「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 .... 399 400 次へ＞- In a step 12, a chemical liquid, containing at least an etching liquid, is jetted on the selected specified regions by an ink- jetting method to perform a wet etching control.
ステップ１２において、この選定された特定領域に対し、インクジェットにより少なくともエッチング液を含む薬液を吹き付け、ウェットエッチング制御を行う。 - 特許庁 - Thereby the renewed original mold is prevented from causing roughening on its surface because ion beam irradiation is not necessary to remove the thin film layer 32 and the mold releasing film 33, and also because the etching-resistant layer 31 does not react with the etching liquid.
また、耐エッチング層３１がエッチング液に反応しないので、再生原型金型に面荒れが発生するのを防止することができる。 - 特許庁 - For each treatment of a prescribed number of substrates, oxygen (O_2) is fed in an etching chamber 11 and oxygen plasma is generated, while the inside of the etching chamber is held in a vacuum state.
所定枚数の基板を処理するごとに、エッチングチャンバ１１内を真空に保ったまま酸素（Ｏ_２）を導入して酸素プラズマを生成させる。 - 特許庁 - After finishing two or more plasma dry etching steps, two or more steps of ultraviolet irradiation are each carried out immediately after a plasma dry etching step.
そして、この複数のプラズマドライエッチング工程のうち２以上の工程の直後にそれぞれ紫外線照射を行う２以上の紫外線照射工程を有する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a silicon carbide film capable of obtaining a patterned carbide silicon film without etching the silicon carbide film having difficulty in etching.
エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、パターニングされた炭化シリコン膜を得ることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An etching agent for use in the patterning step is one which dissolves the conductive layer and does not dissolve the guard metal layer 39, and an etching rate is about 1 to 5 μm/min.
パターンニング工程で用いるエッチング液は、導体層を溶解しガード金属層３９を溶解しないものであって、エッチングレートが約１〜５μｍ／分である。 - 特許庁 - As shown in Fig.1(h), by etching the etching stopper layer 103 using the resist 110 as a mask, a wiring film 111 is formed.
図１（ｈ）に示すように、レジスト１１０をマスクとして配線膜形成用金属層１０３をエッチングすることにより配線膜１１１を形成する。 - 特許庁 - Parts outside the division grooves 9 are removed together with etching residues 17 remaining on the outside parts by removing the etching protection film 14.
他方、分割用溝９より外側部分は、エッチング保護膜１４の除去により、外側部分上に残留するエッチング残渣１７と共に除去される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can perform etching of prescribe shape under prescribed etching conditions, without depending on the type of a mask.
マスクの種類に依存することなく、所定のエッチング条件で所定形状のエッチングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Plasma etching for an organic and inorganic hybrid film 104, which is indicated as SiCxHyO2 (x>0, y≥0 and z>0) is made using an etching gas.
ＳｉＣ_xＨ_yＯ_z （ｘ＞０、ｙ≧０、ｚ＞０）で表される有機無機ハイブリッド膜１０４を、フッ素、炭素及び窒素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁 - The nozzle is movable, so that the etching width of a wafer edge is easily adjustable and the flat zone of the wafer can be etched to the same etching width.
ノズルは移動することができるので、ウェーハエッジのエッチング幅を容易に調節可能であり、ウェーハのフラットゾーンも同一のエッチング幅でエッチング可能である。 - 特許庁 - In the meantime, in the NPN transistor, the silicon oxide film is used as an etching protective film at the time of dry-etching a silicon nitride film and the characteristics are improved.
一方、ＮＰＮトランジスタでは、シリコン窒化膜をドライエッチングする際、シリコン酸化膜をエッチング保護膜として用い、特性を向上させることができる。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of dry etching the film 3 and the film 4 under the condition in which the films 3 and 4 have substantially the same etching rate, and forming a straight gate opening 7.
ＳｉＯ_2膜３とＨＳＱ膜４をそれらがほぼ同じエッチング・レートを持つ条件下でドライエッチングし、ストレート状のゲート開口部７を形成する。 - 特許庁 - The etching stopper film 2 is made of a material which has extremely high selectivity against the transparent substrate 1 under the etching conditions of the transparent substrate 1.
エッチングストッパ膜２は、透明基板１のエッチング条件において、透明基板１に対して非常に選択性が高い材料で形成されている。 - 特許庁 - SiNx, SiO2, Ti, Ta, Mo, or MoW is stacked on the source drain film Ag alloy film, and then, a collective pattern is made by dry etching or wet etching.
ソース・ドレイン膜Ａｇ系合金膜上にＳｉＮ_x，ＳｉＯ_2，Ｔｉ，Ｔａ，ＭｏまたはＭｏＷを積層した後ドライまたはウェットエッチにより一括パターン形成する。 - 特許庁 - To provide a method to manufacture a microfabricated object by fabricating the surface of a fluorite by chemical etching using ICP or RIE dry etching.
