「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 81 82 83 84 85 86 87 88 89 .... 399 400 次へ＞- In this formation, the hard mask 12a becomes excellent in etching resistance, and side etching is reduced to form the metal wiring 6a with good controllability.
このように形成することによりハードマスク１２ａが耐エッチング性に優れ、サイドエッチを低減して金属配線６ａを制御性良く形成することができる。 - 特許庁 - Through high etching-rate etching to the silicon, the impurity added part 2 can be removed while it is self-aligned with the embedded electrode 4.
シリコンに対してエッチングレートが高いエッチングによって、不純物添加部２を、埋め込み電極４に対してセルフアライメントした状態で除去できる。 - 特許庁 - Since dry etching of isotropic etching is adopted to remove the outer periphery of the layer 10A, the outer peripheral edge surface of the layer 10 becomes smooth.
また、この活性層１０Ａの外周部の除去に等方性エッチングのドライエッチングを採用したので、活性層１０Ａの外周縁面がなめらかになる。 - 特許庁 - To provide a process for etching a barrier metal film at a temperature of about the room temperature without applying mechanical load and excessively etching copper of a necessary part.
室温程度の温度で、機械的荷重をかけずに必要部分の銅を過度にエッチングすることなく、バリアメタル膜をエッチングするプロセスを提供すること。 - 特許庁 - A recess part 6 is formed by etching the second interlayer insulation film 4 and the first interlayer insulation film 3 by using the photoresist 5 as an etching mask.
フォトレジスト５をエッチングマスクに用いて第２の層間絶縁膜４及び第１の層間絶縁膜３をエッチングすることにより、凹部６が形成される。 - 特許庁 - Thereafter, the oxidized film 12 is removed from the silicon substrate 11 and isotropic etching is effected on the trenches 14 and the silicon substrate 11 in an isotropic etching process.
その後、酸化膜１２をシリコン基板１１から除去し、等方性エッチング工程でトレンチ１４及びシリコン基板１１表面に等方性エッチングを行う。 - 特許庁 - In the plasma-etching step, a mixed gas containing an oxygen-containing gas and a sulfur-containing and oxygen-not-containing gas is used as a processing gas (an etching gas).
このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 - 特許庁 - The etching rate of the light reflecting layer is larger than both the etching rates of the one-conduction type buffer layer 10 and one-conduction type semiconductor clad layer 12.
光反射層のエッチングレートは、一導電型バッファ層１０および一導電型半導体クラッド層１２の双方のエッチングレートに比べて大きい。 - 特許庁 - The photo diode 12 is formed by dry-etching a photo diode formed on the top face of the support film 14 with the support film 14 as an etching stopper.
フォトダイオード１２は、支持膜１４上面に設けられたフォトダイオードが、支持膜１４をエッチングストッパーとしてドライエッチングされることにより成形されたものである。 - 特許庁 - At this time, deep grooves 84 formed by anisotropic etching are formed to a front face of the silicon wafer 58, which are penetrated by etching from the opposite side.
この際、シリコンウエハ５８の表面には異方性エッチングで形成された深溝８４が形成されており、反対側からエッチングすることによって、貫通される。 - 特許庁 - Roughness on the surface of the diamond film is 0.1 to 10 nm and manufacture is made, by using a heavy metal layer as the etching mask for etching the diamond film.
該ダイヤモンド膜の表面粗さとしては、０．１〜１０ｎｍであり、前記ダイヤモンド膜のエッチング用のエッチングマスクとして重金属層を用いて作製する。 - 特許庁 - The etching apparatus is characterized by etching nozzles which are arranged so as not to overlap formed spray patterns on the above metal sheet each other.
前記金属板上に形成されるスプレーパターンが互いに重なりあわないようにエッチングノズルが配置されていることを特徴とするエッチング装置。 - 特許庁 - Etching processing is carried out by radiating ion beams according to the calculated irradiation position and dose distribution while blowing etching gas toward a glass substrate 34.
ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving an etching rate in dry etching and improving the quality of the semiconductor device.
ドライエッチング処理におけるエッチングレートの向上を図り、半導体装置の品質を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A first dry etching is performed with a mixed gas of chlorine gas and oxygen gas as etchant, to form a pseudo etching mask M on an n-type AlGaInP clad layer 11.
塩素系ガス及び酸素ガスの混合ガスをエッチャントとして第１のドライエッチングを行い、ｎ型AlGaInPクラッド層１１に擬似エッチングマスクＭを形成する。 - 特許庁 - The conductance of the etching gas purged from the holes 23 is reduced and a uniform concentration distribution is also achieved, thereby improving etching rate and processing uniformity.
拡散孔２３から吐出されるエッチングガスのガスコンダクタンスが低減し、濃度分布も均一化されて、エッチングレート及び処理の均一性が向上する。 - 特許庁 - In the end, a circuit pattern is formed by photolithography and an element having 3-dimensional tapered surfaces is obtained by etching the core 2 with the reactive ion etching.
