「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 71 72 73 74 75 76 77 78 79 .... 399 400 次へ＞- A dry etching method is to apply patterning to a stack including the element which does not form the volatile compound, using the conventional reactive-ion etching.
本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。 - 特許庁 - After the dry etching, the etching mask 23 is removed and a waterproof film 32 which obstructs the permeation of water molecules is formed on the surface of the metal film 17.
当該ドライエッチング後に、エッチングマスク２３を除去し、金属膜１７の表面に水分子の透過を阻害する防水膜３２を形成する。 - 特許庁 - At the formation of a contact hole in a silicon oxide film on a silicon layer, oxygen plasma treatment is carried out between high-speed etching and selective etching.
シリコン層上のシリコン酸化膜へのコンタクトホール形成工程において、高速エッチングと、選択エッチングと、の間に酸素プラズマ処理を行う。 - 特許庁 - To stably carry out a uniform a wet-etching for a silver or silver alloy thin film layer by suppressing the occurrence of etch residual dross in a silver or silver alloy and suppressing the occurrence of side etching caused by over etching.
銀又は銀合金薄膜層のウエットエッチングに当たり、銀又は銀合金のエッチング残渣の発生を抑制すると共に、オーバーエッチングによるサイドエチングの発生を抑制し、均一なエッチングを安定して行う。 - 特許庁 - Thereafter, a recess 13 is formed by removing, by etching, a portion of the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub using the photoresist pattern PR2 as an etching mask.
その後、フォトレジストパターンＰＲ２をエッチングマスクとして、半導体基板１Subの主面の一部をエッチングにより除去して窪み１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus capable of suppressing generation of undercut and capable of etching a monocrystalline silicon at a high speed as compared with a conventional method, and to provide a computer storage medium.
アンダーカットの発生を抑制することができるとともに、従来に比べて高速に単結晶シリコンをエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method for manufacturing a semiconductor and its apparatus.
半導体製造用プラズマエッチング法およびその装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, where abnormal side etching is prevented so as to obtain a mesa in superior shape by etching.
異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING FILM OF MASK FOR WET ETCHING, MASK FOR WET ETCHING, ELECTROSTATIC ACTUATOR, DROPLET-DISCHARGING HEAD AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUBSTRATE FORMED BY USING THE MASK FOR WET ETCHING, AND IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT CARRYING THEM
ウエットエッチングマスクの成膜方法、ウエットエッチングマスク、ウエットエッチングマスクにより形成された基板を有する静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、半導体装置、及びこれらを搭載した画像形成装置、電子機器。 - 特許庁 - FORMATION METHOD OF CAPACITOR STRUCTURE AND SILICON ETCHING LIQUID FOR USE THEREIN
キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF LIQUID JETTING HEAD, AND ETCHING METHOD OF CRYSTAL SUBSTRATE
液体噴射ヘッドの製造方法及び結晶基板のエッチング方法 - 特許庁 - TRIMMING METHOD, TRIMMING EQUIPMENT, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT
トリミング方法とトリミング装置、およびエッチング加工製品の製造装置。 - 特許庁 - Since a semiconductor layer or the transparent electrode is not processed by etching, or the like, deterioration in emission efficiency due to etching damage is eliminated.
また、エッチング等によって半導体層や透明電極を加工しないので、エッチングダメージによる発光効率の低下が生じないものとできる。 - 特許庁 - A normal contact hole 10a and a shared contact hole 10b are formed by etching the interlayer insulating film 10, second etching stopper film 9, and the first etching stopper film 8 using the resist pattern 50 as a mask.
レジストパターン５０をマスクとして層間絶縁膜１０、第２のエッチングストッパー膜９、及び第１のエッチングストッパー膜８をエッチングすることにより、ノーマルコンタクトホール１０ａ及びシェアードコンタクトホール１０ｂを形成する。 - 特許庁 - ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR WAFER OUTER EDGE AND PROCESSING METHOD THEREOF SUCH AS ETCHING
ウェハー外縁の常圧プラズマ処理装置及びエッチング等の処理方法 - 特許庁 - The ruthenium etching composition desirably contain chlorine and water.
