュ加工に対する耐性を持つような電磁波遮蔽用部材を提供すること。 - 特許庁 - The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.
本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁 - To provide an etchant for an AlGaAs-based compound semiconductor layer of which an etching layer is unlikely to be oxidized, and which is easy in the control of a shape and an etching width also when a level difference is formed by etching.
エッチング層が酸化されにくく、かつエッチングにより段差を形成する場合においても、形状やエッチング幅の制御が容易であるＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層用のエッチング液、エッチング方法および段差を有する半導体基板の提供。 - 特許庁 - Since wet etching is advanced from an exposed surface 7 of a vibration arm part 2 and the wet etching is further advanced from a modified layer 6 formed on the crystal plane 5 (5A, 5B), a problem that the wet etching is not advanced on the crystal plane 5 (5A, 5B) can be solved.
振動腕部２の露出面７からウェットエッチングが進行し、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）に形成された改質層６から、ウェットエッチングがさらに進行するので、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）で、ウェットエッチングが進行しないという問題を解消できる。 - 特許庁 - This etching step includes a step (step S7) of setting an incident angle of an ion beam made incident on the surface of the magnetic recording medium side of the laminated part to ≥40° to ≤88°, and carrying out ion beam etching or dry etching by ion milling.
このエッチング段階は、前記積層部の前記磁気記録媒体側の面に入射させるイオンビームの入射角度を、４０゜以上８８゜以下に設定して、イオンビームエッチング又はイオンミリングによるドライエッチングを行う段階（ステップＳ７）を含む。 - 特許庁 - To provide a dry etching method of a device sheet, by which prescribed dry etching can be exactly performed by fixing the device sheet onto the surface of a substrate in the flat state and peeling after the dry etching can be performed without any trouble and to provide a jig used therefor.
デバイスシートを基板の表面上に平坦な状態で固定して所要のドライエッチングを正確に行えると共に、係るエッチング後の剥離も支障なく行えるデバイスシートのドライエッチング加工方法およびこれに用いる治具を提供する。 - 特許庁 - The base plate 12 has laminated structure equipped with a surface layer 12c where the optical element is supported and which is partially etched and an etching stopper layer 12b functioning as an etching stopper to an etching medium for the surface layer under the surface layer.
支持基板１２は、前記光学素子が支持され部分的にエッチング処理を受ける表層１２ｃと、該表層下にあって該表層のためのエッチング媒体に関してエッチングストッパとして機能するエッチングストッパ層１２ｂとを備える積層構造を有する。 - 特許庁 - To provide a method for removing a hard etching mask capable of removing the hard etching mask containing a silicon oxide film or a silicon nitride film while inhibiting the corrosion and etching of a layer to be etched, and to provide a manufacturing method for a semiconductor device.
被エッチング層の腐食やエッチングを抑制しつつ、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を含むハードエッチングマスクを除去することができるハードエッチングマスクの除去方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211).
尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 - 特許庁 - Because of the etching rate difference between SF6 gas and HCl gas for the same crystallographic plane, the etching becomes hard to proceed in isotropic basis, and texture is produced on the surface of the semiconductor substrate 3 even with plasma etching equipment of low impact energy.
すると、同一面方位についてのＳＦ_6ガスとＨＣｌガスとのエッチレートの差によって、エッチングが等方的に進行しにくくなり、イオン衝突エネルギーが低いプラズマエッチング装置１でも、半導体基板３の表面にテクスチャーを形成することができる。 - 特許庁 - To provide a reactive ion etching apparatus that is adaptable to a fine work smaller 0.3 μm width, without substantially changing the structures of a cathode-coupled etching apparatus and a three-electrode etching apparatus, which are used conventionally.
本発明の課題は、従来用いられてきた陰極結合型エッチング装置及び３電極型エッチング装置の構造を実質的に変えることなく０．３μｍ幅以下の微細加工に対応できる反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁 - Such a dry etching method includes a stage of etching the copper-containing aluminum film using chlorine gas not containing hydrocarbon gas and a stage of etching the metal conductive film using chlorine gas containing hydrocarbon gas.
そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a silica glass plate for a fluid circulation and its manufacturing method, wherein in particular in a plasma etching device, a reaction efficiency of a plasma etching or the like is good, and it is intended to miniaturize an assembly device of the plasma etching device or the like, and also a perforation process is facilitated.
特に、プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング等の反応効率がよく、プラズマエッチング装置等の組込み装置の小型化が図れ、かつ、孔明け加工が容易な流体流通用シリカガラス板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - More specifically, by considering the off-angle of the p-type GaInP etching stop layer 7, the concentration of Zn to be introduced to the p-type GaInP etching stop layer 7 is set, so that the band gap of the p-type GaInP etching stop layer 7 can be made as large possible.
