「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 75 76 77 78 79 80 81 82 83 .... 399 400 次へ＞- Then, the thickness of the metal sheet 3 is reduced by cutting, grinding, etching, etc.
そして、切削、研削、エッチング等により、金属板３の厚さを減厚する。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING POROUS DIELECTRIC THIN FILM AND DEVICE PROVIDED WITH SAME
多孔質誘電体薄膜のエッチング方法及び該薄膜を備えたデバイス - 特許庁 - ELECTROCHEMICAL ETCHING PERFORMED IN FORM OF REACTION LIQUID FLUIDIZED ON WORKING FACE
反応液が加工面を流動する形態で行う電気化学的エッチング - 特許庁 - With the increase in the etching depth, the flow rate of nitrogen is reduced.
エッチング深さが大きくなるに従って、窒素の流量を減少させる。 - 特許庁 - PLASMA STRIPPING METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST AND RESIDUES AFTER ETCHING
フォトレジスト／エッチング後の残留物を取り除くためのプラズマストリッピング処理方法 - 特許庁 - Etching apertures 4 are disposed around the p-type semiconductor layers 3.
ｐ型半導体層３の周囲には、エッチング開口部４が設けられている。 - 特許庁 - A liner layer is deposited onto the trench etching mask and the entire surface of the oxide film.
トレンチエッチングマスク及び酸化膜の全面にライナー層を蒸着する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND METHOD OF ETCHING
半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法 - 特許庁 - The groove for bending is formed by stamping, etching, or laser processing.
また、折曲用溝はプレス加工、エッチング加工またはレーザ加工で形成する。 - 特許庁 - To form a mask pattern having a fine pattern excellent in etching resistance.
耐エッチング性に優れた微細なパターンを有するマスクパターンを形成すること。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR PRECIPITATING COPPER CHLORIDE CONTAINED IN CHEMICAL ETCHING WASTE WATER
化学エッチング廃液に含有される塩化銅の析出方法及び装置 - 特許庁 - The remaining dielectric layer is exposed by etching the second electric conductive layer.
第２導電層をエッチングし、残っている誘電体層を露出させる。 - 特許庁 - In particular, the dry etching gas preferably contains CF_3CF=CF_2 and CH_2F_2.
特に、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２及びＣＨ_２Ｆ_２を含むドライエッチングガスが好ましい。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF THERMOPLASTIC POLYIMIDE AND FORMING METHOD OF CIRCUIT
熱可塑性ポリイミドのエッチング方法およびそれを用いた回路形成方法 - 特許庁 - An etching gas, containing at least octafluorocyclobutane (c-C4F8), is used in this case.
この際、少なくともオクタフルオロシクロブタン（c-Ｃ_4Ｆ_8 ）を含むエッチングガスを用いる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a microlens to a substrate without etching mesa.
基板にメサをエッチングせずにマイクロレンズを形成する方法を提供する。 - 特許庁 - HYPERBOLIC DRUM TYPE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE ELEMENT USING ION BEAM ETCHING
双曲面ドラム型素子と、イオンビームエッチングを利用したその製造方法 - 特許庁 - To suppress the flexure of a diaphragm 87 after removal of an etching layer 70.
エッチング層７０を除去した後のダイアフラム８７の撓みを抑制する。 - 特許庁 - The function element 26 is smoothened by a crystal anisotropic etching.
この機能素子２６を結晶異方性エッチングにより平滑化処理を行う。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND PHOTONIC CRYSTAL ELEMENT PRODUCED USING SAME
ドライエッチング方法及びその方法を用いて作製されたフォトニック結晶素子 - 特許庁 - In this way, an etching liquid E and products stuck to each conveyance port 8 can be removed.
搬送口８に付着したエッチング液Ｅや生成物を除去できる。 - 特許庁 - A gas phase etching medium comprising equal proportion of O2, Ar and CCl2F2.
等比率のO2、Ar及びCCl2F2 からなることを特徴とするガス状エッチング媒体。 - 特許庁 - To preserve a test piece subjected to etching stably over a long period of time.
エッチング処理を施した試験片を長期間に亘り安定に保存する。 - 特許庁 - To inhibit the generation of a notch in the case of deep etching of a silicon layer.