エッチング用組成物としては、塩素及び水を含有するものが望ましい。 - 特許庁 - To provide a method and equipment for etching, where the uniformity of the etching depth in a surface can be improved by uniforming an electric field distribution over an electrode when plasma-etching a dielectric film on a compound semiconductor substrate.
化合物半導体基板上の誘電体膜をプラズマエッチングする際に、電極上の電界分布を均一化させて、そのエッチング深さの面内均一性を向上できるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME
ドライエッチング装置およびそれを用いた半導体基板の処理方法 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus which comparatively easily manages treating liquid such as etching liquid, and much more enhances the uniformity of processing such as etching.
エッチング液等の処理流体の管理が比較的容易で、しかもエッチング等の処理の均一性をより高めることができるようにする。 - 特許庁 - To avoid lowering of an etching rate due to crystallization of a high dielectric film.
高誘電体膜の結晶化によるエッチングレートの低下を回避する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of continuously etching source and drain electrodes and a doped layer at a high etching rate and with little damage to the middle of a channel layer in the same etching chamber.
連続して同一のエッチング室にてソース及びドレイン電極とドーピング層をエッチングし、チャンネル層の途中まで高速に、かつ、低ダメージにてエッチングすることが可能な、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - Short circuit or open circuit caused by etching residue is thereby prevented.
エッチング残りが原因の配線間短絡や断線等が防止される。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE, INKJET RECORDING HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD
シリコン基板のエッチング方法、インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁 - Therefore, the etching stopper film 2 and the transparent substrate 1 are suppressed from etching in the direction parallel direction to the principal surface to widen the pattern profile in an etching step of the transparent substrate 1.
そのため、エッチングストッパ膜２および透明基板１は、透明基板１のエッチング工程において、その主表面に平行な方向に沿ってパターンの形状が広がるようにエッチングされてしまうことが抑制されている。 - 特許庁 - A ridge 16 and a trench 15 are formed by lithography and etching.
リソグラフィ及びエッチングにより、リッジ１６及びトレンチ１５を形成する。 - 特許庁 - METHOD OF FEATURING DEFECT ON SILICON SURFACE, ETCHING COMPOSITE FOR SILICON SURFACE AND PROCESS OF TREATING SILICON SURFACE BY ETCHING COMPOSITE
シリコン表面上の欠陥を特徴付ける方法、シリコン表面用のエッチング組成物、およびシリコン表面をエッチング組成物で処理するプロセス - 特許庁 - INTEGRATED CHIP DUMMY TRENCH PATTERN FACILITATING DEVELOPMENT OF TRENCH ETCHING PROCESS
トレンチ・エッチング・プロセスの開発を容易にする集積チップ・ダミ—・トレンチ・パタ—ン - 特許庁 - FLATTENING OF SHALLOW TRENCH ISOLATION BODY USING SELF- ALIGNMENT ISOTROPIC ETCHING
自己整合等方的エッチングを用いた浅いトレンチ分離体の平坦化 - 特許庁 - Disclosed are a method for producing a multilayer film utilizing a production process using an etching technique, and an etching film production device therefor.
本発明はエッチング技術を使った製造工程を利用した多層膜の製造方法及びそのエッチング膜製造装置に関するものである。 - 特許庁 - When a plurality of identical objects to be processed are processed by the identical dry etching devices 1 and 2, respectively, a data processing unit 7 detects etching time, respectively required for dry etching by both devices 1 and 2.
この発明は、同一の複数の被処理物を、同一のドライエッチング装置１、２でそれぞれ処理する際に、データ処理部７が、その両装置１、２のドライエッチングに要するエッチング時間をそれぞれ検出する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for improving etching precision and etching controllability and for optimizing different etching conditions according to the state of a wafer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.
エッチング精度とエッチング制御性の向上を図ることができるとともに、ウエハ状態によって異なるエッチング条件の最適化を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The groove 12 is formed through an etching step performed for exposing a gate layer to the surface and another etching step performed for separating elements from each other.