蛍石の表面をＩＣＰ又はＲＩＥドライエッチングを使用した化学的エッチングで加工して微細加工物を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a ceramic circuit board, and its producing method, in which the etching time can be shortened while exhibiting excellent heat resistant cycle and etching properties.
耐熱サイクル性及びエッチング性に優れており、更に、エッチングに要する時間を短縮できるセラミック回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, by the etching composition comprising a soluble silicon compound, there will be no precipitation of the silicon oxide and etching selectivity for silicon nitride to silicon oxide is high as well.
さらに可溶性ケイ素化合物を含むものは、酸化ケイ素の析出がなくなおかつ酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比も高い。 - 特許庁 - The p-side contact layer 21 is made as a layer to be processed having a surface 61 for recovering damage formed by wet etching after processing by dry etching.
ｐ側コンタクト層２１は、ドライエッチングで加工したのちウェットエッチングを行うことにより形成されたダメージ回復面６１を有する被加工層となっている。 - 特許庁 - Then a portion except the ridge 7 out of an Si compound 17 formed on the surface of the element is removed by wet etching with the resist 18 as an etching barrier.
そしてレジスト１８をエッチングバリアとして、ウェットエッチングにより、素子表面のＳｉ系化合物１７のうちでリッジ７以外の部分を除去する。 - 特許庁 - Then, on a second etching condition, the hole is formed in such a way that it removes the etching stopper film 4 which constitutes the bottom of the hole and it leads to the conductive layer 3.
その後、第２のエッチング条件で、そのホールの底面を構成するエッチングストッパ膜４が除去され、導電層３に至るホールが形成される。 - 特許庁 - To achieve a nitride semiconductor device, wherein degradation of device properties due to etching damage and variations in device properties due to variations in etching are small.
エッチングダメージによる装置特性の劣化及びエッチングのばらつきによる装置特性のばらつきが小さい窒化物半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus capable of easily controlling an etching shape without changing a process condition or a mask condition; and a manufacturing method of a semiconductor device.
プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁 - In addition, the stable plasma assists in the etching of doped and undoped silicon and polysilicon substrates at substantially the same rate, while providing a clean etching processing.
更に、安定プラズマにより、ドープしたのとドープしないシリコンとポリシリコン基板を実質的に同じ速度でエッチングすることが出来、清浄なエッチングプロセスを与える。 - 特許庁 - The concavo-convex of the surface can be formed by a dry etching and the film-forming device used in forming the phosphor layer can be utilized in the dry etching.
前記凹凸化はドライエッチングによって行うことができ、蛍光体層の形成に用いた成膜装置をドライエッチングに利用することもできる。 - 特許庁 - The etching is carried out by dry etching, and the quality of the semiconductor substrate is evaluated on the basis of the number of detected bright points and or its distribution pattern.
前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記半導体基板の品質を、前記検出される輝点の数および／または分布パターンに基づき評価する。 - 特許庁 - Although the carbon base material, which is the component of the electrode 26, sticks to the diamond substrate 13 in etching, this does not prevent etching of the diamond substrate 13.
エッチングにより電極２６の構成成分である炭素系材料がダイヤモンド基材１３に付着するが、これはダイヤモンド基材１３のエッチングを妨げない。 - 特許庁 - Etching corresponding to a print image is performed on a substrate 21 to form an etching layer 22 and then resin is injected and cured to form a plating mask layer 23.
基板２１の面上に、印刷画像に対応したエッチングを行ない、エッチング層２２を形成し、樹脂を注入して固化させメッキマスク層２３を形成する。 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus capable of etching at a high speed and enhancing the yield, without impairing a productivity by suppressing occurrence of particles.
高速度でエッチングできる上に、パーティクルの発生を抑えることで、生産性を損なわず歩留まりを高めることが可能なドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching solution capable of shortening the processing time, and to provide a processing method, a processing apparatus, and a semiconductor device manufacturing method using the etching solution.
処理時間の短縮を図ることができるエッチング液、このエッチング液を用いた処理方法、処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like.
基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部３，４の曲率半径を大きくする。 - 特許庁 - To provide a ridge type semiconductor laser allowing a ridge to be formed by selective etching without separately adding an etching stopper layer, small in threshold current and excelling in efficiency.
別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。 - 特許庁 - Thereafter, a recess 13 is formed by removing, by an etching process, a part of the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub using the photoresist pattern PR2 as an etching mask.
その後、フォトレジストパターンＰＲ２をエッチングマスクとして、半導体基板１Ｓｕｂの主面の一部をエッチングにより除去して窪み１３を形成する。 - 特許庁 - A floating gate electrode is formed on the first gate insulating film through a process of partly etching the first conductive film by using the oxide film pattern as an etching mask.
酸化膜パターンをマスクとして使用して第１導電膜を部分的にエッチングすることで第１ゲート絶縁膜上にフローティングゲート電極が形成される。 - 特許庁 - The etching condition of a layer 23 as an object of etching is observed by a CCD camera 6 through a transparent mask layer 24 since the layer 23 is etched using the mask layer 24.