シリコン層のディープエッチングの際にノッチが発生されることを防止する。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR CLEANING CVD CHAMBER BY ETCHING ON THE SPOT
ＣＶＤチャンバを現場でエッチングして清浄化するための装置及び方法 - 特許庁 - Especially, a pressure range of the dry etching is preferably 1 to 100 Pa.
特にドライエッチングの圧力範囲が、１〜１００Ｐａであることが好ましい。 - 特許庁 - To correct size variation of an isolated pattern resulting from an etching process.
孤立したパターンにおけるエッチングプロセスに起因する寸法変化を補正する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF METAL-BASE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC STORAGE DEVICE
金属系膜のエッチング加工方法および磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING INSULATING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM LAMINATE STRUCTURE
絶縁膜のエッチング方法と絶縁膜積層構造体の製造方法 - 特許庁 - When the trenches are formed by etching, projection parts 70 are left inside the trenches.
溝５０をエッチングして形成する際に、その内側に凸部７０を残す。 - 特許庁 - In addition, wet or dry etching is applied for the process to form the irregularity structure.
凹凸構造を形成する工程がウエットエッチングまたはドライエッチングである。 - 特許庁 - Accordingly, the pressure room can be formed by the low-cost wet etching and the like.
したがって、低コストのウェットエッチング等により、圧力室を形成できる。 - 特許庁 - Such a characteristic configuration can be achieved by setting the abrasive to be an etching liquid.
この特徴ある構成は、研磨剤がエッチング液からなるところにある。 - 特許庁 - To accurately verify nondestructively amount of etching, especially the amount of over-retching.
破壊しないでエッチング量、特に、オーバーエッチング量の正確な確認をする。 - 特許庁 - After detection of exposure of the shield film 102, etching is stopped directly.
遮光膜１０２の露出を検出した後、直ちにエッチングを停止させる。 - 特許庁 - PRETREATMENT METHOD FOR CATALYZING TREATMENT AND GLASS ETCHING SOLUTION THEREFOR
触媒化処理の前処理方法およびこれに用いるガラスエッチング処理液 - 特許庁 - To provide a focus ring for a plasma etching apparatus which generates fewer particles.
パーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリングを提供する。 - 特許庁 - By removing the etching-stop film, a second interlayer insulating film 116 is formed.
エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 - 特許庁 - To provide a resist composition further improved in etching resistance.
エッチング耐性を従来よりも向上させたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - ACID ETCHING-RESISTANT MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING ELEMENT USING THE MATERIAL
酸エッチング耐性材料、およびこれを用いた発光素子の製造方法 - 特許庁 - By this method, etching amount down to point A can be precisely controlled.
これにより、Ａ点までのエッチング量を高精度で制御することができる。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
ドライエッチング方法、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SIMOX SUBSTRATE, AND ETCHING DEVICE USED FOR THE METHOD
ＳＩＭＯＸ基板の製造方法及び該方法に用いるエッチング装置 - 特許庁 - A barrier metal 4 is removed by etching through openings 23a.
そして、この開口部２３ａよりエッチングを行い、バリアメタル４を除去する。 - 特許庁 - To achieve high anisotrophy and machining with a low gate destruction rate in dry etching.
ドライエッチングにおいて高異方性、低ゲート破壊率の加工を達成する。 - 特許庁 - Thus, the etching treatment of the Si substrate in one cycle is completed.
以上により、１サイクルにおけるＳｉ基板のエッチング処理が完了する。 - 特許庁 - To easily and precisely perform glass etching without using any hazardous chemical.
危険性の高い薬品を用いずに簡便かつ精密にガラスエッチングを行う。 - 特許庁 - Then, the SiO_2 film 8b at the third region R3 is removed by etching.
次に、第３の領域Ｒ３のＳｉＯ２膜８ｂをエッチング除去する。 - 特許庁 - The SiN film 104 is subjected to the pattern etching to be in a shape of a passage side wall.
次に、ＳｉＮ膜104をパターンエッチングして流路側壁の形状にする。 - 特許庁 - The magnetic resistance effect film is etched using the first mask pattern as an etching mask.
第１のマスクパターンをエッチングマスクとして、磁気抵抗効果膜をエッチングする。 - 特許庁