ダイシング溝１２は、ゲート層を表面に露出するためのゲート出しエッチング工程と、素子を分離するためのエッチング工程で形成される。 - 特許庁 - Thereafter, dry etching is applied on the quartz substrate 15 by using an etching gas such as tetrafluorocarbon to form a pattern 15a on the quartz substrate 15.
その後、石英基板１５に四フッ化炭素等のエッチング・ガスを用いてドライエッチングを施し、石英基板１５上にパターン１５ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method by which satisfactory etching work under a high aspect area is realized by obtaining a high selection ratio to a mask.
より高い対マスク選択比を得ることができ、高アスペクト領域下での良好なエッチング加工が可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The step includes forming an additional mask on the etching mask stack; and at least partially forming the side wall layer on the additional mask; etching a second set of characteristics in the etching mask stack.
該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第２組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。 - 特許庁 - When a thickness of the crystal substrate 31 prior to wet etching is t_0, an amount of processing t of wet etching is set to 0.1 μm≤t<t_0.
ウエットエッチング加工前の水晶基板３１の厚さをｔ_0としたとき、ウエットエッチングの加工量ｔを０．１μｍ≦ｔ＜ｔ_0に設定する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus which can control the substrate surface temperature during an etching treatment, until immediately after etching or completion of an etching process.
エッチング直後および、エッチング終了直後の過渡的瞬間までも、基板表面のエッチング処理温度を制御することができる半導体素子の製造方法、及び半導体素子の製造装置を提供する。 - 特許庁 - Since the dry etching surface of the p-type group III nitride semiconductor 8 is rendered n-type by defects caused by etching, ohmic contact cannot be attained when an electrode is formed on a flat plane subjected to dry etching.
ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。 - 特許庁 - To provide a transport container and an etching device for a single crystal, easy in handleability and having structure effective for eliminating etching unevenness.
取扱いが容易で、エッチングムラを無くすのに有効な構造を有するエッチング用単結晶の運搬容器及びエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - DUAL DAMASCENE ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR USING THE SAME
デュアルダマシンエッチング方法及びそれを用いた半導体の製造方法 - 特許庁 - To perform the stable measurement of film thickness to a substrate in etching treatment.
エッチング処理中の基板に対して安定した膜厚測定を行う。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD, MICROSTRUCTURE FORMING METHOD, MOLD AND ITS PRODUCTION METHOD
ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a metal etching product with an insulating treatment applied capable of easily and cheaply manufacturing metal etching products with high insulation reliability, and a metal etching product with an insulating treatment applied.
絶縁信頼性の高い金属エッチング製品を、容易かつ安価に製造することが可能な絶縁処理を施した金属エッチング製品の製造方法および絶縁処理を施した金属エッチング製品を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for endpoint detection for photomask etching.
フォトマスクエッチング用の終点検出装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, an etching quantity of an insulation film on the fuse F can be reduced and thereby the time required for etching the insulation film can be shortened.
また、ヒューズＦ上の絶縁膜のエッチング量を減らすことができ、かかる絶縁膜のエッチングに要する時間を短縮することができる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR PIEZOELECTRIC DEVICE
エッチング方法、デバイスの製造方法および圧電体素子の製造方法 - 特許庁 - An etching device 1 is aged, then dry etching treatment is successively performed to a material film on the semiconductor substrates of one lot by using the etching device 1 to form the material film pattern on each semiconductor substrate.
エッチング装置１のエージングを行った後に、エッチング装置１を用いて１ロットの半導体基板上の材料膜に対してドライエッチング処理を順次行い、各半導体基板上に材料膜パターンを形成する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING PHOTOMASK USING THE SAME
プラズマエッチング装置及びこの装置を利用したフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - To reduce the residue of an etching element which causes reduction of film thickness.
膜厚低下の原因となるエッチング元素の残留を低減させる。 - 特許庁 - The perforation line or the groove is formed by, for example, a laser or etching.
ミシン目または溝は、例えばレーザーまたはエッチングにより形成される。 - 特許庁
- 特許庁
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