「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 85 86 87 88 89 90 91 92 93 .... 399 400 次へ＞- METHOD OF MANUFACTURING ELECTROLYTIC CAPACITOR ETCHING FOIL, AND ELECTRODE FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法、および電解コンデンサ用電極箔 - 特許庁 - METHOD FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) OXIDE FROM ETCHING
半導体シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）酸化物をエッチングから保護する方法 - 特許庁 - To provide a silicon substrate having the V-grooves of high accuracy by anisotropic etching.
異方性エッチングによる高精度のＶ溝を有するシリコン基板を提供する。 - 特許庁 - SELECTIVE ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD FOR ANALYSIS OF 2-DIMENSIONAL DOPANT DISTRIBUTION
２次元的なドーパント分布の分析のための選択的電気化学エッチング方法 - 特許庁 - Subsequently a pixel electrode material 8a is subjected to an etching to form a pixel electrode.
この後、画素電極材料８ａをエッチングし、画素電極を形成する。 - 特許庁 - A gaseous silicon or carbon source is passed through an etching gas containing fluorine.
フッ素含有エッチングガスとこのガスにガス状のシリコンまた炭素源を通過させる。 - 特許庁 - To provide a method for etching a metal layer using an imprinted resist material.
インプリントレジスト材料を用いて金属層をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for etching an aluminum-based material into an aluminum thin line having a width of 30 μm.
３０μｍのアルミ細線を形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Uniformity of critical dimensions within a surface area is improved by using double exposure and double etching.
ダブル露光とダブルエッチングを用いて、面内寸法差の均一性を改善する。 - 特許庁 - MEASUREMENT METHOD OF DIFFERENCE IN LEVEL, AND MEASURING METHOD OF ETCHING DEPTH, AND DEVICES THEREFOR
段差測定方法並びにエッチング深さ測定方法及びそれらの装置 - 特許庁 - Since the damaged layer 13 is an R plane, it is etched and removed (Figure 1C) during the wet etching.
ダメージ層１３はＲ面であるためエッチングされ、除去できる（図１Ｃ）。 - 特許庁 - Etching liquid 10 is brought into contact with a surface of the solidified SOG 8a.
次に、固化したＳＯＧ８ａの表面にエッチング液１０を接触させる。 - 特許庁 - The etching solution contains perfluoroalkylsulphonate, citric acid and water.
パーフルオロアルキルスルホン酸塩、シュウ酸、および水を含有するエッチング液組成物とする。 - 特許庁 - The stage 4 is housed in the chamber C, and an etching object W is mounted.
ステージ４は、チャンバＣに収容され、エッチング対象物Ｗが載置される。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER
導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 - 特許庁 - After removing the pad oxide film, etching is performed for effective field height adjustment.
パッド酸化膜を除去後、有効高調整を行うためのエッチングを行う。 - 特許庁 - ETCHING END POINT DETECTING DEVICE AND METHOD BY USE THEREOF
エッチング終点検出装置およびそれを用いたエッチング終点検出方法 - 特許庁 - To provide a resist film processing unit that can improve an etching resistance.
エッチング耐性を向上することが可能なレジスト膜処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a process for controlling a substrate processing operation such as a plasma etching operation.
プラズマエッチング動作などの基板処理動作を制御するプロセスを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of etching a group-III nitride semiconductor that will not have a damaged layer generated, and to provide a manufacturing method of semiconductor device.
ダメージ層が生じないIII 族窒化物半導体のエッチング方法。 - 特許庁 - To provide a cleaning device for plasma enhanced CVD system having a superior etching capacity.
エッチング性能の優れたプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置を提供する。 - 特許庁 - SOLUTION FOR ETCHING STACKED FILM OF ALUMINUM-BASED METALLIC FILM AND MOLYBDENUM-BASED METALLIC FILM
アルミニウム系金属膜およびモリブテン系金属膜の積層膜用エッチング液 - 特許庁 - To reduce charge storage generated on a structural body of a wafer during etching.
エッチング中にウエハの構造体上に生じる電化蓄積を低減させる。 - 特許庁 - An etching hole part 18 is provided in the substrate 11 of the substrate 10.