透明なマスク層２４を使用して被エッチング層２３をエッチングしながら、その進行状況をマスク層２４越しにＣＣＤカメラで観察する。 - 特許庁 - After the patterning of a nitride film 22, thickness of an SOI layer 3 is measured (S2) and the etching condition (etching time or the like) of the SOI layer 3 is determined (S3).
窒化膜２２のパターニング後に、ＳＯＩ層３の厚さを測定し（Ｓ２）、その結果を用いて、ＳＯＩ層３のエッチング条件（エッチング時間等）を決定する（Ｓ３）。 - 特許庁 - To prevent leak-out of etching liquid, when dissolving a metal included in a surface layer of a quartz glass plate-like body by the etching liquid and analyzing it quantitatively.
石英ガラス板状体の表層に含有される金属をエッチング液で溶解して定量分析する際、エッチング液が漏出しないようにする。 - 特許庁 - To suppress the time and cost required to manufacture a piezoelectric vibration device by suppressing frequency variations after etching to vibration sections and eliminating a time lag at the etching.
振動部へのエッチング後の周波数バラツキを抑制するとともに、エッチングの際のタイムラグを無くし、圧電振動デバイスを製造するための時間やコストを抑える。 - 特許庁 - An air gap 4 is formed in the vicinity of the sacrificial layer 3 and the barrier layer by etching the local oxide part 7 with vapor HF and etching the sacrificial layer 3.
局所酸化部７を蒸気ＨＦでエッチングし、更に、犠牲層３をエッチングして、犠牲層３とバリア層の界面近傍にエアーギャップ４を形成する。 - 特許庁 - To provide a simple method of forming a deep recess on a silicon substrate by anisotropic etching and a method of using a plasma etching system.
シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor substrate is exposed by performing an etching process to the insulating film between the planarizing layers using the photoresist pattern and the other photoresist pattern as etching masks.
フォトレジストパターン及び他のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて平坦化層間絶縁膜にエッチング工程を実行して半導体基板を露出する。 - 特許庁 - The upper electrode and a capacitor dielectric film are formed by etching the upper electrode layer and the ferroelectric layer using the hard mask patterns as an etching mask.
ハードマスクパターンをエッチングマスクとして、上部電極層及び強誘電体層をエッチングすることにより、上部電極及びキャパシタ誘電体膜を形成する。 - 特許庁 - Then, propagation lights with longer wavelength than absorption edge wavelength of a gas molecule 6 of etching gas are radiated on the substrate 2 in an etching gas atmosphere.
続いて、エッチングガス雰囲気中において当該エッチングガスのガス分子６の吸収端波長より長波長の伝搬光を基板２に照射する。 - 特許庁 - To develop an etching stop layer for a nitrided gallium compound semiconductor which is eagerly desired to effect highly accurate dry etching of the nitrided gallium compound semiconductor.
精度の良い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチングを行うために、窒化ガリウム系化合物半導体のエッチングストップ層の開発が切望されている。 - 特許庁 - The moat is formed below the thin film resistance body by anisotropic etching and a microbridge structure is formed as a microbridge structure by anisotropic etching using an etchant.
異方性エッチングで薄膜抵抗体の下部に堀を作り、マイクロブリッジ構造としてエッチャントで異方性エッチングによりマイクロブリッジ構造を作製する。 - 特許庁 - A second etching stopper film 9 configured with the silicon nitride film is formed on the first and second transistors and on the first etching stopper film 8.
第１及び第２のトランジスタ上並びに第１のエッチングストッパー膜８上に、シリコン窒化膜から構成される第２のエッチングストッパー膜９を形成する。 - 特許庁 - After etching by gallium ion beam, when the sample is irradiated with argon ions at a low angle, the damaged layer at a time of etching is removed to enable observation of higher resolving power.
ガリウムイオンビームによるエッチング後、アルゴンイオンを低角度で照射すると、エッチングの際のダメージ層が除去され、更に高分解能の観察が可能になる。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 106 is removed, until its thickness becomes 10-50% of its original thickness through anisotropic dry etching, and the remaining portion of the film 106 is removed by isotropic wet etching.
異方性のドライエッチングで層間絶縁膜１０６の膜厚の５０〜９０％まで除去し、残りを等方性のウェットエッチングで除去する。 - 特許庁 - To improve processing accuracy in an etching treatment stage for a conductive thin film with high etching rate.
エッチングレートの速い導電性薄膜のエッチング処理工程での加工精度を向上した液晶パネル基板の導電性薄膜パターニング方法および装置を提供する。 - 特許庁 - In the middle of etching of the conductive layer, the side wall of an etched portion is masked to carry out further etching to form the conductive pattern.
そして、前記導体層を中途までエッチングした時に、エッチングされた部位の側壁部をマスクして、さらにエッチングを行うことで前記導体パターンを形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