最後に、フォトリソグラフィにより回路パターンを形成し、反応性イオンエッチングでコア２をエッチングすることにより、三次元テーパ面７を有する素子を得る。 - 特許庁 - Trench etching is performed, non-etching part of the semiconductor substrate 11 left under the coupling parts 18, 19 is eliminated by KOH, and a plurality of the silicon pillars 15 are formed.
そして、半導体基板１１の、連結部１８，１９の下に残る非エッチング部分をＫＯＨにより除去して、複数のシリコン柱１５を形成する。 - 特許庁 - To provide an etching method, capable of reducing a residue of side wall portion in a dry etching treatment of lamination consisting of electrode film/perovskite layer/electrode film.
電極膜／ペロブスカイト層／電極膜からなる積層体のドライエッチング処理における側壁部の残渣を低減可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The metal film 110 is selectively etched thereafter to be removed by a dry etching method such as reactive ion etching method, for example, using the resist pattern 111 as a mask.
この後、レジストパターン１１１をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜１１０を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁 - The degradation in the throughput accompanying degradation in the etching rate is dealt with, by combining the method described above and a processing method of the high etching rate.
エッチングレートの低下に伴うスループットの低下に対しては、上記の方法とエッチングレートの高い加工方法との組み合わせることで対処する。 - 特許庁 - An etching process for forming a self-aligning contact is executed by using etching selectivity between the remaining antireflection film and a layer insulation film 31.
そして、この残っている反射防止膜と層間絶縁膜３１とのエッチング選択比を利用してセルフアラインコンタクトを形成するためのエッチング工程を行う。 - 特許庁 - Water solution containing phosphoric acid, nitric acid, an organic acid salt, and surfactant is used as an etching solution composition for etching the metal film on a substrate.
リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。 - 特許庁 - To provide an etching method of a semiconductor wafer capable of being improved in its flatness and undulation and of making uniform an etching rate in a semiconductor wafer plane.
半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、平坦度及びうねりを改善する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrolytic capacitor etching foil capable of improving electrostatic capacitance by making generation and growth of etching pits more suitable.
エッチングピットの発生、成長をより好適化することにより、静電容量の向上を図ることができる電解コンデンサ用エッチング箔を提供する。 - 特許庁 - A trench aperture part is formed by eliminating the n-type semiconductor substrate 1, corresponding to the window opening part by etching, and further the insulation mask is eliminated by etching.
窓開け部に相当するｎ型半導体基板１をエッチングにより除去してトレンチ開口部を形成し、さらに絶縁性マスクをエッチングにより除去する。 - 特許庁 - The underlayer 9 consists of material where etching speed in ion beam etching is higher than that of a magnetic alloy consisting of the magnetic pole layer 10.
下地層９は、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が磁極層１０を構成する磁性合金よりも大きい材料によって構成されている。 - 特許庁 - Then, anistropic dry etching is performed to the silicon nitride film 6bb in first and second element forming regions with the silicon oxide film 6aa as an etching stopper.
次に、シリコン酸化膜６ａａをエッチングストッパとして、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン窒化膜６ｂｂを異方性ドライエッチングする。 - 特許庁 - When the etching gas final point is detected by vertically scanning the three pairs of thermocouples 17, the feed of the etching gas is immediately stopped through the controller 18.
ここで、上記三対熱電対１７を上下に走査しエッチング終点を検出するとコントローラ１８を通してエッチングガスの供給を即座にストップさせる。 - 特許庁 - To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.
大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10％以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Next, using the photoresist 15 as an etching mask, the silicon oxide films 14a and 14b at the sections exposed in the openings 21s-21u are removed by etching.
次に、フォトレジスト１５をエッチングマスクに用いて、開口部２１ｓ〜２１ｕ内に露出している部分のシリコン酸化膜１４ａ，１４ｂを、エッチングによって除去する。 - 特許庁 - The photoresist image is developed on the surface of the cylindrical metallic tube which is subjected to an etching process in a controlled variable etching rate at selected sites.
フォトレジスト画像は円筒形の金属チューブ材の表面に現像され、チューブ材上の各部位における制御された可変のエッチング速度が実現できる。 - 特許庁 - To effectively eliminate residues adhering to an etching surface and to a mask sidewall in the etching of a dielectric thin film formed on a lower electrode.
下部電極上に形成された誘電体薄膜のエッチングにおいて、エッチング面及びマスク側壁へ付着する残渣を効果的に除去することを課題とする。 - 特許庁 - The device layer 43 is vertically etched by using the mask 45 as an etching mask until the internal layer 41 is exposed by a reactive ion dry etching method (Fig. C).