前記実装基板１０のシリコン基板１１にエッチング孔部１８を設ける。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER
導電性高分子用エッチング液及び導電性高分子をパターニングする方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - ETCHING RATE MEASURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF PRINTED WIRING BOARD USING IT
エッチングレート測定方法およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 - 特許庁 - Etching is conducted from the side of 13 after the release, whereby through-holes are formed (Fig. (H)).
剥離後１３側からエッチングを行い、貫通孔を形成する（図２（Ｈ））。 - 特許庁 - ETCHING AGENT, PRODUCTION OF SUBSTRATE FOR ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME AND ELECTRONIC EQUIPMENT
エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 - 特許庁 - Then, the barrier film 114 at a connection-hole bottom 108a is removed by etching.
そして、接続孔底部１０８ａのバリア膜１１４をエッチングで除去する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SHADOW MASK AND APPARATUS FOR COATING ETCHING-RESISTANT LAYER FOR MANUFACTURING SHADOW MASK
シャドウマスクの製造方法およびシャドウマスク製造用耐エッチング層塗布装置 - 特許庁 - An aluminum pad 170 is formed in the opening by patterning/etching steps.
パターニング、エッチング工程によって、開口内に、アルミニウム・パッド１７０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of etching an opening having a high aspect ratio in a silicon substrate.
シリコン基板内に高アスペクト比の開口をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - The conductive layer is subjected to patterning treatment by wet etching to form wiring 2.
そして、導体層１２をウエットエッチングによりパターニンして配線２を形成する。 - 特許庁 - To easily enable selective etching of AlGaAs of the mirror surface with an HF system etchant.
ＨＦ系エッチャントで容易に鏡面のＡlＧaＡs選択エッチングを可能にする。 - 特許庁 - Then the anti-ferromagnetic layer 7 is thermally processed before etching.
この後、反強磁性層７に対して熱処理を施し、その後でエッチングを施す。 - 特許庁 - The protrusion 77 is removed by anisotropically etching the first conductive film 75.
第１導電膜７５を異方性エッチングして、突出部７７を除去する。 - 特許庁 - To provide an etching device for thinning a glass substrate for a flat panel display.
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の薄型化のためのエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - On the glass substrate 200, a pocket 201 is formed by etching.
封止ガラス基板２００には、ポケット部２０１がエッチングによって形成されている。 - 特許庁 - STOCK FOR SHADOW MASK, FREE FROM STRIPED IRREGULARITY AT ETCHING, AND ITS MANUFACTURE
エッチング時にすじむらが発生しないシャドウマスク用素材およびその製造方法 - 特許庁 - When etching is performed, the channel region of the crystallin silicon film 13P is protected.
また、エッチングの際に、結晶質シリコン膜１３Ｐのチャネル領域が保護される。 - 特許庁 - The wet-etching is performed by using a silicon-containing HF solution of ≤4 in pH.
ウェットエッチングは、シリコンを含むｐＨ４以下のＨＦ水溶液を用いて行う。 - 特許庁 - The method further comprises the step of dry etching all the clad layer 14 in Fig. (b).
（ｂ）において、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を全てドライエッチングする。 - 特許庁 - To subject a wiring layer surely to an etching process protecting its rear surface against damage.
配線層の裏面を確実に保護しつつ、配線層のエッチング加工を行う。 - 特許庁 - To provide an effective etching method for performing the failure analysis of LSI.
ＬＳＩの不良解析を行う上で、有効なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The nitride film of the contact hole bottom is removed by dry etching, such as RIE.
その後、コンタクトホール底部の窒化膜をＲＩＥ等のドライエッチングで除去する。 - 特許庁 - To suppress rising of CI value by etching in the adjustment of the detuning degree.
離調度調整においてエッチングによるＣＩ値の上昇を抑制する。 - 特許庁 - Then etching is performed by using the CMP cut-off pattern as the mask for forming trenches.
次に、ＣＭＰ遮断パターンをマスクとしてエッチングを行い、トレンチを形成する。 - 特許庁 - To provide a method of dry-etching a silicon nitride film increasing the throughput.
スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The polarity inversion layer 16 has the unevenness formed by wet etching.
極性反転層１６はウエットエッチングにより形成された凹凸を有している。 - 特許庁
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