具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板１のオフ角を考慮して、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層７のバンドギャップが可能な限り大きい値となるように、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層７に導入するＺｎの濃度を設定する。 - 特許庁 - To etch a reflection preventing film and an interlayer insulating film by one time of an etching treatment and to prevent the interlayer insulating film from being damaged in a high etching rate upon the dry etching of the interlayer insulating film on the upper surface of which the reflection preventing film is formed.
上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。 - 特許庁 - In producing processes for the electrode substrate including a patterning process for the transparent conductive film after etching treatment for a transparent conductive laminate, the transparent conductive film is crystallized after an etching treatment, instead of before the etching treatment.
透明導電積層体をエッチング処理して該透明導電膜をパターニングする工程を含む電極基板の製造方法において、エッチング処理以前は透明導電膜を結晶化させず、エッチング処理後に透明導電膜を結晶化させる。 - 特許庁 - The etching droplet jetting device 10 comprises a two-fluid nozzle 9, an etching liquid pipe 17 and a compressed air pipe 18, which are connected to the two-fluid nozzle 9 and supply etching liquid and compressed air to the two-fluid nozzle 9.
エッチング液滴噴射装置１０は、二流体ノズル９と、二流体ノズル９に連通接続され、二流体ノズル９にエッチング液および圧縮空気をそれぞれ供給するエッチング液配管１７および圧縮空気配管１８とを含んでいる。 - 特許庁 - An etching gas including straight chain C_5F_8 is made into a plasma and the etching object portion in a wafer W to be processed, for example, a SiO_2 layer 61 is etched with the plasma via a mask covering the etching object portion and having an aperture, for example, a photoresist mask layer 62.
直鎖Ｃ_５Ｆ_８を含むエッチングガスをプラズマ化して、被処理体Ｗ中のエッチング対象部、例えばＳｉＯ_２層６１を、エッチング対象部を覆った開口部を有するマスク、例えばフォトレジストマスク層６２を介してプラズマエッチングする。 - 特許庁 - The depletion layer 104 is held between the selective etching layer 103 of the first conductivity and the selective etching layer 109 of the second conductivity, and the outer peripheral edge of the selective etching layer is positioned more on the inner side than the outer peripheral edge of the depletion layer 104 in the plane view.
空乏層１０４は、第一の導電型の選択エッチング層１０３と第二の導電型の選択エッチング層１０９に挟まれ、平面視にて選択エッチング層の外周縁は、空乏層１０４の外周縁より内側に位置する。 - 特許庁 - To provide an etching method of a thin dielectric film of material containing organic silicon compound formed on a semiconductor substrate which can prevent or reduce formation of a microtrench, at the time of etching in the state that an etching rate is maintained while a low pressure is kept as it is.
低圧のまま、エッチング速度を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できる半導体基板上に形成される有機珪素化合物を含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of then removing etching residue of a bottom Mo layer 51 by plasma etching under the same resist pattern 9, and removing a protrusion 54 of a top Mo layer 53 at an end face of the pattern of the three-layer metal film (first stage of second etching).
次いで、同一のレジストパターン９下で、プラズマエッチングにより、ボトムＭｏ層５１のエッチング残りを除去するとともに、三層金属膜のパターンの端面におけるトップＭｏ層５３の突き出し部５４を除去する（第２のエッチングの第１段階）。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device that performs anisotropic dry-etching on an insulating film allowing for high selectivity with a photo-resist film and without causing an etching stop, the anisotropic dry-etching done when forming an upper contact with a large radius and a lower contact with a small radius.
上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This printed wiring board can be prevented from having wire thinning and wire breaking of wires 58D due to excessive etching, by setting to 90° the angle of the connection between a dummy pattern 58D and a connected conductor circuit 58, and then eliminating a pool of etching liquid in the etching process at manufacture.
ダミーパターン５８Ｄと接続される導体回路５８との接続角度を直角にすることにより、製造時のエッチング工程でエッチング液の液溜まりがなくなり、過剰なエッチングによる配線５８Ｄの線細り、断線の発生を防止できる。 - 特許庁 - To obtain a circuit pattern reducing the dispersion of etching quantity by reducing the influence of etching from the side face direction of a 2nd metallic conductive layer at the time of removing a 1st metallic conductive layer by etching, in a printed board manufacturing method using a semi-additive method.
セミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法において、第一金属導電層をエッチング除去する際の第二金属導電層の側面方向からのエッチングの影響を少なくし、エッチング量のばらつきが少ない回路パターンを得る。 - 特許庁 - At performing of the plasma etching, in addition, the film thicknesses of the protective film formed on the surface of the substrate placing section and protective films and insulation films formed in the other sections are set, so that the etching time of the protectively film may become equal to the etching time of the protective and insulation films.