マスク４５をマスクとしてデバイス層４３を、反応性イオンのドライエッチングにより、中間層４１が露出するまで垂直にエッチングする（図１０Ｃ）。 - 特許庁 - The semiconductor layer 3 has a high etching selection ratio with respect to the first conductive layer 2 and sufficiently high etching efficiency for the first conductive layer 2.
この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。 - 特許庁 - After fixing/hardening, a digitally applied etching-resist pattern is used in chemical etching liquid and copper on the surface of the dielectric material isetched.
定着／硬化の後、該デジタル的に適用されたエッチング−レジストパターンを化学エッチング液中で用い、該誘電材料の表面上の銅をエッチングする。 - 特許庁 - An etching stopper layer 14 made of a material having an etching rate different from that of the epitaxial layer 3 is interposed between the gate electrode 8 and the interlayer dielectric 11.
ゲート電極８と層間絶縁膜１１との間には、エピタキシャル層３とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層１４を介在させる。 - 特許庁 - While a protective film forming gas and an etching gas are alternately supplied into a chamber, a trench is formed on a semiconductor substrate in the chamber at high etching speed.
チャンバー内に保護膜形成ガスとエッチングガスを交互に供給しながら、高いエッチング速度でチャンバー内の半導体基板にトレンチを形成する。 - 特許庁 - To provide a gas spouting plate for a plasma etching apparatus that enables accurate etching by eliminating distortion between an electrode plate and a cooling member.
電極板と冷却部材との間の歪みを解消することにより、精度のよいエッチングが可能なプラズマエッチング装置のガス噴出し板を提供すること。 - 特許庁 - A first etching hole pattern 15 and a second etching hole pattern 16 are formed cross-wise on a dielectric thin film spread on the dent of the semiconductor substrate.
半導体基板の窪みの上に張られた誘電体薄膜には、第１エッチングホールパターン１５と第２エッチングホールパターン１６とが十字状に形成されている。 - 特許庁 - An SiO_2 mask 2 is formed on a semiconductor element wafer 1 by vapor deposition and etching, and a ridge 1R is formed by etching a semiconductor layer (Figure 1.A).
半導体素子ウエハ１に蒸着及びエッチングによりSiO_2マスク２を形成し、半導体層のエッチングによりリッジ１Ｒを形成する（図１．Ａ）。 - 特許庁 - The peeling layer 102 and the insulating film 101 are subjected to plasma etching using a resist pattern 103 as a mask and an etching gas containing carbon and fluorine.
剥離層１０２及び絶縁膜１０１に対してレジストパターン１０３をマスクにすると共に炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なう。 - 特許庁 - Next, anisotropic dry etching is performed on the silicon oxide film 6cc in first and second element forming regions with the silicone nitride film 6bb as an etching stopper.
次に、シリコン窒化膜６ｂｂをエッチングストッパとして、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン酸化膜６ｃｃを異方性ドライエッチングする。 - 特許庁 - The oxygen forms an area of silicon dioxide by reacting with a silicon surface, and while, the silicon etching agent forms the emission element by etching silicon.
酸素がシリコン表面と反応して二酸化ケイ素の領域を形成し、その一方でシリコン・エッチング剤がシリコンをエッチングして放出素子を形成する。 - 特許庁 - While using the conductor layer having the grooves 3 as a mask layer, grooves 4 are formed in the insulation base material 2 by laser beam machining, plasma etching, or wet etching.
この溝３を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に溝４を形成する。 - 特許庁 - Thus, the cell is constituted such that excessive etching at opening of a contact hole in an inter-layer insulating film 17 is prevented by the etching stop layer 22a.
こうして、エッチングストップ層２２ａにより、層間絶縁膜１７に対して、コンタクトホールを開孔する際の、過剰なエッチングを阻止する構成とされている。 - 特許庁 - To provide a pattern-coating material which increases the etching resistance of a pattern, in a process of etching the pattern formed on a substrate with the use of the pattern as a mask.
基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させるパターン被覆材料の提供。 - 特許庁 - To provide an etching method for a wafer which can be compatible the shortening of etching time with the equalization of the enough thickness of the thin part with in a wafer face.
エッチング時間の短縮とウエハ面内での十分な薄肉部厚さの均一化を両立することができるシリコンウエハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - On the rotary etching processor, a wafer is wetted at first with pure water and an etching solution in order to remove contaminants and a thin film surface layer from the wafer surface.
主に回転蝕刻プロセッサ上において、先ず純水及び蝕刻溶液でウエハを湿潤させ、ウエハ表面の汚染物及び薄膜表層を除去する。 - 特許庁 - To obtain a plasma etching system in which the end point of etching can be detected with a high accuracy regardless of the aging of an optical system or a measuring equipment, contamination of an observation window, or the like.
光学系や測定計の経時変化、観測窓の汚れ等の影響を受けずに、エッチングの終点を高精度に検出できるようにする。 - 特許庁
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