また、前記プラズマエッチングの際、基板載置部の表面に形成する保護膜のエッチング時間と、基板載置部以外の部分に形成される保護膜及び絶縁膜のエッチング時間とが等しくなるようにこれらの膜厚を設定する。 - 特許庁 - The method for collecting gold from the etching waste comprises the steps of: adding a sulfite solution to a waste liquid of an iodine-based etching solution to reduce iodine, which has been used for etching gold; then adding a metallic powder to reduce gold remaining in the waste liquid; and separating the solid from the liquid.
金のエッチングに使用した後のよう素系エッチング液の廃液に亜硫酸塩溶液を添加し、よう素を還元した後、金属粉を添加し廃液中の残りの金を還元し、固液分離するエッチング廃液からの金の回収方法。 - 特許庁 - An aperture of a metal pattern has a sidewall formed by primary etching on the surface layer side of a metal layer and a sidewall formed by secondary etching using electrodeposited photoresist on the depth layer side of the metal layer, and the etching factor of the aperture of the metal pattern is ≥2.6.
開孔部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する金属パターンであって、該金属パターンの開孔部のエッチングファクターが２．６以上である。 - 特許庁 - Prior to plasma etching for removing resin residue 21 which remains inside a via 20 by etching such as plasma etching, a build-up substrate 25 is heated to a prescribed temperature and distribution of the resin residue 21 inside the via 20 is thereby made uniform.
プラズマエッチング等のエッチングによってビア２０内に残存する樹脂残渣２１を除去するプラズマエッチングに先立って、ビルドアップ基板２５を所定の温度に加熱し、これによってビア２０内における樹脂残渣２１の分布の均一化を図る。 - 特許庁 - In addition, before the main etching step, a pre-etching step is performed by supplying a third amount of high-frequency power which is larger than the first amount of high-frequency power to the stage electrode 14 so as to change the etching gas inside the vacuum chamber 11 into the plasma state.
加えて、このメインエッチング工程の前に、ステージ電極１４に第一の電力量よりも大きい第三の電力量で高周波電力を供給して、真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするプレエッチング工程を行う。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the semiconductor device, a step of finely working a resist pattern, formed in a lithography step by isotropic etching using ozone and another step of etching a work by using the finely worked resist pattern as a mask are performed by means of the same etching system EM1.
オゾンを用いた等方性エッチングによってリソグラフィ工程で形成されたレジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして被加工材をエッチングする工程とを同一のエッチング装置ＥＭ１で行う。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of making highly accurate working to a fine pattern and working of a high selection rate to a mask and a base layer be compatible without causing charge-up and etching shape abnormalities in a workpiece, and an etching device.
被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - In the etching method where an etching liquid is sprayed on a beltlike flexible substrate 1 carried so as to be guided and supported by rolls 3, the carrying height of the flexible substrate 1 under etching is set to have ruggedness depending on the height of each roll 3.
ロール３に案内支持されて搬送される帯状のフレキシブル基板１に、エッチング液を供給ポンプを介してスプレーで噴射するエッチング方法において、エッチング中のフレキシブル基板１の搬送高さにロール３の高低により凹凸を設ける。 - 特許庁 - Since etching is performed by supplying chemical to the peripheral portion of the substrate W rotating while controlling the peripheral etching width EH, the peripheral etching width EH can be controlled uniformly over the entire circumferential surface.
また、このように周縁エッチング幅ＥＨをコントロールしながら回転している基板Ｗの周縁部に薬液を供給してエッチング処理を行っているため、周縁エッチング幅ＥＨを周面全体にわたって均一に制御することができる。 - 特許庁 - Then a mixture of gas including carbon and fluoro-compound is supplied as an etching gas into the chamber for the reactive ion etching, and CH2F2 gas is introduced as a factor for increasing etching selective ratio between the material film and a lower film.
次に、反応性イオンエッチング用チャンバ内にエッチングガスとして 炭素及びフルオロを含む混合ガスを供給し、物質膜と下部膜との間のエッチング選択比を増加させるための選択比増加ガスとしてＣＨ２Ｆ２ガスを供給する。 - 特許庁 - To provide a radiation-curable resist resin composition for glass etching having excellent alkali resolution property and hydrofluoric acid resistance and also having excellent adhesion to the glass substrate thereby enabling the amount of side etching in etching of a glass substrate to be reduced.
優れたアルカリ解像性、フッ酸耐性を有するとともに、ガラス基板との密着性にも優れるため、ガラス基板のエッチングの際にサイドエッチング量を抑制することができる、ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - This etching method which etches a fluorine-added carbon film formed on a substrate by plasma, comprises the steps of a first step of performing etching with plasma of an oxygen-containing treatment gas; and a second step of performing etching with plasma of a fluorine-containing treatment gas.
基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
